Главная
Коллекция "Revolution"
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлектронной базы для нового поколения систем управления двойного назначения
Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлектронной базы для нового поколения систем управления двойного назначения
Анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, обеспечивающей моделирование радиационных эффектов, проблемы и направления их развития. Комплекс методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования систем управления.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 13.02.2018 |
| Размер файла | 265,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
.
При облучении высокоэнергетическими заряженными частицами или нейтронами с большими флюенсами вносимые структурные повреждения могут повлиять на характеристики облучаемых изделий. Это влияние сказывается на кинетике накопления зарядов в структуре Si/SiO2, а также на характеристиках МОП-приборов, связанных с объемными параметрами кремния. При этом образуются дополнительные напряженные связи, скорость генерации которых при образовании смещений можно определить следующим образом:
, (61)
где GA - скорость генерации дополнительных неравновесных связей при образовании смещений; част - плотность потока высокоэнергетических частиц.
С учетом влияния смещений атомов уравнение непрерывности, описывающее изменение концентрации напряженных связей в диэлектрике, принимает вид
, (62)
его решение для случая квазистационарного приближения записывается в виде
. (63)
Первое слагаемое в правой части описывает снижение концентрации неравновесных связей вследствие захвата дырок. Второе слагаемое описывает рост концентрации неравновесных связей вследствие образования смещенных атомов при воздействии высокоэнергетических заряженных частиц.
Полученное выражение можно теперь использовать для нахождения концентрации заряженных E'-центров N1 (x, t), образующихся при захвате дырок напряженными связями.
, (64)
где С1, С2 - постоянные интегрирования.
Применяя начальное условие N1 (x, 0) = 0, можно получить выражение для постоянной С2 в виде
. (65)
Таким образом,
. (66)
Из выражения следует, что концентрация заряженных E'-центров, возникающих при разрыве напряженных связей, определяется суммой экспоненциальной и линейной компонент. С ростом t экспоненциальная компонента стремится к насыщению, поэтому при глубоком облучении, т.е. при t , кинетика накопления заряженных E'-центров будет подчиняться линейному закону.
Аналогично получается выражение для концентрации Pb-центров, отвечающих за поверхностные состояния.
. (67)
Как видно, характер изменения концентрации Pb-центров, образующихся при разрыве неравновесных связей, такой же как и E'-центров.
Следует отметить, что смещения атомов будут оказывать влияние на кинетику только тех процессов, в которых участвуют напряженные связи. Кинетика процессов, связанных с разрывом соединений SiH и SiOH по-прежнему будет определяться только ионизационными эффектами, поскольку внешнее облучение не влияет на концентрацию этих комплексов. Кроме того, их концентрация пренебрежимо мала по сравнению с концентрацией основных атомов в SiO2, и процессами разрыва связей Si-H и Si-OH вследствие упругих взаимодействий с бомбардирующими высокоэнергетическими частицами можно пренебречь.
Моделирование на схемотехническом уровне осуществляется путем вычисления основных параметров транзистора при радиационном воздействии.
Изменение порогового напряжения МОП-транзистора:
Vth = Vot + Vit, (68)
где Vth - изменение порогового напряжения за счет Vot - накопленного в оксиде заряда и Vit - заряда поверхностных состояний.
Вклады зарядов оксида и поверхностных состояний в общее изменение порогового напряжения могут быть определены следующим образом:
; , (69)
где Qot, Qit - радиационно-индуцированное изменение удельных зарядов оксида и поверхностных состояний соответственно; С0 - удельная емкость диэлектрика.
Заряд Qot, накопленный в диэлектрике при облучении, рассчитывается по формуле указанным в предыдущем разделах. Для вычисления удельного заряда поверхностных состояний можно воспользоваться выражениями
, (70)
где Dit (s) - дифференциальная плотность поверхностных состояний (значение поверхностного потенциала s определяет энергетическое положение уровня Ферми в запрещенной зоне кремния на границе раздела Si/SiO2). Если дифференциальная плотность поверхностных состояний не известна, а определена только интегральная плотность поверхностных состояний, то заряд поверхностных состояний рассчитывается по формуле
Qit = q0Nit, (71)
где Nit - интегральная плотность поверхностных состояний.
