Материалы электронной техники и методы их исследования
Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 25.09.2017 |
Размер файла | 423,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Эффективная нелинейность - изменение эффективной диэлектрической проницаемости еэф в зависимости от амплитуды напряжённости электрического поля Em. Эффективную ёмкость конденсатора Cэф определяют по действующему значению несинусоидального тока, протекающего через конденсатор при заданном действующем напряжении с угловой частотой щ:
(1)
С увеличением амплитуды напряжённости поля Em значение еэф возрастает от начального ен до максимального еmax, после чего уменьшается, снова приближаясь к ен (рис. 4).
Такой вид зависимости еэф от Em объясняется нелинейностью доменной поляризации в общей поляризованности сегнетоэлектрика, т.к.
(2)
В слабых полях с амплитудами напряжённости, меньшими коэрцитивной силы EC , зависимость P от E практически линейна, доменная поляризация осуществляется только за счёт обратимого смещения доменных стенок (область I на рис. 4).
Рис. 4. Зависимость еэф от амплитуды напряжённости электрического поля (Em)
С приближением Em к EC (область II) появляется переполяризация доменов путём необратимого смещения доменных стенок; две ветви петли гистерезиса разделяются, и дополнительный механизм доменной поляризации приводит к увеличению еэф (2). При Em > EC (область III) переполяризуется весь объём образца, доменная поляризованность достигает насыщения (при этом для монокристаллов она равна PS), а еэф снижается с ростом Em за счёт увеличения знаменателя в формуле (2) при почти постоянном числителе. Максимального значения еmax достигает при амплитуде напряжённости поля, близкой к коэрцитивной силе данного материала.
Количественно эффективная нелинейность характеризуется отношением максимальной проницаемости к начальной:
(3)
называемым коэффициентом эффективной нелинейности, а также амплитудой напряжённости поля Emax, при которой еэф достигает максимума.
Чем больше Kэф и чем ниже Emax , тем выше эффективная нелинейность материала. При работе вариконда на линейном участке зависимости еэф = f(Em) два указанных параметра можно заменить одним коэффициентом
(4)
Эффективная нелинейность существует лишь на низких частотах. При высокой частоте, когда полупериод приложенного напряжения становится меньше времени пере поляризации доменов, вклад в еэф механизма необратимого смещения доменных стенок исчезает и еэф практически не зависит от Em. Поэтому с ростом частоты еэф уменьшается, а Emax растёт (рис. 5). Эффективную нелинейность используют в стабилизаторах переменного напряжения, в устройствах искрогашения, для повышения контрастности электрооптических устройств изображения, индикаторов, телевизионных экранов.
Вариконд обычно работает на начальном крутом участке кривой еэф(Em), когда коэффициен нелинейности Nэф максимален. Для создания варикондов необходимы материалы ВК-1 - ВК-6, обладающие большой эффективной нелинейностью. Их основные свойства приведены в таблице 1.
Рис. 5. Зависимость еэф сегнетоэлектрика ВК-1 от Em
Таблица 1
Свойства сегнетокерамики
материалы TK , C ен Kэф Emax кВ/м K_ tg д |
|
ВК-1 75 2000 6-8 150-200 = 2 0.02 ВК-2 75 2500 15-20 120-150 = 2 0.01 ВК-3 25 10 000 1-2 50-100 = 8 0.03 ВК-4 165 1800 10-16 250-300 = 2 0.015 ВК-5 75 2000 35-50 80-100 = 2 0.01 ВК-6 200 400 25-50 500-600 - 0.03 ВК-7 -10 3 000 - = 2 0.001 |
В настоящее время сегнетоэлектрики привлекают всё более широкое внимание специалистов, работающих в технике СВЧ, благодаря тому, что позволяет расширить возможности приборов и устройств СВЧ по сравнению с приборами на основе полупроводниковых материалов и ферритов. Сегнетоэлектрики технологически более просты, обладают большей, чем полупроводники электрической и радиационной стойкостью, значительно более экономичны по энергопотреблению, чем ферриты. Используя свойство сегнетоэлектрика существенно изменять величину его диэлектрической проницаемости от напряжённости приложенного электрического поля, можно выполнить волновод или другую линию передачи с электрически управляемой фазовой скоростью, электрически перестраиваемые фильтры, переключатели, параметрические усилители.
4. Порядок выполнения работы
1. Ознакомиться с инструкцией по эксплуатации низкочастотного измерителя полных сопротивлений (приложение №1).
2. Подключить измеряемый вариконд к прибору и измерить ёмкость конденсатора при комнатной температуре.
3. Включить термостат и снять зависимость ёмкости вариконда от температуры в диапазоне (20-100єC).
4. Из графика зависимости C = f(T) определить точку Кюри сегнетоэлектрика.
5. По известным геометрическим размерам вариконда (задаются преподавателем) найти начальное и максимальное значения диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика:
где S - площадь пластины
d - толщина диэлектрика
е0 - диэлектрическая постоянная вакуума
Требования отчёта
1. Привести основные теоретические сведения о сегнетоэлектриках.
