Напівпровідникові прилади. Напівпровідникові діоди. Транзистори

Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Напівпровідникові прилади
Вид лекция
Язык украинский
Прислал(а) Иван
Дата добавления 15.03.2016
Размер файла 591,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.

    презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013

  • Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.

    учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009

  • Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.

    курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012

  • Технічна характеристика будови, принципу роботи і сфера застосування діодів – двоелектродного електронного приладу що володіє різною провідністю залежно від напряму струму. Пристрій і характеристика транзисторів і їх активної міжелектродної провідності.

    реферат [420,1 K], добавлен 14.10.2010

  • Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.

    контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013

  • Будова біполярного транзистора, принцип його дії, класифікація, режими (активний, відсічення, насичення, інверсний й ключа), статичні і диференціальні характеристики. Схеми включення БТ з базою, емітером і колектором. Розрахунок електричних ланцюгів з БТ.

    курсовая работа [614,1 K], добавлен 06.05.2015

  • Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.

    лабораторная работа [263,7 K], добавлен 22.06.2011

  • Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 05.01.2014

  • Розробка сенсорного вимикача з пультом дистанційного керування, призначенного для сенсорного вмикання та вимикання освітлення. Визначення основних обмежень на проектування. Підготовка схеми випромінювача коротких імпульсів. Обґрунтування конструкції.

    дипломная работа [2,7 M], добавлен 28.09.2010

  • Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.

    курсовая работа [5,5 M], добавлен 09.04.2010

  • Загальна характеристика, призначення, класифікація і склад офісних автоматизованих телефонних станцій, основні переваги їх використання, види обладнання, технічні характеристики, особливості сервісних можливостей та сруктурна схема міні-АТС К-16010.

    реферат [41,8 K], добавлен 15.01.2011

  • Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.

    методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010

  • Призначення та класифікація згладжувальних фільтрів. Однокаскадні згладжувальні фільтри з R, L та C елементами. Схема електрична принципова ємнісного фільтра з мостовим однофазним випрямлячем. Особливості роботи дроселя. Засади застосування транзисторів.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013

  • Визначення та класифікація конденсаторів. Позначення за нормативними документами в Україні. Будова і принцип дії підстроєчних конденсаторів. Характеристики, параметри, області застосування. Сучасні досягнення і перспективи розвитку конденсаторів.

    реферат [47,7 K], добавлен 26.03.2015

  • Фізичні основи будови та принцип дії напівпровідникових приладів. Класифікація та характеристики підсилювальних каскадів. Структурна схема та параметри операційних підсилювачів. Класифікація генеруючих пристроїв. Функціональні вузли цифрової електроніки.

    курсовая работа [845,3 K], добавлен 14.04.2010

  • Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі

    контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011

  • Вивчення конструкції інтегрального транзистора. Дослідження засобів проектування та технології виготовлення інвертора позитивних імпульсів. Визначення габаритних розмірів мікросхеми. Огляд параметрів інтегральних діодів. Розрахунок дифузійних резисторів.

    курсовая работа [209,3 K], добавлен 07.10.2014

  • Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.

    реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012

  • Структурна схема пристрою. Умовне графічне позначення мікроконтроллера ATmega. Схема підключення процесорного блоку. Призначення цифро-аналогового перетворювача. Розрахунок електричних навантажень на лінії мікросхем. Програма ініціалізації інтерфейсу.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 31.05.2013

  • Вибір схеми підсилювача. Розрахунок каскаду підсилення на біполярному транзисторі. Графоаналітичний розрахунок робочого режиму. Схема каскаду підсилення для підсилення малих сигналів без спотворень. Параметри транзистора та кола зміщення каскаду.

    контрольная работа [2,2 M], добавлен 22.10.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.