Расчет параметров схемы на транзисторе КТ339Г
Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 10.12.2015 |
| Размер файла | 83,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
Высшего образования
«Дальневосточный федеральный университет»
ИНЖЕНЕРНАЯ ШКОЛА
Кафедра автоматизации и управления
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
по образовательной программе подготовки бакалавров
по направлению 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств»
г. Владивосток 2015 г.
Оглавление
- 1. Расчет “h” параметров
- 1.1 Задание и начальные значения
- 1.2 Расчет параметров у схемы с общей базой
- 1.3 Расчет параметров у схемы с общим эмиттером
- 2. Расчет транзистора
- 2.1 Задание и начальные значения
- 2.2 Определение статических параметров каскада с общим эмиттером
- 2.3 Определение динамических параметров каскада
- 2.4 Определение параметров выходного импульсного сигнала
- 3. Определение значения выходной функции для логической схемы
- Литература
- транзистор эмиттер логический
1. Расчет “h” параметров
1.1 Задание и начальные значения
По известным собственным параметрам транзистора найти и сравнить его “h” параметры для схем включение с общим эмиттером и общей базой.
rб=50 Ом, rэ=5 Ом, rк=500 кОм и в=100
Таблица 1
|
Параметр |
Схема с общей базой |
Схема с общим эмиттером |
|
|
h11 |
rэ+rб(1-б) |
rб+rэ(1+ в) |
|
|
h12 |
rб/rк |
rэ/(1- б)rк |
|
|
h21 |
б |
б/(1- б) |
|
|
h22 |
1/rк |
(1+ в)/rк |
Для расчета нам необходимо найти значение б:
1.2 Расчет параметров у схемы с общей базой
Входное сопротивление:
Коэффициент обратной связи:
Коэффициент усиления по току:
Выходная проводимость:
1.3 Расчет параметров у схемы с общим эмиттером
Входное сопротивление:
Коэффициент обратной связи:
Коэффициент усиления по току:
Выходная проводимость:
2. Расчет транзистора
2.1 Задание и начальные значения
По параметрам схемы каскада с общим эмиттером, сопротивлении нагрузки каскада Rн = 5 кОм т емкости разделительного конденсатора Ср = 45 мкФ:
1. Определить статические параметры каскада с общим эмиттером; токи коллектора Iко и базы Iбо в рабочей точку, фактический коэффициент температурной стабилизации каскада при Tраб = 60°C.
2. Определить динамические параметры каскада:
- коэффициенты усиления по напряжения K0, току Ki, и мощности Kp;
- входное и выходное сопротивление каскада;
-диапазон усиливаемых частот ДF = Fв - Fн при коэффициентах частотных искажений Мн = Мв = 3 дБ;
3. Определить параметры выходного импульсного сигнала при длительности входного импульса tи = 900 мксек.
Рис. 1 Усилительный каскад с общим эмиттером
Таблица 2
|
E0, В |
R1, кОм |
R2, кОм |
Rк, кОм |
Rэ, кОм |
Сн, пФ |
Транзистор |
|
|
18 |
16 |
2 |
1,5 |
0,5 |
100 |
КТ339Г |
Таблица 3 Основные параметры транзистора
|
Транзистор |
h21 |
F1, МГц |
Ск, пФ |
Тос, пс |
Iкбо, мкА |
Uк доп, В |
|
|
КТ339Г |
40-120 |
250 |
2 |
100 |
1 |
60 |
2.2 Определение статических параметров каскада с общим эмиттером
Ток коллектора:
Для определения тока базы нам необходимо найти среднее геометрическое значение коэффициента усиления по току h21:
Находим коэффициент температурной стабилизации: =
2.3 Определение динамических параметров каскада
Область средних частот
Коэффициент усиления по напряжению:
Неизвестные значения входного сопротивления h11 и параллельно соединённых Rк и Rн, вычисляются следующим образом:
556,8
Коэффициент усиления по току:
Коэффициент усиления мощности:
Входное и выходное сопротивление:
Область низких частот
Частотные искажения на низких частотах выражаются как:
Отсюда выражаем нижнюю частоту :
Переводим Мн из логарифмического вида в нормальный
Находим :
Область высоких частот
Частотные искажения на высоких частотах:
Выражаем высшую частоту :
Mн будет равно Mв:
Находим
Диапазон усиливаемых частот будет равен разности высших и низших частот:
2.4 Определение параметров выходного импульсного сигнала
Спад величины выходного сигнала tу определяется как:
3. Определение значения выходной функции для логической схемы
Для приведенной схемы составить таблицу истинности и определить значение выходной функции при заданных входных значениях.
