Размещено на http://www.allbest.ru

Курсовой проект по предмету электрические и электронные аппараты

на тему:

«Расчет и проектирование управляемого выпрямителя»



1. Введение

Целью данного курсового проекта является разработка и расчет системы фазоимпульсного управления тиристором (СИФУ). На современном этапе тиристорное управление широко используется в приборах и агрегатах, выпускаемых промышленностью. Наиболее широкое применение такие системы нашли в корабельных системах управления электронным вооружением судов из-за своей простоты в изготовлении и обслуживании, а также из-за своей неприхотливости к условиям внешней среды.

Данный курсовой проект является попыткой разработать дееспособную схему вышеназванной системы.

тиристор усилитель генератор сигнал охладитель



2. Исходные данные для расчёта устройства

Коэффициент нелинейности выходного напряжения ГПН k_Н=0,060

Опорное напряжение компаратора U_ОП=5.2 В

Напряжение нагрузки U_H=100 В

Ток нагрузки I_Н=120 А

Частота напряжения коммутируемой тиристором сети f=50 Гц

Диапазон угла отпирания б 30ч120є



3. Краткое описание работы СИФУ

Структурная схема одного из вариантов системы импульсно - фазового управления тиристором приведена на рис. 1. На нем приняты следующие обозначения:

БС - блок синхронизации;

ГПН - генератор пилообразного напряжения;

КН - компаратор напряжения;

ЛБ - логический блок;

ФУС - формирователь управляющего сигнала;

U_СИ - напряжение синхроимпульса;

U_ГПН - напряжение с выхода ГПН.

Назначение СИФУ заключается в формировании на его выходе в определенный момент времени и при определенных условиях управляющего сигнала заданных параметров.

В рассматриваемой системе принят вертикальный способ формирования сигнала. ГПН генерирует напряжение пилообразной формы определенных параметров. С выхода ГПН напряжение подается на один из двух входов компаратора напряжений. На другой вход подается постоянное напряжение, называемое опорным.

Рис. 1

С выхода компаратора сигнал поступает на ФУС, который необходим для генерирования управляющего сигнала требуемых параметров. Он дает возможность реализовать гальваническую развязку системы управления и силовой цепи тиристора.

Компаратор предназначен для сравнения двух входных напряжений, причем, в момент их равенства (ф_Р) происходит дискретное изменение уровня выходного напряжения компаратора. То есть на его выходе может быть напряжение одного из двух уровней: высокого или низкого.

Все блоки СИФУ питаются от специального источника питания.



4. Расчет системы управления

4.1 Расчет блока синхронизации

Блок синхронизации должен выдавать опорный соответствующих параметров сигнал, запускающий ГПН. Появление опорного сигнала должно происходить в момент перехода величины напряжения сети через ноль от отрицательного к положительному значению. Фронт опорного сигнала (синхроимпульса) должен быть крутым, обеспечивая надежное функционирование последних блоков СИФУ.

Одним из существенных требований к БС является обеспечение гальванической развязки цепей управления СИФУ от питающей сети. Наиболее распространенным является трансформаторный способ разделения цепей со стороны входа БС.

На рисунке 3 приведена принципиальная схема одного из вариантов БС.

Описание работы схемы.

Гальваническая развязка блока с силовой цепью осуществляется маломощным трансформатором Т1. Для исключения сбоев в работе СИФУ при наличии значительных искажений напряжения силовой цепи, что вероятно в судовых условиях, в схеме применен пассивный RC - фильтр. Этот фильтр обеспечивает нормальное функционирование СИФУ при провалах напряжения сети. Подаваемое после фильтра на инвертирующий вход операционного усилителя ОУ1 напряжение ограничивается сверху и снизу диодными ограничителями VD1, VD2.



Рис.2

Выбор трансформатора Т1,Т2

Исходя из значений напряжения питающей сети и ее частоты выбираем [1] трансформатор серии ТПП-209-127/220-50 с электрическими параметрами.

Номинальная мощность S=1,65 ВА

Ток первичной обмотки I₁= 0,03 А.

Напряжение вторичной обмотки U₂= 10 В.

Ток вторичной обмотки I₂= 0,024 А.

К=U₂/U₁=10/127

U_{2реальн}=К*U_с=10/127*100=7,8 В,

где U_с-напряжение в нагрузке, принимаемое за напряжение в сети

Выбор диодов VD1 и VD2.

