Элементарная база радиоэлектронной аппаратуры

Теоретические сведения об основных элементах радиоэлектронной аппаратуры. Расчет и схема фильтра Чебышева. Ключевые характеристики конденсаторов, рабочие параметры резисторов, разновидности катушек индуктивности, технические особенности их применения.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 14.01.2016
Размер файла 373,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

Курсовая работа по курсу

«Материалы и компоненты ЭС»

на тему

«Элементарная база РЭА»

Выполнила студентка группы 4О-204Б

Мазур Алена

Декабрь 2013г.

Теоретические сведения

индуктивность резистор радиоэлектронный

Фильтр Чебышева -- один из типов линейных аналоговых или цифровых фильтров, отличительной особенностью которого является более крутой спад амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) и существенные пульсации амплитудно-частотной характеристики на частотах полос пропускания (фильтр Чебышева I рода) и подавления (фильтр Чебышева II рода), чем у фильтров других типов. Фильтр получил название в честь известного русского математика XIX века Пафнутия Львовича Чебышева, так как характеристики этого фильтра основываются на многочленах Чебышева.

Фильтры Чебышева обычно используются там, где требуется с помощью фильтра небольшого порядка обеспечить требуемые характеристики АЧХ, в частности, хорошее подавление частот из полосы подавления, и при этом гладкость АЧХ на частотах полос пропускания и подавления не столь важна. Недостаток фильтров Чебышева заключается в том, что их фазочастотные характеристики в полосе пропускания значительно отличаются от линейных.

Резистор -- пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый только сопротивлением электрическому току, то есть для идеального резистора в любой момент времени должен выполняться закон Ома для участка цепи: мгновенное значение напряжения на резисторе пропорционально току проходящему через него ~U(t) = R \cdot I(t). На практике же резисторы в той или иной степени обладают также паразитной ёмкостью, паразитной индуктивностью и нелинейностью вольт-амперной характеристики.

Конденсатор-- двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. В простейшем варианте конструкция состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок. Практически применяемые конденсаторы имеют много слоёв диэлектрика и многослойные электроды, или ленты чередующихся диэлектрика и электродов, свёрнутые в цилиндр или параллелепипед со скруглёнными четырьмя рёбрами (из-за намотки).

Катушка индуктивности -- винтовая, спиральная или винтоспиральная катушка из свёрнутого изолированного проводника, обладающая значительной индуктивностью при относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении. Как следствие, при протекании через катушку переменного электрического тока, наблюдается её значительная инерционность.

Применяются для подавления помех, сглаживания пульсаций, накопления энергии, ограничения переменного тока, в резонансных (колебательный контур) и частотноизбирательных цепях, в качестве элементов индуктивности искусственных линий задержки с сосредоточенными параметрами, создания магнитных полей, датчиков перемещений и так далее.

Расчет фильтра

Схема фильтра:

Номиналы:

Конденсатор С1=1,108нФ

Конденсатор С2=850,3пФ

Чип индуктивности=28,49мкГн

Резистор=75Ом

Материал платы - стеклопластик

Характеристики выбранных элементов.

Элемент

Название

Номинальное значение

Размер, мм

L1

TDK NLV32T-330J-PF

33мкГн

2,5х3,2

L2

CM322522-330KL

47мкГн

2,5х3,2

C1

CL10B122KBNC

1,2нФ

1,6х0,8

C2

CC0603KRX7R8

100пФ

1,6х0,8

C3

06031C122KAT2A

1,2нФ

1,6х0,81

R1

Чип-резистор, Royal Ohm

75Ом

1х0,5

Проведение расчетов.

Коэффициент дезинтеграции равен отношению общей площади платы S к суммарной площади всех элементов платы s:

S = 14*10=140 мм2

s = 2,5*3,2+2,5*3,2+1,6*0,8+1,6*0,81+1,6*0,8+1*0,5 = 20,356 мм2

Коэффициент дезинтеграции равен 6,8.

