Методы и средства измерений линейных размеров в нанометровом диапазоне

Измерительные приборы, основанные на методе конфокальной лазерной сканирующей микроскопии (КЛСМ) [16], в настоящее время получили наиболее широкое распространение среди других нетрадиционных методов контроля.

Оптическая схема такого микроскопа изображена на рис. 2. Контролируемый образец в КЛСМ сканируется сфокусированным лазерным пучком.

Рис. 2. Структурная схема конфокального микроскопа

Световой пучок лазера фокусируется на точечной диафрагме-источнике 1 и, пройдя через полупрозрачное зеркало 2, блок сканирования 3 и микрообъектив 4, создает изображение этого отверстия в плоскости образца 5. Отраженный от образца пучок той же оптической системой собирае3тся и, отражаясь от полупрозрачного зеркала 3, попадает на другую точечную диафрагму 6, за которой расположен фотоприемник. В такой оптической системе отклонение плоскости образца 5б от предметной плоскости 5а, в которой лежит точка фокуса объектива, вызывает дефокусировку отраженного сигнала в плоскости приемной диафрагмы 6 и резкое уменьшение сигнала на входе фотоприемника. Контролируемое перемещение образца в вертикальном направлении до совмещения с предметной плоскостью позволяет вновь получить сигнал на входе фотоприемника, при этом фиксируется перемещение и, следовательно, отклонение плоскости образца от исходного состояния, т.е. высота ступеньки.

Таким образом, с помощью конфокального микроскопа возможно построение трехмерного изображения посредством послойного сканирования образца по глубине.

В отличие от традиционного микроскопа для КЛСМ увеличение числовой апертуры объектива и уменьшение длины волны света приводят к увеличению вертикального его разрешения и получению большей информации о переходной области на краю элемента. Кроме того, малая глубина резкости в КЛСМ дает возможность исключить фон, создаваемый другими слоями в картине изображения, и, таким образом, получить контрастное изображение даже для малоконтрастных объектов Отсутствие интерференции лучей, отраженных от верхнего и нижнего плато, дает возможность получить изображение, не зависящее от высоты элемента и оптических характеристик материала слоя. Использование монохроматичного источника излучения в КЛСМ исключает наложение нескольких профилей изображения, создаваемых многими световыми пучками с разными длинами волн (как это происходит в обычном микроскопе), что повышает чувствительность измерительного прибора к изменению ширины контролируемого элемента. На основании теоретических исследований делается вывод о более высоком латеральном разрешении КЛСМ по сравнению с обычным микроскопом при одинаковых параметрах используемой в них оптики [16].

Теоретические выводы относительно более совершенных (по сравнению с традиционным оптическим микроскопом) возможностях КЛСМ получили экспериментальное подтверждение. Так, выявлено, что диапазон линейных размеров, который можно контролировать на конфокальном микроскопе при длине волны света 0,486 мкм, составляет около 0,2 мкм. Возможность вертикального сканирования контролируемого образца позволила измерить его ширину отдельно по верхнему и нижнему плато. В результате оказалось возможным контролировать основание клина травления по фоторезистивной маске с помощью оптического метода.

Сканирующая микроскопия ближнего поля

Лазерная дифрактометрия. В настоящее время для измерений микронных и субмикронных размеров разработаны лазерные дифрактометры (ЛД), в которых ширина (период) элемента определяется по параметрам дифракционного спектра, возникающего при освещении одного или группы элементов в виде дифракционной решетки пучком когерентного света [20,21]. Основная задача в дифракционном методе измерений - восстановление геометрической структуры элементов тест-объектов по дифракционной картине интенсивности. Это требует проведения теоретических исследований по восстановлению профиля периодической структуры по значениям интенсивности главных дифракционных максимумов (ГДМ) с использованием математических моделей, т.е. связано с решением обратной задачи дифракции. Достоинством применения дифракционного метода является простота измерений, возможность определения статистических параметров величин без проведения отдельных наблюдений и замеров непосредственно с автоматизированной обработкой результатов измерений с помощью ПЭВМ.

Основная методическая погрешность измерений ширины элемента топологии объекта связана с приближенными расчетами ее величины при использовании скалярной теории дифракции и для размеров 0,4-20 мкм может составлять 0,1-0,3 мкм.

Растровая электронная микроскопия. Перспектива развития измерений длины в субмикрометровом диапазоне связана с применением растрового электронного микроскопа (РЭМ).

