Низькотемпературні п’єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин

У четвертому розділі наведено результати досліджень впливу сильних магнітних полів та одновісної деформації на електропровідність НК Si р-типу з різним ступенем наближення до переходу метал-діелектрик за низьких температур.

Дослідження в сильних магнітних полях НК Si:B1 показали, що величина їх магнітоопору при B=4 Тл не перевищує 1 % як для недеформованих кристалів, так і при одновісній деформації стиску е=-3,8Ч10-3 відн. од. Такі малі зміни опору цих кристалів в сильних магнітних полях зумовлені слабкою локалізацією носіїв заряду.

Дослідження магнітоопору НК Si:B3, Si:B4, концентрація домішки в яких близька до критичної концентрації ПМД, показали наступне:

- для недеформованих кристалів характерна тенденція зростання величини зміни опору в сильних магнітних полях із зменшенням рівня легування кристалів;

- при одновісній деформації стиску магнітоопір НК Si з концентрацією домішки з металевого боку ПМД суттєво збільшується в сильних магнітних полях (рис. 2 а), а для НК Si з концентрацією бору, що відповідає діелектричному боку ПМД, характерна протилежна картина - суттєве зменшення значення їх магнітоопору (рис. 2 б);

- для НК Si, концентрація бору в яких близька до ПМД з діелектричного боку, при 4,2 К характерна поява від'ємного магнітоопору у поздовжньому магнітному полі при деформації стиску, величина якого в області слабких полів із підвищенням рівня деформації немонотонно зменшується.

Дослідження характеру зміни опору НК Si p-типу в сильних магнітних полях в інтервалі температур 4,2-77 К показали, що з підвищенням температури незалежно від ступеня наближення до критичної концентрації ПМД для усіх досліджуваних кристалів як недеформованих, так і при одновісній деформації стиску, спостерігається поступове зменшення їх поперечного магнітоопору.

При дослідженні впливу одновісної деформації на характер магнітоопору НК Si було вперше виявлено та експериментально досліджено в області слабких магнітних полів і гелієвих температур невідоме раніше явище стрибкоподібної зміни магнітоопору НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД, що супроводжується гістерезисним ефектом.

Зазначений ефект має місце в НК Si з с300К=0,0095 ОмЧсм (група Si:B3) під впливом одновісної деформації стиску =-3,810-3 в слабких магнітних полях з індукцією до 0,9 Тл у вузькому інтервалі температур від 2 до 6 К.

Встановлено, що цей ефект майже не залежить від величини струму та орієнтації магнітного поля відносно напряму протікання струму через кристал. Особливості виявленого ефекту вказують на те, що він матиме місце в кристалах з локалізованими носіями заряду, а також за наявності достатньої концентрації локалізованих магнітних диполів, тобто за наявності деякої граничної взаємодії.

При цьому кожній локалізованій дірці можна приписати магнітний дипольний момент, що взаємодіє з навколишніми носіями і зовнішнім магнітним полем. Завдяки спіновим кореляціям у верхній зоні Хаббарда енергія активації Е2 залежить від магнітного поля і збільшує свою величину в області слабких полів за законом:

де - енергія активації при нульовому магнітному полі. Внаслідок цього буде зменшуватись концентрація носіїв заряду у верхній зоні Хаббарда, що призведе, відповідно, до збільшення опору кристала в інтервалі температур, де домінує Е2-провідність. З огляду на це можна, до деякої міри, пояснити виявлений ефект стрибка магнітоопору НК Si при зростанні магнітного поля.

Проведені дослідження в сильних магнітних полях показали, що найбільш стабільними щодо впливу магнітного поля є НК Si:B1.

У п'ятому розділі наведено результати досліджень тензометричних характеристик НК Si p-типу, закріплених на пружних елементах з різних матеріалів, та запропоновано концепцію вибору чутливих елементів п'єзорезистивних сенсорів механічних величин, а також наведено розроблені на основі цих кристалів сенсори тиску рідкого азоту та сенсори деформації для кріогенних температур.

З метою оцінки можливості створення п'єзорезистивних сенсорів механічних величин, зокрема, сенсорів тиску, для роботи за низьких температур на основі НК Si проведено дослідження тензометричних характеристик кристалів, закріплених на пружних елементах з інвару 36Н, який забезпечує мінімальну термічну деформацію досліджуваних зразків внаслідок незначної різниці ТКР інвару та кремнію за низьких температур.

