Аналіз фізичних можливостей теплового моніторингу як методу оцінки фактичного стану цифрових радіоелектронних об’єктів

Размещено на http://www.allbest.ru/

АНАЛІЗ ФІЗИЧНИХ МОЖЛИВОСТЕЙ ТЕПЛОВОГО МОНІТОРИНГУ ЯК МЕТОДУ ОЦІНКИ ФАКТИЧНОГО СТАНУ ЦИФРОВИХ РАДІОЕЛЕКТРОННИХ ОБ'ЄКТІВ

Кузавков Василь Вікторович,

доктор технічних наук, доцент, начальник кафедри Військового інституту телекомунікацій та інформатизації імені Героїв Крут, м. Київ, Україна,

Романенко Марія Михайлівна,

ад'юнкт Військового інституту телекомунікацій та інформатизації імені Героїв Крут, м. Київ, Україна



У статті наведено результати досліджень фізичних можливостей теплового моніторингу для визначення фактичного технічного стану об'єктів радіоелектронного обладнання (РЕО). Дослідження спрямовані на розробку автономної автоматизованої системи контролю, у котрій як узагальнений параметр діагностування радіоелектронного зразка використовуються значення тепла, що виділяється елементною базою.

Традиційні параметри, що використовуються для оцінки технічного стану сучасного РЕО, не змінюють своїх значень аж до відмови, хоча для виявлення деградаційної динаміки мають використовуватися параметри, які відображали б не лише стан структури, але й еволюцію цього стану. Таким чином, завдання пошуку нового підходу до оцінки технічного стану сучасного РЕО е цілком актуальним.

Ключові слова: тепловий моніторинг, радіоелектронне обладнання, технічний стан, діагностичний параметр, деградационные процессы.



Kuzavkov Vasyl,

Doct. Sci. (Engineering), Associate Professor,

Head of the Department of the Military Institute of Telecommunications and Informatization Named after Heroes of Kruty, Kyiv, Ukraine,

Romanenko Mariia,

Postgraduate, Military Institute of Telecommunications and Informatization Named after Heroes of Kruty, Kyiv, Ukraine,

ANALYSIS OF THE PHYSICAL POSSIBILITIES OF THERMAL MONITORING AS A METHOD FOR ASSESSING THE ACTUAL STATE OF DIGITAL RADIO ELECTRONIC OBJECTS

Research article presents the results of physical studies of the possibilities of thermal monitoring to determine the actual technical condition of the objects of radio- electronic equipment (REE). The research is aimed at the development of an autonomous automated control system, in which the values of the heat generated by the element base are used as a generalized parameter for diagnosing a radio-electronic sample.

The operability of the REE is still determined by two states - serviceable or faulty, and the failure occurs unexpectedly. This is due to the fact that the applied control methods cannot provide timely detection of changes in parameters, and the tests used, being the main type of control, tests do not include specialized kits designed to detect faults (especially those that depend on the operating time). Therefore, the choice of temperature as a parameter characterizing the technical state of radio- electronic equipment is advisable, since almost all parameters of semiconductor devices and degradation processes occurring in them depend on temperature. It does not matter what the nature of the temperature gradient is, it is important that the deviation of the temperature from the required values (calculated or expected) signals the presence of processes leading to a failure. Therefore, we can say that the temperature can be the parameter that allows you to control the state of radio-electronic equipment.

Traditional parameters used to assess the technical state of a modern REE do not change their values to failure, although to identify degradation dynamics, parameters should be used that would reflect not only the state of the structure, but also the evolution of this state. Thus, the task of finding a new approach to assessing the technical state of a modern REE is quite relevant.

Taking into account the fact that the technical state of the entire radio-electronic equipment is determined by the state of its functional units of various structural and hierarchical levels, as well as the presence of processor circuits (microprocessors, microcontrollers) in modern systems in the form of large integrated circuits, the possibility of using the method of intrinsic radiation as a method assessment of the technical condition of digital REE with registrationn of the diagnostic parameter on the surface of the designated elements in real time is considered.

Keywords: thermal monitoring, electronic equipment, technical condition, diagnostic parameter, degradation processes.



В статье приведены результаты исследований физических возможностей теплового мониторинга для определения фактического технического состояния объектов радиоэлектронного оборудования (РЭО). Исследования направлены на разработку автономной автоматизированной системы контроля, в которой как обобщенный параметр диагностирования радиоэлектронного образца используются значения тепла, выделяемого элементной базой.

