Основы электротехники и электроники

Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид методичка
Язык русский
Дата добавления 26.09.2017
Размер файла 2,0 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

3) По правилу Крамера находят контурные токи Iki=.

4) Токи в ветвях находят как алгебраическую сумму контурных токов, протекающих через данную ветвь. В алгебраической сумме контурные токи берутся со знаком «+» , если ток ветви и совпадает с контурным током и «-» если не совпадает.

Если токи ветви оказались положительными, то выбранное направление тока совпадает с истинным и наоборот.

Пример. Дана комплексная схема замещения электрической цепи (рис. 4.30). Определить токи во всех ветвях.

1. Проводим топологический анализ

а) b = 6; б) y = 4; в) Nk = 6 - 4 + 1=3.

2) Составим систему уравнений по методу МКТ

Размещено на http://www.allbest.ru/

где:

E11= E1; E22 = 0; E33 = 0.

3) По методу Крамера находим контурные токи Iki = .

4) Находим токи в ветвях:

IIk1; I=

= IkIk2; I= Ik1 - Ik3; I4 = -IkIk3; I5 = Ik2; I6 = Ik3.

Пример 2. Рассмотрим электрической цепи постоянного тока, рис. 2.21.

1. Проводим топологический анализ

а) b = 5; б) y = 3; в) Nk = 5 - 3 + 1=3.

2) Для каждого контура записывают уравнение второго закона Кирхгофа,

Рис. 2.21. - Расчетная схема для метода контурных токов

В каждом из трех контуров протекает свой контурный ток J1, J2, J3. Произвольно выбираем направление этих токов, например, по часовой стрелке. Составляем уравнения по второму закону Кирхгофа для каждого контура с учетом соседних контурных токов, протекающих по смежным ветвям

(R1 + R2J1 - R2·J2 = E2 - E1

- R2·J1 + (R2 + R3 + R4J2 - R3·J3 = - E2 - E3

- R3·J2 + (R3 + R5J3 = E3.

Решив систему уравнений, находят контурные токи J1, J2, J3. Затем определяют реальные токи в ветвях, причем токи во внешних ветвях равны контурным, а в смежных - алгебраической сумме 2-х контурных токов, протекающих в данной ветви

I1 = J1; I2 = J2 - J1; I3 = J2 - J3; I4 = J2; I5 = J3.

Исходная система уравнений в матричной форме

или

[R]·[J] = [E],

где [R] - квадратная матрица коэффициентов контурных токов;

[J] - матрица - столбец контурных токов; [E] - матрица - столбец ЭДС.

Решением матричного уравнения является матрица

[J] = [R]-1 ·[E],

где [R]-1 - матрица, обратная матрице [R]

• Пример 3. Для электрической цепи, схема которой приведена на рис. 1.1, получим следующие уравнения:

Размещено на http://www.allbest.ru/

получим следующие уравнения:

Размещено на http://www.allbest.ru/

По методу Крамера найдем контурные токи:

Размещено на http://www.allbest.ru/

Действительные токи в ветвях: I1 = Ik1; I2 = Ik2 - Ik1; I3 = Ik2.

Пример 4. Расчет цепи методом контурных токов на рис. 2.22.

Рис. 2.22. - Расчет цепи методом контурных токов

Для схемы замещения электрической цепи, показанной на рис. 2.22, задано: E1 = 30 B; E2 = 10 В; R1 = 8 Ом; R2 = 15 Ом; R3 = 36 Ом. Требуется определить токи в ветвях методом контурных токов. Составить баланс мощности.

Схема содержит три ветви (m = 3), два узла (n = 2). Выбираем положительные направления токов в ветвях произвольно. Число уравнений, составленных по методу контурных токов, равно m - (n - 1) = 2. Задаем направление контурных токов (например, по часовой стрелке) и составляем систему уравнений

(R1 + R2J1 - R2·J2 = E1 - E2

- R2·J1 + (R2 + R3J2 = E2.

Подставляя численные значения сопротивлений резисторов и ЭДС в приведённые уравнения, находим контурные токи J1, J2 (Например, методом определителей)

20 = 23·J1 - 15·J2

10 = - 15·J1 + 51·J2

Токи в ветвях

I1 = J1 = 1,23 А; I2 = - J2 + J1 = 1,23 - 0,56 = 0,67 А; I3 = J2 = 0,56 А.

Составляем баланс мощностей.

Мощность генераторов (источников)

РИ = Е1·I1 - Е2·I2 = 30·1,23 - 10·0,67 = 30,2 Вт,

где произведение Е2·I2 имеет знак минус (ток через источник не совпадает с ЭДС, значит источник ЭДС работает в режиме потребителя электрической энергии).

Мощность, потребляемая нагрузкой, составляет

РН = R1·I12 + R2·I22 + R3·I32 = 8·1,232 + 15·0,562 + 36·0,562 = 30,13 Вт.

Погрешность

составляет менее 1%, т. е. токи найдены верно.

Метод узловых потенциалов (МУП)

Метод основан на применении первого закона Кирхгофа. В нем за неизвестные величины принимают потенциалы узлов. По закону Ома определяют токи во всех ветвях схемы.

