Таблично-аналитическая модель полевого транзистора для криогенных температур

Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 30.05.2017
Размер файла 234,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

9

Размещено на http://www.allbest.ru/

Таблично-аналитическая модель полевого транзистора для криогенных температур

В.Н. Бирюков, А.М. Пилипенко, И.В. Семерник

Введение

Особенностью полевых транзисторов с изолированным затвором (ПТИЗ), использующихся в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах, является относительно большая длина канала, что обусловлено необходимостью максимального снижения уровня собственных низкочастотных шумов. Разработка же моделей полевых транзисторов для электронных симуляторов интегральных схем определяется, вследствие непрерывного снижения размеров элементов, необходимостью повышения точности моделирования, прежде всего, короткоканальных транзисторов. К сожалению, высокая точность моделей короткококанальных транзисторов отнюдь не гарантирует высокой точности моделирования длинноканальных [1]. Кроме того, высокая точность современных аналитических моделей ПТИЗ получена, как правило, за счет введения новых параметров, что порождает сложную проблему их идентификации. По этой причине зачастую приходится учитывать, что фактическая точность сложной аналитической модели на практике не достигает ее потенциальной точности [1]. Основное достоинство аналитических моделей - их "физичность" - связь их параметров с конструкторско-технологическими, недостаток - вычислительная сложность, влияющая на время анализа цепей.

Противоречие между точностью и сложностью модели частично или полностью снимется при использовании табличных моделей [2]. Основной проблемой использования табличной модели является интерпретация исходных данных, которые в простейшем случае представляют собой таблицу , измеренных значений тока канала и напряжений стока и затвора соответственно. При формальной аппроксимации результатов измерений сплайнами не удается получить неосциллирующие первые производные тока ПТИЗ. Интерполяция сглаживающим сплайном высокого порядка дает удовлетворительные результаты [2], но, естественно, за счет точности и времени моделирования. Основным недостатком табличных моделей является их формальный характер, не позволяющий, например, анализировать цепь в температурном диапазоне тем же способом, которым позволяют сделать это аналитические модели. Далее рассматривается возможность разработки гибридной модели, позволяющей найти компромисс между требованиями физичности, точности, сложности и возможности точного и быстрого определения параметров.

полевой транзистор модель криогенная температура

Описание моделей

Решение алгебраического или дифференциального уравнения f (x), в случае, если известно его грубое приближенное решение g (x), удобно представить в виде f (x) = g (x) • (1 + а 1 x 1 + а 2 x 2 + …), где второй сомножитель оказывается быстросходящимся степенным рядом. Такое решение иногда удается получить, даже если само решение f (x) в степенной ряд не разлагается.

Можно предположить, что, аналогично, если результат интерполяции вольт-амперной характеристики (ВАХ) ПТИЗ представить в виде , где - грубая аналитическая модель транзистора, а - двумерная поправочная функция, аппроксимирующая поправку двумерным (в простейшем случае) степенным рядом, то требования, предъявляемые к поправке, могут оказаться намного слабее, чем к сплайну, аппроксимирующему исходную таблицу . Отметим, что в виде степенного ряда представляется не сама ВАХ прибора, что недопустимо [3], а только поправка к ней, имеющая весьма ограниченную вариацию, которая определяется точностью аналитической модели. Применение поправки в виде степенного ряда на практике позволяет уточнить не только моделируемую функцию, но и ее производные, при условии быстрой сходимости ряда: 1 >> а 1 >> а 2 ….

Обычно при использовании указанного приема удается ограничиться членами ряда третьего порядка [4].

В качестве аналитической (С?-непрерывной) далее использовалась модель, предложенная в [5]:

, (1)

где в, V0, л, - параметры модели;

- оценка напряжения насыщения; мВ - формальная константа, определяющая протяженность промежуточного участка ВАХ между крутой и пологой областями; - формальная константа, служащая для компенсации погрешности используемого приближенного выражения для напряжения насыщения;.

Все параметры модели (1) являются физическими:

в - удельная крутизна;

V0 - пороговое напряжение;

л - коэффициент, учитывающий конечное выходное сопротивление транзистора на пологом участке ВАХ;

- коэффициент, учитывающий ограничение дрейфовой скорости носителей заряда продольным электрическим полем.

Очевидно, что модель (1) может быть преобразована в таблично-аналитическую следующим образом:

. (2)

Как было указано выше, поправочная функция представляет собой двумерный степенной полином.

В качестве примера ниже приведены поправочные функции в виде двумерных степенных полиномов второго и третьего порядка соответственно

Алгоритм параметрической идентификации

Идентификация параметров модели (1) производилась методом наименьших квадратов при использовании стандартной программы спуска методом Левенберга-Марквардта. В качестве целевой функции использовалась сумма квадратов относительных погрешностей моделирования тока

.