Результати досліджень тензометричних характеристик легованих НК Si на пружних елементах з інвару в інтервалі температур 4,2-300 К показали можливість створення сенсорів механічних величин на основі сильнолегованих НК Si, працездатних в широкому інтервалі температур від 4,2 до 300 К, а також надчутливих сенсорів на основі НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД з діелектричного боку для роботи за гелієвих температур.

Так, використання НК Si:B1 як чутливих елементів п'єзорезистивних сенсорів дає змогу створити сенсори, значення вихідного сигналу яких при 4,2 К дорівнює приблизно 100 мВ при застосуванні мостової схеми з двома активними чутливими елементами, тоді як значення вихідного сигналу сенсора з одним чутливим елементом на основі НК Si:B4 досягає при 4,2 К приблизно 900 мВ (без підсилення).

Одержані результати використано для створення сенсорів тиску (рівня) кріогенних рідин. Для вимірювання малих тисків кріогенних рідин, зокрема, рідкого азоту, розроблено сенсор тиску на інтервал 0ч2,5Ч103 Па. В основі конструкції сенсора є тензомодуль, який складається з кільцевого елемента з консольною балкою, з обох боків якої закріплено тензорезистори на основі НК Si, з'єднані у напівмостову схему; для підвищення чутливості сенсора використовувалась гофрована мембрана. Параметри розробленого сенсора тиску рідкого азоту: інтервал вимірюваних тисків - 0ч2,5 кПа, вихідний сигнал при максимальному значенні тиску - 120 мВ, чутливість - 4,6 мВ/кПа.

Для розробки сенсорів деформації (тензорезисторів) для кріогенних температур на основі НК Si проводились дослідження тензометричних характеристик НК Si, закріплених на пружних елементах зі сталі, оскільки на практиці вимірювання деформацій проводиться в елементах конструкцій, виготовлених, переважно, із різних сортів сталі. Показано, що за гелієвих температур в області дії некласичного п'єзорезистивного ефекту в кремнії вплив термічної деформації, зумовленої різницею КТР кремнію і сталі, на характеристики НК Si, закріплених на сталевих пружних елементах, стає дуже суттєвим.

На основі легованих НК Si p-типу провідності, в яких проявляються класичний та некласичний п'єзорезистивні ефекти, створено сенсори деформації (тензорезистори) для різних інтервалів температур:

- сенсори деформації для широкого інтервалу температур 4,2-300 К на основі сильнолегованих НК Si (с300К=0,005 ОмЧсм) з коефіцієнтом тензочутливості до GF4,2К?275, працездатні в сильних магнітних полях за гелієвих температур (для вимірювання деформацій конструкцій, КТР матеріалу яких близький до КТР кремнію);

- високочутливі сенсори деформації для кріогенних температур на основі НК Si з концентрацією бору поблизу ПМД (с300К=0,01 ОмЧсм) з коефіцієнтом тензочутливості до GF4,2К-1000 (для вимірювання деформацій конструкцій, КТР матеріалу яких більший за КТР кремнію);

- сенсори деформації для інтервалу температур 77-300 К на основі НК Si (с300К=0,02 ОмЧсм) з концентрацією бору, що віддалена від ПМД в діелектричну область, з коефіцієнтом тензочутливості GF77К?260 (для вимірювання деформацій конструкцій, КТР матеріалу яких більший за КТР кремнію).

У додатку наведено перелік публікацій автора за темою дисертаційної роботи та акти про використання результатів дисертаційної роботи.

Основні результати роботи та Висновки

На основі досліджень деформаційно-стимульованих ефектів в легованих ниткоподібних кристалах кремнію p-типу провідності розроблено фізичні основи створення п'єзорезистивних сенсорів механічних величин, працездатних за низьких температур та створено сенсори деформації і сенсори тиску кріогенних рідин.

1. Показано, що за низьких температур в НК Si р-типу провідності з концентрацією акцепторної домішки поблизу переходу метал-діелектрик під дією одновісної деформації має місце перехід від класичного (сміттовського) п'єзорезистивного ефекту до так званого некласичного, що зумовлений зміною механізму транспорту носіїв заряду. Максимум п'єзоопору спостерігається за гелієвих температур в НК Si з концентрацією домішки NА?31018 см-3, що відповідає близькості до ПМД з діелектричного боку. Коефіцієнт тензочутливості таких кристалів при 4,2 К досягає гігантського значення GF4,2К-5,7Ч105, що є екстремально високим у порівнянні з класичним п'єзоопором в Si p-типу за низьких температур.

2. Розраховані з експериментальних даних значення енергії активації стрибкової провідності Е3 і Е2 для НК Si з різним ступенем наближення до ПМД та нелінійний характер їх магнітоопору в сильних магнітних полях підтверджують наявність стрибкового механізму провідності в таких кристалах за гелієвих температур під дією одновісної деформації.

