Управление разработкой и производством микросхем нового поколения двойного применения

Для оценки хода реализации программных документов предложено использовать два варианта анализа: экспресс-анализ и полный анализ.

При экспресс-анализе производится обобщение и анализ всех сведений и определение отклонения от идеального метода, вследствие чего принимается решение о переходе к полному методу.

Полный анализ позволяет оценивать ход реализации ГОЗ и ГПВ как по группам МЭКБ, так и в целом и позволяет более глубоко отслеживать динамику выполнения планов. Предложен алгоритм оценки хода реализации планов на различных этапах. Определяются коэффициенты полноты выполнения работ, полноты достижения заданных характеристик, интегральный коэффициент полноты выполнения работ за отчётный период и коэффициент финансирования.

Итоговые значения представляются в виде таблицы, в которой указываются группы МЭКБ, коэффициенты эффективности и финансирования, итог за период.

Значения, представляемые в таблице, отражают ход реализации планов на заданном этапе по группам МЭКБ и в целом, и используются для принятия решений о мерах воздействия на ход реализации планов для обеспечения полноты их выполнения.

Дополнительную оценку различных предприятий можно провести по предложенной методике, рассмотренной ниже.

Структурно i-е предприятие можно представить в виде кортежа:

(19)

где Rj - ресурсы на i-м предприятии; Xi={Xij(t)} - множество j-х свойств на i-м предприятии; Kij - оценки j-х свойств на i-м предприятии. Описание предприятия Di носит в основном нечеткий характер. Множество его свойств зависит от времени и имеет обычно словесное описание - лингвистическое.

В работе был составлен тезаурус свойств предприятий, которые центру принятия решений необходимо учитывать при планировании НИОКР. Тезаурус составлен в виде терминологического графа, вершины которого есть признаки классификации, а ребра - отношения типа И. Это позволяет для некоего свойства предприятия учесть все возможные его проявления.

При экспертном способе оценки свойств предприятия имеет место неопределенность, обусловленная отсутствием у ряда показателей общепринятых единиц измерения, а также четких границ. В силу этого в работе были введены две лингвистические переменные:

«Качество»: , где Xj - название j-го показателя, К - лингвистическое значение (оценка), выраженное первичным термом «Качественно» для переменной «Качество»; bk - модификатор для лингвистического значения К: b1 - «не», b2 - «более или менее», b3 - «почти», b4 - «достаточно», b5 - «очень», b6 - «высоко».

«Величина»: где al - первичные терм-множества: a1 - «высокий», a2 - «средний», a3 - «низкий».

Оценка комплексного показателя проводилась по формуле:

(20)

где выражение в правой части - композиция единичных j-х показателей коэффициент весомости j-го показателя; nn - количество единичных показателей, составляющих комплексный показатель; - операция пересечения, соответствующая операции min для значений единичных показателей, т.е. эксперту разрешается пользоваться составными модификаторами со связками “И” и “ИЛИ”, а также сложными высказываниями.

В работе описан разработанный алгоритм оценки показателей предприятия. Разработанные модель и алгоритм поддержки принятия решений в силу инвариантности системных свойств применимы для оценки отдельных показателей и предприятия в целом для привлечения его в качестве исполнителя. Полученные количественные данные оценки показателей предприятий также учитываются при расчете рейтинга эффективности выполнения специальных проектов.

В пятой главе рассмотрены физические основы влияния различных видов радиационного излучения (импульсного, статического, одиночных тяжелых заряженных частиц (ОТЗЧ)) на характеристики КМОП СБИС и СнК нового поколения двойного применения.

Описаны предложенные способы конструктивно-технологических и схемотехнических приемов обеспечения радиационной стойкости МЭКБ двойного назначения - радиационно-термической отбраковки дефектных СБИС с пониженной радиационной стойкостью и выявлены оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающего их надежность; реализации блока изоляции, конструкции и технологии, обеспечивающих высокую стабильность их характеристик; формирования охранного кольца р-типа под слоем локального окисла, обеспечивающих широкий диапазон их устойчивости к различным дозам ионизирующего излучения (ИИ); формирования n-канального транзистора и охранного кольца под тонким окислом с его легированием одновременно с истоками и стоками р-канальных транзисторов; прогнозирования стойкости с использованием электрического метода, основанного на лавинной инжекции электронов в окисел, обеспечивающей уменьшение количества измерений без снижения их точности; повышения устойчивости КМОП БИС к импульсам ИИ большой мощности.

Для отработки технологического маршрута изготовления радиационно-стойких КМОП БИС определен набор различных групп типовых тестовых элементов и изготовлены соответствующие пластины, проведены лазерные и рентгеновские имитационные испытания, которые позволили провести обобщенную оценку их радиационной стойкости.

Проведенные исследования положены в основу разработки практически всех типов СБИС, обладающих уровнем радиационной стойкости до 6Ус.

Для моделирования радиационных эффектов в САПР разработана методология единого системного подхода при прогнозировании поведения СБИС в условиях ИИ. Она основана на использовании предложенных принципов - единства процессов выделения энергии различными видами ИИ и рассмотрения процессов деградации их характеристик от естественного старения и радиации с учетом зависимости от широкого набора входных воздействий разнесенных во времени.