Все источники ЭДС, имеющиеся в схеме, заменяют источниками тока (рис. 4.31).

а) I = E/ZiI;

Размещено на http://www.allbest.ru/

б) ZiII = ZiI.

1) Топологический анализ.

а) Подсчитывают число ветвей b и число узлов y. Определяется количество независимых узлов Ny = y - 1.

б) Нумеруют все узлы. Один из узлов, к которому сходится наибольшее число ветвей, считают нулевым, где - потенциал нулевого узла.

2) По 1-му закону Кирхгофа составляют уравнения для N узлов схемы и решают их относительно потенциалов узлов:

,

где Yii - собственная узловая проводимость. Она равна сумме проводимостей всех ветвей, сходящихся в i-м узле, все они берутся со знаком «+»;

Yij - межузловая проводимость между i-м и j-м узлами. Проводимости всех узлов берутся со знаком «-»;

Iii - алгебраическая сумма токов источников тока, сходящихся в i-м узле. Втекающие токи записываются в эту сумму со знаком «+», а вытекающие - со знаком «-».

3) Потенциалы узлов находят по формуле Крамера

.

4) Токи в ветвях находят по закону Ома

I = (1 - 2)/Z.

Пример. Дана электрическая цепь (рис. 4.32). Рассчитать токи во всех ветвях.

Предварительно преобразуем все источники напряжения (рис. 4.32) в источники тока (рис. 4.33).

Рис. 4.32 Рис. 4.33

Проведем топологический анализ.

а) число ветвей b = 4;

б) число независимых узлов Nу = 2, их потенциалы: ц1 и ц2 (рис. 4.33).

Составим систему уравнений по методу узловых потенциалов:

;

.

По методу Крамера найдем потенциалы узлов .

По закону Ома найдем токи во всех ветвях схемы:

.

Методические указания к выполнению заданий по теме цепи переменного тока

Методические указания к решению задач 3 и 4. .

В результате изучения темы «Электрические цепи синусоидального тока» слушатель должен:

знать содержание терминов: резистор, сопротивление, индуктивная катушка, индуктивность, индуктивное сопротивление, конденсатор, емкость, емкостное сопротивление, фаза, начальная фаза, угол сдвига фазы, период, частота, угловая частота, мгновенное и действующее значения гармонических величин, полная, активная и реактивная мощности, коэффициент мощности;

понимать особенности энергетических процессов в электрических цепях синусоидального тока;

знать сущность резонансных явлений в цепях переменного тока и условия резонансов;

представлять гармонически изменяющиеся величины комплексными числами; уметь составлять комплексные уравнения состояния линейных цепей; строить векторные диаграммы неразветвленных цепей и цепей с параллельным соединением электроприемников.

В электротехнике простейшим переменным сигналом является гармонический (ЭДС - е(t), напряжение - (u(t), ток - i(t)).

Применяют несколько способов представления гармонических (синусоидальных - sin или косинусоидальных -cos) электрических величин.

1. Временной (аналитический) способ - ток задается аналитически в виде функции времени (1.1). Аналитически гармонический сигнал (например, напряжение) записывается выражением:

u(t) = Umsin(щ0t+ц0) , (1.1)

где u(t) - мгновенное значение напряжения - напряжение в момент времени t.

Временная диаграмма гармонического сигнала приведена на рис.1.1. Он характеризуется следующими тремя основными параметрами:

1. um - амплитуда, величина наибольшего отклонения от нуля, (В- вольт);

2. Т - период, наименьший интервал времени, по истечении которого мгновенные величины повторяются, измеряется в (сек), с ним связаны f=1/Т - циклическая частота, измеряется в (Гц) и щ0 =2рf - угловая частота - (рад/с);

3. ц0 - начальная фаза, (рад). Выражение в скобках - (щ0t+ц0)= ш(t) называют полная фаза. Отсюда ц0 = ш(t=0).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рис. 1.2. Временные диаграммы двух гармонических сигналов

Кроме амплитуд о величине периодических сигналов судят по их среднеквадратичным (действующим) значениям за период, I, U, E -

, , .

Для синусоидальных сигналов законы Кирхгофа и Ома и анализ цепей удобно проводить используя комплексную форму записи.

При комплексном представлении гармоническое колебание как функция времени заменяется комплексной амплитудой, т.е. комплексным числом, не зависящим от времени. Это делается для упрощения записи и выполнения операций над гармоническими функциями.

Комплексная амплитуда содержит информацию о двух важнейших параметрах гармонического сигнала - об амплитуде и начальной фазе. Комплексная амплитуда и гармоническая функция времени при известной частоте щ связаны взаимнооднозначно, т.е.

.

Пример 1. Например, гармоническому колебанию u(t) = 256 cos(2р100t - 45) соответствует комплексная амплитуда m = 256 e-j45.