Значение Qit определяется как разность численного заряда поверхностных состояний после облучения и исходного заряда поверхностных состояний.
Рост числа поверхностных состояний приводит к снижению подвижности носителей заряда в канале транзистора. В общем случае деградация подвижности описывается соотношением
, (72)
где 0 - значение подвижности до облучения; - постоянная.
В шестом разделе рассмотрены особенности развития научной и промышленной инфраструктуры автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения, структура программного пакета автоматизации проектирования, результаты моделирования, внедрения и эффективность его использования.
В разделе описывается развитие научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения. С этой целью создано техническое обеспечение дизайн-центра по проектированию изделий микроэлектроники, которое состоит из мощных высокопроизводительных компьютеров с использованием серверов баз данных, и приложений и рабочих станций. Реализация произведена на базе высокопроизводительных серверов фирмы Sun типа Sun Sparc с процессорами UltraSPARC фирмы Sun Microsystems, которые работают под управлением операционной системы Unix (Solaris 8 v.7), рабочих станций фирмы Hewlet Packard и Х-терминалов, которые представляют собой IBM PC или подобные машины, объединенных каналом типа Ethernet.
Создано программное обеспечение как интеграция высокопроизводительного ядра САПР фирмы Сadence Design System пакетов программ фирм Synopsys и Mentor Graphics, а также собственных разработок, позволяющих учесть радиационные эффекты.
К основным программным модулям собственных разработок относятся: интерфейс пользователя - INTER; управления комплексом в целом - MONITOR; определения параметров ионизирующего излучения - DMD; расчета дозовых характеристик радиационного воздействия - RAD; расчета термомеханических эффектов - IRBIC; моделирования переходных эффектов - PER; электронные обучающие средства - HELP.
На основе данных средств созданы маршруты проектирования различного класса микросхем, обеспечивающие проектные работы в сжатые сроки с высоким качеством с требуемым уровнем стойкости к климатическим, механическим и специальным воздействиям. Разработана нормативно-техническая документация использования средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники. Создана иерархическая библиотека типовых и функциональных элементов с учетом радиационного воздействия, которая включает более 500 элементов и позволяет проектировать СБИС любой сложности.
Оценка эффективности разработанных средств проводилась при создании микросхем серий 1882, 1830, 1867, 1874, транзисторов и транзисторных сборок, определения их соответствия требованиям технического задания, в том числе и по уровню стойкости, который оценивался экспериментально на моделирующих установках гамма-импульса. Анализ результатов испытаний показал, что расхождение расчетных и экспериментальных значений не превышало 20%. Кроме того, заданный уровень стойкости был получен практически с первых опытных партий изделий, что сокращало время реализации проекта, объем проведения физического моделирования и очень трудоемких и дорогостоящих экспериментальных исследований. Внедрение данных средств позволило существенно развить аппарат автоматизации проектирования, который заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах.
Проведенные работы подтвердили высокую эффективность разработанных средств, получены рекомендации ведущих ученых о ее распространении для внедрения на всех аналогичных предприятиях. Предложенные в работе решения в виде программно-аппаратного комплекса используются ВГТУ в лекционных курсах, лабораторных занятиях, курсовых, дипломных проектов, подготовке аспирантов и докторантов.
В актах внедрения, приведённых в приложении, отмечено, что на основе предложенных решений на предприятиях ОАО "Анстрем" (г. Зеленоград) и ФГУП "Научно исследовательский институт электронной техники" (г. Воронеж) значительно увеличена эффективность работы предприятий. Годовой экономический эффект, рассчитанный финансовой службой, составляет несколько миллионов рублей.
В заключении приведены основные результаты диссертационной работы.
Основные результаты работы
1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;
2. Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети дизайн-центров;
3. Обоснован выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового дизайн-центра;
4. Разработаны математические модели и алгоритмы моделирования радиационных тепловых и термомеханических физических процессов в элементах конструкции СБИС;
5. Предложены математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;
6. Разработаны математические модели переходных процессов при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающиеся учетом особенностей субмикронных технологий, воздействия высоких и низких температур;
7. Предложены математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов "Климат-7";
8. Разработаны математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОП-структурах при воздействии импульсного и статического ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС "Климат-7" на всех иерархических уровнях проектирования;
9. Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства ДЦ;
10. Проведена программная реализация разработанных средств и создана единая программная среда проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;
11. Предложены методика и особенности развития научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения;
12. Разработано методическое обеспечение средств комплексной автоматизации проектирования.
