Analytic solution for the problem of in-situ calibrating magnetometric 3D-probes based on non-orthogonally placed hall devices
A method of in-situ calibrating 3D magnetic sensors based on Hall devices that have linear field characteristics and are non-orthogonal, with known position of each Hall device in relation to the 3D sensor’s substrate. The method’s efficiency is proved.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | английский |
| Дата добавления | 20.01.2017 |
| Размер файла | 144,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Concept and functional features of piezoelectric sensors, the scope of its application. Designing with piezoelectric sensors. Piezo-vibration sensor Parallax 605–00004 and Bosch 608–00112: overview, technical characteristic, accessories, installations.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.05.2013The lines of communication and the basic properties of the fiber optic link. Comparison of characteristics and selection of the desired type of optical cable. The concept of building a modern transmission systems. The main function module SDH networks.
дипломная работа [2,1 M], добавлен 16.08.2016Дослідження сутності мультимікропроцесорних систем, що мають два й більше компонент, які можуть одночасно виконувати команди. Загальні відомості про цифрову обробку сигналів. Сигнальні процесори компанії Analog Devices. Функціонування циклічних буферів.
реферат [55,1 K], добавлен 24.03.2011Характеристики сигнальных процессоров разных поколений и области их применения. Типовые операции, выполняемые цифровыми сигнальными процессорами. Назначение алгебраического логического устройства. Адресация регистров, включённых в адресное пространство.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 30.09.2012Device, constructive – technological features, circuit of insert. Conditions of insert of the transistor. Static parameters. Physical processes. Differential coefficient of transmission of a current. Condition a splitting contact. Condition of saturation.
курсовая работа [129,2 K], добавлен 27.01.2003