Справедливо и обратное. Если известна комплексная амплитуда гармонического сигнала m = 256 e-j45 и частота щ=2р100, то этому соответствует гармоническое колебание u(t) = 256 cos(2р100t - 45).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Геометрически комплексная амплитуда представляет собой вектор, характеризуемый модулем и фазой, равными, соответственно, амплитуде и начальной фазе гармонической функции, как это показано на рис. 4.7,

Законы Ома и Кирхгофа в комплексной форме

Они имеют совершенно такой же вид, как и соответствующие уравнения для цепей постоянного тока. Только токи, ЭДС, напряжения и сопротивления входят в уравнение в виде комплексных величин: комплексных амплитуд и комплексных сопротивлений.

1. Закон Ома. Он устанавливает связь между комплексными амплитудами тока и напряжения на участке цепи. 1.8. Закон Ома для участка цепи, не содержащего источника ЭДС (рис. 1.8):

Размещено на http://www.allbest.ru/

,

где и - комплексные амплитуды тока и напряжения на участке цепи; Z - комплексное сопротивление участка цепи, -комплексные амплитуды потенциалов на данном участке цепи.

2. Первый закон Кирхгофа: Алгебраическая сумма комплексных амплитуд (действующих значений) токов в узле равна нулю

. (1.5 а)

3. Второй закон Кирхгофа: В замкнутом контуре электрической цепи алгебраическая сумма комплексных амплитуд (действующих значений, ЭДС) равна алгебраической сумме комплексных падений напряжений в нём.

. (1.5 б)

Комплексное сопротивление элемента (участка цепи)

Под комплексным сопротивлением понимают отношения комплексной амплитуды входного напряжения к комплексной амплитуде входного тока:

. (1.6)

где Z -модуль комплексного сопротивления, ц=шu - шi - начальная фаза или аргумент комплексного сопротивления; R - активного сопротивления, X- реактивному сопротивлению, причем Z=(R2+X2)1/2, а цz(щ)=шu-шi =arctg(X/R).

По виду записи комплексного сопротивления можно судить о характере участка цепи: Z=R - активное (резистивное) сопротивление; Z=R+jX -- активно-индуктивное сопротивление; Z=R - j X -- активно-емкостное

- комплексная проводимость, величина, обратная комплексному сопротивлению:

Метод комплексных амплитуд состоит в следующем:

1) исходная схема электрической цепи заменяется комплексной схемой замещения, в которой:

а) все пассивные элементы заменяются их комплексными сопротивлениями, как показано на рис. 4.27.

б) все токи и напряжения в схеме заменяются их комплексными амплитудами, т.е. х(t) = Xm cos(0t - x) Xm = Xm e-jx.

Рис. 4.27

2) Расчет электрической цепи сводится к составлению уравнений состояния цепи на основе законов Ома и Кирхгофа в комплексной форме и нахождению комплексных амплитуд токов или напряжений на интересующих нас участках цепи, т.е. YmYm e-jy.

3) Запись окончательного решения состоит в замене рассчитанных комплексных амплитуд на гармонические функции времени, т.е.

Ym =Ym-jy y(t) = Ym cos(0t - y).

Пример 5. Алгоритм метода рассмотрим на примере анализа цепи, структура которой приведена на рис. 4.29.

Рис. 4.29. RLC-цепь второго порядка

На вход цепи подается синусоидальное воздействие . Параметры воздействия и элементов цепи известны: Um=1 В, щ =1 с-1 , ц u=900 , R=1 Ом, L=1 Гн, C=1 Ф. Требуется определить токи и напряжения ветвей, построить векторную диаграмму.

Решение.

1. Представим воздействие в комплексной форме:

.

2. Построим схему замещения цепи в частотной области, заменив элементы цепи комплексными двухполюсниками, как это показано на рис. 4.30.

Рис. 4.30. Схема замещения цепи в частотной области

3. Произведем расчет реакций (токов и напряжений) в комплексной области. При этом можно воспользоваться законами Кирхгофа и Ома в комплексной форме, а также известными методами расчета резистивных цепей:

, , ,

,

, ,

,

, .

3. Построим векторную диаграмму для токов и напряжений в цепи. Для этого на комплексной плоскости откладываются в соответствующем масштабе найденные токи и напряжения, как показано на рис. 4.31.

Рис. 4.31. Векторная диаграмма

Построение векторной диаграммы, как правило, является конечным результатом решения подобных задач. Векторная диаграмма показывает амплитуду и начальную фазу любого тока или напряжения. При необходимости записать временную функцию тока или напряжения, это всегда можно сделать, имея векторную диаграмму. Например, напряжение на L-элементе имеет амплитуду , а начальную фазу 1350, значит, во временной области это напряжение можно записать так:

.

Пример 2.

Активное сопротивление катушки Rк=6 Ом, индуктивное Xl=10 Ом. Последовательно с катушкой включено ативное сопротивление R=2Ом и конденсатор сопротивлением хс=4 Ом (рис.2,а). К цепи приложено напряжение U=50В ( действующее значение). Определить :1) полное сопротивление цепи;2)ток;3)коэффициент мощности;4)активную, реактивную и полную мощности;5) напряжения на каждом сопротивлении. Начертите в масштабе векторную диаграмму цепи.