13. С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются радиационно-стойкие микросхемы. В результате создана широкая номенклатура изделий и, таким образом, проведена опытная эксплуатация предложенных средств и оценена экономическую эффективность.
Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах
Публикации в изданиях, определенных ВАК
1. Ачкасов, В.Н. Конструктивно-технологический базис для создания радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.Н. Зольникова // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - Вып.4. - С.92-95.
2. Ачкасов, В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып.3. - С.87-90.
3. Зольникова, А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ [Текст] / А.Н. Зольникова В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып.4. - С.93-96.
4. Зольников, В. К Математическое обеспечение проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып.4. - С.97-99.
5. Зольников, В.К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып.1-2. - С.57-60.
6. Ачкасов, В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР изделий электронной техники [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып.1-2. - С.61-65.
7. Антимиров, В.М. Вопросы построения адаптивных бортовых управляющих вычислительных комплексов [Текст] / Антимиров В.М. Ачкасов В.Н. // Системы управления и информационные технологии. 2005. - №4 (21). - С.5 - 8.
8. Антимиров, В.М. Моделирование надежности вариантов вычислительных комплексов для систем управления космических летательных аппаратов [Текст] / Антимиров В.М., Машевич П.Р., Ачкасов В.Н. // Известия ВУЗов. Северо-кавказский регион. Технические науки. 2005. - №3. - С.29 - 36.
9. Антимиров, В.М. Создание промышленной инфраструктуры разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / Антимиров В.М., Машевич П.Р., Ачкасов В.Н. // Авиакосмическое приборостроение. 2005. - №8. - С.9 - 11.
10. Антимиров, В.М. Бортовые подсистемы инерциального управления и спутниковой навигации с автономными вычислителями [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н. // Авиакосмическое приборостроение. 2005. - №6. - С.20 - 22.
11. Антимиров, В.М. Комплексная автоматизация разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / Антимиров, В.М., Фортинский Ю.К., Ачкасов В.Н. // Приводная техника. 2005. №2 (54). - С.52 - 55.
12. Антимиров, В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.М. Антимиров В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Приводная техника. 2005. - №3 (55). - С.56 - 61.
13. Антимиров, В.М. Особенности реализации подсистемы обработки геофизических полей и оптической навигации, как автономных вычислительных модулей [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н. // Полет. 2005. - №6. - С.55 - 60.
14. Антимиров, В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. - №8. - С.23 - 26.
15. Ачкасов, В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып.1-2.С. 20-24.
16. Ачкасов, В.Н. Создание промышленной и научной инфраструктуры корпоративной разработки, производства и испытания элементной базы, модулей и вычислительных комплексов для систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып.3-4. С.3-5.
17. Ачкасов, В.Н. Расчет тепловых эффектов радиационного происхождения конструкции ИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. - №1. - С. 205 - 209.
18. Зольников, В.К. Моделирование процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.К. Зольников, А.В. Ачкасов, И.П. Потапов, Д.Г. Хорюшин // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. - №1. - С.135 - 138.
19. Ачкасов, В.Н. Принципы построения архитектуры технических средств дизайн-центра проектировнаия универсальных и специализированных радиационно-стойких микросхем [Текст] / В.Н. Ачкачов // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8.2006. - Вып.1-2. - С.144 - 146.
20. Ачкасов, В.Н. Моделирование термомеханических эффектов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Приводная техника - 2006 - №5, С.24-27.
21. Ачкасов, В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно - стойких микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, А.В. Ачкасов // Приводная техника - 2006 - №4. - С.52-55.
22. Зольников, В.К. Моделировнаие физических процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, Д.Г. Хорюшин // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8.2006. - Вып.1-2. - С.58 - 62.
23. Зольников, В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, И.П. Потапов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Вып.2. - №3. - С.9 - 11.
24. Ачкасов, В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ [Текст] /В.Н. Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Вып.2. - №3. - С.96 - 98.
