Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения
Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 30.10.2018 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
16. Baliga В.J., Ehle R., Sears A. et al. Breakdown stability of gold, aluminum and tungsten Schottky barriers on gallium arsenide // IEEE Electron Devices Letters, 1982, v.EDL-3, N 7, pp.177-179.
17. Katsukawa K., Taheuchi T., Tokunaga K., Nagasako I. Failure analysis and reliability for X-band power GaAs FET //NEC Research and Development, 1983, N71, pp.82-87.
18. Dumas J.M., Paugam J., Le Mouellic C., Boulaire J.Y. Long term degradation of GaAs power MESFET's induced by surface effects // In.:21th Ann.Proc.Reliab.Phys., Phoenix, Arizona, 1983, pp.226-228.
19. Акулова Г. В., Корнилова Т. А. Исследование дефектов в арсениде галлия, вводимых при термокомпрессии // Электронная техника, Сер. 3, Микроэлектроника, 1980, вып.1, с. 61-64
20. Sasagawa K., Kazushi N. Masumi S., Hiroyuki A. A method to predict electromigration failure of metal lines // Jour., Appl. Phys., 1999, vol.86, №11, pp. 6043- 6051.
21. Валиев К. А., Гольдштейн Р. В., Житников Ю. В. и др. Теория и моделирование разрушения тонкопленочных проводников, и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть I. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации //Микроэлектроника, 2009, т. 38, № 6, с. 404-427. Часть II. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии // Микроэлектроника, 2010, т. 39, № 3, с. 163-176.
22. Абдуллаев Г. В., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. - М.: Атомиздат, 1980. - 280 с.
23. Физические основы надежности интегральных схем. / Сыноров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. / Под ред. Ю.Г. Миллер. - М.: Сов. Радио, 1976. - 320 с.
24. Горлов М.И., Строганов А.В. Геронтология интегральных схем. Долговечность алюминиевой металлизации // Петербургский журнал электроники, 1997, №1, c.27-37
25. Басс Ф.И., Гуревич Ю.Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. - М.: Наука, Гл.ред. физ.-мат. Литературы, 1975. - 400с.
26. Ульев М.А. Эффекты горячих электронов в МОП- транзисторах // Обзоры по электронной технике. Серия 2 Полупроводниковые приборы, 1989, вып. 2(1431), 57c.
27. Синищук П.К., Чайка Г.Е., Шишияну Ф.С. Радиационно-стимулированная диффузия атомов в контакте металл-полупроводник // ФТП, 1985, т.19, вып.4, с. 674-677.
28. Абдурахимов Д.Е. и др. Изменение свойств полупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности // МЭ, 1991, т.20, вып.1, с.21-25.
29. Абдурахимов Д.Е. Бочикашвили П.Н., Калинушкин В.Д. и др. Воздействие электромагнитных СВЧ импульсов на структуру примесных неоднородностей в кристаллах кремния и характеристики полупроводниковых приборов // МЭ, 1992, т.21, вып.1, с.82-89.
30. Kryshtab T.G., Lytvin P.M., Masin M.A., Prokorenko I.v. // Metal Phys. and Technol., 1997, vol.19, N3, рp.71-77.
31. Беляев А.А., Беляев А.Е., Ермолович И.Б. и др. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур // ЖТФ, 1998, т.68, №12, с.49-53.
32. Винник Е.В. и др. Использование мощного СВЧ излучения для быстрого отжига GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1989, №15, с.48-50.
33. Конева Н.А. Козлов Э.В. Природа субструктурного упрочнения // Изв.вузов. Физика, 1982. №8, c.3-14.
34. Ржанов А.В. и др. СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников // Письма в ЖТФ, 1981, т.7, вып.20, с.1221-1223.
35. Диденко А.Н. Козлов Э.В. Шаркеев Ю.П. и др. Дефектная структура меди после воздействия мощного импульсного электромагнитного излучения СВЧ-диапазона. // Докл. РАН, 1994, т.346, №5, c.918-926.
36. Терехов В.А., Манько А.Н., Бормонтов Е.Н. и др. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник // ФТП, 2004, т. 38, вып. 12, с.1435-1438.
37. Brown W.D. Semiconductor device degradation by high amplitude pulses // IEEE Trans., 1972, v.NS-19, N6, pp.68-75.
38. Пентюш Э.В., Фонав Э.А, Эглитис В.Я. Развитие деградации кремниевых переходов при многократном образовании вторичного пробоя // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 6, с. 41-44.
39. Antinone R., Ng W.G. HPM testing of electronic components // Technical report UCID-21687, Lawrence Livermore national Laboratory, Livermore, CA.
40. Taylor C.D., Younan N.H. Effects from High Power Microwave Illumination // Microwave journal, 1992, vol.35, N6, pp.80, 82, 84, 86, 88, 93-96.
41. Garver R.V., Tatum J.T. Assessment Methodology for radio frequency effects // IEEE National Symposium on electromagnetic compatibility, 1989, рр.137 -142.
42. Магда И.И., Блудов С.Б., Гадецкий Н.П. и др. Механизмы деградации ИЭТ в полях мощного СВЧ излучения // Петербург. жур. Электроники, 1995, №3, c. 56-59.
