Проектирование мультивибратора
Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 22.10.2017 |
Размер файла | 199,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
Задание
Разработать ждущий мультивибратор (одновибратор) прямоугольного импульса на базе ОУ и транзисторного каскада по исходным данным.
Длительность выходного импульса tи 10мС = 0,01С
Амплитуда выходного импульса Uвых 5В
Сопротивление нагрузки Rн 0.3Ком = 300Ом
Введение
Мультивибраторы выпускают в виде монолитных интегральных микросхем, выполняют на операционных усилителях, цифровых интегральных схемах, а также на дискретных компонентах; в последнем случае их активными элементами обычно являются транзисторы.
1. Структурная схема
Разработаем электрическую структурную схему исходя из условий задачи.
Uвых - Выходной импульс
Uзап - Запускающий импульс
Рис. 1. Схема электрическая структурная
Структурная схема определяет основные крупные функциональные части изделия, их назначение и взаимосвязи. Структурные схемы служат основанием для разработки других, в первую очередь функциональных схем; их также используют при эксплуатации для общего ознакомления с изделием.
Времязадающая RC цепь - обеспечивает необходимую длительность выходного импульса.
Операционный усилитель - генерирует импульс длительностью заданной времязадающей RC цепью, при наличии запускающего импульса.
Усилительный каскад - усиливает по току импульс сгенерированный ОУ.
2. Схема электрическая функциональная
На основе структурной схемы разработаем электрическую функциональную схему.
мультивибратор микросхема транзистор электрический
Рис. 2. Схема электрическая функциональная
Функциональная схема разъясняет физические процессы, протекающие в отдельных функциональных частях изделия или в изделии в целом. Функциональные схемы выполняют до разработки принципиальных схем и служат основанием для их разработки. Функциональные схемы также используют для изучения принципа действия изделий, при их наладке, регулировке, контроле и ремонте.
Цепь положительной обратной связи (ПОС) формирует напряжение положительной обратной связи. Соберем её на активном сопротивлении.
Усилитель соберем на полевых транзисторах с p-n переходом. В таком случае выходной сигнал на нагрузке будет повторять входной сигнал только усиленный по мощности и току. Параллельно транзистору подключим сопротивление для уменьшения входного сопротивления эмиттерного повторителя.
При отсутствии запускающего импульса схема находится в устойчивом состоянии. При появлении запускающего импульса ОУ за счет положительной обратной связи переключается в неустойчивое состояние и находится в нем время, определяемое параметрами линии задержки. Затем ОУ вновь переходит в устойчивое состояние.
3. Схема электрическая принципиальная
На основе электрической функциональной схемы разрабатываем схему электрическую принципиальную, представленную в приложение 1.
Принципиальная схема определяет полный состав электрических элементов изделия и связей между ними и, как правило, дает детальное представление о принципах работы изделия. На принципиальной схеме изображают все электрические элементы, необходимые для осуществления и контроля в изделии заданных электрических процессов, все электрические связи между ними и электрические элементы, которыми заканчиваются входные и выходные цепи.
Приложением к принципиальной схеме является перечень элементов, в котором перечислены все элементы участвующие в работе и отображенные в схеме. Также указаны их номинальные значения. Перечень элементов представлен в приложении 2.
Одновибратором называется генератор импульсов прямоугольной формы с двумя состояниями, одно из которых неустойчивое, а другое - устойчивое.
Исходное состояние - устойчивое, в нем одновибратор может находиться сколь угодно долго, поэтому его называют режимом ожидания, а еще одновибратор называют и ждущим МВ (мультивибратором).
В неустойчивом состояние одновибратор переходит при воздействии внешнего короткого запускающего импульса и находится в этом состоянии в течение длительности импульса tИ, определяющегося параметрами внешних навесных элементов (резисторов и конденсаторов), затем одновибратор вновь переходит в устойчивое состояние.
Основой принципиальной схемы служит конденсатор С, который параллельно подключен к диоду VD1, за счет чего и создается ждущий режим работы.
