Измерение цифровых интегральных схем

Измерение динамических электрических параметров микросхем. Примеры существующих измерительных установок для проверки цифровых интегральных схем. Особенности практической реализации блока коммутации измерительной установки измерительной системы.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 06.06.2018
Размер файла 1,7 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Микросхема LM2596 удобна в применении в качестве понижающего преобразователя. Импульсный понижающий регулируемый стабилизатор постоянного напряжения имеет высокий КПД. Меньше нагревается, если сравнивать с модулями на линейных стабилизаторах. Источник питания может применяться в широком спектре устройств. К безусловным достоинствам относится работа в ощутимом диапазоне входного напряжения. Высокий КПД и сниженный нагрев объясняется следующими причинами.

Питание коммутируется мощным транзистором микросхемы, работающим в двух режимах: полностью открыт или закрыт. Сопротивление открытого транзистора очень низкое, при протекании через него тока нагрев мал. Через закрытый транзистор ток не течет - нагрева нет.

6. Построение принципиальной схемы и топологии блока коммутации

Как говорилось выше, блок коммутации предназначен для формирования выходных последовательностей подаваемых на проверяемую интегральную микросхему и коммутацию проверяемых ее выводов на вход и выход, а так же подключение внутренних измерителей задержек и встроенных частотомеров. А так же подключение емкостной резистивной нагрузки. Принципиальная схема данного блока коммутации представлена в документе ФМРМ.301147.005 Э3. Разрабатываемый блок коммутации должен иметь конструктивное исполнение, предназначенное для монтажа на шасси измерительной установки, показанной на рисунке 6.1.

Рисунок 6.1 Установочное место блока коммутации

Принципиальная схема бока коммутации состоит из двенадцати однотипных модулей, которые показаны на принципиальной схеме, как блок А1, А2, А3 и так далее до А12. Рассмотрим принцип работы блока коммутации на примере однотипного блока А1. Данный блок состоит из 5-ти интегральных микросхем, обозначенных по порядку с DD1 по DD5. Микросхеме DD1 соответствует сдвоенный дешифратор. Микросхеме DD2 и DD4 соответствуют выходные преобразователи уровня, микросхемам DD3 и DD5 - микросхемы токовой защиты.

Данный блок предназначен для коммутации двух выводов интегральной микросхемы, которые, соответственно, подписаны “Вывод 1” и
“Вывод 2”. По умолчанию, электромагнитное реле К8 и К16 находятся в свободно замкнутом положении с выводом 5 либо выводом 13. Данные выводы предназначены для подключения к внешнему измерителю статических параметров. То есть, по умолчанию, если установка обесточена, либо реле находится в выключенном состоянии, все выводы проверяемой микросхемы соединены с внешним разъемом для подключения измерителя статических параметров. Для работы с самим измерителем на реле К8 и К16 подается электрический ток, в результате которого контакты перекидываются в другую сторону и соединяются со следующей схемой.

В зависимости от того, на что мы хотим настроить выход - на вход или на выход, мы переключаем реле К7, либо реле К15. По умолчанию реле К7 и К15 находятся с настроенным состоянием на выход, то есть вывод настроен на выход. При необходимости перевода вывода 1 на состояние “Вход”, мы подаем электрический ток на реле К7 и вывод настраивается на вход.

