Некоторые тенденции развития спектрофотометрического приборостроения
Анализ и характеристика состояния дел в разработке фотометрических и спектрофотометрических приборов. Выявление перспективных путей преодоления трудностей, возникающих при разработке таких приборов. Описание структурных схем промышленных приборов.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Радиоэлектроника |
Вид | статья |
Язык | русский |
Прислал(а) | Э.В. Кувалдин |
Дата добавления | 07.12.2018 |
Размер файла | 21,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Методы измерения дневных и ночных приборов, требования к углу поля зрения и предельному значению разрешения прибора. Фокусирование прибора на заданную деятельность и обеспечение диапазона дальности. Проверка приборов с окуляром типа "микроскоп" и "лупа".
реферат [35,0 K], добавлен 29.09.2009Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010Особенности эксплуатации приборов для измерения давления в управлении технологическими процессами и обеспечении безопасности производства. Назначение и классификация приборов; принцип работы манометров, вакуумметров, барометров, тягометров, датчиков.
презентация [288,6 K], добавлен 08.10.2013Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Определение показателей технологичности конструкции приборов. Правила построения технологических схем сборки. Разработка технологического процесса сборки. Проектирование технологического оснащения и специализированного оборудования всех разновидностей.
реферат [1,7 M], добавлен 07.11.2008Параллакс и его устранение. Продольный, поперечный, угловой параллакс. Параллактический угол. Юстировка оптических приборов. Сборка телескопических приборов. Диафрагмирование. Прицельные и измерительные приборы. Фокальная плоскость. Коллиматор.
реферат [59,2 K], добавлен 22.11.2008Понятие пригоночных работ и их сущность. Пригонка деталей слесарным способом путем шабрения, притирки, сверления, развертывания отверстий и выполнения других видов работ. Смазка оптико-механических приборов. Герметизация оптических узлов и приборов.
реферат [744,8 K], добавлен 09.11.2008Подбор и краткое описание приборов для реализации информационной цепи и управляющей цепи, определение технических характеристик и возможностей данных приборов. Составление структурной и функциональной схемы автоматизации, спецификации оборудования.
контрольная работа [2,2 M], добавлен 12.03.2010Характеристика электромеханических приборов для измерения постоянного, переменного тока и напряжения. Их конструкция, принцип действия, область применения, достоинства и недостатки. Определение и классификация электронных вольтметров, схемы приборов.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 26.03.2010Технические характеристики цифровых измерительных приборов. Сравнительная характеристика аналоговых и цифровых приборов. Современные цифровые универсальные приборы контроля геометрических параметров. Измерение среднеквадратического значения напряжения.
реферат [774,0 K], добавлен 29.11.2011Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008Анализ приборов для ультразвукового контроля сварных труб, на Челябинском трубопрокатном заводе. Технологический цикл контроля сварных швов. Анализ системной магистрали ISA. Обоснование функциональной схемы блока управления ультразвуковым дефектоскопом.
дипломная работа [73,1 K], добавлен 15.07.2010Исследование и анализ существующих методов измерения комплексных характеристик четырехполюсников сверхвысокой частоты. Общая характеристика и особенности использования приборов, использующихся для измерения комплексных характеристик данных приборов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 30.06.2014Физические принципы функционирования электронных приборов. Дефекты реальных кристаллов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Принцип работы биполярных транзисторов. Поверхностные явления в полупроводниках.
контрольная работа [3,1 M], добавлен 04.10.2010Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.
реферат [83,5 K], добавлен 07.01.2009Суммарное сопротивление линии связи и внутреннее сопротивление преобразователей термоэлектрических. Значение информативного параметра выходного сигнала. Электрическое сопротивление изоляции цепей приборов. Принцип работы приборов ГСП ДИСК-250 и ДИСК-250И.
контрольная работа [28,8 K], добавлен 10.06.2011Составление расчетной электрической схемы. Расчет токов в исследуемой электрической цепи. Проверка выполнения законов Кирхгоффа. Выбор измерительных приборов и схема включения электроизмерительных приборов. Схемы амперметров выпрямительной системы.
курсовая работа [989,1 K], добавлен 24.01.2016Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003Типы структур фотоприемных ячеек фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Накопление заряда в пикселях ФПЗС и его перенос. Метод краевой функции рассеяния. Зависимость модуляции от параметров. Моделирование ФПЗС с обратной засветкой.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 03.07.2014