Традиционные параметры, используемые для оценки технического состояния современного РЭО, не меняют своих значений до отказа, хотя для выявления де- градационной динамики должны использоваться параметры, которые отражали бы не только состояние структуры, но и эволюцию этого состояния. Таким образом, задача поиска нового подхода к оценке технического состояния современного РЭО вполне актуальна.

Ключевые слова: тепловой мониторинг, радиоэлектронное оборудование, техническое состояние, диагностический параметр, деградационные процессы.



Сучасне PEO можна розглядати як термодинамічні системи із джерелами тепла, розміщеними всередині конкретного об'єму (в корпусі). Функцією технічного стану (ТС) таких систем може бути температура як міра термодинамічної рівноваги, і будь-яка її зміна свідчить про факт зміни внутрішнього стану системи [1, 2]. У свою чергу, напівпровідникові матеріали і прилади на їх основі є певною мірою нерівноважними системами, і фізико-хімічні процеси (процеси старіння), що відбуваються в них, за своєю суттю є термоактиваційними. Швидкість цих процесів залежить від температури.

Доцільність вибору температури як параметра, що характеризує технічний стан PEO є очевидною, оскільки практично всі параметри напівпровідникових приладів і деградаційні процеси, що перебігають у них, залежать від температури. При цьому неважливо, яка природа виникнення градієнта температури, важливим є те, що відхилення температури від необхідних значень (розрахованих або очікуваних) сигналізує про наявність процесів, що призводять до відмови. Отже, можна вести мову про те, що температура може виступати тим параметром, який дозволяє контролювати стан PEO.

Ураховуючи те, що технічний стан всього PEO визначається станом його функціональних вузлів різного конструктивно-ієрархічного рівня, а також наявність у сучасних системах процесорних схем (мікропроцесорів, мікроконтролерів) [3] у вигляді великих інтегральних схем, очевидна можливість застосування методу власного випромінювання як методу оцінки технічного стану цифрового PEO з реєстрацією діагностичного параметра на поверхні позначених елементів у реальному масштабі часу.

Функціональні можливості та фізична надійність напівпровідникових приладів різного призначення багато в чому визначаються температурою радіоелектронного обладнання (радіоелектронних компонентів) у процесі експлуатації. Згідно з [4], температура є одним із критичних параметрів, що визначають працездатність технічних засобів. Існує досить багато досліджень як теплових характеристик цифрового PEO, так і методів контролю теплового режиму, проте сфера застосування більшості з них має обмеження.

Наявні методи визначення технічного стану складних напівпровідникових структур [5] часто характеризуються значною розбіжністю реальних значень показників, параметрів та оцінок [6-8].

З точки зору виявлення процесу зародження і розвитку несправностей у цифрових схемах, функціональні тести - слабко інформативні, оскільки послідовне спрацьовування логічних елементів “корегує” сигнали, спотворені “старіючими” структурами (елементами). Тому на особливу увагу для вирішення завдань технічної діагностики заслуговують методи та діагностичні параметри, які здатні оцінювати фізико-хімічні процеси в напівпровідниках.

Метою статті є оцінка можливості використання як основного параметра діагностування стану сучасного цифрового PEO значення температури та підтвердження гіпотези про те, що температура може бути інформативним узагальненим діагностичним параметром для визначення фактичного технічного стану цифрового PEO. Точкою контролю ТС обрано корпус мікросхеми (для схем із складною архітектурою - декілька точок на поверхні).

Вимоги до надійності сучасної елементної бази постійно зростають. Методи оцінки технічного стану радіоелектронного РЕО також вимагають подальшого розвитку. Застосування наявної теорії надійності практично ускладнене, оскільки комплексні показники надійності не відображають фактичного стану РЕО (внаслідок недостатнього обсягу інформації, що отримується при експлуатації та випробуваннях) [9; 10].

Сучасне РЕО як об'єкт експлуатації є обмежено контролепридатним. Воно обладнується незначною кількістю засобів прямого вимірювання здебільшого для функціонального контролю і безаварійного включення, що призводить до несвоєчасного виявлення несправностей, неможливості переходу до прогресивних форм технічного обслуговування, прогнозування і оперативного вжиття заходів.