В исходном состоянии напряжение на выходе ОУ равно - UВЫХ, поэтому:
.
А напряжение UС равно падению напряжения на открытом диоде, т.е. UС приблизительно равно 0.
При подаче в момент времени t1 запускающего импульса «+» полярности, ОУ переводится в состояние с UВЫХ = UВЫХ+, в этом случае , а конденсатор С начинает заряжаться через резистор R.
Напряжение UС асимптотически стремится к величине UВЫХ+, но при малейшем повышении им напряжения UR1 схема переходит в устойчивое состояние с напряжением на выходе ОУ UВЫХ = - UВЫХ- Под воздействием этого напряжения конденсатор С разряжается до нуля в интервале времени [t2, t3], называемым временем восстановления tВ в исходное состояние.
4. Определим тип транзистора для усилительного каскада
Расчет тока протекающего через эмиттер
Расчет напряжения подаваемого на коллектор
Расчет мощности рассеиваемой на коллекторе
Рассчитаем входное и выходное сопротивление усилительного каскада
Выбираем транзистор ГТ308А имеющий следующие параметры (см. табл. 1.):
Таблица 1
Параметр |
Обозначение |
Значение |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
Ik max, мА |
0,05 |
|
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
Uкэ, В |
20 |
|
Допустимая рассеиваемая мощность коллектора |
Рк, Вт |
0,15 |
|
Коэффициент передачи |
h21, Ом |
50…120 |
|
Коэффициент передачи |
h11, Ом |
500 |
Для каскада усиления обычно выбирают исходный режим, рекомендуемый в справочнике
5. Операционный усилитель
Свое название операционный усилитель (ОУ) получил вследствие того, что он может использоваться для выполнения различных математических операций над сигналами. В настоящее время операционным называется усилитель с большим коэффициентом усиления, который охватывают цепью обратной связи, определяющей основные качественные показатели и характер выполняемых усилителем операций.
Условное обозначение ИМС ОУ приведено на рис. 3.
Рис. 3. УГО ИМС ОУ.
ИМС ОУ имеет два входных вывода: инвертирующий, обозначенный на рисунке кружком, и неинвертирующий. Сигнал на выходе ОУ инвертирован по отношению к сигналу, поданному на инвертирующий вход, и не инвертирован по отношению к сигналу, поданному на неинвертирующий вход.
Параметры операционного усилителя
Выбираем операционный усилитель К544УД2:
Uвыхм= ± 10В
Uдиф= ± 10В
Iвыхм= 5мА
Rнагрм= 2000Ом
Микросхема К544УД2 представляет собой операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и повышенным быстродействием.
Электрическая схема ИС содержит входной дифференциальный каскад на полевых транзисторах с p-n переходом, промежуточный дифференциальный каскад на p-n-p транзисторах, однотактные согласующие повторители и выходной двухтактный повторитель напряжения. Частотная коррекция осуществляется внутренним интегрирующим конденсатором и резистором. Внутренние элементы частотной коррекции обеспечивают стабильность в различных режимах обратной связи, в том числе при полной отрицательной обратной связи в повторителе напряжения.
Расчет линии обратной связи
R2=R3
R2+R3 ? 10Rн доп оу
R2 +R3 ? 20000 Ом
R2=R3 = 10000 Ом
Расчет времязадающей цепи
tи= 1,1 R1C1
R1=0,1Rвх оу = 100000Ом
С1 = 0,01/ (1,1* 100000) = 9,09*10-8 Ф
Выбор пассивных элементов из стандартных рядов.
R1 - по ряду Е-24 = 100 кОм
R2, R3 - по ряду Е-24 = 10 кОм
С1 - по ряду Е-24 = 91нФ
Рассчитаем коэффициент деления делителя.
=(10000-R2+R3)/(R2+R3
=(10000-10000+10000)/(20000) = 0.5
Рассчитаем длительность восстановления.
tвос = R1*C1*ln (1+)
tвос = 100000* 0.000000091*ln (1+0,5)= 3,69*10-3
6. Погрешность выходного импульса
Рассчитаем основную и дополнительную погрешность длительности выходного импульса.