Поскольку модель (1) является региональной, то идентификация ее параметров производилась дважды: вначале параметры модели определялись на пологом участке ВАХ, затем при найденном параметре остальные параметры уточнялись во всей области определения тока.

Для ускорения спуска и повышения точности результатов идентификации в данной работе была проведена редукция размерности задачи минимизации, также как в работах [6] и [7]. Исходная четырехмерная целевая функция S (в, V0, л, ) преобразовывалась в двумерную функцию S (V0, ), которая далее оптимизировалась численно. Поскольку параметры в и л входят в модель (1) линейно, то при использовании необходимых условий минимума и можно получить аналитические выражения в = в (V0, ) и = (V0, ) и преобразовать четырехмерную функцию S (в, V0, л, ) в двумерную функцию S (V0, ).

Определение коэффициентов двумерной поправочной функции , также удобно проводить методом наименьших квадратов. В качестве целевой функции в данном случае можно использовать сумму квадратов отклонений поправочной функции от отношения экспериментальных значений тока к значениям тока, рассчитанным с помощью модели (1)

.

Коэффициенты поправочной функции определяются из системы линейных алгебраических уравнений, которую можно получить исходя из необходимых условий минимума целевой функции F

, , , …

Результаты моделирования

Для доказательства эффективности предлагаемой таблично-аналитической модели была проведена идентификация параметров моделей (1) и (2) для тестового образца p-канального ПТИЗ. Длина канала тестового ПТИЗ приблизительно равна 5 мкм. ВАХ транзистора измерялась при температуре T = 4,3 К.

На рис.1, а приведены экспериментальная выходная ВАХ тестового ПТИЗ и ВАХ, рассчитанные с помощью моделей (1) и (2). Экспериментальная ВАХ показана кружками, результаты расчета, полученные для модели (1), показаны штриховыми линиями. Результаты расчета, полученные для модели (2) при использовании поправочной функции в виде двумерного степенного полинома третьего порядка, показаны сплошными линиями. Поправочная функция в виде двумерного степенного полинома в трехмерном пространстве представляет собой поверхность, которая показана на рис.1, б. Точками на этом же рисунке показаны отношения экспериментальных значений тока к значениям тока, рассчитанным с помощью модели (1) .

Рис. 1. - Выходные ВАХ тестового ПТИЗ (а) и поправочная функция K3 (VD, VG) (б)

Как видно из рис. 1, б погрешность моделей (1) и (2) в выбранном диапазоне токов и напряжений невелика: . Количественная оценка погрешности моделей и соответствующие им параметры приведены в таблице № 1. Среднеквадратическая относительная погрешность модели не может однозначно характеризовать точность моделирования, поэтому кроме нее рассчитывалась и максимальная по модулю относительная погрешность ¦д¦max.

Таблица № 1. Параметры и погрешности моделей ПТИЗ

Модель

I (VD, VG)

K2 I (VD, VG)

K3 I (VD, VG)

в, мкА / В2

71,5

71,5

71,5

V0, В

2,41

2,41

2,41

л, В - 1

0,0530

0,0530

0,0530

, В - 1

0,276

0,276

0,276

a00

-

0,653

- 0,339

a10, В - 1

-

0,0605

0,165

a01, В - 1

-

0,0843

0,510

a20, В - 2

-

- 4,08•10 - 3

- 0,0143

a02, В - 2

-

- 5,66•10 - 3

- 0,0633

a11, В - 2

-

- 2,86•10 - 3

- 0,0233

a30, В - 3

-

-

0,806•10 - 3

a03, В - 3

-

-

2,33•10 - 3

a21, В - 3

-

-

- 0,505•10 - 3

a12, В - 3

-

-

- 1,94•10 - 3

у, %

6,02

3,65

1,60

¦д¦max, %

17,4

8,7

3,6

Из рис. 1 и таблицы № 1 следует, что применение поправочной функции в виде двумерного степенного ряда позволяет значительно повысить точность моделирования ВАХ ПТИЗ для криогенных температур. Так, при умножении аналитической модели на степенной ряд второго порядка, среднеквадратическая и максимальная относительные погрешности полученной модели уменьшаются примерно в 2 раза по сравнению с теми же погрешностями исходной модели. При использовании степенного ряда третьего порядка погрешности модели (2) уменьшаются примерно в 4 раза относительно погрешностей аналитической модели.