Разработаны математические модели тепловых и термомеханических эффектов за счет влияния импульсного рентгеновского излучения. Они отличаются тем, что позволяют проводить моделирование не только в момент воздействия ИИ, но и во всем временном интервале (до, в процессе и после воздействия ИИ) с учетом времени поглощения энергии излучения и ее релаксации. При этом учитывается динамика данных процессов с учетом взаимодействия процессов поглощения и релаксации энергии излучения, зависимость термомеханического напряжения от габаритных размеров конструкции с возможностью определения температуры активных элементов в любой момент времени.

Разработаны математические модели поведения изделий при воздействии импульсного ИИ по ионизационным эффектам. Они отличаются учетом требований КГС «Климат-7», связанных с особенностями накопления заряда в элементах конструкции, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования.

В качестве основы данного моделирования выбрано изменение ионизационного тока p-n перехода. При этом учитываются следующие требования: необходимость освоения новых технологий, которые позволяют изменить проектные нормы и увеличить степень интеграции современных МЭКБ; совместного воздействия ИИ и температуры; определения и учета поправочных коэффициентов для оценки стойкости изделий в реальных условиях эксплуатации.

Величина тока ионизации моделируется генератором тока по формуле

(9)

где F - функция, определяющая степень влияния технологического изготовления на токи ионизации (F=0 при относительно больших проектных нормах от 350нм и выше и F=1 при проектных нормах от 350нм до 110нм);td -время начала действия импульса; - операторное выражение коэффициента собирания, отражающего дисперсию времени пролета неравновесных носителей и рекомбинационные потери; Р - оператор Лапласа; - операторное выражение для составляющей ионизационного тока, при условии полного собирания носителей из рассматриваемой области, которое может быть представлено соотношением

(10)

где q - заряд электрона, g0 - интенсивность ионизации (для Si - 4,3Ч1013 парЧсм-3/рад), P(t) - мощность дозы излучения, Si, wi - площадь поперечного сечения и толщина рассматриваемой области (p, n, p-n).

Для составляющей ионизационного тока, учитывающей уменьшение размеров активных областей элементов используется выражение:

(11)

где g(T), S(T), , , - зависимости эффективности ионизации, площади р-n перехода; диффузионных длин неосновных носителей заряда в прилегающих к p-n переходу областях; время жизни неосновных носителей заряда в n(р)-области; толщины, рассматриваемой области р--п перехода от температуры соответственно; t - время действия импульса излучения,

Для моделирования статических ИИ предложены модели деградации характеристик СБИС, в которых заложен принцип учета мощности дозы, температуры среды и режима работы микросхем.

Методология моделирования накопления заряда в диэлектриках элементов КМОП СБИС с учетом эффектов в полевом оксиде заключается в расчете зарядов в подзатворных диэлектриках и зарядов в диэлектриках паразитных транзисторов на периферии основных транзисторов и далее определяются параметры основных и паразитных транзисторов с учетом накопления зарядов в диэлектрических слоях при радиационном облучении.

В данную модель входят поправочные коэффициенты позволяющие учесть дополнительную деградацию от старения изделия, что имеет место при малой мощности воздействия, характерной для космического излучения.

Для моделирования деградационных процессов предложены соотношения для определения радиационно-индуцированного накопления заряда в подзатворном диэлектрике МОП-структуры. Данная задача в общем случае является трёхмерной, и её решение представляется весьма сложным (в силу таких факторов, как сложность конструкции прибора, для которого проводится моделирование, изотропная геометрия облучения прибора в реальных условиях космического пространства и др.). Как правило, решение задач подобного рода осуществляется с использованием специализированных методов позволяющих снизить вычислительные затраты с различными допущения и приближениями, существенно упрощающие решение поставленной задачи. В данной работе используется квазистационарное приближение, т.е. неизменность распределения концентрации свободных дырок по толщине SiO2 во время радиационного облучения , где р -- концентрация свободных дырок в объеме SiO2. Кроме того, предполагается отсутствие внешнего поля. Таким образом, рассматривается только заряд, собранный посредством диффузии. Учет влияния дрейфовой составляющей на величину собранного заряда, может быть осуществлен, путем удвоения диффузионного тока неосновных носителей

Накопление заряда определяется соотношением:

(12)

где q0 -- элементарный заряд; Not(x, t) -- распределение концентрации заряженных E'-центров по толщине оксида в момент времени t.

Величина Not(x, t) может быть определена из соотношения

=

. (13)

где; A(x,0) -- концентрация неравновесных состояний; n(x, t) -- распределение свободных электронов по толщине оксида в момент времени t; Kрел - количество напряженных связей, релаксирующих при одном разрыве; р(x) -- распределение свободных протонов по толщине оксида в момент времени t; k1, k2, k2 - константы; NSiOH -- распределение комплексов Si-OH по толщине подзатворного диоксида кремния.

Предложено соотношение для расчет накопления заряда в диэлектрике при высокой мощности дозы и низкоинтенсивного излучения.

При облучении высокоэнергетическими заряженными частицами или нейтронами с большими флюенсами вносимые структурные повреждения могут повлиять на характеристики облучаемых изделий. Это влияние сказывается на кинетике накопления зарядов в структуре Si/SiO2, а также на характеристиках МОП-приборов, связанных с объемными параметрами кремния. При этом образуются дополнительные напряженные связи. Предложено выражение для определения их скорости генерации.

