Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения

Моделирование на схемотехническом уровне осуществляется путем вычисления основных параметров транзистора при радиационном воздействии.

Изменение порогового напряжения МОП-транзистора:

V_th=V_ot+V_it,

где V_th -- изменение порогового напряжения за счет V_ot -- накопленного в оксиде заряда и V_it -- заряда поверхностных состояний.

Вклады зарядов оксида и поверхностных состояний в общее изменение порогового напряжения могут быть определены следующим образом:

; ,

где Q_ot, Q_it -- радиационно-индуцированное изменение удельных зарядов оксида и поверхностных состояний соответственно; С₀ -- удельная емкость диэлектрика.

Заряд Q_ot, накопленный в диэлектрике при облучении, рассчитывается по формуле указанным в предыдущем разделах. Для вычисления удельного заряда поверхностных состояний можно воспользоваться выражениями

,

где D_it(_s) -- дифференциальная плотность поверхностных состояний (значение поверхностного потенциала _s определяет энергетическое положение уровня Ферми в запрещенной зоне кремния на границе раздела Si/SiO₂).

Если дифференциальная плотность поверхностных состояний не известна, а определена только интегральная плотность поверхностных состояний, то заряд поверхностных состояний рассчитывается по формуле

Q_it = q₀N_it,

где N_it -- интегральная плотность поверхностных состояний.

Значение Q_it определяется как разность численного заряда поверхностных состояний после облучения и исходного заряда поверхностных состояний.

Рост числа поверхностных состояний приводит к снижению подвижности носителей заряда в канале транзистора. В общем случае деградация подвижности описывается соотношением

,

где ₀ -- значение подвижности до облучения; -- постоянная.

В шестом разделе рассмотрены особенности развития научной и промышленной инфраструктуры автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения, структура программного пакета автоматизации проектирования, результаты моделирования, внедрения и эффективность его использования.

В разделе описывается развитие научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения. С этой целью создано техническое обеспечение дизайн-центра по проектированию изделий микроэлектроники, которое состоит из мощных высокопроизводительных компьютеров с использованием серверов баз данных, и приложений и рабочих станций. Реализация произведена на базе высокопроизводительных серверов фирмы Sun типа Sun Sparc с процессорами UltraSPARC фирмы Sun Microsystems, которые работают под управлением операционной системы Unix (Solaris 8 v.7), рабочих станций фирмы Hewlet Packard и Х-терминалов, которые представляют собой IBM PC или подобные машины, объединенных каналом типа Ethernet.

Создано программное обеспечение как интеграция высокопроизводительного ядра САПР фирмы Сadence Design System пакетов программ фирм Synopsys и Mentor Graphics, а также собственных разработок, позволяющих учесть радиационные эффекты.

К основным программным модулям собственных разработок относятся: интерфейс пользователя - INTER; управления комплексом в целом - MONITOR; определения параметров ионизирующего излучения - DMD; расчета дозовых характеристик радиационного воздействия - RAD; расчета термомеханических эффектов - IRBIC; моделирования переходных эффектов - PER; электронные обучающие средства - HELP.

На основе данных средств созданы маршруты проектирования различного класса микросхем, обеспечивающие проектные работы в сжатые сроки с высоким качеством с требуемым уровнем стойкости к климатическим, механическим и специальным воздействиям. Разработана нормативно-техническая документация использования средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники. Создана иерархическая библиотека типовых и функциональных элементов с учетом радиационного воздействия, которая включает более 500 элементов и позволяет проектировать СБИС любой сложности.

Оценка эффективности разработанных средств проводилась при создании микросхем серий 1882, 1830, 1867, 1874, транзисторов и транзисторных сборок, определения их соответствия требованиям технического задания, в том числе и по уровню стойкости, который оценивался экспериментально на моделирующих установках гамма-импульса. Анализ результатов испытаний показал, что расхождение расчетных и экспериментальных значений не превышало 20%. Кроме того, заданный уровень стойкости был получен практически с первых опытных партий изделий, что сокращало время реализации проекта, объем проведения физического моделирования и очень трудоемких и дорогостоящих экспериментальных исследований. Внедрение данных средств позволило существенно развить аппарат автоматизации проектирования, который заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах.

