Полупроводниковые диод, стабилитрон

Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 21.11.2017
Размер файла 365,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

Лабораторная работа

Полупроводниковые диод, стабилитрон

1. Цель работы.

Снятие и анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона; определение их параметров по характеристикам.

2. Приборы и принадлежности.

1). ПК с установленным ПО National Instruments.

2). NI ELVIS II.

3. Теоретические сведения.

Полупроводниковые диоды.

Полупроводниковый диод содержит один р-п-переход и имеет два вывода: вывод А (анод) от р-области и К (катод) от п-области. Наиболее распространены и обширны две группы германиевых и кремниевых диодов - выпрямительные и импульсные, называемые в некоторых справочниках универсальными.

Выпрямительные диоды, в которых используется основное свойство р-п-перехода - его односторонняя электропроводность, применяют главным образом для выпрямления переменного тока в диапазоне частот от 50 Гц до 100 кГц. Импульсные диоды применяют в схемах электронных устройств, работающих в импульсных режимах.

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

Функционирование диода в электрической схеме определяется его вольтамперной характеристикой (ВАХ). Прямую ветвь ВАХ Iпр(Uпр) снимают с помощью схемы (рис. 2.1) при верхнем положении переключателя Q. Прямой ток через диод VD задаётся источником постоянного напряжения E1.

Ступенчато изменяя ЭДС Е1 источника Е1, измеряют (с помощью амперметра А1) прямой ток Iпр Iпр.max и (с помощью вольтметра V1) прямое напряжение Uпр диода для ряда значений ЭДС. Обратную ветвь ВАХ Iобр(Uобр) снимают с помощью той же схемы (рис. 2.1), установив переключатель Q в нижнее положение. Ступенчато изменяя выходное напряжение источника напряжения E2 от 0 до Uобр.max, измеряют обратный ток Iобр диода для ряда значений обратного напряжения Uобр.

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

Анализ типовых ВАХ диодов (рис. 2.2) показывает, что прямое напряжение Uпр на

германиевом диоде почти в два раза меньше, чем на кремниевом, при одинаковых значениях прямого тока Iпр, а обратный ток Iобр кремниевого диода значительно меньше обратного тока германиевого диода при одинаковых обратных напряжениях. К тому же, германиевый диод начинает проводить ток при ничтожно малом прямом напряжении Uпр, а кремниевый - только при Uпр = 0,4…0,5 В.

Исходя из этих свойств, германиевые диоды применяют как в схемах выпрямления переменного тока, так и для обработки сигналов малой амплитуды (до 0,3 В), а кремниевые, наиболее распространённые - как в схемах выпрямления, так и в схемах устройств, в которых обратный ток недопустим или должен быть ничтожно мал. Кроме того, кремниевые диоды сохраняют работоспособность до температуры окружающей среды 125…150 С, тогда как германиевые могут работать только до 70 С.

Основные параметры выпрямительного диода приводятся в его техническом паспорте и сравниваются (для принятия решения его использования в схеме электронного устройства) с параметрами, определёнными по снятым характеристикам:

прямое постоянное напряжение Uпр при определённом для каждого диода прямом постоянном токе Iпр;

обратный ток Iобр при определённом обратном постоянном напряжении Uобр;

максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max. Превышение Uобр.max переводит диод в режим пробоя. Различают электрический и тепловой пробои р-п-перехода. Электрический пробой может быть лавинным или туннельным и не сопровождается разрушением р-п-перехода. Тепловой пробой, как правило, приводит к разрушению р-п-перехода и выводу диода из строя;

максимально допустимый прямой ток Iпр.max, обычно определяемый как средний за период прямой ток в схеме однополупериодного выпрямителя.

Стабилитрон

Стабилитрон это сильно легированный кремниевый диод, на котором напряжение сохраняется с определённой точностью при изменении протекающего через него тока в заданном диапазоне. Стабилитроны в основном используют в параметрических стабилизаторах напряжения (рис. 2.3, а), в которых максимальное напряжение на нагрузке ограничено некоторой заданной величиной.

Рабочим участком ВАХ стабилитрона VC является участок обратной её ветви, соответствующий области обратного электрического пробоя p-n-перехода (рис. 2.3, б) и ограниченный минимальным Iст.min и максимальным Iст.max значениями тока.

При работе в этой области обратное напряжение на стабилитроне незначительно изменяется при относительно больших изменениях тока стабилитрона . Поэтому при изменении входного напряжения

изменяется в основном напряжение на балластном резисторе Rб, где входной ток (см. рис. 2.3, а).

При прямом включении стабилитрон VC может рассматриваться как обычный диод, однако в связи с повышенной концентрацией примесей напряжение Uпр 0,3…0,4 В мало изменяется при значительных изменениях прямого тока Iпр (см. рис. 2.3, б). Прибор, в котором используется прямая ветвь в схемах стабилизации напряжения, называют стабистором.

