Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 14.04.2018 |
| Размер файла | 867,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
10. Статьи и материалы конференций:
11. Корнеев И.В. Моделирование и исследование фоточувствительного полупроводникового прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // "Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание - 2005": материалы 7-ой Междунар. научн. - техн. конф. - Курск: - Изд-во КГТУ, - 2005 - С.91-92.
12. Корнеев И.В. Моделирование N - фотоприемника. / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды Десятой Междунар. научн. - техн. конф. - Таганрог: Изд-во ТГРУ, - 2006 - С.261-263.
13. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды IX Междунар. конф. - Ульяновск, УлГУ, - 2007 - С.62.
14. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью и устройство позиционирования на его основе / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, М.А. Терентьев // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т.11: Сборник трудов Четвертой Междунар. научн. - практ. конф. "Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности" - СПб.: Изд-во политехн. ун-та, - 2007 - С.355-357.
15. Корнеев И.В. Позиционный фотодатчик с отрицательной проводимостью. / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Девятая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике - СПб.: Изд-во политехн. ун-та, - 2007 - С.102.
16. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью и устройства позиционирования на его основе / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Актуальные проблемы современной науки: Междунар. форум-конкурс - Самара - 2007 - С. 20-23.
17. Корнеев И.В. Полупроводниковый прибор с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Г. Новикова // "Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание 2008": материалы 8-й Междунар. научн. - техн. конф. - Курск: Изд-во КГТУ, - 2008 - С.123.
18. Корнеев И.В. Полупроводниковый прибор с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Г. Новикова // Микроэлектроника и информатика - 2008: материалы 15-ой Всерос. межвуз. научн. - технич. конф. студентов и аспирантов. - М: Изд-во МИЭТ, - 2008 - С.90.
19. Корнеев И.В. Полупроводниковые приборы с передаточной вольт-амперной характеристикой N-типа и защитой от перенапряжения / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Высокие технологии, фундаментальные исследования, образование.: сб. трудов Седьмой Междунар. научн. - практич. конф. "Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности" - СПб.: Изд-во политехн. ун-та, 2009 - С.109-110.
20. Корнеев И.В. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Радиоэлектронная техника: межвуз. сб. науч. трудов - Ульяновск,, 2009 - С.14-20.
21. Корнеев И.В. Многослойные фотоприемники с отрицательной проводимостью // Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: материалы 12-й регион. научн. школы-семинара - Ульяновск Изд. - во: УлГТУ - 2009 - С.46-48.
22. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительные фотоприемники для фотоэлектрических преобразователей координат и углов / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Радиоэлектронная техника: межвуз. сб. науч. трудов - Ульяновск, Изд. - во: УлГТУ, - 2010 - С. 20-26.
23. Корнеев И.В. Позиционный фотодатчик / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, В.А. Родионов // труды Междунар. конф. "Современные проблемы наноэлектроники, нанотехнологий, микро - и наносистем": - Ульяновск УлГУ,-2010 - С. 199-201.
24. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный комбинированный прибор с N-образной вольт-амперной характеристикой / Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Н. Максин, С.Г. Новиков // Материалы IV Рос. семинара по волоконным лазерам - Ульяновск, УлГУ, 2010 - С.125.
25. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный N-фотоприемник / Н.Т. Гурин, С.Г. Новиков, И.В. Корнеев, А.Н. Максин // Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание-2010 - Курск, Изд-во КГТУ - 2010 - С.91-93.
26. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный фотоприемник / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии, микросистемы: труды XII Междун. конф. - Ульяновск, УлГУ, - 2010 - С.18.
27. Корнеев И.В. Моделирование позиционно-чувствительного фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // труды V Междунар. научн. - практ. конф. Информационные и коммуникационные технологии в образовании, науке и производстве: - Протвино, 2011 - С.48-49.
28. Корнеев И.В. Угловой фотопреобразователь с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.В. Евстигнеев // Опто - наноэлектроника, нанотехнологии, микросистемы: труды XIII Междун. конф. - Ульяновск, УлГУ, - 2011 - С.416.
29. Корнеев И.В. Фотопреобразователь углов атаки / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, и др. // материалы 1-й Всерос. научн. - практ. конф. Устройства измерения, сбора и обработки сигналов в информационно-управляющих комплексах: - Ульяновск, УлГТУ, - 2011 - С.108-115.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Типы структур фотоприемных ячеек фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Накопление заряда в пикселях ФПЗС и его перенос. Метод краевой функции рассеяния. Зависимость модуляции от параметров. Моделирование ФПЗС с обратной засветкой.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 03.07.2014Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 07.01.2015Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа [115,4 K], добавлен 18.06.2015Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 09.12.2015Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа [270,1 K], добавлен 19.02.2013Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция [190,2 K], добавлен 20.01.2010Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа [636,9 K], добавлен 24.06.2015Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.12.2009Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013Анализ схемотехнических решений мультиметров, рассмотрение принципов работы устройства для проверки элементов, разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Меры безопасности при техническом обслуживании средств вычислительной техники.
дипломная работа [4,2 M], добавлен 11.01.2015Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010