Решение:

1.Определяем полное сопротивление цепи

2.Определяем ток

3.Определяем коэффициент мощности цепи

по таблицам Брадиса находим =36050' . Угол сдвига фаз находим по синусу во избежание потери знака угла ( косинус является четной функцией)

4.Определяем активную мощность цепи

или

Здесь

5.Определяем реактивную мощность цепи

6.Определяем активную мощность цепи

или

7.Определяем падение напряжения на сопротивлениях цепи

; ; ;

Построение векторной диаграммы начинаем с выбора масштаба для тока и напряжения. Задаемся масштабом по току : в 1см - 1,0А и масштабом по напряжению : 1см- 10В. Построение векторной диаграмм ( рис.2,.б) начинаем с вектора тока, который откладываем по горизонтали в масштабе

Вдоль вектора тока откладываем векторы падения напряжения на активных сопротивления URк и UR:

Из конца вектора UR откладываем в сторону опережения вектора тока на 900 вектор падения напряжения UL на индуктивном сопротивлении длиной .Из конца вектора UI откладываем в сторону отставания от вектора тока на 900 вектор падения напряжения на конденсаторе UC длиной . Геометрическая сумма векторов URк, UR, UL и UC равна полному напряжению U, приложенному к цепи .

Пример 3.

На рис. 3,а задана векторная диаграмма для неразветвленной цепи, ток I и падения напряжений на каждом сопротивлении ( U1, U2 и т.д.) Определить характер и величину каждого сопротивления, начертить эквивалентную схему цепи, вычислить приложенное напряжение и угол сдвига фаз .

Решение:

1.Из векторной диаграммы следует, что напряжение U1 отстает от тока на угол 900. Следовательно, на первом участке включен конденсатор, сопротивление которого

Вектор напряжение на втором участке U2 направлен параллельно вектору тока, т.е. совпадает с ним по фазе. Значит, на втором участке включено активное сопротивление

Вектор напряжения на третьем участке U3 опережает вектор тока на угол 900, что характерно для индуктивности, сопротивление которой

На четвертом участке включено активное сопротивление

Эквивалентная схема цепи приведена на рис. 3, б.

2.Из векторной диаграммы определяем значение приложенного напряжения и угол сдвига фаз:

.

Пример:

К электрической цепи, рис. 3.12, а, подведено синусоидальное напряжение частотой f = 50 Гц с действующим значением U = 100 В. Параметры элементов схемы: R1 = 30 Ом, L = 0,1 Гн, C = 50 мкФ, R2 = 20 Ом. Определить токи в ветвях схемы и показания приборов. Составить баланс мощности. Построить в масштабе векторную диаграмму токов и напряжения.

Рис. 3.12 - Параллельная цепь:

а) схема замещения; б) векторная диаграмма

Решение

Определяем комплексные сопротивления параллельных ветвей. Сопротивление первой ветви

Z1 = R1 + jXL,

где

XL = jщL = 2рfL = 6,28•50•0,1 = 31,4 Ом;

Z1 = 30 + j31,4 Ом.

Комплексное сопротивление второй ветви

Z2 = R2 - jXС;

Z2 = 20 - j63,7 Ом.

Находим комплексные значения токов в ветвях

I = I1 + I2 = 1,6 - j1,64 + 0,45 + j1,43 = 2,05 - j0,21 A.

Действующие значения

Для определения показания вольтметра составляем уравнение согласно второго закона Кирхгофа для контура б, в, г, д, б. Произвольно выбираем направление обходе контура, показанное на рис. 3.12, а стрелкой

0 = Uбв + R2I2 - R1I1;

1._. Uбв = R2I2 - R1I1 = 20·(0,45 + j1,43) - 30(1,6 - j1,64) =

= 9 + j28,6 - 48 + j49,2 = - 39 + j77,8;

Uбв = 39 - j77,8 В.

Вольтметр покажет действующее значение напряжения Uбв

Ваттметр измеряет мощность, потребляемую активной нагрузкой (R1 и R2).

Известно, что

Р = U·I·cosц.

В этом выражении неизвестным является cosц, где ц угол сдвига между напряжением U и током I. Определить угол ц (или cosц) можно разными путями. Например, cosц можно найти из выражения для общего тока, учитывая, что начальная фаза напряжения равна нулю. Для этого обратимся к комплексному значению общего тока

I = 2,05 - j0,21 A,

где IR = 2,05 - активная составляющая тока (проекция комплексного вектора полного тока на ось действительных чисел);

IX = - j0,21 - реактивная составляющая тока (проекция комплексного вектора полного тока на ось мнимых чисел).

Тогда

где I = 2,06 А - действующее значение общего тока.

Показание ваттметра

Р = 100•2,06•0,995 = 205 Вт.

Составим баланс мощностей.

Полная мощность, поступающая от источника

где PИ = 205 Вт; QИ = 21 Вар.

Мощности приёмников

SП = РП + jQП = 205 + j21,34 ВА.