Для моделирования диффузионного тока неосновных носителей заряда Id ННЗ за счет влияния одиночных тяжелых ядерных частиц предложено использовать выражение

, (14)

где Dmin -- коэффициент диффузии не основных носителей, Р(, t) -- плотность избыточных носителей заряда, S - граница объемного поверхностного заряда (ОПЗ) заданного стока.

В соответствии с моделью сбора заряда для состояния высокой плотности вклад дрейфовой составляющей тока может быть учтен путем умножения на два приведенного выше значения тока. В пределах обоснованности данного приближения общий ток через границу ОПЗ Itotal соотносится со стандартным током следующим образом

. (15)

На основе предложенных моделей разработаны алгоритмы расчета стойкости по тепловым и термомеханическим эффектам. В него включен также классический способ расчета в рамках одномерной модели.

Разработанные алгоритмы учитывают динамические процессы перераспределения тепла и напряжений, особенности современной конструкции и технологии, и позволяют рассчитывать температурное поле и напряжения в изделии, как в процессе, так и после воздействия радиации с различными амплитудно-временными и спектрально-энергетическими характеристиками, с учетом времени поглощения энергии излучения и ее релаксации, что не учитывалось ранее. Он позволяет производить расчет с большей точностью и меньшими затратами времени.

Процессы, связанные с тепловыми эффектами, в конструкции изделий, разделяются на две условные фазы. Для первой фазы характерно наличие источника разогрева, из-за поглощения лучистой энергии рентгеновского излучения материалами изделия, который достигает максимального значения непосредственно после действия импульса, а далее происходит перераспределение первоначального профиля температур между слоями, которое обычно приводит к увеличению температуры кристалла. В процессе расчета определяются выделенная энергия и соответствующее ей динамическое поле температур, позволяющие с учетом особенностей современной конструкции и технологии получить температурное поле в изделии, как в процессе, так и непосредственно после воздействия радиации с различными амплитудно-временными и спектрально-энергетическими характеристиками.

Алгоритм термомеханических эффектов позволяет учесть ряд эффектов, связанных с особенностями современных конструкций (больших корпусов) и технологии изготовления (многослойная металлизация), которые во многих случаях определяют стойкость изделий. При этом термомеханический эффект представлен тремя фазами: возникновением напряжений сжатия в каждом конструктивном элементе изделия; генерацией упругих волн областями, в которых напряжение сжатия достигает максимальной величины, с последующей интерференцией; возникновением напряжений в конструктивных элементах изделия и между ними вследствие теплового расширения.

Учитывая то, что тепловые процессы и напряжения связаны между собой, данная задача решается в динамике. Проводится анализ процессов перераспределения температур и определяется момент времени, когда процессы расширения материалов достигают своего максимального значения и еще не происходит выравнивания температурного поля внутри структуры.

Для учета габаритных размеров при вычислении напряжения используются уравнения теории упругости для многосвязной области.

Алгоритм ионизационных эффектов в КМОП СБИС позволяет определить ток ионизации как для упрощенной модели p-n - перехода с относительно толстыми областями полупроводника, так и с учетом влияние периферийных областей и температуру среды.

Вначале расчет производится по упрощенной модели (выражение 8), далее определяются зависимости от температуры эффективности ионизации, площади р-n перехода; диффузионных длин не основных носителей заряда в прилегающих к p-n переходу областях; времени жизни не основных носителей заряда в n(р)-области; толщины, рассматриваемой области р--п перехода. После этого рассчитывается ионизационный ток с учетом влияния периферийных областей, температуры среды и аппроксимации импульса ИИ (выражение 10).

Разработан алгоритм прогнозирования работоспособности СБИС в условиях статического радиационного воздействия, позволяющий определять стойкость КМОП СБИС в зависимости от мощности воздействия, условий внешней среды и с учетом современных субмикронных технологий, и отличающийся универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования.

Вначале проводится анализ требований ТЗ в части стойкости к статическому ИИ. От каждого вида ИИ рассчитывается ионизационная и структурная составляющая поглощенной дозы, которые соответственно складываются.

Затем определяются основные компоненты СБИС и вводятся параметры базовых транзисторов. После чего все остальные характеристики автоматически формируются из БД.

Далее рассчитывается распределение дырок в поздатворном диэлектрике. При этом используется квазистационарное приближение, т.е. неизменности распределения концентрации свободных дырок по толщине SiO2 во время радиационного облучения. Для этого решается дифференциальное уравнение второго порядка. Полученные результаты позволяют рассчитать концентрацию протонов в подзатворном диэлектрике с помощью решения системы дифференциальных уравнений второго порядка.

Используя полученные результаты определяют концентрацию заряженных Е(х) - центров: массив значений количества заряженных Е(х) - центров в зависимости от координаты.

На следующем этапе определяют заряд, который накапливается в подзатворном диэлектрике под воздействием радиации. Для этого интегрируют полученную зависимость заряженных Е(х) - центров по координате. Полученный результат позволяет вычислить все параметры транзисторов.

Алгоритм расчета сбора заряда из трека тяжелых заряженных частиц в случае нормального падения тяжелых заряженных частиц по центру области сбора заряда проводится следующим образом.

1. Численно решается краевая задача распределений концентрации носителей заряда в чувствительном объеме для различных значений линейной потери энергии (ЛПЭ) падающих частиц, которые определяют начальную концентрацию электронно-дырочных пар в треке.