Высокая разрешающая способность, большой диапазон увеличений (до 100000 и выше), большая глубина фокусировки (~100 мкм), многообразие режимов работы и возможность получения информации об объекте в виде электрического сигнала дают возможность разработки высокочувствительного средства измерений линейных размеров на основе РЭМ [22].

В настоящее время современные модели РЭМ выпускаются рядом фирм мира, среди которых можно назвать Amray, Biorad, Cambridge, Etec, Hitachi, JEOL, Nanometric, Philips. Практически все РЭМ этих фирм оснащены средствами получения кривых видеосигналов при сканировании их зондом образца вдоль одной линии (режим Y-модуляции). Таким образом, в практике мирового приборостроения уже освоен выпуск моделей РЭМ-компараторов, пригодных для проведения линейных измерений элементов с субмикронными размерами по регистрируемым кривым видеосигналов. Имеются приборы, позволяющие фиксировать сигнал отклика как во вторичных медленных электронах, так и в обратно рассеянных (отраженных) электронах.

Наряду с моделями РЭМ, предназначенными для решения широкого класса исследовательских задач, были разработаны и изготовлены специальные электронно-оптические средства измерений линейных размеров, которые можно использовать для аттестации эталонов мер малой длины в микронном и субмикронном диапазонах [25-27]. Принципиальные схемы этих измерительных систем практически одинаковы. Объект крепится на подвижном столике, управляемом ПЭВМ. Сфокусированный электронный пучок (зонд) находится в неподвижном состоянии, а зондирование образца осуществляется перемещением столика, в результате чего фиксируется сигнал отклика, распределение амплитуды которого по координате перемещения столика в единицах длины волны He-Ne лазера является носителем информации об аттестуемом размере элементов меры. С помощью таких измерительных систем аттестуются эталоны для калибровки увеличения любого РЭМ. Различия известных измерительных систем с такой принципиальной схемой состоят лишь в различии конструкционных узлов (разные типы интерферометров, различные схемы управления узлами приборов и т.п.). Технические характеристики измерительных РЭМ приведены в табл. 2.

Таблица 2. Технические характеристики систем измерений линейных размеров на базе РЭМ

Однако РЭМ-метод характеризуется рядом ограничений и недостатков, которые особенно сильно проявляются в субмикронном и нанометровом диапазонах измерений:

? недостаточно высокое пространственное разрешение, не позволяющее с необходимой точностью контролировать размеры даже субмикронных элементов микросхем;

? сложность получения трехмерных изображений поверхности, обусловленная в первую очередь тем, что высота рельефа в РЭМ определяется по эффективности упругого и неупругого рассеяния электронов и зависит от глубины проникновения первичных электронов в поверхностный слой;

? необходимость нанесения дополнительного токосъемного слоя на плохопроводящие поверхности для предотвращения эффектов, связанных с накоплением заряда;

? проведение измерений только в условиях вакуума;

? возможность повреждения изучаемой поверхности высокоэнергетичным сфокусированным пучком электронов [28].

Сканирующая туннельная микроскопия

Измерение линейных размеров с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) основано на квантовом эффекте туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между исследуемой металлической поверхностью и острием микрозонда [29-34]. Туннелирование хорошо изучено в случае плоских электродов, который на практике реализуется, например, в системах металл-диэлектрик-металл. В случае СТМ один из плоских электродов заменяется острием-иглой, которое крепится на X, Y, Z-позиционере (рис. 3). Это острие с помощью позиционера подводится ко второму электроду, которым является исследуемая металлическая поверхность, до тех пор, пока не появится в цепи туннельный ток. При расстоянии между электродами ?1 нм и приложении разности потенциалов U = 0,1?1,0 В туннельный ток имеет вполне измеримую величину 1-10 нА. Туннельный ток очень чувствителен к величине зазора и экспоненциально изменяется примерно на порядок при перемещении острия по нормали к поверхности образца на 0,1 нм.

Рис. 3. Принцип работы АСМ

Работа СТМ осуществляется следующим образом: при постоянном напряжении острие перемещается над поверхностью, при этом с помощью обратной связи, воздействующей на пьезоэлемент, на котором закреплено острие, туннельный ток поддерживается постоянным. Тогда в соответствии с рельефом поверхности исследуемого образца меняется напряжение на управляющем пьезоэлементе. Если работа выхода электронов постоянна вдоль поверхности, то получаемый при сканировании сигнал непосредственно дает информацию о топографии поверхности в атомном масштабе.