Результаты расчётов показывают, что баланс мощности сходится, т. е. токи найдены правильно.

Векторную диаграмму строим на комплексной плоскости, рис. 3.12, б. Выбираем масштабы тока и напряжения: (Масштаб выбирается с таким расчётом, чтобы векторная диаграмма занимала примерно половину страницы). Откладываем вектор напряжения совпадающий с осью +1. Затем откладываем вычисленные значения токов I1, I2, I. Действительные значения - на оси +1, мнимые значения - на оси +j.

Контрольные вопросы к экзамену (зачету)

Контрольные вопросы к зачету (экзамену ) по разделу "Основы электротехники".

1. Электробезопасность. Характеристики поражения человека электрическим током.

2. Основные определения: электротехника, электричество, электрическое поле, потенциал, напряжение, электрический ток, источники тока , электродвижущая сила (ЭДС), закон Ома , законы Кирхгофа.

3. Электрическая цепь. Пассивные и активные элементы цепи. Параметры электрической цепи.

4. Расчет электрических цепей постоянного тока методом законов Кирхгофа, методом контурных токов.

5. Энергия и мощность постоянного тока. Баланс мощностей.

6. Переменный ток. Однофазный синусоидальный ток. Основные параметры: мгновенные, действующие и средние значения тока, напряжения и ЭДС. Генерирование переменного тока.

7. Представление переменного тока комплексными величинами. Метод комплексных диаграмм.

8. Метод комплексных амплитуд. Закон Ома и законы Кирхгофа в комплексной форме.

9. Активное сопротивление, индуктивность и емкость в цепи переменного тока.

10. Последовательная и разветвленные цепи переменного тока с активным сопротивлением, емкостью и индуктивностью. Резонанс тока. Резонанс напряжения.

11.Мощность и энергия в цепи переменного тока. Активная, реактивная и полная мощность. Единицы измерения. Баланс мощностей.

12.Трехфазные электрические цепи. Основные определения. Линейные и фазные токи и напряжения. Маркировка фазы. Способы соединения генераторов и приемников типа звезда и треугольник. Трехпроводные и четырехпроводные цепи. Нейтральный провод.

13. Короткое замыкание фазы. Разрыв линейного провода. Мощность в цепи трехфазного тока.

14. Нелинейные электрические цепи. Аппроксимация нелинейных характеристик.

15. Расчет цепей постоянного тока с одним или несколькими нелинейными элементами.

16. Основные магнитные величины. Магнитные цепи постоянного тока.

17. Магнитные цепи переменного тока. Ферромагнитные материалы.

18. Расчет катушки с магнитопроводом и воздушным зазором.

19. Энергия и основные потери в магнитопроводе.

20 Трансформатор. Основные режимы работы.

21. Устройство и принцип действия машин постоянного тока.

22. Генератор постоянного тока. Основные характеристики.

23.Двигатель постоянного тока. Основные характеристики.

24.Устройство и принцип действия машины переменного тока.

25. Асинхронный двигатель. Основные характеристики.

26. Синхронный генератор. Основные характеристики.

Темы рефератов. Задания для самостоятельной работы

Самостоятельная работа студентов состоит в изучении ряда теоретических вопросов по темам дисциплины, перечень которых приведен в таблице 5 и составления рефератов..

Таблица 5

п/п

Тема дисциплины

1

2

1

Тема 1. Электрические цепи.

Основные определения, топологические параметры

2

Тема 2. Методы расчета линейных электрических цепей

3

Тема З. Однофазный переменный ток

4

Тема 4. Электрические цепи трехфазного тока.

5

Тема 5. Магнитные цепи и электромагнитные устройства.

6

Тема 6. Трансформаторы

7

Тема 7. Асинхронные машины

8

Тема 8. Машины постоянного тока (МПТ)

9

Тема 9. Синхронные машины

10

Тема 10. Электрические измерения и приборы

11

Тема 11. Основы электроники и элементной базы современных электронных устройств

12

Тема 12. Источники вторичного электропитания

13

Тема 13. Усилители электрических сигналов

14

Тема 14. Импульсные и автогенераторные устройства

15

Тема 15. Основы цифровой электроники

16

Тема 16. Микропроцессорные средства

Содержание контрольной работы по разделу 2 - "Основы электроники"

Номер варианта брать по последним двум цифрам зачетной книжки mn. Если последние цифры больше 50 , то номер рассчитать по формуле 100-mn, например mn=90, брать вариант 10.

Задача 5. Расчет маломощных выпрямителей.. (варианты задание в табл.6.1)

Исходные данные для расчета выпрямителя приведены в табл. 6.1, где UС - напряжение сети, питающей выпрямитель; fС - частота сети переменного тока; U0 - выходное выпрямленное напряжение; I0 - ток на выходе выпрямителя; KП % - коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения.

Порядок расчета:

1. Зарисовать структурную схему блока питания с обозначением всех составных частей и описать их назначение.

2. Выбрать схему выпрямителя согласно номера варианта, зарисовать ее в отчет и пояснить назначение всех элементов схемы

3. Выполнить расчет трансформатора (т.е. определить его мощность по вторичной обмотке, коэффициент трансформации, определить его типовую мощность).