Проведенные работы подтвердили высокую эффективность разработанных средств, получены рекомендации ведущих ученых о ее распространении для внедрения на всех аналогичных предприятиях. Предложенные в работе решения в виде программно-аппаратного комплекса используются ВГТУ в лекционных курсах, лабораторных занятиях, курсовых, дипломных проектов, подготовке аспирантов и докторантов.

В актах внедрения, приведённых в приложении, отмечено, что на основе предложенных решений на предприятиях ОАО «Анстрем» (г. Зеленоград) и ФГУП «Научно исследовательский институт электронной техники» (г. Воронеж) значительно увеличена эффективность работы предприятий. Годовой экономический эффект, рассчитанный финансовой службой, составляет несколько миллионов рублей.

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы.

полупроводниковый транзистор микросхема управление

Основные результаты работы:

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;

2. Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети дизайн-центров;

3. Обоснован выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового дизайн-центра;

4. Разработаны математические модели и алгоритмы моделирования радиационных тепловых и термомеханических физических процессов в элементах конструкции СБИС;

5. Предложены математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

6. Разработаны математические модели переходных процессов при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, воздействия высоких и низких температур;

7. Предложены математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

8. Разработаны математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОП-структурах при воздействии импульсного и статического ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

9. Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства ДЦ;

10. Проведена программная реализация разработанных средств и создана единая программная среда проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

11. Предложены методика и особенности развития научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения;

12. Разработано методическое обеспечение, средств комплексной автоматизации проектирования.

13. С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются радиационно-стойкие микросхемы. В результате создана широкая номенклатура изделий и, таким образом, проведена опытная эксплуатация предложенных средств и оценена экономическую эффективность.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК

1. Ачкасов В.Н. Конструктивно-технологический базис для создания радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н.Ачкасов, А.Н. Зольникова // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - Вып. 4. - С.92-95.

2. Ачкасов В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып. 3. - С.87-90.

3. Зольникова А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ [Текст] / А.Н. Зольникова В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып. 4. - С.93-96.

4. Зольников В.К Математическое обеспечение проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2003. - Вып. 4. - С.97-99.

5. Зольников В.К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып. 1-2. - С.57-60.

6. Ачкасов В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР изделий электронной техники [Текст] / В.Н. Ачкасов // Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып. 1-2. - С.61-65.

7. Антимиров В.М. Вопросы построения адаптивных бортовых управляющих вычислительных комплексов [Текст] / Антимиров В.М. Ачкасов В.Н.// Системы управления и информационные технологии. 2005. - №4(21). - С.5 - 8.

8. Антимиров В.М. Моделирование надежности вариантов вычислительных комплексов для систем управления космических летательных аппаратов [Текст] / Антимиров В.М., Машевич П.Р., Ачкасов В.Н. // Известия ВУЗов. Северо-кавказский регион. Технические науки. 2005. - №3. - С.29 - 36.

9. Антимиров, В.М. Создание промышленной инфраструктуры разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / Антимиров В.М., Машевич П.Р., Ачкасов В.Н.// Авиакосмическое приборостроение. 2005. - №8. - С.9 - 11.

10. Антимиров В.М. Бортовые подсистемы инерциального управления и спутниковой навигации с автономными вычислителями [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н.// Авиакосмическое приборостроение. 2005. - №6. - С.20 - 22.

11. Антимиров В.М. Комплексная автоматизация разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / Антимиров, В.М., Фортинский Ю.К., Ачкасов В.Н.// Приводная техника. 2005. №2(54). - С.52 - 55.