Вариации работы выхода могут привести к искажениям картины, которые, как правило, малы и к тому же могут быть учтены путем измерений вариаций работы выхода в том же самом эксперименте. Для этого величину зазора надо промодулировать на малую величину и измерить переменную составляющую туннельного тока.

Высокое разрешение СТМ вдоль нормали к поверхности (?0,01 нм) и в горизонтальном направлении (~0,1 нм) [30], которое реализуется как в вакууме, так и с диэлектрическими средами в туннельном промежутке, открывает широкие перспективы повышения точности измерений линейных размеров в нанометровом диапазоне. На рис. 4, 5 представлены СТМ-изображения атомной структуры поверхности графита и никелевой пленки, напыленной на стекло.

Рис. 4. СТМ-изображение атомной структуры поверхности графита

Рис. 5. СТМ-изображение поверхности никелевой пленки, напыленной на стекло

Следует подчеркнуть следующие достоинства метода измерений линейных размеров с помощью СТМ:

? неразрушающий характер измерений, обусловленный отсутствием механического контакта и низкой энергией туннелирующих электронов;

? возможность проводить измерения как в вакууме, так и при атмосферных условиях, а также в диэлектрических жидкостях;

? возможность работы в широком диапазоне температур;

? относительно высокая скорость формирования изображения измеряемого объекта с атомным разрешением.

Получившая уже достаточно широкое распространение сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), хотя и обладает значительно более высоким разрешением, чем РЭМ, однако не позволяет напрямую получать изображение поверхности непроводящих материалов. Кроме того, на точность отображения рельефа поверхности в СТМ заметно сказываются плотность электронных состояний вблизи поверхности и работа выхода, наличие природных и индуцированных током иглы СТМ адсорбатов [31].

Атомно-силовая микроскопия. Атомно-силовая микроскопия поверхности (АСМ), предложенная в 1986 г. [33,35], основана на эффекте силового взаимодействия между близко расположенными твердыми телами. В отличие от СТМ метод АСМ пригоден для проведения измерений как на проводящих, так и на непроводящих поверхностях не только в вакууме, но и на воздухе и в жидкой среде. Важнейшим элементом АСМ является микрозонд (кантилевер), на конце которого располагается диэлектрическое острие с радиусом кривизны R (рис. 6), к которому с помощью трехкоординатного манипулятора подводится поверхность исследуемого образца на расстояние  нм. Острие кантилевера обычно закрепляют на пружине, изготовленной в виде кронштейна с малой механической жесткостью. В результате межатомного (межмолекулярного) взаимодействия между образцом и острием кантилевера кронштейн отклоняется. Отклонение регистрируется датчиками, преобразующими перемещение в электрический сигнал. Изменение высоты положения кантилевера регистрируется емкостными, оптическими (лазерными) датчиками [36,37], а также с использованием туннельного датчика, который выполнен в виде проводящего острия туннельного микроскопа, расположенного над наружной поверхностью кронштейна (см., например, [38]). Манипулятор с помощью системы обратной связи изменяет положение образца таким образом, чтобы сила  Н, действующая между острием кантилевера и микрообъектом, в процессе сканирования оставалась постоянной (см. рис. 3). При этом регистрируют все три координаты кончика микрозонда, что позволяет получить трехмерное изображение поверхности.

Рис. 6. РЭМ-изображение кремниевого кантилевера

Разрешение АСМ вдоль нормали к поверхности сравнимо с соответствующим разрешением СТМ [30], а разрешение в горизонтальном направлении (продольное разрешение) зависит от расстояния  и радиуса кривизны острия . Числовой расчет [38] показывает, что при  нм и  нм продольное разрешение составляет ~1 нм. Следует отметить, что продольное разрешение АСМ повышается при уменьшении  и . Так, при  нм, т.е. в области отталкивающих сил Ван-дер-Ваальса, продольное разрешение АСМ может достигать нескольких десятых долей нанометра. На рис. 7 представлено АСМ-изображение атомной структуры слюды.