Рассмотрим, как будет работать схема, когда Вывод 1 и Вывод 2 настроены на выход. Для этого нужно подать электрический ток на реле К8 и К16, в результате чего настроенные выходы отключаются от измерителя статических параметров и подключаются на внутреннюю схему. При этом, на реле К7 и К15 электрический ток не подается, потому что у них и так группа контактов находится в свободно замкнутом положении. При этом получается, что вывод 1 и вывод 16 соединились с выходом 5 микросхемы DD2 и микросхемой DD4 соответственно. Как говорилось ранее в описании выбора элементной базы, назначение данного преобразователей DD1 и DD2 - это получение необходимого уровня фронта выходного сигнала не более 15 наносекунд переднего и заднего фронта, а так же выставление необходимого логического уровня. На данный преобразователь уровней DD1 и DD4 к выводам 1 поступает необходимый цифровой импульсный сигнал, для его подачи на выводы испытуемой интегральной микросхемы. В качестве задания уровней логической единицы данных преобразователей уровня, служит вывод 3 микросхемы DD2 и DD4 соответственно. Данные выводы подключаются через шунтовой резистор R10 к выводам 8 и 7 микросхем DD3 и DD5. Данные микросхемы служат для контроля максимального тока, протекающего через преобразователь уровней и служит для защиты выходного каскада микросхем DD2 и DD4 от перегрузок, в связи с коротким замыканием при проверке интегральной микросхемы или неправильной настройке выводов проверяемой интегральной микросхемы. При превышении тока, протекающего по выводам 3 микросхем DD2 и DD4, возрастает напряжение падения на шунтовом резисторе R10, в результате чего потенциал на выводах 8 и 7 превышает определенный уровень. Данный уровень задается резисторным делителем, который подключается к выводам 2, 3 и 4 микросхем DD3 и DD5, то есть резисторами R11 и R12. При превышении уровня на выводах 8 и 7, установленного с помощью делителя на выходах 2, 3 и 4 микросхем DD3 и DD5, появляется логический уровень на выходе 6 микросхем DD3, DD5. В результате дальнейшей обработки данного логического уровня происходит отключение напряжения питания блока коммутаций +24 В и подача сигнала о сообщении брака, в результате возникновения перегрузки, либо короткого замыкания. После чего испытание проверки данной микросхемы останавливается.

Напряжение питания выходного каскада, который подключается через шунтовой резистор R10 к выводам 3 микросхем DD2 и DD4, может подключаться к любому из четырех программируемых источников. Данная коммутация осуществляется с помощью сильноточного коммутатора, выполненного на транзисторах VT1, VT2, VT3, VT4, находящимися под управлениям транзисторов VT5 и VT8. То же самое и с противоположной частью схемы.

Допустим, мы хотим, чтобы микросхема выходного преобразователя уровней DD2 была подключена к первому программируемому источнику, для этого нужно, чтобы открылся полевой транзистор VT1, при этом другие были заперты. Для того, чтобы открылся транзистор VT1, нужно подать код, равный цифре 3, на первую часть микросхемы дешифратора DD1. То есть, мы подаем код “11” на выводы 2 и 3, в результате чего возникает логический ноль на выводе 7 данной микросхемы, при этом, на выходах 4, 5, 6 микросхемы DD1 будет соответствовать единицы, в результате чего транзисторы VT8, VT7, VT6 будут открыты, так как у них тип проводимости n-p-n и они открываются плюсом на базе, относительно эмиттера, а транзистор VT5 будет заперт. В результате чего затворы транзисторов VT4, VT3, VT2 будут соединены на общий провод, то есть на них будет находиться нулевой потенциал, следовательно, транзисторы VT4, VT3, VT2 будут заперты. Так как транзистор VT5 заперт, благодаря резистору R1, который подключен к +24 В, транзистор VT1 открывается. В результате чего вывод микросхемы DD2 через шунтовой резистор R10, через транзистор VT1 подсоединяется к первому программируемому источнику.

Соответственно, если мы хотим подключить выходной каскад на выходном преобразователе уровней DD2 к любому другому из 4-х программируемых источников, на вход дешифратора DD1 подаем код, соответствующий номеру источника. То есть, если мы хотим его подсоединить к четвертому источнику - подаем код все единицы, ну а если к первому источнику - подаем все нули. Таким образом, мы разобрали, как осуществляется коммутация выходного преобразователя уровней на необходимый программируемый источник.

Теперь рассмотрим назначение выводов реле К1, К2, К3, К4, К5, К6, К9, К10, К11, К12, К13, К14. Назначение данных реле следующее. Реле К1 и К9 предназначены для подключения к выводу проверяемой микросхемы емкостной нагрузки. К4 и К12 - для подключения внешней резистивной нагрузки, которая на данной принципиальной схеме не показана. К2, К3, К5, К6, К10, К11, К13, К14 - подключение внутреннего измерителя задержек и внутреннего измерителя частоты, то есть частотомера.

7. Разработка конструкции коммутационных колодок

Конструктивно блок коммутации рассчитан для осуществления коммутации, то есть настройки выводов проверяемой микросхемы. Проверяемая микросхема в зависимости от способа сортировки и типу корпусов может либо подсоединяться к измерительной установки в ручную, либо осуществляться контактированием с помощью внешних автоматов контактирования, так называемых сортировочных устройств. При ручном контактировании микросхем, микросхемы вставляются в специальные держатели микросхем. Чертежи данной колодки приведены в документах ФМРМ.301147.002 и ФМРМ.301147.003. Внешний вид колодки показан в соответствии с рисунком 7.1.

