Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 16.09.2017 |
| Размер файла | 273,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru//
Размещено на http://www.allbest.ru//
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ивановский Государственный Энергетический Университет им. В. И. Ленина
Лабораторная работа №3.
«Исследование биполярного транзистора»
Выполнили:
студенты гр. 2-28xx
Шаров Г. В.
Галанин Д. В.
Принял:
Рыжалов В. В.
Иваново 2014
Цель работы -- снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора БТ, используя включения с общей базой ОБ (рис. 1,а) и с общим эмиттером ОЭ (рис. 1,б). Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров.
а) БТ структуры p - n - p, включение ОБ
б) БТ структуры p - n - p, включение ОЭ
Рис. 1.
Ход работы
1. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 2
Рис. 2
Таблица 1
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 2 B |
R1=10 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
R1=1 кOм, R2=1 кОм, R3= 0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 20 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
|||||||
|
Uкб = 0 В |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,5 |
0,54 |
0,557 |
0,598 |
0,615 |
0,654 |
0,674 |
||
|
Uкб = 2 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,497 |
0,538 |
0,556 |
0,595 |
0,615 |
0,654 |
0,668 |
||
|
Uкб = 10 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,494 |
0,534 |
0,551 |
0,59 |
0,609 |
0,617 |
0,628 |
2. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 3
Рис. 3
Таблица 2
|
Значение элементов схемы R3, R4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA2, PV1 |
R3=0 Ом, R4=100 Oм |
|||||||||||||
|
Прямая полярность на коллекторном переходе (П2) |
* |
Обратная полярность на переходе (П2) |
||||||||||||
|
Ток инжекции |
* |
Ток экстракции |
||||||||||||
|
PA2 - 20 mА PV1 - 2 B |
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
||||||||||||
|
Предел измерений для PA2 соответствует пределу для PA1 |
||||||||||||||
|
Iэ = 0,1 мА, R1=100 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.608 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-14.85 |
-1.96 |
0 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.106 |
||
|
Iэ = 0,5 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.655 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.3 |
.-1.29 |
0 |
0.499 |
0.503 |
0.504 |
0.505 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
||
|
Iэ = 1 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.676 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.38 |
-1.13 |
0 |
1.004 |
1.008 |
1.009 |
1.01 |
1.014 |
1.016 |
1.017 |
1.017 |
10.18 |
||
|
Iэ = 5 мА, R1=1 кОм, R2=10 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0,729 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-10.63 |
2.67 |
0 |
4.92 |
4.93 |
4.93 |
4.94 |
5.03 |
5.1 |
5.06 |
4.98 |
5 |
||
|
Iэ = 10 мА, R1=1 кОм, R2=1 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.752 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-6.38 |
7.44 |
0 |
10.03 |
9.91 |
9.91 |
9.92 |
9.93 |
9.99 |
.9.97 |
9.93 |
9.96 |
3. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 4
Рис. 4
Таблица 3.
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=1 кОм, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B |
||||||||||
|
Uкэ = 0 В PV2 - 2 B |
Uбэ, мВ (требуемой полярности) |
-420 |
-450 |
-475 |
-500 |
-525 |
-550 |
-575 |
-600 |
-612 |
|
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-4 |
-9 |
-21 |
-44 |
-86 |
-124 |
||
|
Uкэ = 2 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-575 |
-600 |
-625 |
-650 |
-670 |
||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-2 |
-8 |
-25 |
-68 |
-122 |
|||
|
Uкэ = 10 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-600 |
||||||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-3 |
-21 |
4. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 5
Рис. 5
биполярный транзистор измерительный
Таблица 4.
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PA2, PV1 |
R1= 47 кОм, R2= 50 кОм, R3= 1 кОм, R4= 100 Ом |
|||||||||||||
|
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
|||||||||||||
|
Iб=20 мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 2…20mА |
0 |
-1,12 |
-2,88 |
-2,92 |
-2,95 |
-2,96 |
-3 |
-3,11 |
-3,2 |
-3,36 |
-3,75 |
-3,75 |
||
|
Iб=50, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0,96 |
-4,38 |
-6,79 |
-6,91 |
-7 |
-7,11 |
-7,23 |
-7,91 |
-8,38 |
-8,58 |
-9,75 |
-10,8 |
||
|
Iб=80, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0 |
-6,6 |
-10,68 |
-10,96 |
-11,11 |
-11,26 |
-11,43 |
-11,86 |
-12,25 |
-13,16 |
-15,4 |
-17,5 |
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа [418,7 K], добавлен 10.05.2015Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 21.11.2014Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 11.02.2008Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Особенности работы биполярного транзистора в режиме общего эмиттера. Измерение зависимостей выходного тока от выходного напряжения при различных фиксированных входных токах. Построение по ним семейства выходных и входных вольтамперных характеристик.
отчет по практике [953,7 K], добавлен 27.06.2015Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010
