Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 19.04.2016 |
| Размер файла | 337,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»
Лабораторная работа
«Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом»
По курсу: Электроника
Работу выполнила
Студент гр. 2446 Э. С. Пучкова
Санкт-Петербург 2016
Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Описание лабораторной установки:
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис.1. Схема для исследования полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Рабочие формулы
Где: S- крутизна характеристики прямой передачи
Rc- дифференциальное сопротивление стока
? - коэффициент усиления
Результаты измерений и вычислений Таблица 1
|
Uси, В Uзи,В |
Iс, мА |
|||||||
|
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
Uзиотс=1,2 |
||
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
|
-1 |
1,15 |
0,54 |
0,34 |
0,22 |
0,09 |
0,02 |
0 |
|
|
-2 |
1,3 |
0,6 |
0,36 |
0,24 |
0,11 |
0,02 |
0 |
|
|
-3 |
1,35 |
0,78 |
0,39 |
0,25 |
0,1 |
0,03 |
0 |
|
|
-4 |
1,38 |
0,8 |
0,41 |
0,25 |
0,1 |
0,03 |
0 |
|
|
-5 |
1,4 |
0,82 |
0,42 |
0,25 |
0,1 |
0,03 |
0 |
|
|
-6 |
1,42 |
0,84 |
0,43 |
0,24 |
0,11 |
0,03 |
0 |
|
|
-7 |
1,45 |
0,85 |
0,44 |
0,24 |
0,11 |
0,04 |
0 |
|
|
-8 |
1,45 |
0,86 |
0,44 |
0,25 |
0,11 |
0,04 |
0 |
Графики
График 1. Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Ic= f(Uси)
График 2. Семейство характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Ic= f(Uзи)
Пример вычислений:
Вывод
полевой транзистор управляющий передача
В ходе работы было установлено:
1) На ток стока Iс изменение Ucи от нуля до небольших значений влияет очень сильно.
2) При увеличении Ucи от небольших значений характеристики почти не возрастают.
3) Для увеличения Ic необходимо увеличивать Uзи.
4) На семействе выходных характеристик были найдены следующие дифференциальные параметры:
- S=
-
-
Размещено на Allbest.ur
...Подобные документы
Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.
курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015Коллекторные характеристики БПТ. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода в активном режиме. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Малосигнальные Т-образные модели БПТ. Параметры основной П-образной модели. Системы параметров.
реферат [330,5 K], добавлен 14.12.2008История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлен 15.11.2009