Рисунок 7.1 Внешний вид колодки для установки проверяемых микросхем

Данные колодки предназначены для подключения микросхем в планарном метало-керамическом корпусе с количеством выводов 14, 16 и 24. Данные колодки выполнены путем фрезерования из монолитного куска оргстекла, ТОСП-1-24 ГОСТ 17622-72. Сверху на данных колодках в количестве трех штук располагаются контактирующие устройства, с помощью которых происходит временное контактирование с проверяемой интегральной микросхемой. На одном из торцов данных колодок располагается 50 контактный разъем, который, собственно, осуществляет подсоединение колодки к блоку коммутации. Для подсоединения колодки к блоку коммутации служит так называемый держатель колодок, приведенный на документе ФМРМ.301147.001. Внешний вид держателя колодок показан в соответствии с рисунком 7.2.

Рисунок 7.2 Внешний вид держателя колодок

Данный держатель колодок так же выполнен путем фрезерования, но из квадрата стального горячекатаного 40хн3ма 110х110.

Данный держатель колодок осуществляет как механическое удерживание колодки с помощью постоянного магнита, закрепленного в отверстии с диаметром 18,2 мм, так и электрическое контактирование с помощью 50 контактного разъема, вставленного в отверстие на одной из стенки держателя колодок. Закрепленный держатель колодок на корпусе измерительной установки показан на рисунке 7.3.

Рисунок 7.3 Закрепленный держатель колодок на корпусе

Уже от этого разъема посредством жгута происходит электрическое соединение с блоком коммутации, разработанного в данном дипломном проекте.

8. Безопасность жизнедеятельности

8.1 Вредные факторы при работе с ПК

Опасным фактором при работе с ПК является повышенное значение напряжения в электрической цепи. К потенциально вредным можно отнести такие факторы, как недостаточную освещенность рабочей зоны, отсутствие или недостаток естественного света, монотонность труда (продолжительность работы с дисплеем при 8 часовом рабочем дне с учетом перерыва каждый час на 5-10 минут).

Отдельно следует отметить другую характерную особенность рабочих мест с персональным компьютером - повышенный уровень электромагнитного излучения, исходящий от монитора. Для защиты от воздействия вредных и опасных факторов, монитор должен соответствовать определенным требованиям.

Конструкция монитора должна быть обеспечивать возможность фронтального наблюдения экрана путем поворота корпуса в горизонтальной плоскости вокруг вертикальной оси в пределах ± 30 ? и в вертикальной плоскости вокруг горизонтальной оси в пределах ± 30 ? с фиксацией в заданном положении. Дизайн мониторов должен предусматривать окраску в спокойные мягкие тона с диффузным рассеиванием света. Корпус монитора, системного блока и клавиатуры должен иметь матовую поверхность одного цвета с коэффициентом отражения 0,4 - 0,6 и не иметь блестящих деталей, способных создавать блики.

Конструкция монитора должна предусматривать наличие ручек регулировки яркости и контраста, обеспечивающие возможность регулировки яркости и контраста, обеспечивающие возможность регулировки этих параметров от минимальных до максимальных значений. Монитор должен обеспечивать мощность экспозиционной дозы рентгеновского излучения в любой точке на расстоянии 0,05 м от экрана и корпуса монитора при любых положениях регулировочных устройств не должна превышать 7,74х10 А/кг, что соответствует эквивалентной дозе, равной 0,1 мбэр/час (100 мкР/час).

Для освещения помещений с ПК должны применяться преимущественно люминесцентные лампы типа ЛБ. При устройстве отраженного освещения в производственных помещениях допускается применение металлогалогенных ламп мощностью до 250 Вт. Допускается применение ламп накаливания в светильниках местного освещения.

Искусственное освещение в помещениях эксплуатации мониторов и ПЭВМ должно осуществляться системой общего равномерного освещения.

Освещенность на поверхности стола в зоне размещения рабочего документа должна быть 300 - 500 лк. Допускается установка светильников местного освещения для подсветки документов.

Местное освещение не должно создавать бликов на поверхности экрана и увеличивать освещенность экрана более 300 лк.