Основными параметрами стабилитрона являются:

напряжение на стабилитроне;

динамическое сопротивление на участке стабилизации;

минимальный и максимальный токи стабилизации (номинальный ток от 5 мА до 5 А);

= 0,3…0,4 %/град температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации, характеризующий относительное изменение напряжения стабилизации, вызванное изменением температуры на 1 С при постоянном токе, протекающем через стабилитрон.

Примеры маркировки отечественных стабилитронов:

КС168А ; Д814В .

4. Экспериментальная часть

Учебные задания и методческие указания к их выполнению.

Задание 1. Изучить "Теоретические сведения …" Собрать схему (рис. 2.1) испытания виртуального диода VD на рабочем поле среды MS10 или открыть файл 21.1.ms10.

Т а б л и ц а 2.1

Е2,

В

Uобр,

В

Iобр, мкА

Е1,

В

Uпр,

В

Iпр,

мА

R2 = R1 = 2 Oм

10

0,2

20

0,4

30

0,6

40

0,8

50

1

60

1,5

70

2

Рис. 2.1

После запуска программы MS10 (щелчка мышью на кнопке меню среды MS10) снять показания приборов и занести их в табл. 2.1 электронной тетради отчёта. Методика снятия ВАХ диода описана в разделе "Теоретические сведения …". По данным эксперимента построить график обратной и прямой ветви ВАХ диода.

Снятие обратной ветви ВАХ диода рекомендуется проводить при изменении напряжения на его аноде от Е2 max до 0, а прямой ветви (в том числе и стабилитрона) от 0 до Uпр = 0,75…1,0 В.

Скопировать изображение схемы с показаниями приборов при Е1 = 1 В на страницу отчёта.

Задание 2. Собрать схему испытания стабилитрона (рис. 2.11, а) или открыть файл 21.11.ms10. Согласно варианту задания (см. табл. 2.2) выбрать в библиотеке Zener тип стабилитрона VC модель 1n4747a.

Выписать из отмеченных эллипсами закладок значения напряжения пробоя (Vz) стабилитрона и тока (Iz), например для типа 1N4747А Uст.min = 20 В и ток Iст.min = 12,5 мА, и занести их в табл. 2.2;

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

последовательно щелкая мышью на элементах схемы, установить в открывающихся окнах параметры (Value) остальных элементов схемы (рис. 2.11): ЭДС источника Е1 = Е2 = 2Uстном 40 В; сопротивление балластного резистора Rb 530 Ом. Принять сопротивление нагрузки Rп = 2 кОм;

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

запустить программу MS10. Скопировать изображение схемы (рис. 2.11, а) на страницу отчёта;

изменяя входное напряжение Uвх на 10 % (от 0,5 до 1,1Е1), занести показания приборов А3,V2 и A2 в табл. 2.2

Т а б л и ц а 2.2

Uвх

A2, A

A3,A

V2,В

0.5Е1

0.6Е1

0.7Е1

0.8Е1

0.9Е1

1Е1

1,1Е1

установить переключатель Q в правое положение, запустить программу, установить визирную линию на экране осциллографа ХSC1 приближенно на максимальное значение положительной полуволны синусоидального напряжения (см. рис. 2.11, б) и убедиться, что напряжение на нагрузке ограничено по амплитуде уровнем напряжения Uст.ном.

Задание 3.Снятие ВАХ диода и стабилитрона с помощью характериографа IV Analyzer.

182

Размещено на http://www.allbest.ru/

В библиотеке Instruments среды MS10 имеется построитель ВАХ диодов и транзисторов (IV ANALYZER). Подключив с помощью переключателя А соответствующие выводы диода VD или стабилитрона VC к входам прибора XIV1 (рис. 2.7) и задав предельные значения входного напряжения в закладке, открываемой командой Sim. Param (Simulate Parameters), нужно запустить программу моделирования ВАХ, щелкнув мышью на кнопке среды МS10.

В качестве примера на рис. 2.7 представлен рабочий участок ВАХ стабилитрона VC типа 1N4747A с напряжением пробоя Ucm..min = 20 В и заданными пределами напряжения: Start: U = 20,1 В; Stop: U = 19 В; Increment = 2 мB. Установленные пределы при моделировании автоматически увеличиваются. Изменяя пределы напряжения, можно смоделировать и исследовать отдельные участки ВАХ диодов и стабилитронов. Координаты точек ВАХ удобно определять с помощью визирной линии, перемещая её в горизонтальном направлении.

Координаты точки пересечения ВАХ стабилитрона визирной линией выводятся в нижней строке окна прибора XIV1 (см. рис. 2.7): напряжение на стабилитроне Ucm = 20 В и ток Icm 14 мA.

Задание 4.