3. Показано, що магнітоопір НК р-Si з концентрацією домішки, що відповідає металевому боку ПМД, зумовлений слабкою локалізацією носіїв заряду, а магнітоопір НК Si з діелектричного боку ПМД, для яких характерна низькотемпературна стрибкова електропровідність, визначається деформацією хвильових функцій домішкових центрів під дією магнітного поля. Встановлено, що зі збільшенням рівня деформації стиску має місце збільшення значення магнітоопору НК р-Si з концентрацією бору, що відповідає металевому боку переходу та безпосередній близькості до ПМД, а з діелектричного боку ПМД - зменшення значення магнітоопору.

4. Виявлено та експериментально досліджено в області слабких магнітних полів і гелієвих температур (2-6 К) явище стрибкоподібної зміни магнітоопору в НК Si поблизу ПМД з с300К=0,011 ОмЧсм при одновісній деформації стиску, що супроводжується гістерезисним ефектом. Показано, що цей ефект не залежить від величини струму, що протікає через кристал, та орієнтації магнітного поля відносно напряму протікання струму. Наведено можливі пояснення виявленого ефекту з врахуванням концентрації локалізованих носіїв заряду.

5. Розроблено концепцію створення п'єзорезистивних сенсорів механічних величин на основі легованих НК Si p-типу, працездатних в складних умовах (кріогенні температури, сильні магнітні поля). Показано, що використання сильнолегованих НК Si р-типу, для яких характерним є прояв класичного п'єзорезистивного ефекту, як чутливих елементів дозволяє створити сенсори механічних величин (деформації, тиску) для широкого інтервалу температур 4,2-300 К із лінійним вихідним сигналом до 100 мВ. При використанні НК Si p-типу з концентрацією бору поблизу ПМД, для яких характерний некласичний п'єзорезистивний ефект за гелієвих температур, як чутливих елементів можна значно підвищити чутливість сенсорів за низьких температур; їх вихідний сигнал при 4,2 К досягає приблизно 900 мВ.

6. Використовуючи запропоновану концепцію, створено сенсори деформації для різних температурних інтервалів: 4,2-300 К, 77-300 К та для 4,2 К відповідно на основі легованих НК Si р-типу з різним ступенем наближення до ПМД, в яких проявляється класичний та некласичний п'єзорезистивний ефекту.

7. Розроблено п'єзорезистивні сенсори тиску рідкого азоту на основі НК Si з с300К=0,02 ОмЧсм на інтервал малих тисків 0-2,5 кПа з чутливістю до 4,6 мВ/кПа (без підсилення), які можуть також використовуватись як сенсори рівня рідкого азоту.

Список основних публікацій за темою дисертації

1. Дружинин А.А., Марьямова И.И., Кутраков А.П., Павловский И.В. О возможности создания высокочувствительных пьезорезистивных сенсоров механических величин для криогенных температур. // Датчики и системы. - 2005. - № 7. - С. 17-21.

2. Druzhinin A.A., Maryamova I.I., Pavlovskyy I.V., Palewski T. Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures. // Functional Materials. - 2004. - Vol. 11, № 2. - P. 268-272.

3. Druzhinin A.A., Maryamova I.I., Kutrakov O.P., Pavlovskyy I.V. Silicon microcrystals with high piezoresistance at cryogenic temperatures for sensors application. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. - 2004. - № 1. С. 69-77.

4. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. Тензометричні характеристики мікрокристалів кремнію при кріогенних температурах. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. - 2005. - № 3. - С. 74-81.

5. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. Фізичні основи створення сенсорів механічних величин для низьких температур на основі мікрокристалів кремнію. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. - 2006. - № 3. - С. 5-13.

6. Буджак Я.С., Дружинін А.О., Павловський І.В., Ховерко Ю.М. Питомий опір кремнію р-типу провідності в умовах екранування домішкових центрів носіями заряду. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2002. - Т. 3, № 3. - С. 396-400.

7. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів кремнію в області переходу метал-діелектрик. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - Т. 4, № 4. - С. 720-728.

8. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Мар'ямова І.Й., Павловський І.В. Дослідження п'єзоопору мікрокристалів Si і Ge при кріогенних температурах поблизу переходу метал-напівпровідник для створення сенсорів. // Фотоэлектроника. - 2003. - Вып. 12. - С. 80-84.

9. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: “Електроніка”. - 2003. - № 482. - С. 98-104.