25. Гуляев, Ю.В. Моделирование радиационных эффектов в транзисторе [Текст] / Ю.В. Гуляев, В.Н. Ачкасов // Системы управления и информационные технологии. 2007. - №1 (25). - С.29-34.
26. Ачкасов, В.Н. Метод оценки заряда, накопленного в полевом оксиде [Текст] / В.Н. Ачкасов // Системы управления и информационные технологии. 2007. - №1 (25). - С.34-37.
27. Ачкасов, В.Н. Автоматизация управления информационной инфраструктурой комплексной САПР" [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.В. Стариков, А.В. Кузьмин // Программные продукты и системы - 2007 - №2. - С.35 - 37.
28. Антимиров, В.М. Разработка базового алгоритма подсистемы коррекции по геофизическим полям / В.М. Антимиров, В. Н Ачкасов // Программные продукты и системы - 2007 - №4. - С.37 - 38.
Монографии
29. Межов, В.Е. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации [Текст] / В.Е. Межов, А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков - Воронеж: Изд-во Воронежский государственный университет, 2002. - 178 с.
30. Ачкасов, В.Н. Разработка средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В.К. Зольников - Воронеж: Изд-во Воронежский государственный университет, 2005. - 240 с.
31. Ачкасов, В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005. - 270 с.
32. Гуляев, Ю.В. Автоматизации проектирования специализированной микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения [Текст] / Ю.В. Гуляев, В.Н. Ачкасов. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005. - 319 с.
33. Ачкасов, В.Н. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности [Текст] /В. Н Ачкасов, И.Я. Львович, Ю.К. Фортинский - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2008. - 281 с.
Основные патенты и авторские свидетельства
34. А. с. №1790316, Способ изготовления структур больших интегральных КМОП схем [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский. Заявл.22.02.92; Опубл.12.02.93, Бюл. №4.
35. А. с. №1616448, Способ изготовления КМДП - интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов; Заявл.22.05.90; Опубл.21.01.91, Бюл. №3.
36. А. с. №1515965, Способ изготовления структур КМОП-интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов, Н.Я. Мещеряков; Заявл.15.06.89; Опубл.10.02.90, Бюл. №4.
37. А. с. №289950, Способ контроля ухода размеров топологических элементов интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов; Заявл.1.03.89; Опубл.21.02.90, Бюл. №1.
38. А. с. №1319755, Способ изготовления больших интегральных схем с короткоканальными МДП - транзисторами [Текст] / В.Н. Ачкасов, Н.Я. Мещеряков, С.А. Цыбин. Заявл.15.06.89; Опубл.21.01.90, Бюл. №3.
Статьи и материалы конференций
39. Ачкасов, В.Н. Конструктивно-технологический базис разработки радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н. Ачкасов // Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: Тр. I Междунар. практ. конф. Королев: Изд-во М. РАКА, 2002. С.67.
40. Ачкасов, В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч. - техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.109 - 110.
41. Зольникова, А.Н. Расчет стойкости компонентов КМОП ИС к радиационному воздействию [Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч. - техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.234-235.
42. Зольникова, А.Н. Оценка стойкости и надежности ИС при воздействии гамма-излучения [Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч. - техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.236-239.
43. Ачкасов, В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // // Радиационная стойкость электронных систем: Науч. - техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.37-38.
44. Зольникова, А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч. - техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.107 - 108.
45. Ачкасов, В. Н Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.50-54.
46. Ачкасов, В.Н. Лингвистическое обеспечение АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.75-80.
47. Крюков, В.П. Моделирование изменения параметров-критериев годности при воздействии радиации [Текст] / В.П. Крюков, В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч. - техн. конф. М., 2002. - С.146.
48. Ачкасов, В.Н. Моделирование характеристик ИС приемки "5" [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Сб. науч. тр. - Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С.155-159.
49. Ачкасов, В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч. - техн. сб. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2003. - С.38 - 39.
50. Ачкасов, В.Н. Моделирование характеристик ИС приемки "5" [Текст] / В.Н. Ачкасов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.8. - Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С. 200-201.
51. Ачкасов, В.Н. Расчет норм микросхем для обеспечения заданной стойкости [Текст] / В.Н. Ачкасов // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч. - техн. конф. М., 2003. - С.64.
