Моделирование и проектирование элементов КМОП интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" с повышенной стойкостью к дозовым эффектам

Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Твердотельная электроника
Вид автореферат
Язык русский
Прислал(а) Горбунов Максим Сергеевич
Дата добавления 02.08.2018
Размер файла 363,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

    курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010

  • Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010

  • Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 30.04.2011

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013

  • Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.

    презентация [6,0 M], добавлен 24.04.2016

  • Кремний как основной материал микроэлектроники. Блок-схема датчика давления, применение в них тензометрических, резонансных или емкостных преобразователей. Преимущества интегральных механоэлектрических преобразователей по сравнению с традиционными.

    реферат [313,1 K], добавлен 29.09.2010

  • Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 18.04.2016

  • Построение и анализ работы схем элементов интегральных микросхем средствами Electronics WorkBenck. Обработка информации цифровых устройств с помощью двоичного кода. Уровень сигнала на выходах управляющих транзисторов, перевод их в закрытое состояние.

    лабораторная работа [86,6 K], добавлен 12.01.2010

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009

  • Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.

    курсовая работа [260,5 K], добавлен 03.02.2010

  • Расчет и проектирование резистивных элементов. Конструирование пленочных конденсаторов. Описание строения и функционального назначения индуктивных элементов. Характеристика навесных компонент ГИС. Методы термического испарения и катодного напыления.

    методичка [1,4 M], добавлен 28.12.2011

  • Установка для трафаретной печати. Изготовление микрополосковых плат по толстопленочной технологии. Процессы обеспечения электрических контактов. Сварка плавлением. Задачи и принципы микроэлектроники. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем.

    реферат [555,2 K], добавлен 15.12.2015

  • Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.

    курсовая работа [307,1 K], добавлен 16.07.2009

  • Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.

    реферат [1,2 M], добавлен 23.06.2010

  • Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий.

    реферат [1,5 M], добавлен 12.06.2009

  • Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.

    дипломная работа [4,7 M], добавлен 20.06.2012

  • Анализ электрических характеристик интегральных схем и модели их элементов. Моделирование диодов на основе р-п-перехода в программе PSPICE: эмиссия, температурный потенциал, напряжение пробоя, диффузионная емкость, вольтфарадная характеристика.

    реферат [432,2 K], добавлен 13.06.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.