2. Вычисляется диффузионный ток не основных носителей заряда (электронов) через верхнюю торцевую поверхность цилиндрического чувствительного объема.

3. Определяется общий ток не основных носителей, учитывающий дрейфовую компоненту путем удваивания диффузионного тока.

4. Рассчитывается собранный заряд.

Предложенная методика позволяет определять для заданного значения ЛПЭ падающих частиц форму импульса ионизационного тока (точнее его диффузионной составляющей) и зависимость собранного заряда от времени после попадания частицы.

В заключительной части главы описаны предложенные эквивалентные схемы типовых элементов для моделирования радиационной стойкости КМОП СБИС на схемотехническом и функционально-логическом уровнях. Рассмотрены вопросы моделирования компонентов эквивалентных схем с использованием разработанных моделей, рассмотренных выше. Проведенные исследования показали достаточную для практического применения адекватность результатов моделирования эквивалентных схем.

В шестой главе показано, что решение задачи создания СБИС и СнК двойного назначения требует применения высоких наукоемких технологий - самой современной научной и промышленной инфраструктуры их разработки, производства и испытания.

Определена структура и состав средств организации производства КМОП СБИС и СнК, начиная от пластин для кристаллов и заканчивая проверкой их параметров.

Создано автоматизированное измерительное оборудование по контролю технологических операций, имитационных и стендовых испытаний. Разработаны, отлажены и переданы в эксплуатацию пакеты оригинальных программ.

В результате выполнения работ создана уникальная научная и промышленная инфраструктура разработки и производства современных изделий микроэлектроники на предприятиях ЭП.

На основе предложенных решений проведены работы по комплексированию, запуску и освоению системы СУ предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией и АП МЭКБ. Она реализована на базе однотипных локальных подсистем на распространённых ПЭВМ с включением в их состав серверов на более производительных ЭВМ типа SUN с внешней памятью большой ёмкости для хранения коллективной базы данных, объединённых через стандартный концентратор и интегрированных в единую систему с помощью физической магистрали или среды Интернет.

Информационная система охватывает все звенья управления разработкой МЭКБ и реализацией производственных процессов и автоматизации проектирования микросхем. Её внедрение потребовало введения в структуру базовых предприятий ЭП и создания нового подразделения - службы автоматизации управления и проектирования.

Разработано программное обеспечение инструментальных средств управления и автоматизации проектирования КМОП СБИС и СнК двойного применения на основе предложенных методов, математических моделей и алгоритмов.

Приведены структура и примеры реализации основных программных подсистем унифицированной СУ предприятиями ЭП (ДЦ и КМ) и АП - координационного управления, выполнения специальных проектов, поиска информации на запросы пользователей и ее структуризации. На их основе создано единое информационное пространство базовых предприятий ЭП и смежных отраслей промышленности, занимающихся разработкой ВиРТС двойного назначения. Инструментальные средства управления и АП, отличаются функциональной полнотой, универсальностью и высокой эффективностью.

Предложены методические особенности внедрения разработанных средств. С их использованием создана базовая библиотека типовых элементов, СФ блоков для разработки и производства МЭКБ двойного назначения. Разработанные средства используются в процессе создания всей номенклатуры современных микросхем специального назначения на базовых предприятиях ЭП. В качестве примера можно отметить семейство специализированных радиационно-стойких СБИС для всей номенклатуры систем управления ядерной триады страны и систем ПВО и ПРО.

В актах внедрения, приведённых в приложении, отмечено, что на основе предложенных решений на предприятиях ФГУП «Научно-производственное объединение автоматики» (г. Екатеринбург), «ОАО «Ангстрем» (г. Зеленоград) и ФГУП «Научно исследовательский институт электронной техники» (г. Воронеж) созданы и внедрены технические и инструментальные средства управления предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией и АП КМОП СБИС и СнК. Они позволили значительно увеличить эффективность работы предприятий. Годовой экономический эффект, рассчитанный финансовой службой, составляет несколько миллионов рублей. Большая часть выпускаемой продукции поставляется за рубеж в страны Западной Европы и Юго-Восточной Азии. Рекламаций на продукцию не поступало. Экспорт новых изделий микроэлектроники наращивается.

В нашей стране выпускаемые КМОП СБИС и СнК применяются как основа современных ВиРТС, определяющей уровень обороноспособности государства.

Основные решения и разработанные средства носят универсальный характер и могут являться основой создания единого информационного пространства сети базовых предприятий и её интеграции в мировую вычислительную сеть.

В МГИЭТ, ВГТУ на основе научных и практических результатов диссертации созданы электронные обучающие комплексы, которые применяются для проведения лекционных занятий, лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования по специальным дисциплинам, а также подготовки аспирантов, докторантов и соискателей.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Проведен анализ тенденций развития и определены требования к аппаратуре и изделиям микроэлектроники нового поколения двойного применения;

2. Обоснованы задачи и предложены принципы развития законодательно-правовой, организационной и методической базы для создания средств автоматизации управления разработкой и производством современных микросхем двойного применения и их проектирования;

3. Определены целевые задачи, предложена методология построения единой технической, лингвистической, информационной и математической платформы управления предприятиями создания СБИС и СнК и межотраслевой интеграцией, и средств автоматизации проектирования КМОП микросхем; обеспечивающая их унификацию; простоту развития, внутренней и внешней интеграции; отличающуюся единым методом построения средств и непрерывностью процесса проектирования сверхбольших микросхем и аппаратуры на их основе, соответствием действующим стандартам, небольшими расходами на создание и эксплуатацию, и простотой освоения;