Очевидно, что при увеличении порядка поправочной функции, точность таблично-аналитической модели (2) будет возрастать. Особый интерес представляет характер зависимости погрешностей моделирования от порядка поправочной функции m. На рис.2 приведены зависимости относительной среднеквадратической погрешности и максимальной по модулю относительной погрешности модели (2) от m.

Рис. 2. - Зависимости у и ¦д¦max модели (2) от порядка поправочной функции

Как видно из рис. 2 зависимости у (m) и ¦д¦max (m) имеют примерно одинаковый характер, причем, чем больше m, тем медленнее уменьшаются обе погрешности. Результаты, представленные на рис.2, имеют практическую ценность - они позволяют оценить порядок поправочного полинома при заданных погрешностях моделирования. Например, для того чтобы обеспечить условие ¦д¦max ? 1 %, необходимо использовать поправочную функцию как минимум 6-го порядка.

Выводы

Предложенная в данной работе модель (2) относится к классу гибридных таблично-аналитических моделей [8], отличаясь от них лишь тем, что в качестве шаблона предлагается использовать не формальную, а физическую аналитическую модель, параметры которой можно гарантированно определить путем измерений. Таким образом, выбор аналитической модели обусловлен компромиссом между вычислительной сложностью, точностью и легкостью экстракции ее параметров.

Таблично-аналитическая модель не теряет С?-непрерывности исходной аналитической модели, то есть не накладывает ограничений на порядок точности численных методов анализа электронной цепи. Вычислительная сложность модели (2), по крайней мере, не превышает вычислительную сложность простейших табличных моделей. Кроме того, модель (2) не более сложно, чем табличные модели, позволяет определять ток вне диапазона таблицы , то есть экстраполировать результаты в нерабочую область ВАХ (последнее необходимо при использовании итераций при численном решении уравнений цепи).

В заключение отметим, что предложенная гибридная модель в определенной степени обладает свойствами используемой аналитической модели. Например, она позволяет анализировать температурный дрейф параметров моделируемых цепей по известным зависимостям параметров ПТИЗ от температуры [9].

Работа выполнена при поддержке стипендии Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования по приоритетным направлениям модернизации российской экономики (СП-398.2012.5).

Литература

1. Tsividis Y.P., Suyama K. MOSFET modeling for analog circuit CAD: Problems and prospects [Text] // IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1994. - V.34. - № 3. - P.210-216.

2. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для в микро - и наноэлектронике [Текст]. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. - 408 с.

3. McAndrew C.C. Practical modeling for circuit simulation [Text] // IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1998. - V.34. - № 3. - P.439-448.

4. Бирюков В.Н. Диагностика моделей барьерной емкости диода [Текст] // Радиотехника и Электроника, 2009. - Т.54. - № 9. - С.1144-1148.

5. Бирюков В.Н. Четырехпараметрическая компактная модель полевого транзистора с коротким каналом [Текст] // Нанотехнологии-2010. Тр. международной научно-технической конференции. Ч.2. - Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. - С.114-115

6. Бирюков В.Н., Пилипенко А.М. Диагностика статических моделей диода [Текст] // Радиотехника и Электроника, 2009. - Т.54. - № 5. - С.604-610.

7. Бирюков В.Н., Пилипенко А.М. Исследование трехпараметрической модели высокочастотного полевого транзистора [Текст] // Изв. вузов. Электроника, 2003. - № 6. - С.22-26.

8. Bourenkov V., McCarthy K.G., Mathewson A.A. A Hybrid Table/Analytical Approach to MOSFET modeling [Text] // Proceedings of International Conference on Microelectronic Test Structures. - Monterey, CA, 2003. - P.142-147.

9. Пилипенко А.М., Бирюков В.Н., Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах [Текст] // Успехи современной радиоэлектроники, 2011. - № 9. - С.66-70.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.

    курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014

  • Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013

  • Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.

    лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012

  • Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.

    лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008

  • Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.

    реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011

  • Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.

    контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013

  • Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.

    реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012

  • История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.

    реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014

  • Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.

    лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013

  • Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).

    реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011

  • Общие сведения об усилителях мощности на полевых транзисторах. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office. Модель полевого транзистора с барьером Шотки. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.

    курсовая работа [440,5 K], добавлен 24.03.2011

  • Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 17.03.2011

  • Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

    курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013

  • Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.

    реферат [1,4 M], добавлен 12.06.2009

  • Построение и обоснование компьютерной модели поведения обедненной области пространственного заряда МДП-транзистора в зависимости от напряжения, приложенного к стоку. Изучение классификации и принципа действия полевых транзисторов с индуцированным каналом.

    курсовая работа [737,3 K], добавлен 08.06.2011

  • Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 18.12.2009

  • Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.

    курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015

  • Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.

    контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.