Відомо, що підвищення температури і напруженості електричного поля прискорює процес старіння інтегральної схеми (ІС) [11]. Роль механізмів відмов у цьому процесі різна. Багато з них, у тому числі і деградаційні, пов'язані з фізи- ко-хімічними реакціями. У 1889 році Сванте Ареніус вивів емпіричне рівняння залежності інтенсивності відмов від температури. Воно приблизно описує багато деградаційних процесів і відмов ІС, серед яких іонний дрейф, дифузію домішок, утворення інтерметалічних сполук, повзучість, кристалографічні мікроперестроювання конструкційних матеріалів; краще обстоять справи з аналізом появи відмов ІС за дії підвищеної температури як у період напрацювання, так і в період старіння.

Припустімо, що параметр ф (тільки при критичному значенні позначається на характеристиках, визначених шляхом електричних вимірів) змінюється відповідно до рівняння:

Формула (1) є відображенням зв'язку часу життя (напрацювання на відмову) і температури.

Практично вважається, що для ІС довговічність обернено пропорційна до напруги, що докладається, щільності струму і зворотного значення абсолютної температури.

За традиційного підходу до надійності IC, зумовленого прийнятими припущеннями: виконання закону Ареніуса (тільки враховуючи температурну залежність), постійність частоти відмов у часі, застосування “кривої навчання”, що відображає характер залежності відмов від технології [12]:

де t_F - середній час напрацювання до відмови; t>-g(T) - прискорення напруги (y(T) - фактор прискорення напругою при температурному навантаженні T); j-«(^Т) - щільність струму (a(T) - фактор прискорення щільністю струму при температурному навантаженні T);

E_a - енергія активації; k - стала Больцмана; T - абсолютна температура переходу.

Практика експлуатації та досвід випробувань показали, що залежність довговічності від температури описується логарифмічно нормальним розподілом зі зростаючою функцією інтенсивності відмов [12].

Таким чином, для багатьох напівпровідникових приладів і IC, довговічність яких визначається законом Ареніуса, підтверджуються такі узагальнення [12]:

1) для широкого діапазону температур довговічність описується логарифмічно нормальним розподілом:

2) параметр масштабу а (середньоквадратичне відхилення терміну придатності) - сталий і не залежить від навантаження:



де t₅₀% - час відмови 50 % приладів у вибірці; t - час відмови 16 % приладів у вибірці;

3) логарифм терміну придатності ^ = t₅₀% має нормальний розподіл лінійною функцією навантаження:

4)

де а, Я- параметри, які характеризують особливості IC і залежать від умов експлуатації чи режимів випробувань.

Виконання закону Ареніуса відповідає вимогам лінійної екстраполяції результатів випробувань з ділянки підвищених температур на нормальні умови функціонування IC.

Рис. 1. Типовий розподіл інтенсивності відмов біполярних ІС, які складаються з двухкомпонентів логнормального розподілу: 1 - основний розподіл; 2 - об'єднаний розподіл; 3 - аномальний розподіл



Досвід прискорених випробувань ІС на довговічність засвідчує, що інтенсивність відмов має бімодальний характер (рис. 1) [13; 14]. Перший пік, який зображено в нижній лівій частині рис. 1, характеризує відмови аномальних ІС, тобто таких, що мають приховані дефекти, а другий - відмови основної частини вибірки.

Теплова енергія, яка виділилася у пристрої внаслідок дії певного механізму тепловиділення, надалі переноситься у бік зниження температури. Це перенесення здійснюється відповідно до законів теплопередачі, які є складним процесом.

Розрізняють три способи переносу тепла: теплопровідність - це перенесення теплової енергії при безпосередньому зіткненні тіл або частин одного тіла, що мають різну температуру; конвекція - перенесення тепла тут відбувається за рахунок перемішування речовини у просторі, спостерігається в рухомих рідинах або газах; теплове випромінювання - це перенесення тепла у вигляді електромагнітних хвиль з перетворенням спочатку теплової енергії на променисту, а потім навпаки - із променистої в теплову.

Усі три способи перенесення тепла (теплообміну) мають розглядатися при аналізі способів реєстрації діагностичного параметра.

Особливістю методу власного випромінювання для виробів радіоелектроніки є наявність прямого зв'язку ресурсу РЕК з їхньою температурою [15].

Розглянемо теплопровідність та створимо модель передачі тепла від розігрітого кристалу напівпровідника РЕК на поверхню захисного шару, який вкриває кристал та ізолює його від зовнішнього середовища. Отримана в такий спосіб інформація про температурний режим кристалу є діагностичним параметром (ДП) методу власного випромінювання.