12. Антимиров В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.М.Антимиров В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский// Приводная техника. 2005. - №3(55). - С.56 - 61.

13. Антимиров В.М. Особенности реализации подсистемы обработки геофизических полей и оптической навигации, как автономных вычислительных модулей [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н.// Полет. 2005. - №6. - С.55 - 60.

14. Антимиров В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. - №8. - С.23 - 26.

15. Ачкасов В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып.1-2. С. 20-24.

16. Ачкасов В.Н. Создание промышленной и научной инфраструктуры корпоративной разработки, производства и испытания элементной базы, модулей и вычислительных комплексов для систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып.3-4. С. 3-5.

17. Ачкасов, В.Н. Расчет тепловых эффектов радиационного происхождения конструкции ИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета Системы автоматизации проектирования. 2005. - №1. -С.205 - 209.

18. Зольников, В.К. Моделирование процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.К. Зольников, А.В. Ачкасов, И.П. Потапов, Д.Г. Хорюшин // Вестник Воронежского государственного технического университета Системы автоматизации проектирования. 2005. - №1. -С.135 - 138.

19. Ачкасов В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ [Текст] /В.Н. Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. - №3. -С.96 - 98.

20. Ачкасов В.Н. Принципы построения архитектуры технических средств дизайн-центра проектировнаия универсальных и специализированных радиационно-стойких микросхем [Текст] / В.Н.Ачкачов // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. - Вып.1-2. - С.144 - 146.

21. Ачкасов В.Н. Моделирование термомеханических эффектов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Приводная техника - 2006 - №5, с. 24-27.

22. Ачкасов В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно - стойких микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, А.В. Ачкасов // Приводная техника - 2006 - №4. - с. 52-55.

23. Зольников В.К. Моделировнаие физических процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / В.К .Зольников, В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, Д.Г. Хорюшин // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. - Вып.1-2. - С.58 - 62.

24. Гуляев, Ю.В. Моделирование радиационных эффектов в транзисторе [Текст] / Ю.В. Гуляев, В.Н. Ачкасов // Системы управления и информационные технологии. 2007. - №1(25). - С.29-34.

25. Ачкасов В.Н. Метод оценки заряда, накопленного в полевом оксиде [Текст] / В.Н. Ачкасов // Системы управления и информационные технологии. 2007. - №1(25). - С.34-37.

Монографии

26. Межов В.Е. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации [Текст] / В.Е. Межов, А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков - Воронеж: Изд-во ВГУ. 2002. - 178с.

27. Ачкасов В.Н. Разработка средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В.К. Зольников - Воронеж: Изд-во ВГУ. 2005. - 240с.

28. Ачкасов В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения : монография [Текст] / В.Н. Ачкасов.- Воронеж : Воронежский государственный университет, 2005.- 270с.

29. Гуляев Ю.В. Автоматизации проектирования специализированной микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения : монография [Текст] / Ю.В.Гуляев, В.Н. Ачкасов.- Воронеж : Воронежский государственный университет, 2005.- 319с.

Основные патенты и авторские свидетельства

30. А.с. №1790316, Способ изготовления структур больших интегральных КМОП схем [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский. Заявл. 22.02.92; Опубл. 12.02.93, Бюл. №4.

31. А.с. №1616448, Способ изготовления КМДП - интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов; Заявл. 22.05.90; Опубл. 21.01.91, Бюл. №3.

32. А.с. №1515965, Способ изготовления структур КМОП-интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов, Н.Я. Мещеряков; Заявл. 15.06.89; Опубл. 10.02.90, Бюл. №4.

33. А.с. №289950, Способ контроля ухода размеров топологических элементов интегральных схем [Текст] / В.Н. Ачкасов; Заявл. 1.03.89; Опубл. 21.02.90, Бюл. №1.

34. А.с. №1319755, Способ изготовления больших интегральных схем с короткоканальными МДП -транзисторами [Текст] / В.Н. Ачкасов, Н.Я. Мещеряков, С.А. Цыбин. Заявл. 15.06.89; Опубл. 21.01.90, Бюл. №3.