Конденсаторы

С1=С3=1,108нФ

1) 1,2нФ 0603 100В X7R 10% Чип-конденсатор керамический, AVX 06031C122KAT2A

Производитель: AVX

Код производителя: 06031C122KAT2A

Емкость: 1,2 нФ

Допустимое отклонение: ±10%

Номинальное напряжение: 100 В

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +125°C

Длина корпуса: 1,6 мм

Ширина корпуса: 0,81 мм

Высота корпуса: 0,9 мм

Тип монтажа: SMD

Цена:1,00р.

2) 1,2нФ 0603 50В X7R 10% Чип-конденсатор керамический, Samsung CL10B122KBNC

Производитель: Samsung

Код производителя: CL10B122KBNC

Емкость: 1,2 нФ

Допустимое отклонение: ± 10%

Напряжение: 50 В

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +125°C

Длина корпуса: 1,6 мм

Ширина корпуса: 0,8 мм

Толщина корпуса: 0,8 мм

Цена: 0,33р.

3) 1,2нФ 1206 50В C0G 5% Чип-конденсатор керамический, Kemet C1206C122J5GACTU

Производитель: Kemet

Тип: SMD

Код производителя: C1206C122J5GACTU

Емкость: 1,2 нФ (1200 пФ)

Допустимое отклонение: ± 5%

Напряжение: 50 В

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +125°C

Длина корпуса: 3,2 мм

Ширина корпуса: 1,6 мм

Высота корпуса: 0,78 мм

Цена:1,00р.

С2=850,3пФ

1) Керамический ЧИП конденсатор 1000 пф, X7R, 10%, 0603, 25В CC0603KRX7R8

Тип CC0603

Номинальная емкость, пФ 1000

Рабочее напряжение, В 25

Температурный коэффициент емкости X7R

Допуск номинала,% 10

Рабочая температура,С -55...125

Выводы/корпус SMD 0603

Длина корпуса L,мм 1.6

Ширина корпуса W,мм 0.8

Производитель Yageo Corporation

Цена,р. 2

2) Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, GRM2165C1H102J

Тип GRM21

Номинальная емкость, пФ 1000

Рабочее напряжение, В 50

Температурный коэффициент емкости NP0

Допуск номинала,% 5

Рабочая температура,С -55...125

Выводы/корпус SMD 0805

Длина корпуса L,мм 2

Ширина корпуса W,мм 1.25

Производитель Murata

Цена,р.: 1,00

3) Кер.ЧИП конд. 910пФ NPO 50В, 5%, 0805

Тип кер.ЧИП

Номинальная емкость, пФ 910

Рабочее напряжение, В 50

Температурный коэффициент емкости NP0

Допуск номинала,% 5

Рабочая температура,С -55...125

Выводы/корпус SMD 0805

Длина корпуса L,мм 2

Ширина корпуса W,мм 1.25

Производитель Тайвань

Цена,р.: 6,2

Резистор

R=75 Ом

1)0.25Вт 1206 75 Ом, 5%, Чип резистор (SMD)

МонтажSMD 1206

Номин.сопротивление75

Единица измеренияОм

Точность,%5

Номин.мощность,Вт0.125/0.25

Макс.рабочее напряжение,В200

Рабочая температура,С-55…125

Длина корпуса L,мм3.2

Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм1.6

Производитель: Тайвань

Цена: 6р.

2)Чип резистор 75 Ом, 2512, 5%

тип корпуса: ЧИП / SMD

напряжение макс.: 150 В

допуск/точность: 5%

сопротивление: 75 Ом

Длина корпуса L,мм2

Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм1.25

Производитель: Yageo

Цена: 0,67р.

3)75 Ом 0402 5% Чип-резистор, Royal Ohm

Производитель: Royal Ohm

Серия: RMC 0402

Код производителя: RMC 1/16W (0402) 5% T/R-10000 75E

Сопротивление: 75 Ом

Номинальная мощность: 0,125 Вт

Максимальное рабочее напряжение: 25 В

Максимальное напряжение при перегрузках: 50 В

Диапазон рабочих температур: от -55°C до +125°C

Размеры: 1мм длина* 0,5мм ширина*0,35мм высота

Точность: 5 %

Цена:0,10р.