Общее освещение следует выполнять в виде сплошных или прерывистых линий светильников, расположенных сбоку от рабочих мест, параллельно линии зрения пользователя при рядном расположении ПК. При периметральном расположении компьютеров линии светильников должны располагаться локализовано над рабочим столом ближе к его переднему краю. Яркость светильников общего освещения в зоне углов излучения от 50 до 90 градусов с вертикалью в продольной и поперечной плоскостях должна составлять не более 200 кд/кв.м, защитный угол светильников должен иметь не просвечивающий отражатель с защитным углом не менее 40 градусов.

8.2 Организация рабочего места, оснащение, требование к помещению

Рабочее место - это участок производственной площади, оснащенный оборудованием и другими средствами труда, соответствующего характеру работ, выполняемых на этом рабочем месте.

Правильная организация рабочего места подразумевает знание и выполнение эргономических требований, которые определяются существующими стандартами. Так ГОСТ 12.2.032-78. "ССБТ. Рабочее место при выполнении работ сидя. Общие эргономические требования" определяет общие эргономические требования к рабочему месту при выполнении работ сидя, а ГОСТ 12.2.033-78."ССБТ. Рабочее место при выполнении работ стоя. Общие эргономические требования" - при выполнении работ стоя.

Стол должен быть оборудован ящиками для хранения инструмента и материалов. Поверхность стола, покрытая пластмассовым материалом с окантовкой, предотвращающая скатывание мелких деталей. Инструмент раскладывается по ящикам стола по группам его применения: измерительный, монтажный, сборочный и слесарный. Каждый ящик имеет гнездо для инструмента. Рабочее место оборудуется местным освещением на напряжение 36В, розеткой на паяльник напряжением не более 50 В, датчиком для измерения температуры паяльника, вытяжкой и приспособлением для хранения документации. Конструкция стола-табурета с регулируемым по высоте сиденьем и спиной позволяет предусматривать наиболее удобную рабочую высоту.

Одним из главных требований, предъявляемых к рабочему месту, является правильное размещение инструмента. На рабочем месте находится только необходимый инструмент, документация и дневной запас материалов. Все, что берется левой рукой, должно находиться слева - справа от рабочего.

Заслуживает внимание использование универсального инструмента и приспособлений. Их введение позволяет повысить производительность на 84%.

Необходимо помнить, что работать следует только инструментом, предназначенным для данной операции.

8.3 Микроклимат в производственных помещениях микроэлектроники

Трудовая деятельность человека всегда протекает в определенных метеорологических условиях, которые определяются следующими параметрами: температура, относительная влажность, скорость движения воздуха на раб. месте, интенсивность теплового излучения, барометрическое давление, р, мм рт. ст. (не нормируется).

В соответствии с ГОСТ 12.1.005-88 нормируемые параметры микроклимата подразделяются на оптимальные и допустимые.

Оптимальные и допустимые нормы температуры, влажности и скорости движения воздуха установлены системой стандартов безопасности труда.

Оценка микроклимата проводится на основе измерений его параметров (температура, влажность воздуха, скорость его движения, тепловое излучение) на всех местах пребывания работника в течение смены и сопоставления с нормативами согласно СанПиН 2.2.4.548-96 «Гигиенические требования к микроклимату производственных помещений». По действующим нормативным положениям комплекс микроклиматических условий в помещениях различного назначения оценивается сочетанием значений температуры, скорости и относительной влажности воздуха, выбираемых в зависимости от категории физической тяжести выполняемой в этих условиях работы, интенсивности теплового излучения, времени года, величины избытков теплоты.

Определенному сочетанию всех упомянутых параметров должно соответствовать определенное физиологическое состояние работающего человека (оптимальное либо допустимое). Недостаточная влажность приводит к интенсивному испарению влаги со слизистых оболочек, их пересыханию.

Длительное влияние высокой температуры в сочетании со значительной влажностью может привести к накоплению тепла в организме и к гипертермии -- состоянию, при котором температура тела повышается до 38 °С.

При низкой температуре, значительной скорости и влажности воздуха возникает переохлаждение организма. Вследствие воздействия низких температур могут возникнуть холодовые травмы.