4. Разработаны математические модели СУ предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией, закладывающие основу единого информационного пространства управления и отличающиеся функциональной полнотой и универсальностью и обеспечивающие ее описание как многоуровневой нормативно-ценностной системы на всем пространстве информационно-предметной среды с тотальным контролем качества и возможностью ее настройки в рамках проекта на решение различных задач, разной степени сложности и функционирующих на различных уровнях иерархии организации и условиях, а также необходимых и достаточных этапов ситуационного моделирования и функциональных компонентов их информационной поддержки и синтеза обобщённых и частных аналитических и диагностических задач ситуационного моделирования, образующих процедуры суждений ЛПР;

5. Предложены методика и математические модели обеспечения радиационной стойкости КМОП СБИС и СнК, отличающиеся методом комплексного учета совокупности радиационных эффектов в соответствии с КГС «Климат-7» на основе интегрального критерия учета их эквивалентности;

6. Разработана алгоритмическая основа СУ предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией, и автоматизации проектирования радиационно-стойких КМОП микросхем, обеспечивающая единство построения средств принятия решений и отличающаяся большей эффективностью, функциональной полнотой и универсальностью;

7. Осуществлена постановка и реализация задачи развития научной и промышленной инфраструктуры автоматизации управления разработкой и производством СБИС и СнК двойного применения, и автоматизации их проектирования;

8. Проведен комплекс работ по программной реализация математического обеспечения, комплексированию средств управления и автоматизации проектирования, и их внедрению на базовых предприятиях и в учебный процесс с оценкой эффективности и разработано методическое обеспечение;

9. С применением разработанных средств создана базовая библиотека типовых элементов и СФ блоков и вся номенклатура современных специализированных СБИС двойного назначения.



ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

публикации в изданиях , определенных ВАК

1. Антимиров, В.М. Комплексная автоматизация разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / В.М. Антимиров, Ю.К. Фортинский, В.Н. Ачкасов // Приводная техника.- 2005. - №2(54). - С. 52-55.

2. Антимиров, В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.М.Антимиров, В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника.- 2005. - №3(55).- С. 56-61.

3 Ачкасов, В.Н. Создание промышленной и научной инфраструктуры корпоративной разработки, производства и испытания элементной базы, модулей и вычислительных комплексов для систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.- 2005.- Вып. 3-4.- С. 3-5.

4. Черкасов, О.Н. Моделирование взаимодействия предприятий с внешней средой [Текст] / Черкасов О.Н., Ковалев Г.Е., Фортинский Ю.К., Коробова Л.А.// Системы управления и информационные технологии.- 2005. - №3(20). - С. 101-103.

5. Черкасов, О.Н. Моделирование функционирования предприятий [Текст] / О.Н. Черкасов, Г.Е. Ковалев, Ю.К. Фортинский // Приводная техника.- 2005. - №2(54). - С. 56-59.

6. Ачкасов, В.Н. Алгоритмы конструкторского проектирования базовых элементов радиационно-стойких КМОП БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.- 2005.- Вып. 5-6.- С. 32-39.

7. Фортинский, Ю.К. Проблемы развития отечественной электронной промышленностью в переходной период [Текст] / Ю.К. Фортинский // Вестник Воронеж. гос. тех. ун-та. Сер. «САПР и системы автоматизации производства». Т. 1: сб. науч. тр./ Воронеж. гос. тех. ун-та.- Воронеж, 2005.- Вып. 11.- С. 201-204.

8. Куцько, П.П. Моделирование проектов производства СБИС при операционном подходе [Текст] / П.П Куцько, Ю.К. Фортинский // Системы управления и информационные технологии.- 2006. - №3.1(25). - С. 144-148.

9. Фортинский, Ю.К. Моделирование системы управления электронной промышленностью [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько // Системы управления и информационные технологии.- 2006. - №3.1(25). - С. 202-206.

10. Куцько, П.П. Моделирование взаимодействия предприятий с внешней средой [Текст] / П.П. Куцько, Ю.К. Фортинский // Системы управления и информационные технологии.- 2006. - №3.1(25). - С. 144-148

11. Антимиров, В.М. Типовая структурная модель базового предприятия электронной промышленности [Текст] / В.М. Антимиров, А.В. Кузьмин, Ю.К. Фортинский // Системы управления и информационные технологии.- 2007. - № 1.3(27). - С. 308-310.

12. Фортинский, Ю.К. Информационная подсистема управления предприятиями электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько, А.В. Кузьмин, // Приводная техника.- 2007. - № 1(65). - С. 40-46 (статья принята к печати до 31 декабря 2006 г.).

13. Кузьмин, А.В. Информационно-логическая модель и алгоритм функционального назначения и функций проектов создания изделий микроэлектроники [Текст] А.В. Кузьмин, П.П. Куцько, Ю.К. Фортинский // Системы управления и информационные технологии.- 2007. - № 1.3(27). - С. 363-365.

14. Кузьмин, А.В. Типовая структурная модель базового предприятия электронной промышленности, формирование и выделение множества таксонов, и их структуризация [Текст] / А.В. Кузьмин, Ю.К. Фортинский, В.М. Антимиров // Системы управления и информационные технологии.- 2007. - №1.2(27). - С. 231- 237.