10. Druzhinin A., Marymova I., Kutrakov O., Pavlovskyy I., Palewski T. Silicon mechanical sensors for cryogenic temperatures: experimental simulation and characterization. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: “Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки”. - 2004. - № 510. - С. 102-106.

11. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п'єзорезистивних сенсорів. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: “Електроніка” - 2004. - № 513. - С. 125-130.

12. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В. Сенсори деформації для кріогенних температур на основі мікрокристалів кремнію. // Вісник НУ “Львівська політехніка”: “Електроніка”. - 2006. - № 558. - С. 58-64.

13. Деклараційний патент на корисну модель № 5217 Україна, МПК 7 G01B7/16, G01L9/04, G01L9/06. Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію / Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Кутраков О.П., Павловський І.В.; Національний університет “Львівська політехніка” - № 20040806533; Заявл. 04.08.2004; Опубл. 15.02.2005, Бюл. № 2. - 2 с.

14. Деклараційний патент на корисну модель № 11353 Україна, МПК 7 G01B7/16, G01L9/04, G01L9/06. Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Павловський І.В.; Національний університет Львівська політехніка № u200506387; Заявл. 29.06.2005; Опубл. 15.12.2005, Бюл. № 12. - 3 с.

15. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Oszwaldowski M., Pavlovskyy I. Strain-induced changes in magnetoresistance in Si and Ge whiskers. // International Conference on Solid State Crystals, Poland, Zakopane, 14-18 October 2002. Programme and Abstracts. - Zakopane, 2002. - P. 141.

16. Druzhinin A., Maryamova I., Kutrakov O., Pavlovskyy I., Palewski T. Experimental simulation of piezoresistive mechanical sensors based on Si microcrystals at cryogenic temperatures. // VIII Konferencja Naukowa Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne, Wroclaw, 27-30 czerwca 2004. Materialy konferencyjne. - S. 106-109.

17. Pavlovskyy I. The giant non-classic piezoresistance in silicon microcrystals at cryogenic temperatures for sensors application. // VIII Konferencja Naukowa Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne, Wroclaw, 27-30 czerwca 2004. Materialy konferencyjne. - S. 618-620.

18. Дружинін А.О., Павловський І.В. Гістерезисний ефект магнітоопору в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу провідності при низьких температурах. // II Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. - Чернівці: Рута, 2004. - Т. 1. - С. 72-73.

19. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Павловський І.В. Магнітоопір деформованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах. // II Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. - Чернівці: Рута, 2004. - Т. 2. - С. 149-150.

20. Дружинін А.О., Павловський І.В. Деформаційні залежності магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію в області фазового переходу метал-діелектрик. // V Міжнародна школа-конференція “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. Тези доповідей. - Дрогобич: НВЦ “Каменяр”, 2005. С. 216-217.

21. Druzhinin A., Maryamova I., Kutrakov O., Pavlovskyy I., Palewski T. Strain sensors based on Si microcrystals for cryogenic temperatures. // IX Konferencija Naukowa “Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne”. Krakуw-Zakopane, 19-22 czerwca 2006. Materialy konfererencyjne. - Krakow, 2006. - P. 165-168.

22. Дружинін А.О., Мар'ямова І.Й., Островський І.П., Павловський І.В. Фізичні основи створення сенсорів механічних і теплових величин для низьких температур на основі напівпровідникових мікрокристалів. // 2-а Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. Україна, Одеса, 26-30 червня 2006 р. Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2006. - С. 30-31.

АНОТАЦІЇ

Павловський І.В. Низькотемпературні п'єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 - твердотільна електроніка. - Національний університет “Львівська політехніка”, Львів, 2007.

Дисертація присвячена дослідженню п'єзорезистивних характеристик ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу провідності за низьких температур як чутливих елементів сенсорів механічних величин для кріогенних температур (до температури рідкого гелію).

Проведено дослідження електропровідності, п'єзоопору та магнітоопору НК кремнію, легованих бором, з різним ступенем наближення до переходу метал-діелектрик (ПМД), у широкому інтервалі температур 1,7-300 К та магнітних полів з індукцією до 14 Тл. Показано, що в НК Si р-типу провідності з концентрацією акцепторної домішки NA?(2ч5)Ч1018 см-3 спостерігається перехід від класичного (сміттовського) до некласичного п'єзорезистивного ефекту за гелієвих температур. В НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД з діелектричного боку переходу виявлено при 4,2 К гігантський некласичний п'єзоопір (GF4.2K=-5,7Ч105), що зумовлений стрибковим механізмом транспорту носіїв заряду. Показано вплив магнітного поля за низьких температур на провідність недеформованих та одновісно деформованих НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД.

