Cистемы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения

1- фотосигнал с каждой фотоприемной ячейки непосредственно передается на выходные строчные и столбцовые шины;

2- каждая ячейка устройства считывания должна содержать усилитель и фильтр высоких частот для подавления низкочастотных неинформационных компонент сигналов, обусловленных фоновым излучением и темновыми токами фотоприемников.

Структурная схема устройства считывания, удовлетворяющая этим требованиям, приведена на рис.12, где 1-фильтр высоких частот, 2-предусилитель, 3-МДП фотодиод. Транзистор Т1 необходим для подачи напряжения смещения и формирования режима неравновесного обеднения МДП фотодиода. Транзисторы Т2 и Т3 подключают каждую фотоприемную ячейку к выходным строчным и столбцовым шинам.

Рис.12. Структурная схема кремниевого устройства считывания для регистрации слабых импульсных оптических сигналов в ИК области спектра

Принципиальная схема устройства считывания приведена на рис.13. Цепочка, содер- жащая подзатворную емкость МДП фотодиода и р-канальный транзистор Т2, образует RC фильтр высокой частоты. Дифференциальный усилитель, образованный р-канальными транзисторами Т3, Т5 и n-канальными транзисторами Т4, Т6 и Т9, а также n-канальные транзисторы Т7 и Т8 обеспечивают усиление и передачу сигналов на строчные и столбцовые шины считывания.

Рис.13 Принципиальная схема кремниевого устройства считывания форматом 8х8 элементов для регистрации слабых импульсных оптических сигналов

Для работы кремниевого устройства считывания кроме источника питания Исс, необходим регулируемый источник питания Исм и два импульсных управляющих напряжения, обеспечивающих работу МДП фотодиодов в режиме неравновесного обеднения -Фпр и Фин. С началом импульса Фпр, открывающего n-канальный транзистор Т1, на МДП фотодиод подается напряжение Исм. Во время импульса Фпр на подложку InAs МДП фотодиодов подается импульс отрицательной полярности Фин (для подложки InAs n-типа проводимости), с окончанием которого МДП фотодиоды одновременно переводятся в режим неравновесного обеднения. С окончанием импульса Фпр на обоих входах дифференциального усилителя (затворы МДП транзисторов Т4 и Т6) устанавливается напряжение Исм. При появлении импульсного сигнала на затвор транзистора Т4 усиленный сигнал передается на затворы транзисторов Т7 и Т8.

На рис.14 приведены расчетные зависимости коэффициента усиления дифференциального усилителя устройства считывания (кривые 1, 2 и 3) и устройства считывания с усилителем и RC фильтром высоких частот (кривые 4 и 5) от частоты и напряжения смещения Исм в качестве параметра. Как видно из этих зависимостей RC фильтр обеспечивает эффективное подавление низкочастотных компонент сигналов. С увеличением напряжения смещения Исм увеличивается проводимость канала МДП транзистора Т2, что приводит к сдвигу передаточных характеристик RC фильтра в область более высоких частот. В области частот выше 2-3 МГц уменьшение коэффициента усиления устройства считывания обусловлено высокочастотной границей полосы пропускания дифференциального усилителя.

Рис.14 Частотные передаточные характе ристики дифференциального усилителя устройства считывания (кривые 1,2 и 3) и устройства считывания с RC фильтром высоких частот (кривые 4, 5) в зависимости от напряжения смещения: 1-Исм=2.0 В, 2 -Исм - 2.3 В, 3- Исм=2.8 В, 4-Исм= 2.3 В, 5-Исм=2.8 В

Отметим, что использование емкости подзатворного диэлектрика ПЗИ элемента в качестве составной части RC фильтра - важное преимущество технического решения. При использовании фотодиодов емкость RC фильтра (С= 0.4 пФ) пришлось бы размещать на кремниевом кристалле. Эта емкость заняла бы значительную часть площади в ячейке устройства считывания на кремниевом кристалле, существенно ограничивая возможности выбора принципиальной схемы и оптимизации топологии устройства считывания. Матрица ПЗИ фотоприемников формата 8х8 элементов была изготовлена на автоэпитаксиальных структурах InAs.