Рис. 7. АСМ-изображение атомной структуры слюды

Необходимо подчеркнуть, что зондом АСМ является острие иглы, которое позволяет снимать информацию о профиле элемента рельефа поверхности, имеющего нанометровые размеры, но высота (глубина) такого элемента не должна превышать 100 нм, а соседний элемент должен быть расположен не ближе, чем на расстоянии 100 нм. Эти ограничения указывают на узкие возможности применения техники АСМ для контроля элементов современных СБИС, высота (глубина) которых составляет от 0,1 до 1,0 мкм и даже более. Кроме того, при глубине (высоте) элементов рельефа менее 100 нм регистрируемая кривая сигнала отклика АСМ имеет форму, которая зависит как от геометрии рельефа поверхности твердого тела, так и от геометрии острия зонда (форма острия сферическая, параболическая и т.п.). Поэтому в измерениях на АСМ требуется эталонная структура с известным профилем элемента рельефа и аттестованным размером этого элемента, по которой возможно определить аппаратную функцию средства измерений. В работе [34] было показано, что при выполнении некоторых специфических для АСМ условий возможно восстановление профиля элемента без потери информации. Однако эти условия практически невозможно осуществить в эксперименте.

В настоящее время целый ряд ведущих фирм на Западе освоили серийное производство средств измерений в микро- и нанометровом диапазонах. Выпуск сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ) проводится такими фирмами, как Jeol (Япония), WA Technology (Великобритания), Burleigh (Германия), Spiral (Франция), Angstrem Technology (США), Digital Instrument и Hewlett Packard (США). Общее число выпускаемых средств измерения на Западе составляет 1000 и более единиц в год. В России серийное производство СЗМ проводят АОЗТ “НТ-МДТ” и “КПД” (г. Зеленоград). Число выпускаемых приборов до 100 шт. в год. Качество их отвечает всем современным требованиям оборудования, уже завоевавшего признание как в России, так и за рубежом. Технические характеристики сканирующих зондовых микроскопов приведены в табл. 3.

Таблица 3. Сканирующие зондовые микроскопы

Лазерная интерферометрия. Наиболее разработанным и широко применяемым на практике методом измерений линейных размеров является оптический метод. В этом методе используется лазерное излучение, а регистрация перемещений исследуемого объекта осуществляется либо по интерференционной картине, либо по отклонению отраженного пучка. Известно четыре варианта интерференционного метода [36,39]:

? гомодинный;

? гетеродинный;

? поляризационный;

? с лазерно-диодной обратной связью.

В гомодинном оптическом интерферометре пучок лазера отражается от объекта и интерферирует с частью пучка, отраженного от опорной пластинки. Будучи простым и достаточно надежным, гомодинный интерферометр характеризуется относительно высоким уровнем шумов на частотах ниже 100 Гц. Например, в полосе от 0,5 Гц до 3 кГц уровень шумов составляет ~0,2 Е. В последнее время гомодинная методика была существенно усовершенствована путем использования полностью волоконной схемы с многомодовым диодным GaAlAs-лазером [40]. Применение волоконной оптики позволило сделать интерферометр очень компактным, а также уменьшить выделение теплоты. Кроме того, в волоконной системе почти полностью исключаются флуктуации длины оптического пути из-за турбулентности воздуха. В результате шум в полосе частот 0-1 кГц стал меньше 0,1 Е.

В гетеродинном методе [41] сдвинутая по частоте часть пучка лазера, сформированного высокочастотным брэгговским модулятором, интерферирует со сдвинутой по фазе частью пучка, отраженного от объекта. Гетеродинная схема требует более сложной электронной аппаратуры, но она по сути своей нечувствительна к флуктуациям интенсивности лазера. Шум гетеродинного интерферометра может быть значительно меньше теплового шума объекта, который составляет ~0,1 Е/Гц.

В поляризационном методе с выхода лазера формируются два пучка излучения с взаимно перпендикулярной поляризацией, которые являются опорным и измерительным пучками. Относительная фаза этих пучков после отражения служит мерой перемещения объекта. Этот метод заметно уменьшает чувствительность к флуктуациям длины оптического пути и интенсивности лазера Среднеквадратичное значение общего шума в полосе частот 1 Гц - 20 кГц составляет 0,01 Е [42].

В недавно описанной системе с диодным GaAlAs-лазером и обратной связью [40] перемещение объекта детектируется встроенным фотодиодом, который измеряет изменения интенсивности внутри резонатора, обусловленные взаимодействием отраженной части излучения лазера с активной средой. Чувствительность метода составила 0,03 Е/Гц.

В методе, основанном на отклонении пучка, с помощью позиционно-чувствительного детектора фиксируется отклонение лазерного пучка, отраженного небольшим зеркалом, установленным на объекте. Порог обнаружения отклонения объекта, определяемый дробовым шумом, составляет 4·10-4 Е/Гц [36]. Было показано, что в установках, используемых на воздухе, основным источником шумов являются отклонения лазерного пучка из-за флуктуации длины оптического пути в воздухе.