Розроблено концепцію створення сенсорів механічних величин для низьких температур з врахуванням результатів проведеного експериментального моделювання роботи п'єзорезистивних сенсорів на основі легованих НК p-Si. Створено сенсори тиску (рівня) кріогенних рідин та високочутливі сенсори деформації для кріогенних температур на основі легованих НК Si р-типу, в яких мають місце класичний та некласичний п'єзорезистивні ефекти.

Ключові слова: ниткоподібний кристал, кремній, п'єзоопір, магнітоопір, сенсори механічних величин.

Павловский И.В. Низкотемпературные пьезорезистивные характеристики нитевидных кристаллов p-Si как чувствительных элементов сенсоров механических величин. - Рукопись.

Диссертация на соискание научной степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника. - Национальный университет “Львовская политехника”, Львов, 2007.

Диссертация посвящена исследованию пьезорезистивных характеристик нитевидных кристаллов (НК) кремния р-типа проводимости при низких температурах как чувствительных элементов сенсоров механических величин для этого интервала температур (до температуры жидкого гелия).

В интервале температур 1,7-300 К проведено исследование электропроводимости и пьезосопротивления НК кремния, легированных бором, с разной степенью приближения к переходу металл-диэлектрик (ПМД). Определены механизмы переноса носителей заряда и энергии активации акцепторной примеси НК Si при низких температурах. Показано, что в НК Si с NA?(2ч5)Ч1018 см-3 наблюдается переход от классического (cмитовского) к неклассическому пьезорезистивному эффекту при низких температурах. При 4,2 К в НК Si с концентрацией примеси вблизи ПМД с диэлектрической стороны перехода обнаружено гигантское неклассическое пьезосопротивление (GF4.2K=-5,7Ч105), что обусловлено прыжковым механизмом транспорта носителей заряда.

Показано влияние сильных магнитных полей с индукцией до 14 Тл при низких температурах на проводимость недеформированных и одноосно деформированных НК Si с концентрацией примеси вблизи ПМД.

Впервые обнаружено и экспериментально исследовано в области слабых магнитных полей и гелиевых температур явление скачкообразного изменения магнитосопротивления НК Si с концентрацией примеси вблизи ПМД при одноосной деформации сжатия, что сопровождается гистерезисным эффектом.

На основе проведенного экспериментального моделирования работы пьезорезистивных сенсоров на основе легированных НК p-Si разработана концепция создания сенсоров механических величин для низких температур. Созданы сенсоры давления (уровня) криогенных жидкостей, а также высокочувствительные сенсоры деформации для криогенных температур на основе легированных НК Si р-типа, в которых имеют место классический и неклассический пьезорезистивные эффекты.

Ключевые слова: нитевидный кристалл, кремний, пьезосопротивление, магнитосопротивление, сенсоры механических величин.

Pavlovskyy I.V. The low temperature piezoresistive characteristics of p-Si whiskers as active elements of mechanical sensors. - Manuscript.

The thesis for a candidate's degree of technical sciences in speciality 05.27.01 - solid state electronics. - Lviv Polytechnic National University, Lviv, 2007.

The dissertation is devoted to the investigation of piezoresistive characteristics of p-type silicon whiskers at cryogenic temperatures as the active elements of mechanical sensors operating at cryogenic temperatures (including liquid helium temperature).

The studies of conductivity, piezoresistance and magnetoresistance of Si whiskers with boron concentration approaching to the metal-insulator transition (MIT) in the wide temperature range 1.7-300 K and magnetic fields with induction up to 14 T were carried out. It was shown that in p-type Si whiskers with concentration of acceptor impurity NA?(2ч5)Ч1018 cm-3 one could observe that the classic (Smith's) piezoresistance turns into non-classic piezoresistance at helium temperatures. In Si whiskers with impurity concentration in the vicinity of MIT from the insulating side of transition the giant non-classic piezoresistance (GF4.2K=-5.7Ч105) at 4.2 K was revealed due to the hopping mechanism of the charge carrier transport. The effect of magnetic field at low temperatures on the conductivity of Si whiskers, unstrained and uniaxialy strained, with impurity concentration in the vicinity of MIT are presented.

On the basis of the experimental simulation of the piezoresistive sensors with doped p-Si whiskers the conception of creating the low-temperature mechanical sensors was developed. The sensors to measure the pressure (level) of cryogenic liquids and high-sensitive strain sensors for cryogenic temperatures on the basis of classic and non-classic piezoresistance in p-type silicon are created.

Key words: whiskers, silicon, piezoresistance, magnetoresistance, mechanical sensors.

Размещено на Allbest.ur