Система синхронизации в микросхемах с высокой степенью интеграции

Размещено на http://www.allbest.ru/

Система синхронизации в микросхемах с высокой степенью интеграции

Е.С. Балака

Аннотация

С повышением степени интеграции микросхем повышается и уровень перекрестных помех. Одновременно, возрастают требования к их помехоустойчивости. Повышение амплитуды импульсных сигналов - простой и эффективный метод повышения помехоустойчивости. В статье обсуждается система синхронизации с глобальным распределением низковольтного синхросигнала и локальным повышением амплитуды с использованием драйверов с повышением напряжения. Предложенные технические решения позволяют установить амплитуду синхросигнала индивидуально для каждого функционального блока.

Ключевые слова: синхронизация, помехоустойчивость, драйверы синхросигнала, повышение амплитуды, сокращение числа источников и шин электропитания.

Введение

Развитие технологий производства микросхем направлено на увеличение степени интеграции, быстродействия и энергоэффективности. При этом снижается напряжение питания, устойчивость схемы к перегрузкам и помехам. В цифровых микросхемах система синхронизации имеет наибольшую длину проводников и распределена на всей площади кристалла. Соответственно, максимальная вероятность сбоя схемы определяется сбоеустойчивостью системы синхронизации. На сбоеустойчивость влияют выходное сопротивление драйверов синхронизации и логический перепад синхросигнала. Снижение выходного сопротивления драйверов может быть обеспечено двумя способами: увеличением ширины выходных КМОП транзисторов или повышением амплитуды сигнала, управляющего выходными транзисторами. Увеличение ширины выходных транзисторов значительно увеличивает площадь кристалла микросхемы и потребляемую мощность. Для повышения амплитуды управляющего сигнала необходимо введение в схему дополнительной шины электропитания или дополнительного каскада импульсного повышения амплитуды сигнала. В настоящей работе предложена схема драйвера синхросигнала с повышенной амплитудой управления выходными КМОП транзисторами.

Драйверы синхросигнала

Драйвер импульсов с повышенной амплитудой включает два параллельных каскада (рис. 1а), управляемых входным сигналом с амплитудой равной напряжению питания.

Выходной импульс с повышенной амплитудой формируется срезом входного сигнала. Выходное напряжение повышается до уровня напряжения питания. Разделительный конденсатор C_p заряжается до напряжения равного (u_num - u_пор), где u_num - напряжение источника питания, u_пор - пороговое напряжение NМОП транзистора. Напряжение на выходе линии задержки повышается, когда NМОП транзистор в драйвере уже закрыт, PМОП открыт, а выходное напряжение достигло максимального уровня с учетом порогового напряжения NМОП транзистора. Напряжение на выходе продолжит повышение до уровня (2•u_num - u_пор).

Снижение напряжения питания микросхем, и повышение порогового напряжения МОП транзисторов с целью энергосбережения снижают эффективность импульсного повышения напряжения. Для дальнейшего повышения амплитуды управляющих импульсов предложено устройство, схема которого приведена на рис. 1б.

Рис. 1. - Формирователь импульсов с повышенной амплитудой

Повышение амплитуды импульсов осуществляется в два этапа. Для этого в устройстве используются две последовательно включенные линии задержки и три повышающих драйвера. На первом этапе две линии задержки и два драйвера формируют два сигнала с повышенной амплитудой, отличающиеся сдвигом во времени, соответствующим линии задержки. На втором этапе сигналы с повышенной амплитудой подаются на входы третьего повышающего драйвера. При этом амплитуда импульса выходного сигнала возрастает до величины (3•u_num - 2•u_пор).

На рис. 2 показаны результаты моделирования формы управляющих сигналов в режиме с нагрузкой в виде КМОП инвертора с суммарной шириной транзисторов 2 мм.

Отдельное внимание необходимо обратить на конструкцию разделительного конденсатора. Напряжение выходного сигнала драйвера зависит от соотношения емкостей разделительного конденсатора и нагрузки драйвера. Емкость нагрузки определяется суммарной шириной транзисторов, управляемых одним драйвером. Эффективность повышения напряжения достигается в случае, если емкость разделительного конденсатора превышает емкость нагрузки не менее, чем в 3 ч 5 раз.