4. Выполнить расчет выпрямителя (исходя из выбранного типа выпрямителя и формул для выпрямителей такого типа, заданного типа диодов - определить количество диодов в схеме, выполнить проверку по току и по напряжению).

5. Выполнить расчет сглаживающего фильтра. Он состоит из предварительного и окончательного расчета.

7. На заключительном этапе практической работы студенты должны начертить полную схему блока питания со всеми элементами и нагрузкой.

Таблица 6.1

вар.

№рис.

UС

U0

I0

fС

KП

В

А

Гц

%

1

2

3

4

5

6

7

1

6.5

220

5

10

50

1,5

2

6.6

127

18

5

50

1,7

3

6.7

220

10

8

50

1,9

4

6.8

127

10

12

50

2,0

5

6.9

220

10

15

60

2,2

6

6.10

220

20

15

60

1,8

7

6.5

127

20

15

50

2,4

8

6.6

380

20

15

50

2,5

9

6.7

220

10

2

50

1,5

10

6.8

220

10

2

50

1,7

11

6.9

380

10

2

100

1,9

12

6.10

380

10

2

100

2,0

13

6.5

127

30

3

50

2,2

14

6.6

127

30

3

50

1,8

15

6.7

380

30

3

50

2,4

16

6.8

380

5

3

50

2,5

17

6.9

220

5

4

50

1,5

18

6.10

220

5

4

50

1,7

19

6.5

220

5

4

60

1,9

20

6.6

220

12

4

60

2,0

21

6.7

380

12

5

60

2,2

22

6.8

380

12

5

60

1,8

23

6.9

127

12

5

100

2,4

24

6.10

127

15

5

100

2,5

25

6.5

110

15

8

100

1,5

26

6.6

110

15

8

100

1,7

27

6.7

220

15

8

60

1,9

28

6.8

220

18

8

60

2,0

29

6.9

220

18

20

50

2,2

30

6.10

220

18

20

50

1,8

31

6.5

380

18

20

50

2,4

32

6.6

380

12

20

50

2,5

33

6.7

110

12

25

50

1,5

34

6.8

110

12

25

50

1,7

35

6.9

127

12

25

60

1,9

36

6.10

127

10

25

60

2,0

37

6.5

220

10

12

100

2,2

38

6.6

220

10

12

100

1,8

39

6.7

220

10

12

50

2,4

40

6.8

220

25

12

50

2,5

41

6.9

380

25

10

50

1,5

42

6.10

380

25

10

50

1,7

43

6.5

127

25

10

50

1,9

44

6.6

127

12

10

50

2,0

45

6.7

220

12

12

50

2,2

46

6.8

220

12

12

50

1,8

47

6.9

220

12

12

50

2,4

48

6.10

220

10

12

50

2,5

49

6.5

220

10

5

50

1,5

50

6.6

220

10

5

50

1,7

Задача 6. Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером. (варианты задание в табл.6.2).

Исходные данные для расчета параметров усилительного каскада на транзисторе ГТ320А по схеме рис. 6.18 приведены в таблице 6.2..

В контрольной работе привести:

1. Схему усилительного каскада и описание назначения всех элементов входящих в схему, а также входные и выходные ВАХ биполярного транзистора. электрический магнитный цепь полупроводниковый

2. По исходным данным для усилительного каскада определить:.

а. Положение рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора.

б. h - параметры транзистора в районе рабочей точки.

в. Входное сопротивление усилительного каскада, RВХ.

г. Выходное сопротивление усилительного каскада, RВЫХ.

д. Коэффициент усиления каскада по напряжению, KU.

е. Величина выходного напряжения усилительного каскада.

ж. Нарисовать временные диаграммы входного напряжения, напряжения на базе, выходного напряжения, полного тока в цепи коллектора, считая что входной сигнал гармонический с амплитудой 100 мВ.

Таблица 6.2

№№

вар.

ЕК

R1

R2

RК

№№

вар

ЕК

R1

R2

RК

В

Ом

В

Ом

1

10

350

80

100

26

10

350

110

110

2

12

300

100

80

27

12

300

100

100

3

15

320

80

90

28

15

320

90

60

4

8

380

70

110

29

8

380

120

80

5

6

400

60

120

30

6

400

30

120

6

9

420

50

80

31

9

420

40

110

7

7

450

40

60

32

7

450

50

90

8

10

500

30

100

33

10

500

60

80

9

12

450

120

110

34

12

500

70

100

10

15

420

90

110

35

15

450

80

100

11

8

400

100

100

36

8

420

100

80

12

6

380

110

60

37

6

400

80

90

13

9

320

110

80

38

9

380

80

110

14

7

300

100

120

39

7

320

100

120

15

10

350

90

110

40

10

300

80

80

16

12

350

120

90

41

12

350

70

60

17

15

300

30

80

42

15

350

60

100

18

8

320

40

100

43

8

300

50

110

19

6

380

50

60

44

6

320

40

120

20

9

400

60

80

45

9

380

30

110

21

7

420

70

120

46

7

400

120

110

22

10

450

80

110

47

8

420

90

90

23

12

500

100

90

48

6

450

100

100

24

15

450

80

100

49

9

500

110

110

25

8

500

80

110

50

7

500

100

80

Методические указания к выполнению контрольной работы по разделу основы электронике

Электроника представляет собой область науки и техники, охватывающую изучение и применение электронных и ионных явлений, протекающих в вакууме, газах, жидкостях, твердых телах и плазме, а также на их границах. Техническая электроника занимается изучением теории и практики применения электронных и ионных приборов, устройств, систем и установок в различных областях человеческой деятельности - науке, промышленности, связи, сельском хозяйстве, строительстве, транспорте и др.