2. Привести технические данные приборов, используемых в работе, их наименование, марку.
3. Привести результаты измерений с указанием размерностей используемых значений.
4. Выводы по работе.
5. Ответить на вопросы (приложение 1).
Правила техники безопасности
Проверить наличие заземления прибора.
Литература
1. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. - Высш. школа, 1980.
2. Электрорадиоматериалы / под ред. Б.М. Тареева, М., 1978.
Приложение 1
Контрольные вопросы
1. Основные особенности сегнетоэлектриков, отличающие их от других классов диэлектриков?
2. Связь спонтанной поляризации с пьезоэлектрическим эффектом на примере BaTiO3.
3. Какие вещества называют сегнетоэлектриками?
4. Что такое «точка Кюри»?
5. Петля диэлектрического гистерезиса и её характерные точки.
6. Какой характер зависимости е = f(E) и е = f(T)?
7. Что такое вариконд, каковы его применения?
8. Что такое эффективная нелинейность?
9. Каков характер зависимости еэф = f(Em , f)?
10. Что такое коэффициент эффективной нелинейности?
11. Материалы для варикондов и их параметры.
12. Порядок выполнения работы и используемое оборудование.
13. Что такое варикап?
Приложение 2
Инструкция по эксплуатации низкочастотного измерителя полных сопротивлений
Низкочастотный измеритель полных сопротивлений обеспечивает измерение двухполюсных сопротивлений в диапазоне частот от 5 Гц до 0.5 МГц. Прибор может быть использован для прямого измерения и C, которое осуществляется путём измерения реактивного сопротивления щ·L или 1/щ·C на частотах, кратных 15.92, когда величина щ численно равна единице и реактивное сопротивление X численно равно L или 1/C. Ввиду широкополостности прибора ходы измерительных усилителей непосредственно соединены с зажимами. Следовательно, на них нельзя подавать постоянное напряжение измеряемого объекта, в этом случае необходимо использовать разделительные конденсаторы.
Основные технические данные
Диапазон частот: 5 Гц-500 кГц, перекрывается пятью поддиапазонами: 5-50, 50-500 Гц; 0.5-5, 5-50, 50-500 кГц.
Прямое измерение ёмкостей
Пределы: 0.3 пФ-10 000 мкФ (с погрешностью 8%).
Диапазон рабочих температур: +10 C - 35 C.
Относительная влажность 40%-80%.
Частота питающего напряжения - 50 Гц.
Порядок работы с прибором ВМ 507
Нажать кнопку «сеть» (MAINS). Зажигается контрольная лампа. После прогревания прибора в течение 15 минут, нажать кнопку калибровки (CAL.), причём к зажимам X и Y ничего не должно быть подсоединено. Установить предел 1 000 Ом при переключателе «частота» в положении 50-500 Гц, а ручкой калибровки (CALIBRATION) совместить стрелку со значением Z = 1 кОм. Ручкой ноль (ZERO) стрелка совмещается со значением ц = 0. После чего отжимается кнопка калибровки (CAL.).
Внимание: Измеряемый объект нельзя включать при нажатой кнопке калибровки.
Измерение ёмкости
Для измерения ёмкости необходимо подключить к измерительным зажимам X и Y данную измеряемую ёмкость, после чего установить предел 10 кОм и частоту f = 159 кГц и по шкале 3 Ома определить ёмкость конденсатора (при этом шкала 3 Ома соответствует пределу ёмкости 300 нФ).
При измерении полного сопротивления, имеющего индуктивный или ёмкостной характер (когда Q > 10 tg д < 0.1) прибор показывает значение Z = щ·L или Z = 1/щ·C.
Если подобрать частоту генератора, кратную 10/(2р) = 1.592, то значение щ = 2·р·f = 1.
Следовательно, измеренное значение Z = L или Z = 1/C. На шкале частота 15.92 представлена в виде риски. При изменении L производится отсчёт по соответствующёй шкале Z, при измерении C, когда Z = 1/C отсчёт производится по обратной шкале, по которой отсчитывается значение 1/Z = C.
Значение L и C зависит от выбранного коэффициента кратности частоты 15.92. Пределы L и C на соответствующих шкалах в таблицах, где даны значения частот. Частоты выбраны так, чтобы их количество было минимально для всего диапазона L и C. В случае индуктивности необходимо измерить её на более низких частотах.
При выборе другой частоты, не соответствующей таблице, значение L и C пересчитать. Погрешность измерения определяется суммой погрешности установки частоты 15.92 и погрешности измерения Z.
Таблица составлена для трёх частот, причём выбраны только пределы Z, соответствующие десятичным кратным L и C. По мере необходимости можно при небольших отклонениях стрелки прибора (меньше 1/3 полного отклонения) переключить на соответствующий поддиапазон и измеренные значения отсчитать более точно.
Стекло
1. В чём достоинства и недостатки стекла в электронной технике?
2. В чём состоят особенности структуры стекла?