52. Антимиров, В.Н. Автоматизация проектирования базового программного обеспечения бортовых вычислительных комплексов систем управления нового поколения [Текст] / Антимиров В.Н., Ачкасов В.Н., Крюков В.П. // Труды всероссийской конференции "Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах. - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. - С.12-13.
53. Ачкасов, В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления. [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фартинский // Труды всероссийской конференции "Интеллектуальные информационные системы". - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. - С.45-46.
54. Зольников, В.К. Задачи автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.К. Зольников, А.В. Ачкасов // Труды всероссийской конференции "Интеллектуальные информационные системы" - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. - С.61-62.
55. Антимиров, В.М., Дизайн центры автоматизации проектирования вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р., Фортинский Ю.К. // Материалы международной научной конференции "Математические метод в технике "технологии-ММТТ-18. - Казань: Казанский государственный технологический университет. - 2005. - С.34-35.
56. Машевич, П.Р. Задачи создания отечественной промышленной технологии автоматизации проектирования СБИС [Текст] / П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский, В.Н. Ачкасов // Материалы международной научной конференции "Кибернетика.21век". - Москва: - 2005. - С.45-46.
57. Ачкасов, В.Н. Повышение производительности элементной базы для бортовых вычислительных машин за счет специализации системы команд [Текст] / В.Н. Ачкасов В.П. Крюков, П.Р. Машевич, // Материалы международной научной конференции "Кибернетика.21век". - Москва: - 2005. - С.46-47.
58. Ачкасов, В.Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров. П.Р. Машевич // Материалы Российской конференции "Стойкость-2005". - Москва: МИФИ. - 2005. - С.251.
59. Ачкасов, В.Н. Проектирование радиационно-стойких БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников, Ю.К. Фортинский // Материалы Российской конференции "Стойкость-2005". - Москва: МИФИ. - 2005. - С.43-44.
60. Ачкасов, В.Н. Средства проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы Всероссийской конференции "Информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга". - 2005. - С.152-153.
61. Ачкасов, В.Н. Задачи автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.В. Ачкасов, А.Н. Зольникова // Материалы Всероссийской конференции "Информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга". - 2005. - С.154-156.
62. Ачкасов, В.Н. Средства проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции "Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство "Радио и связь". - 2005. Часть 1 - С.74 - 75.
63. Ачкасов, В.Н. Технология создания современной элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции "Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство "Радио и связь". - 2005. Часть 1 - С.75 - 76.
64. Ачкасов, В.Н. Микроконтроллеры и цифровые сигнальные процессоры разработки Воронежского НИИ Электронной техники для применения в бортовой радиоэлектронной аппаратуре [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.С. Горохов, В.П. Крюков // Тезисы докладов 4-ой международной конференции "Авиация и космонавтика - 2005". - М: Издательство МАИ, 2005. С.36
65. Ачкасов, В.Н. Экономичный алгоритм оценка стойкости элементной базы к воздействию ионизирующих излучений [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.В. Сакерский, В.М., А.А. Обухов // Материалы международной конференции "Высокие технологии энергосбережения". - Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11-12.
66. Ачкасов, В.Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы для модулей бортовых систем управления [Текст] / Ачкасов В.Н. // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.Х. - Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С.213-214.
67. Ачкасов, В.Н. Обоснование структуры АРМ проектирования базовых элементов микросхем двойного назначения / [Текст] В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский, В.Е. Межов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.Х. - Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С.215-216.
68. Ачкасов, В.Н. Структура средств проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов В.Н. // Межвузовский сборник научных трудов "Моделирование систем и информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга" - 2005. Вып.2. - С.217-218.
69. Ачкасов, В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. - № 2 (20). - С. 197 - 204.
70. Анитимиров, В.М. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе [Текст] / В.М. Анитимиров, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. - № 2 (20). - С.238 - 243.
71. Зольников, В.К. Проблемы создания проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К. Зольников, В.Е. Межов, П.Р. Машевич, В.Н. Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции "Наука и образование" - Воронеж, 2005. - С.216-219.
72. Ачкасов, В.Н. Методика определения стойкости изделий микроэлектроники [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды всероссийской конференции "Новые технологии". - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2006. - С.72-73.