15. Кузьмин, А.В. Разработка многоцелевой информационной системы управления электронной промышленностью [Текст] / А.В. Кузьмин, П.П. Куцько, Ю.К. Фортинский // Системы управления и информационные технологии.- 2007. - №1.2(27). - С. 238-240.

16. Куцько, П.П. Методика и алгоритм координационного управления проведением конкурсов и аудитом выполнения специальных проектов разработки и производства микросхем двойного применения [Текст] / П.П. Куцько, А.В. Кузьмин, Ю.К. Фортинский // Программные продукты и системы.- 2007.- № 3(79). - С. 56-60.

17. Куцько, П.П. Базовые модели и алгоритмы операционно-ситуационного моделирования проектов на предприятиях электронной промышленности [Текст] / П.П Куцько, Ю.К. Фортинский, В.М. Антимиров / Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.- 2007.- Вып. 10-11.- С 73-78.

18. Фортинский Ю.К. Базовые средства математического моделирования системы управления предприятиями электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П, Куцько // Приводная техника.- 2007. - № 1(65). - С.46-51 (статья принята к печати до 31 декабря 2006 г.).

19. Фортинский, Ю.К. Архитектуры унифицированной системы управления и автоматизации проектирования, и создания на ее основе единого интегрированного информационного пространства электронной промышленности [Текст] / Фортинский Ю.К. // Инженерная физика. - 2009.- № 9. - С. 54-56.

20. Фортинский, Ю.К. Математическое обеспечение проведения конкурсов [Текст] / Фортинский Ю.К. // Инженерная физика. - 2009. № 8. - С. 31-33.

21. Фортинский, Ю.К. Архитектура и особенности реализации унифицированных средств комплексной автоматизации управления и проектирования изделий электронной техники [Текст] / Фортинский Ю.К. , Львович И.Я., Крюков А.В. // Системы управления и информационные технологии. - 2009. №2.1(36). - С. 194-197.

22. Фортинский, Ю.К. Моделирование задач управления предприятиями электронной промышленности [Текст] / Фортинский Ю.К. // Автоматизация и современные технологии. - 2010. № 7. - С. 31-36.

23. Фортинский, Ю.К. Методика, математические модели и алгоритмы мониторинга предприятий электронной промышленности [Текст] / Фортинский Ю.К., Львович И.Я., Кравец О.Я. // Системы управления и информационные технологии. - 2009. №2.2(36). - С. 301-304.

24. Фортинский, Ю.К. Аудит реализации специальных проектов в электронной промышленности [Текст] / Фортинский Ю.К. // Автоматизация и современные технологии. - 2010. № 7. - С. 45-49.

25. Фортинский, Ю.К. Реализация проблемно-ориентированного обеспечения автоматизации проектирования [Текст] / Фортинский Ю.К. // Автоматизация и современные технологии. - 2010. № 4. - С. 16-20.

26. Фортинский, Ю.К. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов в элементах микросхем для построения бортовой аппаратуры управления летательных аппаратов [Текст] / Фортинский Ю.К. // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С. П. Королева. - 20010. № 2. - С. 17-21.

27. Фортинский, Ю.К. Моделирование ионизационных эффектов в элементах микросхем за счет влияния радиации [Текст] / Фортинский Ю.К. // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С. П. Королева. - 20010. № 3. - С. 47-52.

28. Фортинский, Ю.К. Средства автоматизации управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Фортинский Ю.К. // Программные продукты и системы. - 2009. №1(85). - С. 17-20.

29. Фортинский, Ю.К. Подсистема учета влияния одиночных событий на характеристики микросхем [Текст] / Фортинский Ю.К. // Программные продукты и системы. - 2010. № 2(86). - С. 137-141.

30. Фортинский, Ю.К. Прогнозирование реакции СБИС к статическим радиационным воздействиям [Текст] / Фортинский Ю.К. // Системы управления и информационные технологии. - 2008. № 4.1(34). - С. 203-206.

31. Фортинский, Ю.К. Моделирование влияния одиночных тяжелых заряженных частиц космического пространства на параметры элементов микросхем [Текст] / Фортинский Ю.К. // Системы управления и информационные технологии. - 2009. № 1.2(35). - С. 296-300.

монографии

32. Фортинский, Ю. К. Информационная система управления кремниевой мастерской [Текст] / Ю. К. Фортинский, В. Е. Межов, Ю. С. Сербулов; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2006. - 170 с.

33. Потапов, И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий [Текст] / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2007. - 121 с.

34. Куцько, П.П. Информационная система координационного управления электронной промышленностью [Текст] /П. П. Куцько, Ю. К. Фортинский, В. М. Антимиров; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2007. - 143 с.

35. Кузьмин, А.В. Система автоматизации проведения конкурсов и аудита выполнения специальных проектов создания микросхем двойного применения [Текст] /А. В. Кузьмин, Ю. К. Фортинский, В. М. Антимиров; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2008. - 137 с.

36. Фортинский, Ю. К. Автоматизация управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю. К. Фортинский, В. Е Межов, В. К. Зольников, П. П. Куцько; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2008. - 275 с.

37. Ачкасов, В.Н. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.Я. Львович, Ю. К. Фортинский; Воронеж. го. ун-т. - Воронеж, 2008. - 282 с.