Собранные методом flip-chip модули монтировались в заливной криостат. Уровень фонового излучения ФПУ ограничивается холодной диафрагмой и в спект- ральном диапазоне 2.4-3.05 мкм, при температуре фона 300 К составяет 2.3·10^-7 Вт/см². В эксперименте период следования импульсных управляющих напряжений Фпр, Фин был равен 20 мс. ИК ФПУ формата 8х8 элементов обеспечивает регистрацию оптического импульса длительностью 200-500 нс с пороговой энергией ~ 8·10^-17 Дж/элемент. Точность определения времени прихода оптического сигнала не хуже (50-100) нс, определялась как длительность фронта сигналов на выходах ФПУ, при достижении амплитуды сигналов равных 6 уровням среднеквадратичного шума.

В пятой главе рассмотрены схемотехнические принципы построения устройств считывания фотосигналов с ПЗИ элементов. Рассмотрены конструкции и приведены экспериментальные результаты обследования линейчатых и матричных гибридных модулей и тепловизионных систем на основе InAs ПЗИ элементов.

В первом параграфе описывается метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа зависимости величины концентрации заряда неосновных носителей от длительности импульса инжекции в режиме неравновесного обеднения.

Во втором параграфе анализируется температурное разрешение тепловизионных систем в зависимости от спектрального диапазона. Показано, что в спектральном диапазоне 3-3.5 мкм можно реализовать гибридные ИК ФПУ на основе фотоприемных ПЗИ элементов и тепловизионные системы на их основе с температурным разрешением близким к теоретическому пределу. В этом диапазоне наиболее перспективными представляются ПЗИ элементы на основе InAs и твердых растворов HgCdTe соответствующего состава.

В третьем параграфе рассмотрены способы считывания и схемотехнические решения применяемые при считывании сигналов с ПЗИ элементов. На рис. 15 поясняется принцип считывания с накоплением фотосигналов на ПЗИ элементе. При данном способе считывания, если подложка ПЗИ элемента n-типа, для кремниевого устройства считывания необходимо использовать подложку p-типа.

Рис.15 Принцип считывания сигнала с МДП фотоприемников с внутренним накоплением, где а- принципиальная схема кремниевого мультиплексора, б - эпюры управляющих напряжений, в - эпюры напряжений на затворе МДП фотоприемника

При подаче управляющих напряжений: постоянных Ивх, Ип, импульсных Фпр (рис.15б), открываются транзисторы Т1 и на затворе МДП фотоприемника, находящегося в режиме неравновесного обеднения, устанавливается напряжение Исм. Для уменьшения количества управляющих напряжений этот узел можно соединить с подложкой (земля) кремниевого устройства считывания. С окончанием импульса Фпр и подачей импульсов Фсб, Фтр напряжение на затворе ПЗИ элемента, входной диффузионной области 1 задается поверхностным потенциалом под входным затвором 2 (см. рис. 15в). Заряд с затвора ПЗИ элемента стекает в источник питания Ип по цепи входная диффузионная область 1 - зарядно - связанные затворы 2, 3, 4 и 5. С окончанием импульса Фсб и при подаче через разделительную емкость Син импульса инжекции Фин заряд неосновных носителей, накопленный в инверсионном слое, инжектируется в подложку ПЗИ элемента. С окончанием импульса Фин МДП-фотоприемники снова переводятся в режим неравновесного обеднения, а заряд, пропорциональный сигнальному заряду, накопленному в инверсионной области, вновь стекает c затвора ПЗИ элемента по цепи входная диффузионная область 1, зарядно- связанные затворы 2, 3 и интегрируется под затвором накопления 4. С окончанием импульса Фтр информационный заряд из под затвора накопления 4 может передаваться в линейку зарядо-чувствительных усилителей. Таким образом, потенциал затвора ПЗИ элемента привязывается к поверхностному потенциалу под входным затвором устройства считывания до и после подачи импульса инжекции Фин в каждом цикле считывания. Коррелированная выборка обеспечивает подавление низкочастотных компонент шума ПЗИ фотоприемников типа 1/f.

С окончанием импульсов Фин, Фтр начинается новый цикл накопления. Для обеспечения линейности передаточных характеристик и минимизации уровня собственных шумов устройства считывания важно правильно выбрать временные интервалы между окончанием импульсов Фпр, Фсб и импульсов Фин и Фтр. Длительность обоих временных интервалов лежит в пределах 2-10 мкс.