Основная погрешность - это погрешность R и C элементов, находящихся в нормальных условиях эксплуатации. Она возникает из-за не идеальности собственных свойств элементов. Нормальные условия это - условия при которых значения влияющих величин находятся в пределах рабочих областей.
Т = tи + tп = 2tи = 0,4R1C1
д T = 0,4v д2R1 + д2C1, где
дR1 = 0,1 - класс точности резистора
дC1 = 0,2 - класс точности конденсатора
д T = 0,4•0,224 = 0,0896
Для конденсатора нормируют дополнительную погрешность на отклонение температуры окружающего воздуха от нормальной.
д T = 0,4v(ТКС•Дtє)2 + (ТКС•Дtє)2, где
ТКС = 10-5 - температурный коэффициент
Дtє - рабочий диапазон элемента R и C
д T = 0,4v(10-5•30)2 + (10-5•20)2 = 0,4•0,36•10-3 = 0,14•10-3 = 0,00014
Список литературы
1. Браммер Ю.А. Импульсные и цифровые устройства: Учеб. Для сред. проф. учеб. заведений - М.: Высш. шк., 2006. - 351 с.:ил.
2. Калашников В.И., Нефедов С.В., Путилин А.Б., Раннев Г.Г., Тарасенко А.П., Сурогина В.А. Информационно-измерительная техника и технологии - ФГУП.: Высш. шк., 2002.
3. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных уилителей: Учеб. пособ. для техникумов, М., - 1968
Приложение
Схема электрическая принципиальная
Временные диаграммы
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013Экспериментальное исследование схемы автоколебательных мультивибраторов на транзисторах и интегральных микросхемах. Измерение тока коллектора с помощью осциллографа. Факторы, ограничивающие величину максимальной частоты генерации мультивибраторов.
лабораторная работа [87,9 K], добавлен 18.06.2015Проектирование синхронного счетчика с четырьмя выходами, циклически изменяющего свои состояния. Решение задач логического синтеза узлов и блоков цифровых ЭВМ. Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем заданного устройства.
контрольная работа [500,9 K], добавлен 19.01.2014Разработка электрической функциональной схемы устройства. Обоснование выбора серии интегральных микросхем. Расчет частоты тактового генератора, его потребляемой мощности. Среднее время выполнения операции после расчета по временному графу автомата Мура.
курсовая работа [20,9 K], добавлен 10.01.2015Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.
реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Понятие и классификация, типы широкополосных приемных устройств, их структура и функциональные особенности. Разработка и описание, элементы структурной, функциональной и принципиальной схемы устройства, особенности его конструктивного исполнения.
дипломная работа [2,8 M], добавлен 11.02.2013Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.
лабораторная работа [86,6 K], добавлен 12.01.2010Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009Особенности построения генераторов на основе цифровых интегральных схем. Использование усилительных свойств логических инверторов для обеспечения устойчивых колебаний. Расчет активных и пассивных элементов схемы мультивибратора на логических элементах.
курсовая работа [188,5 K], добавлен 13.06.2013Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010Разработка структурной, принципиальной и интегральной микросхем аналогового устройства на основе биполярных и полевых транзисторов. Выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов, навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов.
курсовая работа [241,0 K], добавлен 29.08.2014Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 18.04.2016Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат [30,6 K], добавлен 14.02.2016Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010Развитие микроэлектроники и освоение производства интегральных микросхем. Применение микроконтроллеров и микроэлектронных генераторов импульсов. Разработка электрической и принципиальной схем устройства. Анализ временных соотношений и погрешностей.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 22.10.2009Основные структуры, характеристики и методы контроля интегральных микросхем АЦП. Разработка структурной схемы аналого-цифрового преобразователя. Описание схемы электрической принципиальной. Расчет надежности, быстродействия и потребляемой мощности.
курсовая работа [261,8 K], добавлен 09.02.2012