Рис. 2. - Результаты моделирования двухэтапного преобразователя при напряжении питания 1В

1 - входной сигнал; 2 - выходной сигнал после первого этапа преобразования; 3 - выходной сигнал после второго этапа преобразования.

В традиционной технологии, использующей планарные конденсаторы с изоляцией электродов оксидом кремния, площадь разделительных конденсаторов может превышать площадь управляемых ключевых транзисторов [1]. В современных технологиях конденсаторы реализуются на основе многослойных структур с использованием диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (более 20), что снижает площадь конденсаторов в 5 ч 7 раз. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью являются неотъемлемой частью современных КМОП технологий и используются не только в транзисторных структурах.

Исключение дополнительного источника питания и уменьшение размеров выходных транзисторов оценено авторами как уменьшение активной площади кристалла на 0,5 ч 1 мм², и соответствующее упрощение конструктивных решений при применении изделий.

Заключение

Применение драйверов, повышающих амплитуду синхросигнала позволяет установить оптимальный уровень синхросигнала для каждого функционального блока. При этом не требуются дополнительные источники и шины питания. Снижается общее число драйверов, используемых для распределения информации на кристалле микросхемы.

Литература

1. Круглов Ю.В. Интеграторы на переключаемых конденсаторах для широкополосных сигма-дельта модуляторов с большим динамическим диапазоном // дис. … канд. тех. наук: 05.27.01. М.: МИЭТ, 2005. 153 с. URL: tekhnosfera.com (дата обращения: 18.04.2017).

2. Документация на микросхемы фирмы SANYO LA 7837, LA 7838 // MONITOR URL: master-tv.com (дата обращения: 18.04.2017).

3. Лубков А.А., Перебейнос С.В., Зотов А.А., Котов В.Н., Лылов С.А. Источник высокого знакопеременного напряжения, программируемого по амплитуде и частоте // Патент на полезную модель № 120297 по заявке №2012118341, приоритет 03.05.2012 г.

4. M. Dessouky and A. Kaiser “Very Low-Voltage Digital-Audio AS Modylator with 88 dB Dynamic Range Using Local Switch Bootstrapping”, IEEE J. Solid-State Circuit, vol. 36, no. 3, March 2001, pp. 349-355.

5. A. Ong, V. Prodanov, M. Tarsia “A metod for reducing the variation in «ON» resistance of a MOS sampling switch”, submitted to IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Geneva, 2000, May 28-31, pp. 437-440.

6. Белоус В., Дрозд С., Листопадов А. Схемотехнические методы повышения помехоустойчивости цифровых КМОП микросхем // Компоненты и технологии, 2010, №6, C. 132-137.

7. Адамов Ю.Ф., Балака Е.С., Рухлов В.С. Схемотехника электронных устройств, работающих в условиях электромагнитных помех // Материалы конференции МЭС-2016, Москва, 2016, C. 14-19.

8. Д. В. Тельпухов, В. С. Рухлов, И. С. Рухлов Исследование и разработка методов оценки сбоеустойчивости комбинационных схем, реализованных в базисе ПЛИС // Инженерный вестник Дона, 2016, №1 URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n1y2016/3504/.

9. С.Ф. Тюрин, Городилов А.Ю., Данилова Е.Ю. Диагностирование логического элемента DC LUT FPGA // Инженерный вестник Дона, 2014, №2 URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n2y2014/2313/.

10. R.E. Bryant, Kwang-Ting Cheng, A.B. Kahng “Limitation and challenges of computer-aided design technology for CMOS VLSI”, Proceedings of the IEEE, vol. 89, no. 3, Mar 2001, pp. 341-365.

11. Волобуев С.В. Параллельно-конвейерная процедура и устройство распределенной барьерной синхронизации матричных СБИС мультикомпьютеров // дис. … канд. тех. наук: 05.13.05. Курск: ЮЗГУ, 2010. 151 с. URL: tekhnosfera.com (дата обращения: 04.05.2017).

Размещено на Allbest.ru