В четвертом параграфе дано описание двух вариантов устройства считывания для линейчатых ИК ФПУ 2х192, конструкции и основные параметры гибридных модулей 2х192. Кремниевый мультиплексор содержит два зеркально симметричных 192 входовых мультиплексора с шагом 50 мкм, смещенных относительно друг друга на 25 мкм. Принципиальная схема кремниевого мультиплексора типа Ф408СЭ показана на рис.16а.

Рис.16 Принципиальная схема кремниевого мульти -плексора форматом 2х192; б-временные диаграммы управляющих напряжений

По сравнению со схемой кремниевого мультип- лексора Ф408, в каждую ячейку устройства считывания введены зарядно-связанные затворы 2, 3, формирующие аналоговые ячейки хранения, МДП транзисторы Т1 и Т2.

При подаче импульсного управляющего напряжения Фст заряды находящиеся под первыми затворами накопления (затвор 2 на рис.1а) и несущие информацию о фотосигналах с предыдущего цикла считывания одновременно передаются под вторые затворы накопления (затвор 4 на рис.1а). При считывании информации с ПЗИ элементов в следующем цикле считывания информация записывается под первым затвором накопления. Дополнительные элементы, введенные в устройства считывания типа Ф408СЭ, дают возможность совместить во времени операцию считывания сигналов с ПЗИ фотоприемных элементов и последовательный вывод сигналов на общую шину считывания. Время, необходимое для считывания информации с ПЗИ элементов определяется суммарной длительностью управляющих импульсных напряжений Фпр и Фтр. Длительность этих импульсов ~ 10-15 мкс и, тем самым, на это величину уменьшается минимальное время считывания информации со строки.

Ниже приведены основные параметры кремниевых мультиплексоров линейчатого типа:

Тип мультиплексора Ф408 Ф408СЭ

- число входных контактных площадок, 2х192

- шаг входных устройств, мкм 50

- максимальная емкость накопительной ячейки, в электр…2.0 10⁷…….8.0·10⁶

- уровень собственных шумов, в электронах~ 600~400

- тактовая частота, МГц 4 7

- регулируемое время накопления, минимальное, мкс от 70 ...40

- потребляемая мощность, мВт….50

- число информационных выводов.2

- динамический диапазон не менее, Дб….75

Для тепловизионных систем разработана сдвоенная линейка 2х192 фотоприемников с шахматным расположением элементов и шагом 50 мкм в обоих направлениях. Для решения задач спектроскопии - однорядная линейка фотоприемников 1х384 с шагом 25 мкм. На рис.17 показаны результаты экспериментального обследования гибридного модуля формата 1х384 при засветке элементов через просветленную подложку кремниевого мультиплексора.

Рис.17 Гистограмма распределения фотосигналов и напряжения среднеквадратичного шума ФПУ 1х384 в битах АЦП при времени накопления 10 мс

Уровень фона при комнатной температуре с охлаждаемой апертурной диафрагмой равен 1.7·10^-7 Вт см^-2. Шум измерялся при закрытой диафрагме АЧТ. В этих условиях практически все элементы ФП-линейки работали в режиме ОФ. Теоретические расчеты в этих условиях дают D* 5.4·10¹² см·Гц^1/2·Вт^-1 при квантовой эффективности фотоприемников ? = 1 и собственных шумах устройства считывания 600 электронам. Среднее значение обнаружительной способности D* 4.5·10¹² см·Гц^1/2·Вт^-1. Лишь 5 элементов имели избыточные шумы. Для этих элементов D* не хуже 1.510¹² см·Гц^1/2·Вт^-1. Экспериментальные результаты измерения обнаружительной способности ИК ФПУ соответствуют теоретическим оценкам при квантовой эффективности фотоприемников ? ? 0.75, расчетным зависимостям спектров отражения и пропускания на конструктивных элементах ФП модуля.

Матричные ФПУ форматов 128х128 и 256х256 элементов на основе InAs. Нами разработаны фотоприемные матричные модули форматов 128х128 и 256х256 элементов. Для матричных гибридных модулей ИК излучение от объекта исследования падает на непланарную сторону сильнолегированной подложки n⁺⁺-InAs. За счет сдвига края фундаментального поглощения (эффект Мосса-Бурштейна) излучение в спектральном диапазоне ~ 2.4-3.05 мкм проходит через подложку и поглощается в тонком эпитаксиальном слое n-InAs. Длинноволновая граница определяется фундаментальным краем поглощения в эпитаксиальном слое n-InAs. Коротковолновый край зависит от уровня легирования подложки InAs и изменяется в пределах 2.4-2.5 мкм.

