Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем
Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 22.03.2016 |
| Размер файла | 1,0 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Системний підхід до аналізу структур існуючих систем мікропроцесорних централізацій. Структури систем керування на основі графоаналітичного методу. Дослідження впливу періоду контролю справності каналів резервування на показники функційної безпечності.
дипломная работа [16,9 M], добавлен 15.02.2021Базовая структура нестационарных устройств. Обобщенный алгоритм решения задачи синтеза структур нестационарных ARC-схем. Пример синтеза структуры аналоговой части циклического фильтра Калмана-Бьюси. Параметры схемы циклического ФКБ второго порядка.
курсовая работа [605,4 K], добавлен 05.03.2011Понятие и методы исследования квантово-размерных структур, их типы и получение. Классификация гетероструктур. Методы изготовления квантовых нитей, их плотность и предъявляемые требования. Порядок создания приборов на системах с размерным квантованием.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 02.02.2015Дослідження основних структур тригерних пристроїв (RS, D, Т, JК - типів) в логічному базисі І-НЕ з потенційним представленням інформації. Будова та види тригерів, їх синтез на основі логічних ІMС. Характеристичні рівняння, що описують їх функціонування.
реферат [1,3 M], добавлен 14.03.2011Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.
курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010Вибір розміру мережі та її структури. Огляд і аналіз комп’ютерних мереж, використаних в курсовій роботі. Побудова мережі і розрахунок вартості. Недоліки мережі, побудованої на основі заданої модифікації мережної технології, рекомендації по їх усуненню.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 20.09.2012Характеристика структур систем мікропроцесорної централізації, їх порівняний аналіз. Розробка структурної схеми та оцінка її функціональних можливостей, сфери використання. Розробка схем включення обладнання. Розрахунок модулів введення-виведення.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 17.03.2015Обобщенная структура перестраиваемых ARC-схем. Описание их модели матрично-векторной системой уравнений. Особенности их динамического диапазона и частотных свойств, расчет параметров. Общая характеристика процедуры синтеза интеграторных структур.
курсовая работа [442,5 K], добавлен 05.03.2011Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Способи проектування мереж абонентського доступу (МАД) на основі технології VDSL. Розрахунок варіантів розміщення ONU. Розрахунок пропускної здатності розглянутої топології VDSL. Аналіз основних характеристик МАД, розробка засобів їхнього підвищення.
курсовая работа [772,2 K], добавлен 29.08.2010Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.
курсовая работа [866,5 K], добавлен 03.03.2011Визначення кількості бітів, які виділяються для секційного заголовка STM-1, у тому числі заголовків мультиплексної та регенераційної секцій. Регенераційна та мультиплексна секції у лінії передачі ЦСП–SDH. Передача сигналу циклової синхронізації.
лабораторная работа [756,9 K], добавлен 06.11.2016Призначення бортової системи формування курсу, її технічні дані і режим роботи. Структурна схема каналу формування приведеного курсу. Аналіз похибки трансформаторної синхронної передачі осі гіроскопа. Визначення методу виміру сигналу, надійності пристрою.
дипломная работа [697,7 K], добавлен 21.04.2011Історія розробки технології синхронної цифрової ієрархії. Характеристика звичайного мультіплексора T1, формати кадрів технології PDH. Виявлення проблем і недоліків при використанні PDH. Стандарти та структура фізичного рівня технології Fast Ethernet.
контрольная работа [278,5 K], добавлен 15.08.2010Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.
презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Структурный синтез и оптимизация в электронных схемах. Конструирование коэффициентов передаточной функции. Развитие метода компонентных уравнений. Преобразование подобия частных решений. Генетические и автоматизированные процедуры синтеза структур.
курсовая работа [306,1 K], добавлен 03.03.2011Характеристика роботизованих технологічних комплексів, які мають забезпечувати надійне функціонування при високому рівні автоматизації; охоплювати основні технологічні процеси виробництва електронних засобів. Аналіз типових структур РТК та керування ними.
контрольная работа [18,9 K], добавлен 14.03.2010Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012