73. Ачкасов, В.Н. Оценка стойкости элементной базы в процессе проектирования и производства [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды международной конференции "математические методы в технике и технологиях" Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. - 2006. Том 5. - С.69-71
74. Ачкасов, В.Н. Разработка библиотечных элементов СБИС двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции "Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки". - Воронеж: Воронежский институт МВД. - 2006. Выпуск 1. - С.13.
75. Ачкасов, В.Н. Интеграция программных средств САПР [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции "Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство "Радио и связь". - 2006. Часть 2 - С.34.
76. Ачкасов, В.Н. Состояние разработок элементной базы ФГУП НИИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции "Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство "Радио и связь". - 2006. Часть 2 - С.35.
77. Ачкасов, В.Н. Методы оценки стойкости элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов // Межвузовский сборник научных трудов "Моделирование систем и информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга" - 2006. Вып.3. Ч.2. - С.189 - 192.
78. Ачкасов, В.Н. Интеграция программного обеспечения САПР [Текст] / В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Межвузовский сборник научных трудов "Моделирование систем и информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга" - 2006. Вып.3. Ч.2. - С.69 - 71.
79. Ачкасов, В.Н. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. - № 2 (27). С.180 - 187.
80. Ачкасов, В.Н. Оптимальный синтез программной среды систем автоматизации проектирования микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Труды международной конференции "математические методы в технике и технологиях" Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. - 2006. Том 2. - С.29-31.
81. Ачкасов, В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, И.П. Потапов // Материалы Российской конференции "Стойкость-2006". - Москва: МИФИ. - 2006. - С.123-124.
82. Ачкасов, В.Н. Процессы перераспределения тепла после воздействия импульса излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов // Материалы Российской конференции "Стойкость-2006". - Москва: МИФИ. - 2006. - С.125-126.
83. Ачкасов, В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе [Текст] / В.Н. Ачкасов, Ю.В. Гуляев // Моделирование систем и процессов - Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. - С.6 - 12.
84. Ачкасов, В.Н. Моделирование накопления заряда в полевом оксиде [Текст] / В.Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов - Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. - С.12 - 15.
85. Потапов, И.П. Моделирование статических радиационных эффектов в КМОП приборах [Текст] / И.П. Потапов, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Межвузовский сборник научных трудов "Моделирование систем и информационные технологии". - Воронеж: Издательство "Научная книга" - 2006. Вып.3. Ч.2. - С.221 - 223.
86. Ачкасов, В.Н. Математическая модель накопления заряда в полевом окиде при радиационном воздействии [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды международной конференции "математические методы в технике и технологиях" Ярославль. Яровлавский технический университет. - 2007. Том Х. - С.13-14.
87. Зольникова А.Н. Проектирование радиационно стойкой элементной базы нового поколения / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов // Труды всероссийской конференции "Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве". - Воронеж. ГОУВПО "Воронежский государственный технический университет". - 2008. - С.30-31.
88. Ачкасов, В.Н. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, К.И. Таперо // Материалы Российской конференции "Стойкость-2008". - Москва: МИФИ. - 2008. - С.122-123.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Понятие, задачи и проблемы автоматизации проектирования сложных электронных систем. Структура комплекса аппаратно-программных средств САПР. Описание микросхемного, регистрового, вентильного и кремниевого уровней представления мультипроцессорных систем.
реферат [153,5 K], добавлен 11.11.2010Характеристика этапов проектирования электронных систем. Применение высокоуровневых графических и текстовых редакторов в процессе проектирования. Параметры конфигурации для аппаратных средств. Последовательность проектных процедур архитектурного этапа.
контрольная работа [17,6 K], добавлен 11.11.2010Принципы проектирования комплекса технических средств автоматизированных систем управления. Требования, предъявляемые к специализированным устройствам, и затраты на их реализацию. Устройства кодирования графической информации. Графопостроители и табло.
реферат [616,3 K], добавлен 20.02.2011Система схемотехнического моделирования электронных устройств. Математическое описание объектов управления; определение параметров технологических объектов. Оценка показателей качества САУ. Расчет линейных непрерывных систем, их структурная оптимизация.