В главе приводятся параметры созданного на основе гибридного модуля формата 128х128 тепловизора ТКВр-ИФП “СВИТ”. Важным преимуществом прибора является высокая временная стабильность, декларируемое температурное разрешение сохраняется в течение длительного времени после проведения операции калибровки и позволяет значительно улучшить чувствительность за счет суммирования кадров. Из приведенных на рис. 18 зависимостей видно, что вплоть до 128 циклов накопления, зависимости NETD(N) достаточно близки к зависимости 1/(N)^1/2 , где N-количество циклов накопления.

Рис. 18 Зависимость температурного разрешения от N^-1/2, где N - количество суммируемых кадров. Для справки, над экспериментальными точками приведены значения эффективной частоты кадров, с^-1

Так, например, при эффективной кадровой частоте 1-10 кадров в секунду NETD тепловизора ТКВр-ИФП “СВИТ” ~ 4-8 мК. Для крупномасштабных объектов суммирование сигналов позволяет различать объекты с разницей в температуре не более ~ 2-3 мК, то есть лучше, чем температурное разрешение известных по литературным источникам тепловизоров, чувствительных в диапазоне 5-12 мкм. На тепловизор тепловизора ТКВр-ИФП “СВИТ”, внешний вид которого приведен на рис.19 получен сертификат № РОСС RU.АЯ79.В56000 от 13.05.2005 г. Госстандарта России. В медицине это позволило тепловизионным методикам, ранее развивающихся лишь в специализированных клиниках, перейти в разряд штатных в районных поликлиниках, что характеризует надежность и простоту использования тепловизора ТКВр-ИФП “СВИТ”.

Далее в главе дается описание других тепловизионных систем на основе InAs ПЗИ элементов и примеры их применения:

- динамического спектрометра формата 1х384, созданного на основе линейчатого гибридного модуля 1х384, DIMS-384;

- тепловизионного микроскопа созданного на основе гибридного модуля формата 128х128.

Рис. 19 Общий вид тепловизионной камеры. Здесь 1 - отсек объектива и узла калибровки, 2 - отсек криостата, 3 - отсек электроники, 4 - горловина для заливки жидкого азота

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Проведенные в диссертационной работе исследования позволили решить ряд ключевых проблем стоящих перед разработчиками многоэлементных ИК ФПУ.

1. Предложены системные и схемотехнические решения построения устройств предпроцессорной обработки сигналов интегрированных с устройствами считывания и обеспечивающие решение задач формирования ИК видеосигналов и обработки видеоизображений в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ:

- вычитание постоянных во времени, неинформационных компонент сигналов индивидуально для каждого фотоприемного канала. Спроектировано и изготовлено 64-х входовое устройстве считывания, 64-х элементное ИК ФПУ с InSb ПЗИ фотоприемниками с обнаружительной способностью в режиме ОФ. Предпроцессорная обработка сигналов позволила впервые реализовать динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров меньше 100 мкс;

- построение адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме для линейчатых и матричных ИК ФПУ. Показано, что предложенные устройства обеспечат формирование ИК видеосигналов в условиях временных изменений (дрейфа) фотоэлектрических параметров всех компонент ИК ФПУ. Результаты экспериментального обследования устройств предпроцессорной обработки сигналов подтверждают возможность реализации ИК ФПУ на их основе с чувствительностью близкой к чувствительности в режиме ОФ;

- регистрацию импульсных оптических сигналов. Разработано устройство считывания с встроенным RC фильтром в каждой ячейке входных устройств и ИК ФПУ форматом 8х8 элементов. Создан макет пеленгатора обеспечивающего определение координаты импульсного оптического сигнала с пороговой энергией ~ 8·10^-17 Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 нс. Эти параметры достигаются в условиях, когда энергия фонового излучения падающая на ПЗИ фотоприемник за время цикла считывания, на два-три порядка превышает энергию импульсного оптического сигнала.

Эти результаты вносят существенный вклад в развитие нового научно-технического направления - специализированных процессоров для считывания и обработки фотосигналов с многоэлементных ИК фотоприемников в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ.

2. Разработана математическая модель, программа и методика анализа системы ИК фотодиод - устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Основные параметры многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионных систем получены в зависимости от напряжения смещения на входном затворе устройства считывания. Это дает возможность сравнивать расчетные зависимости с экспериментальными результатами исследования ИК ФПУ, формулировать технические требования к фотоэлектрическим и конструктивным параметрам фотодиодов и устройствам считывания необходимые для реализации проектных параметров многоэлементных ИК ФПУ.