43. Старостенко В.В., Таран Е.П., Григорьев Е.В., Борисов А.А. Воздействие электромагнитных поле на интегральные микросхемы // Измерительная техника, 1998, №4, c. 65-67.
44. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с.375-378. Klyuchnik A.V., Pirogov Yu.A., Solodov A.V. Investigation of the IC Resistance to Pulsed Electromagnetic Radiation // Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, N. 3, pp. 342-346.
45. Абдурахимов Д.Е. Бочикашвили П.Н., Калинушкин В.Д. и др. Воздействие электромагнитных СВЧ импульсов на структуру примесных неоднородностей в кристаллах кремния и характеристики полупроводниковых приборов // МЭ, 1992, т.21, вып.1, с.82-89.
46. Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на современные микроконтроллеры // Прикладная радиоэлектроника, 2006, т. 5, № 2, с. 294-297.
47. Грибский М.П., Ахрамович Л.Н., Старостенко В.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на интегральные микросхемы памяти // Радиоэлектроника и информатика, 2006, т. 35, № 4, с. 15-17.
48. Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В., Унжаков Д.А. Воздействие импульсных электромагнитных полей на микросхемы АЦП и ЦАП // Радиоэлектроника и информатика, 2007, т. 39, № 4, с. 24-26.
49. Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на экранированные микросхемы // Прикладная радиоэлектроника, 2007, т. 6, № 4, с. 590-593.
50. W.W. Everett III and W.W.Everett Jr. Microprocessor susceptibility to RF signals - experimental results // Proceedings of the 1984 Scutheastcon, April, 1984, pp.512-516.
51. Clayborne D. Taylor, Nicolas H. Younau. Effects from high power microwave illumination // Microwave Journal, 1988, vol.35, №6, pp.80-96.
52. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением // Тезисы докладов на 9-й Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, 1999, - С.329-330.
53. Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника, 2010, №2, с. 37-41.
54. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Модель накопления повреждений интегральными микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // журнал Радиоэлектроники, 2010, №7, с. 1-12.
55. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В., Тюльпаков В.Н. Влияние радиоимпульсов высокого уровня мощности на работу смесителей // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с.370-374. Klyuchnik A.V., Pirogov Yu.A., Solodov A.V., Tyul'pakov V.N. Effect of High Power RF Impulses on the Mixer Operation // Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, vol. 56, N. 3, pp. 347-350.
56. Garbe H., Camp M. “Susceptibility of different semiconductor technologies to EMP and UWB,” in XXVIIth General Assembly of the International Union of Radio Science (URSI) 2002, Maastricht, Nether-lands, August 17-24 2002.
57. Camp M., Garbe, H., Nitsch D. Influence of the technology on the destruction effects of semiconductors by impact of EMP and UWB pulses // IEEE International Symposium on EMC, 2002, vol.1, pp. 87 - 92.
58. Camp M., Gerth H., Garbe H., Haase H. Predicting the Breakdown Behavior of Microcontrollers under EMP/UWB Impact Using a Statistical Analysis. // IEEE Trans. on EMC, 2004, vol. 46, No. 3, pp. 368-379.
59. Korte S., Camp M., Garbe H. Hardware and Software Simulation of Transient Pulse Impact on Integrated Circuits.// International Symposium on EMC, 8-12 Aug. 2005, vol.2, pp.489 - 494
60. Грибский М.П., Старостенко В.В., Григорьев Е.В. и др. Прогнозирование стойкости микросхем при их работе в напряженных токовых режимах. // Вicник СумДУ. Серiя "Фiзика, математика, механiка", 2008, № 2, с.185-190.
61. Старостенко В.В., Грибский М.П., Полетаев Д.А. и др. Динамика электротепловых процессов в диэлектрических структурах микросхем при воздействии электромагнитных полей. // РИ, 2007, №4, с.45-49.
62. Rohe M., Korte S., Koch M. Simulation of the Destruction Effects in CMOS-Devices caused by Impact of Fast Transient Electromagnetic Pulses // [Электронный ресурс]. URLhttp://www.comsol.com/papers/5355/download/ Rohe.pdf
63. Methodology guidelines for high power microwave (HPM) susceptibility assessments. Ed. By N.J. Chesser. Report. Chairman-A.Pesta.Jan.1990г. ДСП.
64. Ключник А.В., Маслов Д.Е., Солодов А.В. Тепловое повреждение интегральных микросхем // Электр. Техн. Сер. СВЧ техн. 1994, Вып. 1 (461), с. 46-48.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.
реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.
презентация [6,0 M], добавлен 24.04.2016Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 18.04.2016Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.
реферат [1,2 M], добавлен 23.06.2010Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.
курсовая работа [307,1 K], добавлен 16.07.2009Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа [4,7 M], добавлен 20.06.2012Обоснование требований к точности разделения источника радиоизлучения по азимуту. Оценка местоположения для принятия решения старшим начальником на действия войск. Алгоритм измерения задержки сигналов по углу наклона линии взаимного фазового спектра.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 20.05.2012Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа [260,5 K], добавлен 03.02.2010Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.
реферат [1,5 M], добавлен 05.12.2012Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010Выполнение элементов динамической памяти для персональных компьютеров в виде микросхем. Матричная структура микросхем памяти на модуле. DIP - микросхема с двумя рядами контактов по обе стороны корпуса. Специальные обозначения на корпусе модуля памяти.
презентация [954,7 K], добавлен 29.11.2014