38. Редкозубов, С.А. Управление формированием и выполнением программ создания специализированных микросхем [Текст] / С.А. Редкозубов, В.М. Антимиров, Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько; Воронеж. гос. ун-та. - Воронеж, 2010. - 243с.

статьи и материалы конференций

39. Фортинский, Ю.К. Современная методология автоматизации проектирования и производства СБИС двойного назначения [Текст] / Ю.К. Фортинский // Информационные технологии (ИТ-2005): сб. науч. тр. россий. кон. / Научная книга.- Воронеж, 2005.- С. 180-181.

40. Фортинский, Ю.К. Технология формирования и разработка единой распределенной информационной среды управления сетью дизайн центров и кремниевых мастерских. [Текст] / Ю.К. Фортинский // Проблемы регионального управления, экономики, права и иновационных процессов в образовании: сб. мат. тр. IV междун. науч.-практ. конф./ Таганр. инст. упр. и права.- Таганрог, 2005.- С. 59-65.

41. Фортинский, Ю.К. Новые технологии и организация работ разработки отечественной элементной базы [Текст] / Ю.К.Фортинский // Моделирование систем и информационные технологии: межвуз. сб. науч. тр. / Научная книга. - Воронеж, 2005. - Вып. 2.- С. 170-172 .

42. Фортинский, Ю.К. Методика проектирования базовых элементов БИС двойного назначения [Текст] / Ю.К.Фортинский // Управление в социальных и экономических системах: сб. науч. тр. / Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж, 2005. - С. 17-23.

43. Машевич, П.Р. Методология проектирования микроэлектронных компонентов [Текст] / П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. гос. лесот. акад.- Воронеж, 2005. - Вып. Х.- С. 148-150.

44. Ачкасов, В.Н. Обоснование структуры АРМ проектирования базовых элементов микросхем двойного назначения [Текст] / В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский, В.Е.Межов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. гос. лесот. акад.- Воронеж, 2005. - Вып. Х.- С. 215-216.

45. Ачкасов, В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Интеллектуальные информационные системы: сб. науч. тр. росс. конф./ Воронеж. гос. техн. ун-та. - Воронеж, 2005. - С. 27-35.

46. Антимиров, В.М. Дизайн центры автоматизации проектирования вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.М., Антимиров, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // «Математические метод в технике и технологии - «ММТТ-18»: сб. науч. тр. межд. конф. / Казанский гос. технол. ун-та. - Казань, 2005.- С. 19-23.

47. Черкасов, О.Н. Декомпозиция задач принятия решений в информационной среде управления предприятием [Текст] / Г.Е. Ковалев, Ю.К. Фортинский // Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах: сб. науч. тр. росс. конф. / Воронеж. гос. техн. ун-та. - Воронеж, 2005. - С. 49-52.

48. Машевич, П.Р.. Задачи создания отечественной промышленной технологии автоматизации проектирования СБИС [Текст] / П.Р. Машевич, Ю.К Фортинский, В.Н., Ачкасов В.Н. // Кибернетика и технологии 21века: сб. науч. тр. межд. конф. / Научная книга. - Воронеж, 2005.- С. 23-30.

49. Фортинский, Ю.К. Структурная модель управления уровнями проектов кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К.Фортинский, Ю.С. Сербулов // Моделирование систем и информационные технологии: межвуз. сб. науч. тр. / Научная книга. - Воронеж, 2006.- Вып. 1.- С. 153-155.

50. Фортинский, Ю.К. Структура инструментальных средств управления кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К.Фортинский // Информационные технологии и системы: сб. науч. тр. / Ворон. гос. технол. акад.- Воронеж, 2006. - Вып. 1.- С. 23-28.

51. Фортинский, Ю.К. Операционно-ситуационное моделирование систем управления проектами кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К. Фортинский, Ю.С. Сербулов // Высокие технологии в технике, медицине и образовании: межвуз. сб. науч. тр. - Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж, 2006.- С. 67-73.

52. Фортинский, Ю.К. Моделирование системы управления кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К.Фортинский, Ю.С. Сербулов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. гос. лесот. акад.- Воронеж, 2006. - Вып. 11.- С. 49-54.

53. Фортинский, Ю.К. Целевые задачи кремниевой мастерской и метод автоматизации их решения [Текст] / Ю.К.Фортинский // Управление в социальных и экономических системах: сб. науч. тр. / Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж, 2006. - С. 18-23.

54. Фортинский, Ю.К. Метод моделирования системы управления кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К. Фортинский, Ю.С. Сербулов // Информационные технологии и системы: сб. науч. тр. / Ворон. гос. технол. акад.- Воронеж, 2006. - Вып. 1.- С. 78-83.

55. Фортинский, Ю.К. Методология автоматизации проектирования и производства СБИС двойного назначения [Текст] / Ю.К. Фортинский // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах проектирования: межвуз. сб. науч. тр. - Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж. 2005. - С. 87-93.

56. Фортинский, Ю.К. Автоматизация проектирования и производства СБИС двойного назначения [Текст] / Ю.К. Фортинский //Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах проектирования: межвуз. сб. науч. тр. - Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж, 2006. - С. 55-59.

57. Фортинский, Ю.К. Информационно-логическая модель этапа выбора ресурсов [Текст] / Ю.К. Фортинский, Ю.С. Сербулов // Высокие технологии в технике, медицине и образовании: межвуз. сб. науч. тр. / Ворон. гос. технол. акад.- Воронеж, 2006. - С. 64-69.