Выбираем маломощные диоды марки Д223-кремниевый.

Электрические параметры:

максимальный прямой ток 0,05 А

максимальное обратное напряжение 50 В

максимальное прямое напряжение Т=298⁰С и при 393⁰С 1 В

Импульсный прямой ток при ф< 2 c 0,5 А

Выбор операционного усилителя ОУ1.

Для схемы БС подойдет практически любой операционный усилитель. Выбираем операционный усилитель типа: К140УД1В. Операционный усилитель средней точности с защитой входа от перенапряжения, а выхода - от короткого замыкания в нагрузке.

Электрические параметры:

K 8000

U_вых,В ±5,7

I_пот,мА 2,8

U_см,мВ ±9

I_вх,нА 9000

ДI_вх,нА ±2300

R_вх,Мом 0,004

R_вых,Ом 700

ДU_см/ДT, мкВ/⁰С 30

f₁,МГц 8

U_п,В ±12,6

U_дф,В ±1,5

U_сф,В .±3

R_н,кОм 5

рис. 5 Схема включения операционного усилителя

Назначение выводов:

4-инвертирующий вход;

3-неинвертирующий вход;

8,5-питание ОУ;

7-выход;

2,6-балансировка;

1-свободный.

Рассчитаем RC - фильтр.

Определим R_Ф по формуле:

где

U₂ - напряжение вторичной обмотки трансформатора

U_ПРVD - прямое напряжение диода

Из стандартного ряда Е24 принимаем R₁=51 Ом.

Из стандартного ряда мощностей принимаем P_R1=0,51 Вт

Принимаем резистор типа МЛТ-1-51Е±5%. (Резистор мощностью 1 Вт)

Определим С₁ из соотношения , где

.

Из стандартного ряда C_Ф=390 мкФ.

Принимаем конденсатор типа К10-23-390мкФ±10% x 16В

На схеме БС указаны 4 точки, в которых проведены осциллограммы (рис.3)

Рис. 3



4.2 Расчет генератора пилообразного напряжения

Выбор схемы ГПН зависит от целого комплекса предъявляемых к типу требований. К ним относят:

а) Основные электрические параметры генерируемых импульсов:

k_Н - коэффициент нелинейности прямого хода пилообразного импульса,

U_max - амплитуда пилообразного импульса,

ф_ПР - время прямого хода,

ф _ОБР - время обратного хода.

б) Требования к элементной базе.

На рис. 4 изображена схема ГПН компенсационного типа. Отличительной особенностью этой схемы является генерирование пилообразного импульса положительной полярности, у которого время прямого хода равно длительности входного управляющего прямоугольного импульса отрицательной полярности.

При подаче управляющего импульса ключевой транзистор VT1 запирается и конденсатор С начинает заряжаться через резистор R. В результате на выходе эммитерного повторителя, собранного на транзисторе VT2, возрастает напряжение U_ГПН. Сумма напряжений U_ГПН и предварительно заряженного конденсатора С2 до величины ?E1 превысит величину Е1, коммутирующий диод VD3 запрется и отключит контур формирования выходного напряжения от источника Е1. Последний начинает питаться от заряженного конденсатора С2. Т.к. алгебраическая сумма напряжений в контуре формирования практически не меняется, создаются условия возрастания U_ГПН по закону близкому к линейному.



Рис. 4

Дано: Е1=15 В(из стандартного ряда), U_ВХ=12В, k_Н=0,060, f=50 Гц, I_ВХ=4мА.

Выбираем биполярные транзисторы VT1, VT2n-p-n типа, серии КТ315Г.

Электрические параметры:

Максимально допустимый входной ток коллектора 100 мА

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер приI_К=20 мА 0,4 В

Статический коэффициент передачи тока при U_КЭ=10 В, I_К=1мА 50…350

Граничная частота передачи при U_КЭ=10 В, I_К=1 мА 250 мГц

Напряжение насыщения база - эмиттер при I_К=20 мА,

I_Б=2мА 1,1 В

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер 35 В

Постоянное напряжение база - эмиттер 6 В

Рассчитаем емкость конденсатора С₁ из соотношения.

h₁₁=U_бэ/I_б=0,06/0,2*10^-3=150 Ом



, где

Из ВАХ определим входное сопротивление транзистора h_11э1=150 ом

.