Катушка индуктивности

L=28,49мкГн

1) 33мкГн 3,85*3,85*3мм 20% SMD Индуктивность, Viking PDRH0303MT330

Производитель: Viking

Код производителя: PDRH0303MT330

Индуктивность: 33 мкГн

RoHS: соответствие (без свинца)

Допустимое отклонение: ± 20%

Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C

Размер: 3,85мм x 3,85мм x 3мм

Сопротивление: 0,214 Ом

Номинальный ток: 0,23 А

Цена :42р

2) 33мкГн 10% 1812 Чип-индуктивность, Murata LQH43CN330K03L

Производитель: Murata

Код производителя: LQH43CN330K03L

Индуктивность: 33 мк Гн

RoHS: соответствие (без свинца)

Допустимое отклонение: ± 10%

Номинальный ток: 310 мА

Сопротивление: 1 Ом

Резонансная частота: 12 МГц

Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C

Тип монтажа: поверхностный

Код корпуса: 1812

Размеры: 3,2 мм ширина x 4,5 мм длина x 2,8 мм высота

Цена:33р

3) 33мкГн 1210 Чип-индуктивность, TDK NLV32T-330J-PF

Производитель: TDK

Код производителя: NLV32T-330J-PF

Индуктивность: 33 мкГн

RoHS: соответствие (без свинца)

Допустимое отклонение: ± 5%

Номинальный ток: 70мА

Сопротивление: 5,6 Ом

Резонансная частота: 17 МГц

Диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C

Размеры: 2,5 мм ширина x 3,2 мм длина x 2,2 мм высота

Цена:12р.

3) CM322522-330KL, 33 мкГн, 1210, Индуктивность SMD

СерияCM3225

Номинальная индуктивность, мк Гн 33

Допуск номинальной индуктивности, % 10

Рабочая температура, С -20…100

Способ монтажа SMD

Длина корпуса, мм 3.2

Диаметр (ширина) корпуса, мм 2.5

Цена, р. 12

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Сущность и параметры надежности как одного из основных параметров радиоэлектронной аппаратуры. Характеристика работоспособности и отказов аппаратуры. Количественные характеристики надежности. Структурная надежность аппаратуры и методы ее повышения.

    реферат [1,5 M], добавлен 17.02.2011

  • Экранирование электромагнитных полей. Процесс экранирования электромагнитного поля при падении плоской волны на бесконечно протяженую металлическую пластину. Экранирование узлов радиоэлектронной аппаратуры. Экранирование высокочастотных катушек, контуров.

    реферат [120,2 K], добавлен 19.11.2008

  • Методы и этапы конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Роль языка программирования в автоматизированных системах машинного проектирования. Краткая характеристика вычислительных машин, используемых при решении задач автоматизации проектирования РЭА.

    реферат [27,0 K], добавлен 25.09.2010

  • Ознакомление с предприятием, особенности работы. Осуществление входного контроля радиоэлементов, подготовка к монтажу, механическая регулировка. Организация рабочего места по обслуживанию радиоэлектронной аппаратуры. Выполнение должностных обязанностей.

    отчет по практике [23,4 K], добавлен 23.04.2009

  • Цели и задачи технологического контроля. Содержание и порядок его проведения. Соблюдение требований технологического контроля в конструкторской документации. Правила оформления сборочного чертежа катушки трансформатора радиоэлектронной аппаратуры.

    контрольная работа [11,4 K], добавлен 31.03.2009

  • Параметры избирательного усилителя. Выбор функциональной схемы устройства. Расчет основных узлов. Схема неинвертирующего усилителя. Оптимальный коэффициент усиления полосового фильтра. Номиналы конденсаторов и резисторов. Частотные характеристики фильтра.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 14.07.2013

  • Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.