58. Фортинский, Ю.К. Разработка информационно-логических моделей операционного анализа организационного управления кремниевой мастерской [Текст] / Ю.К. Фортинский, Ю.С. Сербулов// Математические метод в технике и технологии - «ММТТ-19»: сб. науч. тр. межд. конф. / Наука. - Воронеж, 2006.- С. 56-61.

59. Ачкасов, В.Н. Проектирование радиационно-стойких БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников, Ю.К. Фортинский // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость - 2005»: матер. научн. тр. российск. конф. / МИФИ.- Москва.- 2005.- С. 13 - 14.

60. Фортинский, Ю.К Оптимизация изготовления пластин СБИС [Текст] / Ю.К. Фортинский, Ю.С. Сербулов // Теория конфликтов и ее приложение: матер. 4 - й Всеросс. науч.-технич. конф., Часть 2 / Научная книга. - Воронеж, 2006. - Вып. Х.- С. 223-229.

61. Фортинский, Ю.К. Общая структура информационного обеспечения подсистемы управления предприятиями электронной промышленности.[Текст] / Ю.К. Фортинский /Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах: сб. науч. тр. росс. конф. / Воронеж. гос. техн. ун-та. - Воронеж, 2007. - С. 28-30.

62. Фортинский, Ю.К. Операционно-ситуационное моделирование управления предприятиями электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько, А.В. Кузьмин // Информационные технологии моделирования и управления: межвуз. сб. науч. тр. / Научная книга. - Воронеж, 2007.- Вып. 3(37).- С. 386-392.

63. Фортинский, Ю.К. Автоматизация проектирования и производства СБИС двойного назначения [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько // Информационные технологии (ИТ-2007): сб. науч. тр. россий. кон. / Научная книга.- Воронеж, 2007.- С. 29-34.

64. Кузьмин, А.В. Структурная модель управления организационными уровнями базовых предприятий микроэлектроники [Текст] / А.В. Кузьмин, Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько // Информационные технологии моделирования и управления: межвуз. сб. науч. тр. / Научная книга. - Воронеж, 2007.- Вып. 2(36).- С. 267-270.

65. Фортинский, Ю.К. Задачи развития отечественной электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, П.П Куцько, А.В. Кузьмин // Интеллектуальные информационные системы: сб. науч. тр. россий. конф. / Ворон. гос. техн. ун-та.- Воронеж, 2007. - С. 61-66.

66. Фортинский, Ю.К. Аудит специальных проектов в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления: межвуз. сб. научн. тр. / Научная книга.- Воронеж, 2009.- С. 65-69.

67. Фортинский, Ю.К. Технические средства системы управления и автоматизации проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский// Теория конфликтов и ее приложение: матер. 6 - й Всеросс. науч.-технич. конф., Часть Х / Научная книга. - Воронеж, 2008.- С. 67-72

68. Фортинский, Ю.К. Программные средства системы управления и автоматизации проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский // Моделирование систем и процессов: науч. тех. журнал / Воронеж. гос. ун-та.- Воронеж, 2009. - С. 9-12.

69. Фортинский, Ю.К. Учет влияния одиночных событий на характеристики микросхем [Текст] / Ю.К. Фортинский// Интеллектуальные информационные системы: сб. науч. тр. россий. конф. / Воронеж. гос. ун-та.- Воронеж, 2010.- С. 62-67.

70. Фортинский, Ю.К. Средства поиска информации на запросы пользователей и ее структуризации. [Текст] / Ю.К.Фортинский // Моделирование систем и процессов: науч. тех. журнал / Воронеж. гос. ун-та.- Воронеж, 2010. - Вып 2.- С. 11-17.

71. Фортинский, Ю.К. Создание библиотеки типовых элементов, СФ блоков, разработка и производство на их основе радиационно-стойких микросхем двойного назначения [Текст] / Ю.К.Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления: межвуз. сб. научн. тр. / Научная книга.- Воронеж, 2009.- Вып № 3.5(43).- С. 25-31.

72. Фортинский, Ю.К. Автоматизация проектирования радиационно-стойких микросхем [Текст] / Ю.К. Фортинский // Стойкость - 2009: сб. науч. тр. росс. конф. / СПЕЛС. - М., 2009.- С. 59-65.

73. Фортинский, Ю.К. Модель деградации параметров СБИС к статическим радиационным излучениям [Текст] / Ю.К. Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления: межвуз. сб. науч. тр. / Научная книга. - Воронеж, 2009.- Вып. 1(53).- С. 87-92.

74. Фортинский, Ю.К. Влияние одиночных тяжелых заряженных частиц космического пространства на параметры элементов микросхем. [Текст] / Ю.К. Фортинский // Моделирование систем и процессов: науч. тех. журнал / Воронеж. гос. ун-та.- Воронеж, 2009. - Вып. 1, 2.- С. 87 - 95.

75. Фортинский, Ю.К. Технические средства системы управления и автоматизация проектирования в электронной промышленности [Текст] / Фортинский, Ю.К.// Вестник Воронежского института высоких технологий: научн. журнал.- Воронеж. Воронежский институт высоких технологий. - 2009. - № 5.- С. 204 - 207.

Размещено на Allbest.ru

...