Статьи и материалы конференций

35. Ачкасов В.Н. Конструктивно-технологический базис разработки радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н. Ачкасов // Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: Тр. I Междунар. практ. конф. Королев: Изд-во М. РАКА, 2002. С.67.

36. Ачкасов В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.109 - 110.

37. Зольникова А.Н. Расчет стойкости компонентов КМОП ИС к радиационному воздействию [Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч.-техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.234-235.

38. Зольникова А.Н. Оценка стойкости и надежности ИС при воздействии гамма-излучения [Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч.-техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.236-239.

39. Ачкасов В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып. 5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.37-38.

40. Зольникова А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст] / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.107 - 108.

41. Ачкасов В.Н Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.50-54.

42. Ачкасов В.Н. Лингвистическое обеспечение АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.75-80.

43. Крюков В.П. Моделирование изменения параметров-критериев годности при воздействии радиации [Текст] / В.П. Крюков, В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2002. - С.146.

44. Ачкасов В.Н. Моделирование характеристик ИС приемки «5» [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К.Зольников // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Сб.науч.тр. - Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С.155-159.

45. Ачкасов В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К. Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2003. - С.38 -39.

46. Ачкасов В.Н. Моделирование характеристик ИС приемки «5» [Текст] / В.Н. Ачкасов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.8. - Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С. 200-201.

47. Ачкасов В.Н. Расчет норм микросхем для обеспечения заданной стойкости [Текст] / В.Н. Ачкасов // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2003. - С.64.

48. Антимиров В.Н. Автоматизация проектирования базового программного обеспечения бортовых вычислительных комплексов систем управления нового поколения [Текст] / Антимиров В.Н., Ачкасов В.Н., Крюков В.П. //Труды всероссийской конференции "Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах. - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. -С. 12-13.

49. Ачкасов В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления. [Текст] / В.Н.Ачкасов, В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, Ю.К. Фартинский // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. -С. 45-46.

50. Зольников В.К. Задачи автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.К.Зольников, А.В.Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. -С. 61-62..

51. Антимиров В.М., Дизайн центры автоматизации проектирования вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р., Фортинский Ю.К..// Материалы международной научной конференции "Математические метод в технике "технологии-ММТТ-18. -Казань: Казанский государственный технологический университет. - 2005.-С. 34-35.

52. Машевич П.Р. Задачи создания отечественной промышленной технологии автоматизации проектирования СБИС [Текст] / П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский, В.Н. Ачкасов // Материалы международной научной конференции "Кибернетика..21век». - Москва: - 2005.-С. 45-46.

53. Ачкасов В.Н. Повышение производительности элементной базы для бортовых вычислительных машин за счет специализации системы команд [Текст] / В.Н. Ачкасов В.П. Крюков, П.Р. Машевич, // Материалы международной научной конференции "Кибернетика..21век». - Москва: - 2005.-С. 46-47.

54. Ачкасов В.Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров. П.Р.Машевич // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». - Москва: МИФИ. - 2005.- С.251.

55. Ачкасов В.Н. Проектирование радиационно-стойких БИС [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.К.Зольников, Ю.К.Фортинский // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». - Москва: МИФИ. - 2005.- С.43-44.

56. Ачкасов В.Н. Средства проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». - Воронеж: Издательство «Научная книга». - 2005. - С.152-153.

57. Ачкасов В.Н. Задачи автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.В. Ачкасов, А.Н. Зольникова // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». - Воронеж: Издательство «Научная книга». - 2005. - С.154-156.

58. Ачкасов В.Н. Средства проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство «Радио и связь». - 2005. Часть 1 - С.74 -75.

59. Ачкасов В.Н. Технология создания современной элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство «Радио и связь». - 2005. Часть 1 - С.75 -76.