    реферат [1,5 M], добавлен 05.12.2012

  • Амортизация как система упругих опор, на которые устанавливается объект для защиты от внешних динамических воздействий. Знакомство с особенностями проектирования систем защиты радиоэлектронной аппаратуры от механических воздействий, анализ способов.

    контрольная работа [1,3 M], добавлен 06.08.2013

  • Индуктивность – физическая величина, характеризующая магнитные свойства электрической цепи. Природа индуктивности, классификация катушек индуктивности. Схема замещения, основные и паразитные параметры. Стабильность катушек без сердечника и их особенности.

    реферат [813,9 K], добавлен 11.12.2008

  • Особенности применения дросселей переменного тока для конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Назначение дросселей. Параметры и примеры типовых конструкций. Эквивалентная схема дросселя высокой частоты. Магнитопроводы дросселей. Нагрев и охлаждение.

    реферат [331,8 K], добавлен 14.01.2017

  • Маркетинговый подход к разработке радиоэлектронной аппаратуре. Этапы разработки, испытания и вывода изделия на рынок. Отбор и оценка проектов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ. Особенности финансового анализа в процессе НИОКР.

    презентация [268,5 K], добавлен 31.10.2016

  • Разработка фильтра высоких частот с характеристикой Чебышева при неравномерности АЧХ 3 дБ второго порядка. Расчет принципиальной схемы, выбор компонентов. Выбор резисторов и конденсаторов из диапазона стандартных значений. Переходная характеристика схемы.

    контрольная работа [251,1 K], добавлен 10.12.2015

  • Определение требуемых уровней критерия безотказности. Расчет показателей безотказности блоков комплекта аппаратуры. Оценка ремонтопригодности устройства. Расчет периодичности технического обслуживания. Определение номенклатуры и количества элементов ЗИП.

    курсовая работа [235,8 K], добавлен 07.02.2013

  • Технические требования к радиопередающему устройству магистральной радиосвязи. Рассмотрение сущности приближенного гармонического анализа импульсов коллекторного тока. Составление схемы замещения кварцевого резонатора. Анализ типов колебательных систем.

    контрольная работа [737,5 K], добавлен 02.11.2014

  • Назначение и устройство инвертора. Методика ремонта и регулировки инвертора подсветки для ЖК-мониторов. Выбор контрольно-измерительной аппаратуры. Разработка алгоритма поиска дефекта. Организация рабочего места регулировщика радиоэлектронной аппаратуры.

    курсовая работа [197,3 K], добавлен 07.04.2016

  • Общие сведения об усилителях звуковой частоты. Электрический расчет схемы прибора. Разработка узлов радиоэлектронной аппаратуры. Определение номиналов пассивных и активных элементов схемы усилителя низкой частоты, которые обеспечивают работу устройства.

    курсовая работа [355,0 K], добавлен 13.10.2017

  • Создание радиоэлектронной аппаратуры. Состав элементной базы аналоговых РЭС. Классификация методов измерения радиоэлементов. Структурная схема измерительного стенда. Расчет генератора тока управляемого напряжением. Пакет программ управления тестером.

    дипломная работа [394,5 K], добавлен 04.03.2009

  • Принцип действия датчиков сейсмического типа, предназначенных для проведения исследований влияния ускорений и вибрационных нагрузок на элементы радиоэлектронной аппаратуры. Разработка схем приборов, расчет статических и динамических характеристик.

    курсовая работа [737,5 K], добавлен 10.01.2014

  • Расчет интегрального показателя качества аппаратуры. Структурный анализ аппаратуры на уровне микросхем. Распределение блоков и микросхем по типам. Влияние условий окружающей среды на интенсивность отказа аппаратуры. Проведение профилактических осмотров.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 07.02.2013

  • Электрическая принципиальная схема усилителя мощности звуковой частоты. Разработка технологического процесса монтажа усилителя и технологический процесс монтажа печатного узла, оборудование, инструменты и приспособления. Охрана труда на рабочем месте.

    дипломная работа [1,6 M], добавлен 11.09.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.