1.получить у преподавателя реальные электронные элементы;

2.определить назначение и базовые параметры по справочнику;

3.произвести снятие характеристик по методике, изложенной в теоретических сведениях.

Содержание отчета.

1. Наименование и цель работы.

2. Перечень приборов, использованных в экспериментах, с их краткими характеристиками.

3. Изображения электрических схем испытания диода, стабилитрона, тиристора и осциллограмм ВАХ приборов.

4. Таблицы результатов измерений и расчётов.

5. Расчётные формулы.

6. Выводы по работе.

5. Вопросы для проверки знаний

1. Укажите, какой формулой описывается ВАХ р-п-перехода?

(Т 25 мВ - температурный потенциал электрона при температуре t = 20 C)

2. Назовите типы пробоев р-п-перехода и дайте их краткую характеристику.

3. Укажите, какой участок ВАХ стабилитрона является рабочим?

Прямой Обратный Вся ВАХ Участок с отрицательным

дифференциальным сопротивлением

4. Известны параметры стабилитрона: Uст.ном = 30 В; Iст.min = 10 мА; Iст.max = = 50 мА; Iст.ном = (Iст.max + Iст.min)/2 = (50 + 10)/2 = 30 мА. Укажите, чему равно динамическое сопротивление стабилитрона в окрестности рабочей точки (считая рабочий участок ВАХ стабилитрона линейным), если напряжение на стабилитроне на рабочем участке не должно изменяться более 0,1 %? полупроводниковый выпрямительный диод стабилитрон

0,3 Ом 0,5 Ом 0,75 Ом 1,0 Ом 1,25 Ом

5. Для параметрического стабилизатора справедливо соотношение

Откуда следует, что сопротивление балластного резистора

Укажите, чему равно сопротивление балластного резистора в схеме стабилизации напряжения, если напряжение на её входе Uвх, равное 60 В, изменяется на 10 %, а изменение напряжения на стабилитроне не превышает 0,1 %? Номинальное напряжение стабилитрона Uст.ном = 30 В, а его динамическое сопротивлении Rст.дин = 1 Ом.

200 Ом 300 Ом 500 Ом 750 Ом 1,0 кОм

6. Укажите соотношение между статическим Rст.стат и динамическим Rст.дин сопротивлениями на рабочем участке ВАХ типовых кремниевых стабилитронов.

Rст.стат = Rст.дин Rст.стат < Rст.дин Rст.стат > Rст.дин

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.

    лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013

  • Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.

    лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013

  • Стабилитрон - диод для стабилизации напряжения. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона. Использование программы Electronics Workbench. Схемы прямого и обратного включения стабилитрона, понятие его рабочих участков.

    лабораторная работа [52,9 K], добавлен 12.01.2010

  • Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.

    практическая работа [25,9 K], добавлен 07.03.2013

  • Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.

    лабораторная работа [230,6 K], добавлен 12.05.2016

  • Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.

    курсовая работа [2,1 M], добавлен 21.11.2014

  • Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.

    контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010

  • Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.

    контрольная работа [202,7 K], добавлен 02.12.2010

  • Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.

    контрольная работа [1,2 M], добавлен 12.02.2016

  • Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.

    курсовая работа [254,5 K], добавлен 15.10.2010

  • Классификация и параметры стабилизаторов напряжения тока. Характеристики стабилитрона и нагрузочного сопротивления. Компенсационный транзистор постоянного напряжения с непрерывным регулированием. Различные параметры мощности импульсного стабилитрона.

    реферат [492,5 K], добавлен 18.07.2013

  • Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Параметрические стабилизаторы напряжения. Соотношения токов и напряжений. Относительное приращение напряжения на выходе стабилизатора. Температурный коэффициент напряжения стабилизации.

    лабораторная работа [123,2 K], добавлен 03.03.2009

  • Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.

    лабораторная работа [902,0 K], добавлен 08.06.2023

  • Расчет схем, параметров транзистора, выпрямителя, тока и напряжения на диоде. Выявление особенностей работы диода и стабилитрона. Определение переходного процесса в цепи с нелинейным элементом и построение графиков. Нахождение положения рабочей точки.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 26.01.2015

  • Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.

    реферат [515,0 K], добавлен 14.11.2008

  • Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.

    курсовая работа [365,9 K], добавлен 18.12.2009

  • Принцип работы и устройства варикапа. Характеристики р-n-перехода полупроводникового диода. Вольтамперные характеристики p-n перехода. Физическая природа емкости полупроводникового диода (варикапа). Зависимость барьерной емкости от постоянного напряжения.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 15.02.2016

  • Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.

    курсовая работа [915,0 K], добавлен 14.01.2017

  • Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.

    курсовая работа [923,5 K], добавлен 18.12.2009

  • Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов. Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Uобр.

    курсовая работа [80,1 K], добавлен 24.01.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.