60. Ачкасов В.Н. Микроконтроллеры и цифровые сигнальные процессоры разработки Воронежского НИИ Электронной техники для применения в бортовой радиоэлектронной аппаратуре [Текст] / В.Н.Ачкасов, В.С.Горохов, В.П. Крюков // Тезисы докладов 4-ой международной конференции «Авиация и космонавтика - 2005». - М: Издательство МАИ, 2005. С.36

61. Ачкасов, В.Н. Экономичный алгоритм оценка стойкости элементной базы к воздействию ионизирующих излучений [Текст] / В.Н. Ачкасов, А.В. Сакерский, В.М. Питолин, А.А.Обухов // Материалы международной конференции «Высокие технологии энергосбережения». - Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11-12.

62. Ачкасов В.Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы для модулей бортовых систем управления [Текст] / Ачкасов В.Н.// Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.Х. - Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С. 213-214.

63. Ачкасов В.Н. Обоснование структуры АРМ проектирования базовых элементов микросхем двойного назначения /[Текст] В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, Ю.К. Фортинский, В.Е. Межов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.Х. - Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С. 215-216.

64. Ачкасов В.Н. Структура средств проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов В.Н. // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2005. Вып.2. - С. 217-218.

65. Ачкасов В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. - № 2(20). - С.197 - 204.

66. Анитимиров В.М. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе [Текст] / В.М. Анитимиров, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. - № 2(20). - С.238 - 243.

67. Зольников В.К. Проблемы создания проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К. Зольников, В.Е. Межов, П.Р. Машевич, В.Н. Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции «Наука и образование» - Воронеж, 2005. - С. 216-219.

68. Ачкасов В.Н. Методика определения стойкости изделий микроэлектроники [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». - Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2006. -С. 72-73.

69. Ачкасов В.Н. Оценка стойкости элементной базы в процессе проектирования и производства [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. - 2006. Том 5. -С. 69-71

70. Ачкасов В.Н. Разработка библиотечных элементов СБИС двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки». - Воронеж: Воронежский институт МВД. - 2006. Выпуск 1.- С.13.

71. Ачкасов В.Н. Интеграция программных средств САПР [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 2 - С.34.

72. Ачкасов В.Н. Состояние разработок элементной базы ФГУП НИИЭТ [Текст] / В.Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 2 - С.35.

73. Ачкасов В.Н. Методы оценки стойкости элементной базы [Текст] / В.Н. Ачкасов // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. - С. 189 - 192.

74. Ачкасов В.Н. Интеграция программного обеспечения САПР [Текст] / В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. - С. 69 - 71.

75. Ачкасов В.Н. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации [Текст] / В.Н. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. - № 2(27). С.180 - 187.

76. Ачкасов В.Н. Оптимальный синтез программной среды систем автоматизации проектирования микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич// Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. - 2006.Том 2. -С. 29-31.

77. Ачкасов В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков, И.П. Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». - Москва: МИФИ. - 2006.- С.123-124.

78. Ачкасов В.Н. Процессы перераспределения тепла после воздействия импульса излучения [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». - Москва: МИФИ. - 2006.- С.125-126.

79. Ачкасов В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе [Текст] / В.Н. Ачкасов, Ю.В. Гуляев // Моделирование систем и процессов- Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. - С. 6 - 12.

80. Ачкасов В.Н. Моделирование накопления заряда в полевом оксиде [Текст] / В.Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов- Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. - С. 12 - 15.

81. Потапов И.П. Моделирование статических радиационных эффектов в КМОП приборах [Текст] / И.П. Потапов, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. - С. 221 - 223.

82. Зольников В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, П.Р. Машевич, И.П. Потапов // Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. - №3. -С.9 - 11.

83. Ачкасов В.Н. Математическая модель накопления заряда в полевом окиде при радиационном воздействии [Текст] / В.Н. Ачкасов // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Ярославль. Яровлавский технический университет. - 2007.Том Х. -С. 13-14.

????????? ?? Allbest.ru