3. Предложено и показано, что организация матрицы устройств ввода из фрагментов 2х2, обеспечивает увеличение зарядовой емкости устройств считывания в 6-10 раз. Это позволяет увеличить время накопления фотосигналов и, соответственно, пропорционально корню квадратному из времени накопления повысить температурное разрешение тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм. Данная структура устройств считывания дополнительно обеспечивает преимущества при реализации интегрированных с устройствами считывания устройств предпроцессорной и процессорной обработки фотосигналов, так как их можно размещать с двойным шагом относительно шага фоточувствительных ячеек, а их количество в два раза меньше.

Математическая модель и предложенная фрагментарная организация матрицы устройств считывания способствует решению одной из важнейшей проблемы многоэлементных ИК ФПУ - улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8-14 мкм.

4. Разработан проект устройства считывания для ИК ФПУ с режимом ВЗН. Предложенное схемотехническое решение обеспечивает возможность реализации ИК ФПУ с произвольным количеством ВЗН каскадов. Важным преимуществом предлагаемой схемы устройства является то, что, принципиальная схема и топологическая реализация основных узлов не зависит от числа ВЗН каскадов, меняется только их количество. Интегрирующая емкость устройства имеет соединение только с одним входным МДП транзистором, что минимизирует уровень шума устройств ввода, коммутационные шумы и, следовательно, позволяет повысить чувствительность ИК ФПУ на его основе.

5. Развит метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса, состоящего из инжекции и обратного собирания неосновных носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости в режиме неравновесного обеднения. Показано, что временные характеристики данного процесса слабо зависят от типа проводимости, степени легирования, и толщины подзатворного диэлектрика.

6. Разработаны схемотехнические принципы построения устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов. Показано, что в коротковолновом ИК диапазоне до 3-3.5 мкм гибридные ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов не только не уступают, но имеют ряд преимуществ перед гибридными ИК ФПУ на основе фотодиодов. Совместная разработка и оптимизация топологии фотоприемных элементов, схемотехнических решений построения устройств считывания и облика ИК ФПУ в целом позволили реализовать ИК ФПУ на основе InAs, InSb ПЗИ элементов различных форматов 8х8, 128х128, 256х256. 2х192 элементов с параметрами близкими к теоретическому пределу. На основе этих ИК ФПУ в ИФП СО РАН выпускается ряд тепловизионных систем: - тепловизор ТКВр-ИФП “СВИТ”, ИК тепловизионный микроскоп, динамический ИК спектрометр DIMS-384, с параметрами на уровне или выше известных нам аналогов.

Новизна предложенных решений подтверждается 27 А.с. СССР или патентами РФ.

В приложении к диссертации представлены документы о внедрении и использовании результатов диссертационной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ИЗЛОЖЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

1. Канакин В.А. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / В.А. Канакин, И.И. Ли. // А.с. №795343 - пр. от 11.04.1979.

2. Кляус Х.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. № 862750 - пр. от 04.01.1980.

3. Кляус Х.И. Способ записи информации в устройства ввода на ПЗС / Х.И.Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. №1040947 - пр. от 26.09. 1980.

4. Канакин В.А. Устройство ввода на приборах с зарядовой связью / В.А. Канакин, Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. №1009250 - пр. от 10.07.1981.

5. Кац Я.Л. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда из анализа их рекомбинации в подложке МДП структур / Я.Л. Кац, Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // Микроэлектроника - 1981 - В.5 - С.466-470.

6. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью / И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. № 1091781 - пр. от 24.01.1982.

7. Кляус Х.И. Многоканальное устройство ввода на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. №1044204 - пр. от 18.03.1982.

8. Крымский А.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. № 1384130 - пр. от 03.03.1986.

9. Ли И.И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью / И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. №1415992 - пр. от 19.02.1986.

10. Кляус Х.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, Е.И. Черепов // А.с. № 1382330 - пр. от 14.07.1986.

11. Кляус Х.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, В.К. Пленидкин, Н.И. Халиуллин, Е.И.Черепов. //А.с. №1429855 - пр. от 13.01.1987.

12. Клименко А.Г. Матричный фотоприемник / Э.Г. Клименко, Г.Л. Курышев, А.А. Гузев, И.И. Ли, Г.С. Хрящев // А.с. №1519470 - пр. от 12.05.1987.