курс лекций [18,4 M], добавлен 06.05.2013Анализ современного состояния проектирования приемо-передающих радиоустройств. Описание систем поддержки принятия решений, перспективы применения подобных систем в области проектирования. Расчет полосы пропускания высокочастотного тракта приемника.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 30.12.2015Маршрутизаторы. Топологии сети. Коммутатор. Концентратор. Вычислительные средства отдельных проектных подразделений. Объединение технических средств автоматизированных систем проектирования в единую систему комплексной автоматизации.
реферат [91,3 K], добавлен 05.09.2007Основы технологии DWDM. Сравнение систем мультиплексирования и выбор компонентов линии связи. Влияние дисперсии на параметры проектируемой ВОЛС. Моделирование 8-ми канальной DWDM линии с применением системы автоматизированного проектирования LinkSim.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 28.02.2011Многовариантный анализ в системе автоматизированного проектирования (САПР). Методы анализа чувствительности системы управления (СУ) при их использовании в САПР. Статистический анализ СУ в САПР с целью получения информации о рассеянии выходных параметров.
контрольная работа [5,7 M], добавлен 27.09.2014Методы и этапы конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Роль языка программирования в автоматизированных системах машинного проектирования. Краткая характеристика вычислительных машин, используемых при решении задач автоматизации проектирования РЭА.
реферат [27,0 K], добавлен 25.09.2010Разработка и совершенствование моделей синтеза и логического проектирования унифицированных модулей сигнатурного мониторинга для повышения эффективности тестового и функционального диагностирования микроконтроллерных устройств управления на их частоте.
диссертация [2,3 M], добавлен 29.09.2012Основы автоматизированного моделирования и оптимизации строительных процессов. Комплекс технических средств автоматизированных систем управления строительством: устройства преобразования сигналов, аппаратура сбора и регистрации данных, средства связи.
контрольная работа [451,2 K], добавлен 02.07.2010Обзор SCADA-систем как систем диспетчерского управления и сбора данных. Elipse SCADA как мощное программное средство, созданное для управления и контроля над технологическими процессами. Особенности автоматизации Запорожского железорудного комбината.
реферат [1,0 M], добавлен 03.03.2013Исходные данные, общая структура и основные этапы проектирования системы технического зрения. Рассмотрение функций и его реализация на базе однокристального микропроцессора КР1810. Разработка аппаратных средств и расчет времени работы программы.
реферат [476,0 K], добавлен 28.03.2011Режимы работы, типы технических средств телевизионных систем видеонаблюдения, этапы и алгоритм проектирования. Параметры выбора монитора и наиболее популярных устройств регистрации. Классификация камер, особенности внутреннего и внешнего монтажа.
реферат [1,1 M], добавлен 25.01.2009Характеристика пакетов прикладных программ САПР. Изучение особенностей работы SCADA-систем, которые позволяют значительно ускорить процесс создания ПО верхнего уровня. Анализ инструментальной среды разработки приложений сбора данных и управления Genie.
реферат [1,3 M], добавлен 11.06.2010Разработка усилителя тока с помощью средств систем автоматизированного проектирования. Моделирование усилителя тока в Multisim. Расчет размеров, размещение радиоэлектронных компонентов на печатной плате, ее трассировка с помощью волнового алгоритма.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 21.10.2015Специфика проектирования системы автоматического управления газотурбинной электростанции. Проведение расчета ее структурной надежности. Обзор элементов, входящих в блоки САУ. Резервирование как способ повышения характеристик надежности технических систем.
дипломная работа [949,7 K], добавлен 28.10.2013Принципы построения современных систем автоматизации технологических процессов, реализованных на базе промышленных контроллеров и ЭВМ. Разработка функциональной схемы автоматизации, обоснование выбора средств. Контроллер и модули ввода и вывода.
курсовая работа [77,2 K], добавлен 07.10.2012Программные средств для проектирования радиотехнических устройств. Основные технические возможности программы Microsoft Word. Сравнительные характеристики программ для математических расчётов. Программы моделирования процессов в радиоэлектронных схемах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 27.01.2010Варианты заданий к курсовому проектированию по дисциплине "Основы компьютерного проектирования и моделирования радиоэлектронных средств" для студентов 4 курса дневного обучения специальности 210302 "Радиотехника". Порядок выполнения курсового проекта.
курсовая работа [747,4 K], добавлен 03.01.2009