1. Физические основы работы полупроводниковых приборов

С начала 50-х г. г. прошлого века, после изобретения транзистора, начался расцвет полупроводниковой электроники, которая практически полностью вытеснила ламповую.

К полупроводникам относят материалы, занимающие по своему удельному сопротивлению промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. При производстве полупроводниковых приборов наибольшее применение нашли германий Ge и кремний Si. У идеальных кристаллов германия и кремния, относящихся к четвертой группе периодической системы Менделеева, все валентные электроны образуют связанную пару. Такие идеальные кристаллы не проводят электрический ток.

При добавлении в кристалл кремния элементов из пятой группы, например сурьмы Sb или фосфора P появляется несвязанный, свободный электрон. Таким образом, в кристалле кремния возникает электронная проводимость, а полупроводник называется n - типа. Примесь, образующая электронную проводимость, называется донорной.

Добавление в кремний трехвалентной примеси, например, галлия Ga или индия In приводит к тому, что три валентных электрона индия участвуют в образовании ковалентных связей с атомом кремния, а одна связь остается свободной. Таким образом, для образования четвертой ковалентной связи примесным атомам не хватает по одному электрону. В кристалле кремния образуется "дырка", способная присоединить свободный электрон. Такой полупроводник называется полупроводником с дырочной проводимостью или полупроводником p - типа, а соответствующая примесь называется акцепторной.

Под действием внешнего электрического поля в полупроводнике n - типа наблюдается движение электронов в направлении поля, в полупроводнике p - типа происходит движение дырок, имеющих положительный заряд, в обратном направлении. Хотя в обоих рассмотренных случаях в образовании электрического тока участвуют только электроны, введение фиктивных дырок с положительным зарядом удобно с методической точки зрения. Подвижные носители электрического заряда, которые преобладают в полупроводнике данного типа, называются основными, остальные - неосновными. В полупроводнике n - типа основными носителями заряда являются электроны, а неосновными - дырки. В полупроводнике p - типа основные носители заряда - дырки, не основные - электроны. Электроны и дырки в кристалле полупроводника находятся в состоянии хаотического теплового движения.

Действие электрического поля из хаотического движения электронов и дырок приводит к направленному движению зарядов в кристалле. Возникает электрический ток, который называется дрейфовым током. Причиной, вызывающей электрический ток в полупроводнике, может быть не только электрическое поле, но и градиент концентрации подвижных носителей заряда. В соответствии с законами теплового движения возникает диффузия электронов и дырок из области с большей их концентрацией в область с меньшей концентрацией, причем плотность диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации носителей заряда. Таким образом, электрический ток в полупроводниках, обусловленный движением электронов и дырок, имеет дрейфовую и диффузионную составляющие.

2. Электронно-дырочный переход

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на явлениях, происходящих на границе двух полупроводников с различными видами проводимости. Электронно-дырочный переход или р - n - переход образуется путем сплавления полупроводников типа n и типа р в единый монокристалл. На границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации зарядов - в области р положительный заряд, обусловленный наличием дырок, в области n - отрицательный заряд свободных электронов. Наличие градиента концентрации зарядов вызывает появление диффузионного тока - переноса заряженных частиц (дырок и электронов) через р - n переход. Таким образом, в области р вследствие ухода дырок возникает не скомпенсированный отрицательный заряд, а в области n вследствие ухода электронов - положительный заряд.

Наличие зарядов противоположных знаков на границе между р - и n областями приводит к появлению между этими областями так называемой контактной разности потенциалов и электрического поля ЕДИФ, называемое диффузионным. Диффузионное поле оказывается тормозящим для движения дырок из области р и электронов из области n через р - n переход, т. е. на границе между р - и n областями возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузии основных носителей, рис.6.1.

Рис. 6.1. Включение p-n перехода. Вольтамперная характеристика p-n перехода

При прямом подключении к р - и n областям внешнего электрического поля, направленного навстречу диффузионному, при Евн ? Едиф, через р - n переход начнется движение основных носителей (дырок из области р и электронов из области n), образующих прямой ток, рис.6.1 (прямое включение). Вольтамперная характеристика р - n перехода при прямом подключении является нелинейной.