Повышение уровня измерений в перспективных наукоемких технологиях достигается в результате проведения фундаментальных теоретических и экспериментальных исследований в области метрологии, направленных на создание и внедрение методов и высокоточных средств измерений, их более качественного метрологического обеспечения, гарантирующего высокую степень метрологической достоверности и единство измерений.

Проведенный анализ различных методов измерений длины в нанометровом диапазоне, основанных на новых физических принципах, позволяет сделать вывод, что наиболее эффективными в метрологическом отношении методами измерений линейных размеров в нанометровом диапазоне является сканирующая зондовая микроскопия (РЭМ, СТМ, АСМ) в сочетании с лазерной интерферометрией, обеспечивающая необходимую разрешающую способность, точность, стабильность и позволяющая обеспечить единство измерений длины в нанометровом диапазоне.

Список литературы

1. Postek М.Т., Но Н.J., Weese H.L. Dimensional Metrology at the Nanometer Level: Combined SEM and PPM // Proc. SPIE 3050. 1997. P. 250-263.

2. Villarrubia S.S. Scanned Probe Microscope Tip Characterization Without Calibrated Tip Characterizes // Vac. Sci. Technol. В 14 (2): 1518. 1996.

3. Dixson R.G., Kining R., Tsai V.W., Fu H., Vorburger T.V. Dimensional Metrology with the NIST Calibrated Atomic Force Microscope // Proc. SPIE 3677, Santa Clara, CA, March. 1999.

4. Lowney J.R., Vladar A.E., Postek М.T. High-Accuracy Critical-Dimension Metrology Using a Scanning Electron Microscope // Proc. SPIE 2725: 515. 1996.

5. Villarrubia J.S., Dixson R.G., Jones S.N., Lowney J., Postek М.Т., Alien R.A., Cresswell М.W. Intercompanson of SEM АFМ and Electrical Linewidths // Proc. SPIE 3677. 1999. P. 587-598.

6. Tsai V.W., Vorburger T.V., Dixson R.G., Fu J., Kining R., Silver R.М., Williams E.D. The Study of Silicon Stepped Surface as Atomic Force Microscope Calibrations Standards with a Colibrated AFM at NIST, in Characterization and Metrology for ULSI Technology / D.G. Seller et al. // AIP Press, New York. 1998.

7. Silver R.М., Potzick J.E., Hu Y. Metrology with the Ultraviolet Scanning Transmission Microscope // Proc. SPIE 2439: 437. 1995.

8. Schneir J., Villarrubia J.S., McWaid T.H., Tsai V.W., Dixson R.G. Increasing the Value of Atomic Forie Microscopy Process Metrology Using a High-Accuracy Scanner, Tip Characterization, and Morphological Image Analysis//Vac. Sci. Technol. В 14 (2). 1540. 1996.

9. Silver R.M., Jensen С.P., Tsai V.W., Fu J., Villarrubia J.S., Teague E.C. Developing a Method to Determine Linewidth Based on Counting the Atom-Spacing Across a Line // Proc. SPIE 3332. 441. 1998.

10. Potzick J.E. New Certified Length Scale foe Microfabrication Metrology // Proc. SPIE 2880. 1. 1996.

11. Allgair J., Archie C., Banke В., Bogardus H., Griffith J., Marchman H., Postek М.Т., Saraf L., Schlesinger J., Singh В., Sullivan N., Trimbler L., Vladar A., Yanof A. Towards a Unified Advanced CD-SEM Specification for Sub-0,18 ?m Technology // Proc. SPIE 3332. 138. 1998.

12. Larrabee R.D., Silver R.M., Davidson M. Optical Line-width Models - Then and Now // Proc. SPIE, Santa Clara, CA, March 14-19, 1999.

13. Dixson R.G., Sullivan N., Schneir J., McWaid Т., Tsai V.W., Prochazka J., Young M. Measurement of a CD and Sidewall Angle Artifact with Two Dimensional CD AFM Metrology // Proc. SPIE 2725. 572. 1996.

14. Nyyssonen D. // Opt. Soc. Amer. 1982. V. 72. № 10. 1425 p.

15. Никитин А.В., Никитина Н.А., Ржанов В.Г. // Электронная техника. Сер. 3. “Микроэлектроника”, 1986. Вып. 2. С. 92-98.