Оптимальные микроклиматические условия установлены по критериям оптимального теплового и функционального состояния человека. Они обеспечивают общее и локальное ощущение теплового комфорта в течение 8-часовой рабочей смены при минимальном напряжении механизмов терморегуляции, не вызывают отклонений в состоянии здоровья, создают предпосылки для высокого уровня работоспособности и являются предпочтительными на рабочих местах. Перечень других рабочих мест и видов работ, при которых должны обеспечиваться оптимальные величины микроклимата определяются Санитарными правилами по отдельным отраслям промышленности и другими документами, согласованными с органами Государственного санитарно-эпидемиологического надзора в установленном порядке.

Допустимые микроклиматические условия установлены по критериям допустимого теплового и функционального состояния человека на период 8-часовой рабочей смены. Они не вызывают повреждений или нарушений состояния здоровья, но могут приводить к возникновению общих и локальных ощущений теплового дискомфорта, напряжению механизмов терморегуляции, ухудшению самочувствия и понижению работоспособности. Допустимые величины показателей микроклимата устанавливаются в случаях, когда по технологическим требованиям, техническим и экономически обоснованным причинам не могут быть обеспечены оптимальные величины.

Оптимальные и допустимые нормы микроклимата в рабочей зоне производственных помещений представлены в таблице 8.1.

Таблица 8.1

Оптимальные и допустимые нормы параметров микроклимата в рабочей зоне производственных помещений

Период года

Категория работ

Температура воздуха, С

Относительная влажность воздуха, %

Скорость движения воздуха, м/с

оптимальная

допустимая

верхняя
граница

нижняя

граница

на рабочих местах

оптимальная

допустимая, неболее

оптим. не более

допуст.

постоян.

непостоян.

постоян.

непостоян.

Холодный

Легкая

21-23

24

25

20

17

40-60

75

0,1

Не более

0,2

Теплый

Легкая

22-24

28

30

21

19

40-60

60

(при 27С)

0,2

0,1-0,3

К чистым помещениям относятся помещения классов чистоты: 1, 10, 100, 1000.

В зависимости от размеров и количества частиц, в 1 л. воздуха или газа, установлены классы чистоты для чистых помещений и чистых рабочих мест смотреть таблицу 8.2.

Таблица 8.2

классы чистоты для чистых помещений

Класс чистоты

Максимальное количество частиц в одном литре воздуха размером 0,5 мкм и более

Меры обеспечения требуемых классов чистоты

1

0,035

Подача отфильтрованного воздуха, проходящего многоступенчатую очистку; ламинарность воздушного потока, использование рециркуляции воздуха, обеспечение избыточного давления и ионизация воздуха.

10

0,35

100

4,0

Подача отфильтрованного воздуха, проходящего трехступенчатую очистку; ламинарность воздушного потока, использование рециркуляции воздуха, обеспечение избыточного давления отфильтрованного воздуха не менее 0,2мм вод. Ст. относительно смежных помещений более низких классов чистоты.

1000

100

Стандартом устанавливаются допустимые значения точности поддержания температуры воздушной среды: ±0,1; ±0,2; ±0,5; ±1; ±2 ?С в пределах оптимальных норм (20 - 24) ?С в соответствии ГОСТ 12.1.005.

Стандартом устанавливаются следующие допустимые значения точности поддержки относительной влажности воздушной среды: ±3; ±5; ±10%. Значения относительной влажности не должны превышать 60%.

Параметры микроклимата в производственных помещениях не требующих повышенной чистоты или точности подержания температуры и относительной влажности воздушной среды, должны соответствовать ГОСТ 12.1.005.

8.4 Электромагнитное излучение

Электромагнитное поле (ЭМП) радиочастот характеризуется способностью нагревать материалы, распространяться в пространстве и отражаться от границы раздела двух сред, взаимодействовать с веществом. При оценке условий труда учитываются время воздействия ЭМП и характер облучения работающих.

Изменения в крови наблюдаются, как правило, при ППЭ выше 10 мВт/см2. При меньших уровнях воздействия наблюдаются фазовые изменения количества лейкоцитов, эритроцитов и гемоглобина (чаще лейкоцитоз, повышение эритроцитов и гемоглобина). При длительном воздействии ЭМП происходит физиологическая адаптация, или ослабление иммунологических реакций.

Поражение глаз в виде помутнения хрусталика - катаракты - является одним из наиболее характерных специфических последствий воздействия ЭМП в условиях производства. Помимо этого следует иметь в виду и возможность неблагоприятного воздействия ЭМП-облучения на сетчатку и другие анатомические образования зрительного анализатора.