Рис. 2
Таблица 4
|
xy |
1 |
|
|
00 |
0 |
|
|
01 |
1 |
|
|
10 |
1 |
|
|
11 |
0 |
|
|
xy |
& |
|
|
00 |
0 |
|
|
01 |
0 |
|
|
10 |
0 |
|
|
11 |
1 |
Таблица 5
|
X1 |
X2 |
X3 |
X4 |
X1?X2 |
X3?X4 |
a?X3 |
b?X2 |
c?d |
F |
|
|
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
Литература
1. Прянишкинов В.А. Электроника: курс лекций. - СПБ,: Корона принт, 2004. -416с.
2. Лачина В.И., Савелов Н.С. Электроника: учебное пособие. - Р н/Д,Феникс, 2000.
3. Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники: учебник для вузов. - М.: Высшая школа, 2000.
4. Опадчий Ю.Ф. И др. Аналоговая и цифровая электроника. - М. Горячая линия - Телеком, 2000.
5. Красько А.С. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебное пособие. - Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2005. - 178с.
6. Шамшин В.Г. Основы схемотехники (учебно-методический комплекс). - Владивосток: Дальневосточный государственный технический университет, 2007. -265с.
7. Шамшин В.Г. Аналогоные устройства: Учеб. пособие.- Владивосток: Изд-во ДВФУ, 2013. -152с.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Расчет и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером. Выбор параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора. Электрическая схема каскада.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 09.05.2013Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.
курсовая работа [120,0 K], добавлен 19.10.2014Расчет токов и напряжений для всех элементов схемы усилительного каскада с общим эмиттером с распределенной нагрузкой. Моделирование переходных и частотных характеристик каскада в ППП "MicroCap". Статический и усилительный режим работы транзистора.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 26.02.2012Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
курсовая работа [381,5 K], добавлен 03.12.2010Рассмотрение правил включения транзистора по разным вариантам схем - с общим эмиттером, общей базой, общим коллектором. Описание особенностей работы усилительных каскадов в области высоких и низких частот. Представление схемы дифференциального каскада.
реферат [138,3 K], добавлен 17.03.2011Режим работы выходного каскада по постоянному и переменному току. Определение низкочастотных и высокочастотных параметров транзистора выходного каскада. Выбор транзистора для предварительных каскадов. Определение показателей рассчитываемого усилителя.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 09.11.2014Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [964,4 K], добавлен 01.10.2014Определение параметров транзистора по его статическим характеристикам. Построение комбинационной логической схемы на электромагнитных реле. Разработка электрических схем параллельного и последовательного суммирующих счётчиков. Состояние триггеров.
курсовая работа [290,5 K], добавлен 13.01.2016Расчет схемы резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером. Расчет схемы усилителя: определение сопротивления резистора защиты, амплитудная характеристика, входное и выходное сопротивление.
практическая работа [352,3 K], добавлен 19.03.2012Расчет элементов схемы по постоянному току. Определение координат рабочей точки транзистора на выходных характеристиках. Графоаналитическтй расчет параметров усилителя, каскада по переменному сигналу. Нахождение постоянного тока и мощности в режиме покоя.
курсовая работа [5,3 M], добавлен 14.03.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009Расчет усилительного каскада, включенного по схеме с ОЭ. Компоненты схемы, ее расчет по постоянному току. Анализ схемы усилительного каскада с общим эмиттером, реализованной на биполярном транзисторе, ее моделирование с помощью MathCad15.0 и Micro-Cap9.0.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 23.03.2012Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа [911,3 K], добавлен 10.02.2016Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.
лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015Расчет параметров резисторов, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А и ее нестабильности при определенном напряжении источника питания схемы и выбранном типе транзистора. Упрощённая схема усилителя для расчёта постоянных составляющих.
курсовая работа [768,5 K], добавлен 16.01.2015Краткие теоретические сведения об усилителях переменного тока. Усилительный каскад с общим эмиттером. Создание усиленного переменного напряжения на выходе схемы. Последовательность и методика расчета маломощного усилительного каскада с общим эмиттером.
контрольная работа [252,1 K], добавлен 30.11.2014Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012