При подключении внешнего напряжения плюсом к области n, а минусом к области р, что представляет собой обратное включение р - n перехода, электрический ток будет определяться только неосновными носителями (электронами в области р, и дырками в области n). Поскольку концентрация неосновных носителей очень мала, обратный ток оказывается значительно меньше прямого тока и очень мало зависит от обратного напряжения. При некотором значении обратного напряжения происходит пробой р - n перехода, вызывающий резкое увеличение обратного тока. Различают электрический и тепловой пробой.

При электрическом пробое число носителей заряда возрастает под действием сильного электрического поля и ударной ионизации атомов решетки полупроводника. Электрический пробой не приводит к выходу р - n перехода из строя. После выключения р - n перехода его свойства полностью восстанавливаются.

При тепловом пробое возникает перегрев полупроводника, наблюдается нарушение теплового баланса и выход р - n перехода из строя.

3. Полупроводниковые диоды

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, основу которого составляет р - n структура, разделенная электронно-дырочным переходом. Изображение полупроводникового диода показано на рис.6.2. Острая вершина треугольника указывает направление прямого тока через диод. Треугольник соответствует р области и называется иногда анодом или эмиттером, а прямолинейный отрезок - области n и называется катодом или базой.

Рис. 6.2. Разновидности диодов: (а) выпрямительные, импульсные и универсальные; (б) стабилитроны и стабисторы; (в) туннельные; (г) обращенные; (д) варикапы

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный ток. Выпрямление переменного тока основано на односторонней проводимости диода. Вольтамперная характеристика р - n перехода, изображенная на рис.6.1, является характеристикой диода. При включении диода в прямом направлении сопротивление его электрическому току очень мало. При обратном включении - сопротивление диода велико и он практически не пропускает электрический ток. Выпрямление переменного напряжения (тока) показано на рис.6.3. При действии положительной полуволны входного напряжения U1 диод включен в прямом направлении, сопротивление его мал...


Подобные документы

  • Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.

    курс лекций [1,7 M], добавлен 11.01.2013

  • Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.

    лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016

  • Расчет токов резисторов и мощности, потребляемой цепью, по заданной схеме. Определение параметров неразветвленной цепи переменного тока с активными, индуктивными и емкостными сопротивлениями. Построение в масштабе векторной диаграммы напряжения и токов.

    контрольная работа [107,5 K], добавлен 10.12.2010

  • Цифровые электронные устройства: история развития, классификация электронных, комбинационных и логических устройств. Классификация вентилей как энергопотребителей. Элементная база; энергетика и скорость производства и обработки цифровой информации.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 26.09.2011

  • Построение схемы цифрового устройства и разработка программы, обеспечивающей работу устройства как цифрового сглаживающего фильтра. Отладка программы. Оценка быстродействия устройства. Преимущества и недостатки цифровых фильтров перед аналоговыми.

    курсовая работа [526,8 K], добавлен 03.12.2010

  • Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.

    лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008

  • Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.

    дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013

  • Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.

    реферат [344,7 K], добавлен 08.02.2013

  • Представление информации в цифровых устройствах, кодирование символов и основы булевой алгебры. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств. Базовая структура микропроцессорной системы, ее функциональное назначение и способы передачи данных.

    учебное пособие [1,7 M], добавлен 19.12.2011

  • Коммутационные элементы, предназначенные для включения, отключения и переключения электрических цепей. Цепи автоматики и электроники. Электрические параметры кнопок управления различных типов. Кнопки управления и тумблеры, путевые и конечные выключатели.

    реферат [1,5 M], добавлен 30.12.2009

  • Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.

    реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011

  • Технологический процесс создания матриц для производства DVD-дисков. Оптические и магнитооптические системы памяти. Намагниченные домены, направление их намагниченности. Зондовые системы памяти компьютеров. Основные возможности зондовых устройств.

    презентация [563,2 K], добавлен 24.05.2014

  • Электрические методы неразрушающего контроля. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов. Работа электропотенциальных приборов. Электропотенциальный метод с использованием четырех электродов.

    реферат [1,7 M], добавлен 03.02.2009

  • Основы метрологического обеспечения, научные и организационные основы, технические средства, правила и нормы. Цифровые устройства: шифраторы и дешифраторы, сумматоры, счетчики. Основные характеристики микропроцессоров и цифровых измерительных приборов.

    курсовая работа [3,5 M], добавлен 10.01.2010

  • Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

    курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010

  • Электрические цепи, содержащие один или два энергоемких элемента. Частотно-избирательные свойства радиотехнических схем. Выполнение моделирования переходных процессов в последовательном колебательном контуре. Изменение падения напряжения на конденсаторе.

    лабораторная работа [873,2 K], добавлен 29.06.2012

  • История развития элементной базы ЭВМ. Механические вычислительные машины Леонардо да Винчи, Блеза Паскаля, Лейбница. Релейные, ламповые, транзисторные дискретные и интегральные ЭВМ. Современная элементная база компьютера и перспективы ее развития.

    реферат [369,7 K], добавлен 26.11.2010

  • Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.

    реферат [1,3 M], добавлен 15.01.2015

  • Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.

    реферат [22,8 K], добавлен 03.03.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.