Из стандартного ряда C₂=150мкФ.

Из схемы получаем :

U_cр=U_оу-U_БЭ=12-1,1=10,9 В

Принимаем конденсатор типа К50-3Б-200мкФ±10% x 12В

Рассчитаем сопротивление резистора R2

По первому закону Кирхгофа: I₁ =I_ВХ - I_Б = 8 - 2 = 6 мА

По второму закону Кирхгофа: U_R2 = E₁ - U_БЭ = 15 - 1,1 = 13,9 В

.

Выбираем из стандартного ряда R₂= 2400 Ом

Из стандартного ряда P_R2 = 0,125 Вт,

тип резистора R₂: МЛТ - 0,125 - 2400Е ± 5 %.

Примем h_21э2=50,тогда из условия R₂? h_21э2*R, R₃= R₂/ h_21э2; R₃=2400/50=48Ом;

(т.е. сопротивление должно быть больше или равно полученного) выберемR₃=200 Ом

Е₁=U_vd+U_R+U_КЭ,откуда U_R3=Е₁-U_vd-U_КЭ=15-1-10=4B ,откуда I_R3=80% от I_k=100mА; поэтому I_R3=80 мА

Р_R3=0,08²*200=1.28Вт; тип резистора R3: МЛТ - 2 - 200Е ± 5 %.

Тогда С3=1,5ф_и/R₃=1.5*0.02/200=150 мкФиз условия R3C3=(1.5-2)ф_и, а ф_и=ф_пр; где ; U_C3=E1 - U_R3 - U_ПРVD=15 - 4 - 1 = 10 В.

Выбираем конденсатор К50-6-200мкФ± 10 %x 16В

Выбираем диод VD3 серии Д207 по току с параметрами:

Прямой ток 100 мА

Максимальный прямой ток 100 мА

Максимальный обратный ток 50 мА

Обратное напряжение 200 В

Прямое напряжение 1 В

Принимаем

Проверка:



Примем С₄=10С₃ (из условия С₄?(10-100)С₃)

Рассчитаем сопротивление резистора R₄:

0.059406=1,1-50*R2/(200+50*R2)+4/R2;

R4=94.7Ом из стандартного ряда выбираем R4=100Ом; по второму закону Кирхгофа:

Е1=U_кэ+U_R4;U_R2=15-0,4=14,6 В; P=(0,4/100)²*100=0,0016 Вт

R4=С2-23-0,062-100Е ± 5 %.

Из стандартного ря2да принимаем С₄=2000*10^-6 ФU_C2?E1=15 В.

Тип конденсатора С₄: К50 - 6 - 2000 мкФ±10% х 16В.

Длительность обратного хода ориентировочно определяется по формуле:

.

.

Определим паузы между запускающими импульсами:

.

Условие выполняется.

Рис.5

4.3 Расчет компаратора напряжения

Компараторами напряжения называются устройства, предназначенные для сравнения двух или нескольких сигналов. В курсовом проекте - это напряжение с выхода ГПН и опорное напряжение U_ОП, величина которого соответствует углу открывания тиристора б.



Рис. 6

В качестве компаратора используем микросхему (К140 УД1В) имеющий электрические параметры приведенные ниже:

K=8000

U_вых, =±5,7В

I_пот,=2,8мА

U_см,=±9мВ

I_вх, =9000нА

ДI_вх, =±2300нА

R_вх, =0,004МОм

R_вых,=700Ом

ДU_см/ДT=30мкВ/⁰С

f₁, =8МГц

U_п, =±12,6В

U_дф, =±1,5В

U_сф, =±3В

R_н, =5кОм

Зададимся делительным током I_Д (на порядок больше входного тока ОУ).

По графику (рис.5) определим U?_ОП=1.9В (соответствующее углу отпирания 30є) и U^??_ОП=5 В (угол отпирания 120є).

Сопротивление R₆определяется по формуле:

,

По стандартному ряду E24 принимаем

Из стандартного ряда мощностей:P_R6=0,062Вт.

Выбираем резистор :

С2-23 - 0,062 - 2.2К±5%

Из стандартного ряда выбираем,

Выбираем резистор R_5ст=РП1-54 - 0,05 - 3.3К±5%

Т.к. U^??_ОП=U_ОП, то Rисключается из схемы.