Клинико-эпидемиологические исследования людей, подвергавшихся производственному воздействию СВЧ-облучения при интенсивности ниже 10 мВт/см2, показали отсутствие каких-либо проявлений катаракты.

Воздействие ЭМП с уровнями, превышающими допустимые, может приводить к изменениям функционального состояния центральной нервной и сердечно-сосудистой систем, нарушению обменных процессов и др. При воздействии значительных интенсивностей СВЧ могут возникать более или менее выраженные помутнения хрусталика глаза. Нередко отмечаются изменения в составе периферической крови. Начальные изменения в организме обратимы. При хроническом воздействии ЭМП изменения в организме могут прогрессировать и приводить к патологии.

Интенсивность электромагнитных полей радиочастот на рабочих местах персонала, проводящего работы с источниками ЭМП, и требования к проведению контроля регламентируют специальные ГОСТы.

Средства и методы защиты от ЭМП подразделяются на три группы: организационные, инженерно-технические и лечебно-профилактические.

Организационные мероприятия предусматривают предотвращение попадания людей в зоны с высокой напряженностью ЭМП, создание санитарно-защитных зон вокруг антенных сооружений различного назначения.

Общие принципы, положенные в основу инженерно-технической защиты, сводятся к следующему: электрогерметизация элементов схем, блоков, узлов установки в целом с целью снижения или устранения электромагнитного излучения; защита рабочего места от облучения или удаление его на безопасное расстояние от источника излучения. Для экранирования рабочего места используют различные типы экранов: отражающие и поглощающие.

В качестве средств индивидуальной защиты рекомендуются специальная одежда, выполненная из металлизированной ткани, и защитные очки.

8.5 Электробезопасность

Существует опасность поражения человека электрическим током на рабочем месте. В тех случаях, когда раздражающее действие тока становится настолько сильным, что человек не в состоянии освободиться от контакта, возникает опасность длительного протекания тока через тело человека. Длительность воздействия таких токов может привести к затруднению и нарушению дыхания. Для переменного тока промышленной частоты, сила неотпускающего тока находится в пределах 16-20 мА и более. Постоянный ток не вызывает неотпускающего эффекта, а приводит к сильным болевым ощущениям. Сила такого тока 15-80 мА и более. В связи с этим применяются следующие меры защиты от поражения электрическим током:

- все токоведущие детали должны быть изолированы диэлектриком и к ним не должно, быть прямого доступа;

- использование общего выключателя, при помощи которого в нужный момент можно прекратить подачу тока на все установки;

- весь персонал в обязательном порядке инструктируется о мерах безопасности.

Важное значение, для предотвращения электротравматизма, имеет правильная организация обслуживания действующих электроприборов, проведение ремонтных и профилактических работ.

8.6 Пожарная безопасность

Для промышленных предприятий установлены следующие правила пожарной безопасности.

Технологические процессы должны проводиться в соответствии с регламентами, правилами технической эксплуатации и другой утвержденной в установленном порядке нормативно-технической и эксплуатационной документацией, а оборудование, предназначенное для использования пожароопасных и взрывопожароопасных веществ и материалов, должно соответствовать конструкторской документации.

На каждом предприятии должны быть данные о показателях пожарной опасности, применяемых в технологических процессах веществ и материалов по ГОСТ 12.1.044-89.

При работе с пожароопасными и взрывопожароопасными веществами и материалами должны соблюдаться требования маркировки и предупредительных надписей на упаковках или указанных в сопроводительных документах.

Совместное применение (если это не предусмотрено технологическим регламентом), хранение и транспортировка веществ и материалов, которые при взаимодействии друг с другом вызывают воспламенение, взрыв или образуют горючие и токсичные газы (смеси), не допускается.

Планово-предупредительный ремонт и профилактический осмотр оборудования должен проводиться в установленные сроки и при выполнении мер пожарной безопасности, предусмотренных проектом и технологическим регламентом.

Конструкция вытяжных устройств (шкафов, окрасочных, сушильных камер и т.д.), аппаратов и трубопроводов должна предотвращать накопление пожароопасных отложений и обеспечивать возможность их очистки пожаробезопасными способами. Работы по очистке должны проводиться согласно технологическим регламентам и фиксироваться в журнале.

Пожарная безопасность должна обеспечиваться системой предотвращения пожара и системой пожарной защиты.