16. Дюков В.Г., Кудеяров Ю.А Растровая оптическая микроскопия. М.: Наука, 1992. 208 с.

17. Hamashima N., Kato К., Ishizeki T. Optical measurements of half micron critical dimentions // Ibid P. 92-99.

18. Тычинский В.П., Морозов И.Н., Папков В.Л. и др. Регистрация субмикронных структур на лазерном автоматическом интерферометре // Письма в ЖЭТФ. 1989. Т. 15. № 4. С. 24-27.

19. Davidson M., Kaufman К., Mazor I. An application of interference microscopy to integrated circuit inspection and metrology // Ibid. 1987. Vol. 775. P. 223-247.

20. Волков В.Р., Герасимов Л.К. и др. Микроэлектроника, 1980. Т. 9. Вып. 6. С. 554-563.

21. Лизунов В.Д. // Измерительная техника, 1980. № 12. С. 19.

22. Богданкевич О.В., Календин В.В., Кудеяров Ю.А., Невзорова Л.Н. Линейные измерения в субмикронном диапазоне // Метрологическая служба в СССР. Вып. 3. 1987. С. 31-35.

23. Богданкевич О.В., Желкобаев Ж., Календин В.В., Кудеяров Ю.А., Невзорова Л.Н. Измерение малых длин на основе РЭМ // Измерительная техника, 1985. № 11. С. 31-33.

24. Невзорова Л.Н., Петров В.И., Щитов Н.И. Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. № 11.

25. Postek M.Т., Larrabee R.D., Keery W.J. Scanning electron microscopy linewidth measurement standard program at the National Bureau Standards // EMSA Bull. 17. November 2, 1987. P. 59-64.

26. Hatsuzawa Т., Toyoda К., Tanimura Y. Metrological electron microscope system for micro-feature of very large scale integrated circuits // Rev. Sci. Instrum. 1990. Vol. 61. № 3. P. 975-979.

27. Васичев Б.Н. Измерения линейных размеров субмикронного элемента в РЭМ // Изв. РАН. Сер. физ. 1973. Т. 57. № 8. С. 147-153.

28. Новиков Ю.А., Раков А.В., Стеколин И.Ю. РЭМ-измерения параметров профиля микрорельефа элементов топологии СБИС в субмикронном диапазоне // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. № 5. С. 367-369.

29. Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. Tunnling through a controllable vacuum gap // Appl. Phys. Lett., 1982. V. 40, N. P. 178-180.

30. Бинниг Г., Рорер Г. Сканирующая туннельная микроскопия - от рождения к юности // УФН, 1988. Т. 151. № 2. С. 261-278.

31. Маслова H.С., Панов В.И. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций // УФН, 1988. Т. 157. № 1. С. 185-195.

32. Эдельман В.С. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии // ПТЭ, 1991. № 1. С. 24-42.

33. Васильев С.И., Мостепаненко В.М., Панов В.И. Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия поверхности в метрологии // Измерительная техника, 1990. № 1. С. 9-22.

34. Бухараев А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии // Заводская лаборатория, 1994. № 10. С. 15-25.

35. Binnig G., Quato C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett., 1986. V. 56. № 9. P. 930-933.

36. Брагинский В.В., Панов В.И., Попельнюк В.Д. Детектор малых механических колебаний для гравитационной антенны // Письма в ЖЭТФ, 1981. Т 33. № 8. С. 423-425.

37. Васильев С.И., Леонов В.Б., Моисеев Ю.H., Панов В.И. Сканирующая микроскопия поверхности, использующая силы межатомного взаимодействия // Письма в ЖТФ, 1988. Т. 14. № 8. С. 727-731.

38. MoiseevY.N., Mostepanenko V.N., Panov V.I., Sokolov I.Yu. Force dependences for the definition of the atomic force microscopy spatial resolution // Phys. Lett. F., 1988. V. 132. № 6, 7. P. 354-358.

39. Poiries G.E. White J.М. // Rev. Sci. Instr., 1990. V. 61. № 12. P. 3917.

40. Tiedje Т., Brown A. Perfomance limits for the scanning tunneling microscope // Appl. Phys., 1990. V. 68. № 2.

41. Hashizume et al. A role of tip geometry of STM image // J. Microscopy, 1988. V. 152. № 2. P. 347-354.

Размещено на Allbest.ru