4.4 Расчет формирователя управляющего сигнала

В качестве формирователей управляющего сигнала для тиристора можно применить разнообразные электронные устройства, удовлетворяющие следующим основным требованиям:

1. обеспечивать гальваническую развязку цепи управления системы формирования управляющего сигнала;

2. сформированный сигнал должен быть импульсным.

3. фронт импульса должен быть крутым, обеспечив скорость нарастания тока управления не менее 1 А/мкс.

4. длительность импульса для надежного отпирания тиристора должна быть на 20 - 30 процентов больше его времени включения.

Перечисленным требованиям удовлетворяет схема ждущего блокинг - генератора, приведенного на рисунке 5:

Рис. 5

Роль элемента, разделяющего источник запускающих импульсов и БГ, выполняет усилитель запускающих импульсов, собранный на транзисторе VT3. В исходном состоянии он заперт.Запуск БГ осуществляется импульсами положительной полярности, амплитуда которых превышает напряжение запирания транзистора VT1.

Для расчета БГ необходимо прежде всего выбрать тип тиристора, поскольку параметры его входной цепи задают выходные параметры БГ.

Основываясь на данных, приведенных в условии (I_Н = 120 А, U_Н = 100 В) выберем тиристор VS1 типа Т141-80 со следующими параметрами:

Максимальный ток в откр. сост.=125А

Ток отпирания I_GT=0,15A

Отпирающее напряжение U_GT=5В

Время вклt_gt=10мкс

Времявыкл=30мкс

Температура перехода =-50 ч +125⁰С

Указанные параметры определяют выходные данные БГ:

длительность генерируемого импульса

ф_И = (1,2 1,3)t_gt = 1,25 ^.10 = 12,5 мкс.

амплитуда импульса U_m = U_GTm = 5В.

период повторения импульса Т = 1/f = 1/50 = 0,02 мс.

сопротивление нагрузки R_H = = = 26,6 Ом

На основании этих данных выберем импульсный трансформатор типа ТИ234 со следующими параметрами:

Соотношение числа витков обмоток-2:2:1

Длительность импульса=20мкс

Амплитуда импульса на первичной обмотке=30В

Частота следования импульсов =5кГц

Длительность фронта выходного импульса=1,2мкс

Расчет БГ начнем с выбора транзистора VT3. Учитывая специфику работы транзистора и мощность выходного сигнала генератора, выберем транзистор средней мощности импульсный, типа n - p - n.

При этом максимальное напряжение между коллектором и эмиттером должно удовлетворятьусловию:

U_КЭ 2 Е_К, где Е_К = 1,2=1,2=1,2 ^.5^. 2= 12 В.

По стандартному ряду примем Е_К =12В. Тогда

U_КЭ 2 ^.12 =24 В.

Данным требованиям удовлетворяет транзистор КТ314А-2со следующими параметрами:

Максимальное напряжение U_КЭm=45В

Допустимый коллекторный ток I_Km,=0,06А

Коэффициент передачи в=50

Граничная частота коэффициента передачи тока ОЭ f_в =80МГц

Граничная частота коэффициента передачи тока ОБ fб =4080МГц

Емкость коллекторного перехода С_К =10пФ

Постоянная времени цепи обратной связиф_К=80нС

Напряжение насыщения U_КЭнас, =0,3В

Ток насыщения I_Кнас, =0,06А

Входное сопротивление=30Ом

Для унификации принимаем транзистор VT3 таким же как и VT4.

Длительность фронта, генерируемого БГ импульса равна:

ф_Ф =2,3 ^.n_Б ^.[(],

где n_Б = =.

ф_Ф =2,3 ^. 1 ^. [(] = 7,2 ^. 10^-9 с.

Определим емкость конденсатора С6:



ф_И =

где L - индуктивность первичной (коллекторной) обмотки импульсного трансформатора,

R_ВХ - входное сопротивление транзистора VT3.

12,5 ^. 10^-6 = ,

тогда С6 = 35 ^. 10^-6 Ф, по стандартному ряду выбираем конденсатор

Конденсатор С6: K50-6 - 50 мкФ ± 10%.

Определим обратный выброс напряжения по формуле:

?U_mобр = 0,75 ^., где ф_L = =с

Тогда

?U_mобр = 0,75 ^.. = 0,25 В.

Так как обратный выброс напряжения не превышаетU_КЭнас, то шунтирование коллекторной обмотки трансформатора не производится.