Основными и наиболее частыми причинами загораний, пожаров и взрывов являются:

- нарушение элементарных правил пожарной безопасности;

- нарушение режима технологических процессов;

- неисправность электрооборудования, и нарушение электротехнических правил;

- самовозгорание, статическое электричество и другие причины.

При решении профилактических задач сначала производится оценка пожарной опасности технологического процесса и отдельных его узлов, а затем на этой основе разрабатываются профилактические мероприятия по ликвидации опасностей.

Для предотвращения воспламенения и ликвидации горения используют водяной пар, отходящие топочные газы, очищенные от кислорода и горючих примесей. Основными огнегасительными средствами являются: вода, пены, инертные газы, сухие огнегасительные составы.

Средства для тушения пожара в лаборатории находятся в легкодоступных местах, около двери. Для тушения пожаров имеются: асбестовая кошма, углекислотный огнетушитель ОУ-2.

Во всех производственных, административных, складских и вспомогательных помещениях на видных местах должны быть вывешены таблички с указанием номера телефона вызова пожарной охраны.

В случае возникновения пожара на территории предприятия действия всех работников должны быть направленны на немедленное сообщение о нем в пожарную охрану, эвакуацию людей и тушение возникшего пожара. Для оповещения людей о пожаре должны использоваться тревожные или звуковые сигналы.

При ожоге необходимо оказать первую медицинскую помощь. Необходимо освободить обожженное место от одежды и наложить специальную повязку. Пострадавшего направить в медицинский пункт или, в случае необходимости, вызвать скорую помощь [3].

9. Заключение

В ходе проделанной дипломной работы был спроектирован блок коммутации, конкретно были разработаны принципиальные схемы, конструкция блока коммутации и топология печатной платы.

Кроме того, были разработаны конструкции коммутационных колодок в количестве трех штук для ручной проверки микросхем, с количеством выводов 14, 16 и 24. Так же был разработан комплект чертежей для держателя данных колодок.

10. Ссылочные нормативные документы

Обозначение документа, на который дана ссылка

Номер раздела, подраздела, пункта, подпункта, перечисления, приложения разрабатываемого документа, в котором дана ссылка

ГОСТ Р ISO 9001-2011

4.1

ГОСТ 17622-72

7

ГОСТ 12.2.032-78

8.2

ГОСТ 12.2.033-78

8.2

ГОСТ 12.1.005-88

8.3

ГОСТ 12.1.005

8.3

ГОСТ 12.1.044-89

8.6

Приложение А

Перечень принятых сокращений

АГТ

- алгоритмический генератор тестов

АЦП

- аналого-цифровой преобразователь

БИС

- большая интегральная схема

БМК

- базовый матричный кристалл

ВПК

- военно-промышленный комплекс

ГТП

- генератор тестовой последовательности

ЗУ

- запоминающее устройство

ИС

- интегральная микросхема

КМОП

- комплементарная структура металл-оксид-полупроводник

КПД

- коэффициент полезного действия

МДС

- модель для сборки

МИП

- мастер измерительных программ

ОЗУ

- оперативное запоминающее устройство

ОУ

- операционный усилитель

ПЗУ

- постоянное запоминающее устройство

ПК

- персональный компьютер

ПЛИС

- программируемая логическая интегральная схема

ППЭ

- плотность потока энергии

СБИС

- сверхбольшая интегральная схема

СвК

- систем в корпусе

СВЧ

- сверх высокие частоты

СИ

- средства измерения

СМК

- система менеджмента качества

ТТЛ

- транзисторно-транзисторная логика

ТУ

- технические условия

ЦАП

- цифро-аналоговый преобразователь

ЭКБ

- электронной компонентной базы

ЭМП

- электромагнитное поле

ARP

- протокол сетевого уровня

ASIC

- интегральная схема, специализированная для решения конкретной задачи

DDR

- синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных

DRAM

- динамическая память с произвольным доступом

GUI

- графический пользовательский интерфейс

IDE

- интегрированная среда разработки

IGBT

- биполярный транзистор с изолированным затвором

JTAG

- аппаратный интерфейс на базе стандарта IEEE 1149.1

MOSFET

- структура металл-оксид-полупроводник

PROM

- программируемое постоянное запоминающее устройство

RFID

- радиочастотная идентификация

ROM

- постоянное запоминающее устройство

SoC

- систем на кристалле

SRAM

- статическая память с произвольным доступом

VCC

- плюс источника питания

VDD

- плюс источника питания

Приложение Б

Библиография

[1] Шило В. Л. Популярные микросхемы КМОП [Текст]. М.: Ягуар, 1993. 64 с.