13. Кляус Х.И. Регистр сдвига / Х.И. Кляус, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, Е.И. Черепов. // А.с. №1436535 - пр. от 10.07. 1987.

14. Крымский А.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / Х.И. Кляус, А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, В.К. Пленидкин, Н.И. Халиуллин, Е.И.Черепов // А.с. № 1419430 - пр. от 13.07.1987.

15. Крымский А.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая // А.с. № 1593518 - пр. от 15.06.1988.

16. Крымский А.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая // А.с. № 1702829 - пр. от 11.07.1988.

17. Крымский А.И. Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая // А.с. № 1776164 - пр. от 28.09.1988.

18. Ли И.И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью / И.И.Ли // А.с. № 1625292 - пр. от 07.03.1989.

19. Крымский А.И. Фотоприемное устройство с подавлением постоянной и низкочастотной компонент фотосигналов / А.И. Крымский, И.И. Ли, В.В. Ольшанецкая, Е.И.Черепов // А.с. №1739808 - пр. от 04.07. 1990.

20. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связь для двухмерных приемников изображения / И.И.Ли // Патент №2054753 - пр. от 19.03.1993.

21. Кунакбаева Г.Р. Система фотодиод-ПЗС устройства ввода с прямой инжекцией для многоэлементных ИК ФПУ / Г.Р. Кунакбаева, И.И. Ли, Е.И. Черепов // Радиотехника и электроника - 1993 - В.5 - С.922-930.

22. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связь для двухмерных приемников изображения / И.И. Ли // Патент №2119697 - пр. от 07.02.1996.

23. Кунакбаева Г.Р. Выбор спектрального диапазона тепловизионных систем на основе многоэлементных Cd_xHg_1-xTe фотодиодов / Г.Р. Кунакбаева, И.И. Ли // Автометрия - 1996 - №5 - С.21-29.

24. Ли И.И. Устройство считывания для двумерных приемников изображения. / И.И. Ли, В.Г. Половинкин // Патент №2111580 - пр. от 27.12.1996.

25. Ли И.И. Многовходовый процессор с адаптивными устройствами предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных датчиков / И.И. Ли, М.В. Попов // Автометрия - 1997 - №6 - С.20-25.

26. Демьяненко М.А. Матричный ИК фотоприемный модуль на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs / М.А., Демьяненко О.Р. Копп, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Н. Овсюк, В.Г. Половинкин, И.М. Субботин, А.И. Торопов, В.В.Шашкин // Автометрия - 1998 - №4, С.35-42.

27. Курышев Г.Л. Тепловизионный быстродействующий портативный прибор на основе фокальной матрицы МДП-структур на арсениде индия / Г.Л Курышев, А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев, В.М. Базовкин, К.О. Постников, И.И. Ли, Н.А. Валишева, З.В. Панова, А.В. Яковлев, П.В. Журавлев // Автометрия - 1998 - №4 - С.13-20.

28. Курышев Г.Л. Медицинский тепловизор на основе матричного ФПУ 128х128 для диапазона длин волн 2.8-3.05 мкм / Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, Б.Г. Вайнер, А.А. Гузев, В.М. Базовкин, А.С. Строганов, И.М. Субботин, И.М. Захаров, В.М. Ефимов, К.О. Постников, И.И.Ли, Н.А. Валишева, З.В. Панова // Автометрия - 1998 - №4 - С.5-12.

29. Вайнер Б.Г. Матричный тепловизор / Б.Г. Вайнер, И.И.Ли, Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев, В.М. Базовкин, А.С. Строганов, И.М. Субботин, И.М. Захаров, В.М. Ефимов, Н.А. Валишева // Патент №2152138 - пр. от 30.11.1998.

30. Ковчавцев А.П. Глава 1. Фотоприемники зарядовой инжекции на арсениде индия. В монографии “Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона” / А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, И.И. Ли, Т.Е. Ковалевская, З.В. Панова, В.М. Ефимов // под редакцией В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и другие - Новосибирск - Наука - 2001.

31. Ли И.И. Анализ зависимости температурного разрешения тепловизионных систем от зарядовой емкости устройства считывания / И.И. Ли // Автометрия - 2001 - №2 - С. 32-37.