Рассчитаем сопротивления R8 и R9путем совместного решения двух уравнений.



T - ф_И = 4,5С6

Е₃ = R8,

где Е₃ = (0,3 - 1) В. Примем Е₃ = 0,8 В.

0,02 - 12,5 ^. 10^-6 = 4,5 ^.1,3^. 10^-6

=

Получим:

R8= 34422 Ом и R9 = 1927 Ом.

По стандартному ряду принимаем сопротивления R8 = 33 кОм и R9 = 2 кОм.

Резистор R8: ВС - 0,25 - 33К10%. Резистор R9: ВС - 0,125 - 2К10%.

Емкость конденсатора сглаживающего фильтра С7 определяется из выражения:

С7 I_Kmф_И, где = 0,15 ^. Е_К = 0.18 В. Имеем С7 60^. 10^-3. 12,5 ^. 10^-6. = 2 мкФ.

Примем С7 = 6,8 мкФ. По стандартному ряду:

Конденсатор С7: K50-20 - 6,8 мкФ ± 10%.

Сопротивление резистора R10 определяется:

R10 = 1,4 = 1,4 = 700 Ом.

По стандартному ряду выбираем сопротивление R10 = 680 Ом.

Резистор R10: С2-23- 0,062 - 680Е5%.

Рассчитаем цепочку С5R7.

, где В, Ом,

а значением сопротивления R7 зададимся равным 1500 Ом.

В.

мА.

Вт.

Из стандартного ряда мощностей P_R7= 0,125 Вт

Резистор R7: ВС - 0,125 - 1,5К10%.

Емкость конденсатора С5 определим из соотношения: , где - длительность входного импульса равна 0,0083сек.

мкФ.

Выбираем из стандартного ряда Е24(±10%) С5 = 1 мкФ.

В.

Конденсатор С5: К52 -1 - 2,4 мкФ.Диод VD5 принимаем таким же как и VD4, т.е. Д207. Рассчитан

Рассчитанные и выбранные по справочной литературе элементы блока управления должны быть скомпонованы в законченную конструкцию с применением печатного монтажа. Детали рационально компонуются на прямоугольной монтажной плате, размеры которые выбираются из справочной литературы. Толщина выбирается из ряда:0.8 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 На чертеже печатной платы наноситься линиями координатная сетка с шагом 1.25 2.5 мм. Выбранные детали размещаются на плате таким образом, чтобы их выводы попадали в отверстия, расположенных в узлах координатной сетки.

Критерием правильности размещения элементов на печатной плате является отсутствие пересечений печатных проводников в плоскости проводника. При конструировании печатной платы следует иметь ввиду, что в одном монтажном отверстии с печатным проводником допускается коммутация одного объемного проводника.

Силовой блок управляемого выпрямителя должен быть выполнен в виде отдельной конструкции , включая в себя:

-изоляционную панель соответствующих размеров;

-управляемый вентиль с охладителем;

-контактный разъем и монтажные провода.

Размер изоляционной панели зависит от выбранного типа управляемого вентиля и рекомендованного охладителя в качестве контактного разьема можно выбрать любой гостированный на соответствующий ток.

Выбор охладителя.

Для данного тиристора типа Т141-80 рекомендуется охладитель серии О221.

Для обеспечения надежного электрического и теплового контакта тиристора и охладителя необходимо применять крутящий момент не более= 50 Н ^. м.

Масса не более=180 г.

Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя - охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 18 Вт не более:

при естественном охлаждении=2,8⁰С/Вт

при принудительном охлаждении (скорость охлаждающего воздуха в межреберном пространстве 6 м/с) =0,62 ⁰С/Вт

Тепловое сопротивление контакта корпус прибора - охладитель не более=0,2⁰С/Вт

Суммарная площадь охладителя не менее 50000мм²

Максимальная температура перехода=110 ⁰С

Сопротивление переход - корпус=0,18 ⁰С/Вт

Рассеиваемая мощность тиристора=125 Вт

Определим необходимую площадь охладителя:

S = = 3640,8мм².

Т.е. необходимая площадь охладителя меньше чем площадь охладителя О221, следовательно можно применять рекомендованный охладитель марки О221, так как он удовлетворяет всем необходимым параметрам работы тиристора.

Определим, необходим ли охладитель для транзисторов БГ.В качестве рассматриваемого транзистора рассчитываем транзистор VT3,как наиболее мощный.