3. Какова зависимость вязкости стекломассы от температуры и каково значение этой зависимости в технологии производства стекла?
4. Что такое «расстекловывание» и почему нежелателен этот процесс в электронной промышленности?
5. Почему при спае стекла с металлами не допускают возникновения напряжения в стекле?
6. Что такое КТР и методы его измерения.
7. Вакуумные свойства стекла.
8. Термические свойства стекла.
9. Электрические свойства стекла.
10. Оптические свойства стекла.
11. На какие группы подразделяются ситаллы в зависимости от условий кристаллизации?
12. На какие группы классифицируются электровакуумные стёкла?
13. Что называется ситаллами?
14. Область применения стекла.
15. Область применения ситалла.
16. Дайте понятие о керамике как о материале электронной техники.
17. Назовите основные виды керамики.
18. В чём преимущества и недостатки бериллиевой керамики?
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Исследование высокочастотных зависимостей компонент магнитной проницаемости от относительной концентрации металлической и диэлектрической фаз композитных и плёнок состава. Технология получения и морфологические свойства пленок, их магнитный спектр.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 23.09.2014Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Диэлектрическая проницаемость металл-диэлектрической среды. Концентрационные зависимости удельного электрического сопротивления. Методы получения композитных пленок, их структура и состав. Методика и техника измерений диэлектрической проницаемости.
дипломная работа [1,3 M], добавлен 27.03.2016Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.
реферат [1,3 M], добавлен 15.01.2015Электрические свойства кабельных линий связи. Оценка процессов распространения электромагнитной энергии вдоль кабельной цепи. Измерение сопротивления цепи и ёмкости жил прибором. Волновое сопротивление. Рабочее затухание. Измерение параметров влияния.
контрольная работа [58,0 K], добавлен 16.05.2014Определение уровня сыпучих материалов с помощью уровнемера. Анализ объекта исследований, методов и приборов для измерения уровня. Выбор и описание конструкции прибора. Произведение математической обработки результатов, проверка однородности наблюдений.
курсовая работа [863,7 K], добавлен 30.11.2014Компенсация напряжения сдвига операционных усилителей, их свойства и принцип работы. Исследование работы инвертирующего, неинвертирующего и дифференциального включения операционного усилителя. Измерение коэффициента ослабления синфазной составляющей.
лабораторная работа [4,0 M], добавлен 16.12.2015История создания электронной лампы. Принципы устройств и работы электровакуумных приборов. Назначение и применение диодов и триодов. Основные виды электронной эмиссии. Физические процессы и токораспределение в триодах. Построение характеристик ламп в EWB.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 15.12.2010Электрические методы неразрушающего контроля. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов. Работа электропотенциальных приборов. Электропотенциальный метод с использованием четырех электродов.
реферат [1,7 M], добавлен 03.02.2009Состояние и анализ современных процессов сборки и монтажа электронных средств. Система управления токарным станком. Программа для микроконтроллера PIC16F876. Структура и функции автоатической системы управления технологическим процессом прокатного стана.
отчет по практике [1,2 M], добавлен 31.05.2013Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
дипломная работа [5,2 M], добавлен 06.12.2015Преимущество диэлектрических антенн, простота конструкции и малые поперечные размеры. Определение диаметра стержня. Расчет коэффициента замедления. Диаграмма направленности конической диэлектрической стержневой антенны в декартовой системе координат.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 16.08.2015Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015Определение электрических параметров диэлектриков волноводным методом. Исследование высокочастотного фидера. Исследование характеристик периодических замедляющих систем. Рассмотрение волн в прямоугольном волноводе и полей в объемных резонаторах СВЧ.
методичка [317,4 K], добавлен 26.01.2009Исследование основных типов полимерных композиционных материалов. Анализ современного состояния рынка лазерной техники. Технологические головки для волоконных лазеров. Расчет оптических систем. Оптическое преобразование светового потока лазерной головкой.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.10.2013Общие свойства оптоволоконных сетей, их назначение и применение. Расчет параметров оптических усилителей, предназначенных для усиления сигнала в составе волоконно-оптических линий связи, их характеристики и методы их оптимального функционирования.
дипломная работа [2,7 M], добавлен 19.11.2013Материал для изготовления толстопленочных элементов. Требования, предъявляемые к пастам. Наполнители проводниковых паст. Методы формирования рисунка. Трафаретная печать. Проводники толстопленочных схем. Материалы для герметизации кристаллов и плат.
реферат [131,8 K], добавлен 15.01.2009Анализ основных методов расчёта линейных электрических цепей постоянного тока. Определение параметров четырёхполюсников различных схем и их свойства. Расчет электрической цепи синусоидального тока сосредоточенными параметрами при установившемся режиме.
курсовая работа [432,3 K], добавлен 03.08.2017Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015Обоснование выбора элементной базы. Выбор вариантов формовки выводов и установки изделий электронной техники на печатные платы. Описание материалов и покрытий. Расчет диаметра монтажных отверстий, контактных площадок. Сборка и монтаж печатного узла.
курсовая работа [121,5 K], добавлен 21.12.2011