32. Базовкин В.М. Гибридное фотоприемное устройство на основе линейки 1х384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений / В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, А.С. Строганов // Прикладная физика - 2003 - №6 - С. 85-92.

33. Bazovkin V.M. 1x384 Hybrid linear infrared focal plane arrays on InAs MOS structure for spectrometric applications / V.M. Bazovkin, N.A. Valisheva, A.A. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, A.S. Stroganov // Proc. of SPIE - 2002 - №5126 - P. 118-128.

34. Ли И.И. Устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников / И.И. Ли // Патент №2239915 - пр. от 15.12.2002г.

35. Ли И.И. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников / И.И. Ли // Патент №2236064 - пр. от 15.12.2002.

36. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания. / И.И. Ли // Патент №2282269 - пр. от 31.03.2005.

37. Ли И.И. Устройство считывания c МДП фотоприемников / И.И. Ли, Г.Л. Курышев // Патент № 2282270 - пр. от 11.04.2005.

38. Ли И.И. Многоэлементные гибридные ИК фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда / И.И. Ли, В.М. Базовкин, В.М. Ефимов , Н.А. Валишева, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, А.В. Царенко. Часть 1. Принципы считывания сигналов с ПЗИ фотоприемников // Автометрия - 2007 - №4 - С.25-36.

39. Ли И.И. Многоэлементные гибридные ИК фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда. Часть 2. Тепловизионные системы с элементами на InAs / И.И. Ли, В.М. Базовкин, В.М. Ефимов , Н.А. Валишева, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, А.В. Царенко.// Автометрия - 2007 - №4 - С.36-49.

40. Ли И.И. Устройство считывания для ИК ФПУ с режимом временной задержки и накопления/ И.И. Ли // Автометрия - 2007 - №4 - С.56-62.

41. Ли И.И. Кремниевый процессор для матричных ИК ФПУ длинноволнового диапазона 8-12 мкм третьего поколения /И.И. Ли // Микроэлектроника - 2008 - №2 - С.131-138.

42. Ли И.И. Фотоприемное устройство на основе матрицы МДП-фотодиодов на InAs для регистрации импульсных оптических сигналов / И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин // Прикладная физика - 2007 - №2 - С.68-72.

43. Lee I.I. The focal plane array based on MIS-photodiodes on InAs for pulse optical date registration / I.I. Lee, V.M. Bazovkin, N.A.Valisheva, A.A. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev // Proc. SPIE - 2007 - N6636, 663607-1.

44. Базовкин В.М. Быстродействующий ИК_спектрометр (0.5 - 3.0 мкм) на основе спектрометрического модуля 1х384 InAs /, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Г. Половинкин. // Автометрия - 2007 - №4 - С.50-55.

45. Ли И.И. Многоканальные устройства предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных ИК ФПУ / И.И. Ли // Прикладная физика - 2009 - №2 - С. 67-79.

46. Lee I.I. Multichannel Signal Processors for Multielement IR FPA / I.I. Lee // Optical Memory & Neural Networks (Information Optics) - 2009 - Vol.18 - No.1 - P.44-54.

47. Курышев Г.Л Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК ФПУ на InAs и приборов на их основе / Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов // Прикладная физика -2009 - №2 - C. 79-92.

48. Гузев А.А. Фоточувствительные свойства структур ZnTe/CdTe/HgCdTe / А.А. Гузев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, З.В. Панова, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев // Прикладная физика - 2009 - №2 - C. 92-96.

49. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания для фотоприемников / И.И. Ли // Патент № 2357323 - пр. от 04.12.2007.

Цитированная литература.

1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. - Новосибирск: Наука - 2003 - 635c.

2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. // Под редакцией В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и другие -Новосибирск - изд. Наука - 2001 - 375c.

3. Приборы с зарядовой связью. // Под ред. Д.Ф. Барба - М.:Мир - 1982 -240 c.

4. Таубкин И.И. Предельные чувствительность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения / И.И. Таубкин, М.А. Тришенков // Оптический журнал - 1996 - №6 - C.18-41.

5. Мозаичные ИК датчики. // Радиоэлектроника за рубежом - 1985 - В.5 - С.1-11.

6. Chen L. Overview of advances in high performance ROIC designs for use with IR FPAs / L. Chen, M. Hewitt, et al // Proc. SPIE - 1998 - №4028 -P. 47-57.

7. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах // М.: “Мир”-1986-399с.

Размещено на Allbest.ru