[2] ГОСТ 18683.2-83. Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения динамических электрических параметров. Введ. 1984-01-01. [Текст]. М.: Изд-во стандартов, 2000. 6 с.

[3] Белов Н.А. Безопасность жизнедеятельности. [Текст]. М.: Знание, 2000. 364 с.

[4] TOSHIBA. www.toshiba.com/tai [Электронный ресурс].

[5] ПЛАНАР. www.planar.by/ru [Электронный ресурс].

[6] Maxim Integrated. www.maximintegrated.com/en [Электронный ресурс].

[7] Analog Devices. www.analog.com [Электронный ресурс].

[8] Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. [Текст]. М., 1979.

[9] ГОСТ 18725-83 (СТ СЭВ 299-76). Микросхемы интегральные. Общие технические условия. [Текст]. М., 1983.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.

    презентация [6,0 M], добавлен 24.04.2016

  • Автоматизация конструирования. Разработка схем цифровых устройств на основе интегральных схем разной степени интеграции. Требования, методы и средства разработки печатных плат. Редактор АСП DipTrace. Требования нормативно-технической документации.

    отчет по практике [2,9 M], добавлен 25.05.2014

  • Принцип устройства и работа интегральной микросхемы. Пробник для проверки цифровых микросхем. Устройство и принцип работы светодиода. Общие сведения об управлении автоматизации и метрологии. Функции и задачи центральной лаборатории измерительной техники.

    аттестационная работа [2,2 M], добавлен 19.06.2010

  • Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.

    реферат [28,1 K], добавлен 26.01.2013

  • Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.

    реферат [28,0 K], добавлен 22.01.2013

  • Применение булевой алгебры при анализе и синтезе цифровых электронных устройств. Реализация логических функций в разных базисах. Параметры и характеристики цифровых интегральных микросхем. Структура локальной микропроцессорной системы управления.

    книга [3,6 M], добавлен 20.03.2011

  • Анализ и назначение сверхбольших интегральных схем программируемой логики. Сущность, особенности, структура и классификация микропроцессоров. Общая характеристика и задачи системы автоматизированного проектирования матричных больших интегральных схем.

    курсовая работа [447,3 K], добавлен 31.05.2010

  • Сущность и назначение цифровых интегральных микросхем, описание их статических и динамических параметров. Основы алгебры логики. Изучение элементов транзисторной логики с эмитерными связями. Принципы сочетания диодного элемента с транзисторным инвертором.

    реферат [6,6 M], добавлен 21.11.2010

  • Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.

    лабораторная работа [86,6 K], добавлен 12.01.2010

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013

  • Прецизионные резисторы для точной измерительной аппаратуры и ответственных цепей аппаратуры специального назначения, а также как элементы магазинов сопротивлений, в цепях делителей и шунтов повышенной точности и как различные датчики и нагрузки схем.

    реферат [43,3 K], добавлен 09.01.2009

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Технические характеристики цифровых измерительных приборов. Сравнительная характеристика аналоговых и цифровых приборов. Современные цифровые универсальные приборы контроля геометрических параметров. Измерение среднеквадратического значения напряжения.

    реферат [774,0 K], добавлен 29.11.2011

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009

  • Алгоритмическое, логическое и конструкторско-технологическое проектирование операционного автомата. Изучение элементной базы простейших цифровых устройств. Разработка цифрового устройства для упорядочивания двоичных чисел. Синтез принципиальных схем.

    курсовая работа [2,5 M], добавлен 07.01.2015

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010

  • Области применения измерительных процедур. Измерение ошибок в системах связи, на аналоговых и цифровых интерфейсах. Инсталляция s-соединений с базовой скоростью. Настройка компонентов синхронных систем. Тестирование сигнализации и коммуникационных путей.

    презентация [6,3 M], добавлен 29.10.2013

  • Принцип работы и характеристика интегральных схем. Разработка модуля реверсивного счетчика с применением микросхем современных серий. Принципиальная схема модуля; расчет динамических параметров, потребляемой мощности, надежности; конструкция устройства.

    курсовая работа [171,3 K], добавлен 25.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.