Р_{РАСС VT1} = U_КЭ^.I_К, где U_КЭ максимальное напряжениеколлектор - эмиттер, равное 0,3 В, а I_К равен I_GT = 0,15 А.

Р_{РАСС VT1} = 0,3 ^. 0,15 = 0,045 Вт. Но рассеиваемая мощность на транзисторе зависит от скважности, следовательно:

Р_РАСС = ,

где Q - скважность, и определяется как

Q = = = 160.

Тогда

Р_РАСС = мВт. Р_РАСС<Р_{РАССДОП} (56 мВт < 150 мВт).

Исходя из результатов проведенного расчета, охладитель для транзисторов БГ не нужен.

Общая принципиальная схема.



Заключение

Эскизы выбранных элементов и их установочные размеры указаны в приложении №1.

Внешний вид и геометрические размеры силового блока изображены на одном чертеже с печатной платой.

Рассчитанные и выбранные по справочной литературе элементы устройства монтируются на односторонней печатной плате из стеклотекстолита СФ - 2 (по ГОСТ 10316 - 78) размером 180мм Ч 90 мм, толщиной 2,5мм. При монтаже компонентов необходимо придерживаться рекомендаций, приведенных при их описании.

В приложении 2 указываются все элементы и их параметры.

Для улучшения вентиляции радиаторы крепятся так, что бы потоки воздуха обдували их с максимальным отводом тепла, а также контактную поверхность можно обработать термопастой КТП - 8.



Список использованной литературы.

1. Полупроводниковые выпрямители .Справочник .Замятин В.Я.

2. Аналоговые интегральные микросхемы .Справочник.Белкин Б.Г.

3. Резисторы. Справочник. Под ред. Четверткова Н.Н. и Терехова В.М., М.: Радио и связь, 2014 г.

4. Справочник по электрическим конденсаторам. Под общ. ред. Четверткова Н.Н. и Смирнова В.Ф., М.: Радио и связь, 2009 г.

5. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. М., Энергия, 2007 г. - 744с. с ил.

6. Романычева Э.Т. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справочное пособие.



Приложение 1

Эскизы выбранных элементов конструкции

· Трансформатор ТПП 209 127/220 В 50 Гц.

· Операционный усилитель К140УД1В



переменный резистор

.

Резисторы МЛТ

диод Д223



· Конденсаторы: К52 -1, К50 - 22, K50-29

Транзисторы: КТ315Г,KT314A-2



Тиристор: Т25

Охладитель:O221



Трансформатор импульсный

h=22,5мм;D=21,9мм;D₁=15,0 мм



Приложение 2

Поз. обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
	Резисторы
R1	МЛТ-1-51Е±5%.	1
R2	МЛТ - 0,125 - 2400Е ± 5 %.	1
R3	МЛТ - 2 - 200Е ± 5 %.	1
R4	С2-23-0,062-100Е ± 5 %.	1
R5	РП1-54- 0,05 - 3.3К±5%	1	переменный
R6	С2-23 - 0,062 - 2.2К±5%	1
R7	ВС - 0,125 - 1,5К10%.	1
R8	ВС - 0,25 - 33К10%.	1
R9	ВС - 0,125 - 2К10%.	1
R10	С2-23- 0,062 - 680Е5%.	1
	Конденсаторы
С1	К10-23-390мкФ±10% x 16В	1
С2	К50-3Б-200мкФ±10% x 12В	1
С3	К50-6-200мкФ± 10 %x 16В	1
С4	К50 - 6 - 2000 мкФ±10% х 16В.	1
С5	К52 -1 - 2,4 мкФ±10% х 16В	1
С6	K50-6 - 50 мкФ ± 10%.	1
С7	K50-20 - 6,8 мкФ ± 10%.	1
	Диоды
VD1,VD2 VD3, VD4,	Д223;Д207	5
	Транзисторы
VT1,VT2	КТ315Г.	2	n-p-n
VT3,VT4	КТ314А-2	1	n-p-n
	Трансформатор
Т1	ТПП 209 127/220 В 50 Гц	1
T2	TИ234
	Микросхемы
ОУ1, ОУ2	К140УД1В	2
	Тиристор
U	Т141-80	1	тиристор
	Охладитель
	О221	1

Размещено на Allbest.ru

...