Температурне поле (ТП) - сукупність значень температури всіх точок системи на цей момент часу. Температура T може змінюватися за координатами x, y, z та за часом t. Якщо ТП змінюється в часі, воно називається нестаціонарним. У просторі таке поле може змінюватися за координатами (одній, двом або за всіма трьома). Тому його й називають одно, двох або тривимірним. Відповідно до цього, ТП РЕК загалом описується виразом тривимірного нестаціонарного температурного поля:

T = f(xyzt).(2)

Необхідно розуміти, що промені, які відходять від площини, мають різну інтенсивність випромінювання відносно нормалі площини (рис. 2).

Закон, що встановлює залежність інтенсивності випромінювання від напрямку, називається законом Ламберта - кількість променистої енергії, випромінюється елементом поверхні в напрямку іншого елемента, пропорційно добутку кількості енергії, що випромінюється по нормалі, на величину просторового кута, складеного напрямком випромінювання з нормаллю [16].

Інтенсивність кожного проміння можна знайти за допомогою тригонометричної функції:

Qx = sinY,

де Q - енергія (Вт), випромінювана з усієї площі.

Рис. 2. Залежність інтенсивності випромінювання об'єкта контролю від напрямку реєстрації діагностичного параметра



Отже, найбільша кількість променистої енергії випромінюється в перпендикулярному напрямку до поверхні випромінювання. Закон Ламберта повністю справедливий для абсолютно чорного тіла та для тіл, що мають дифузійне випромінювання при температурі 0-60°С.

Таким чином, для методу власного випромінювання, при реєстрації діагностичного параметра з одного напрямку - нормалі до поверхні РЕК, рівняння одновимірного стаціонарного температурного поля має вигляд:

T = fix (3)

При будь-якому температурному полі в тілі є точки з однаковою температурою (ізотермічна поверхня). Кожна така ізотерма відповідає певній температурі. Ізотерми не перетинаються. Отже, зміна температури може спостерігатися лише в напрямах, що перетинають ізотермічні поверхні. Найшвидше змінюється температура за напрямом нормалі до ізотермічної поверхні РЕК.

Межа відношення приросту температури AT до відстані між ізотермами An при прагненні останнього до 0 (4) називається градієнтом температури (рис. 3). Це вектор спрямований по нормалі до ізотермічної поверхні в бік зростання температури.

Кількість тепла, що переноситься через поверхню S за одиницю часу, називається питомим тепловим потоком (щільністю теплового потоку) q (Вт/м²). Питомий тепловий потік - вектор, напрям якого збігається з напрямом розповсюдження тепла в цій точці та протилежно спрямований напрямку вектора градієнта температури.



Рис. 3. Ізотермічні поверхні

Закон Фур'є - основний закон теплопровідності - встановлює кількість тепла, переданого поверхнею РЕК пропорційно градієнту температури, площі перетину (перпендикулярного до поверхні РЕК) розповсюдження тепла і часу.

q = -IgrandT, (5)

де Х(Вт/мК) - коефіцієнт теплопровідності, характеризує фізичну властивість шару, що вкриває кристал напівпровідника (НП) (кількість тепла, що передається за одиницю часу через одиницю поверхні при температурному градієнті, що дорівнює одиниці):

де Q - теплова енергія, що переноситься (Дж);

P = Q/t - тепловий потік (Вт/м²) через поверхню 5;

AT - зміна температури в тілі на відстані висоти РЕК h.

Вирішення задачі теплопровідності полягає у складанні і вирішенні рівняння (5) для конкретних умов, наприклад: побудова математичної моделі задачі про розповсюдження тепла в однорідному елементарному обсязі.

Вважаємо, що захисний шар кристала напівпровідника має однорідну структуру. Розташуємо вісь OX таким чином: один кінець безпосередньо на поверхні кристала в т. O (рис. 4), а інший - зовнішній бік РЕК (з боку реєстрації діагностичного параметра) у т. О _ h, де h - висота захисного шару, який вкриває кристал напівпровідника

Установлено [16], що швидкість розповсюдження тепла (q - кількість тепла, що проходить через перетин з абсцисою X за одиницю часу), обчислюється за формулою:

де 5 - площа перетину, X - коефіцієнт теплопровідності шару, що вкриває. Дослідимо елемент між перетинами з абсцисами х та х + Ax.

Обсяг тепла AQ, переданий за час At, знаходимо за формулою:

За формулою Лагранжа маємо:

0 <6*i < h.

Припустімо, що визначений елемент незначний, і температура в кожен момент часу всіх його точок однакова. У цьому випадку обсяг тепла AQ за час At можна знайти за формулою:



де C - теплоємність матеріалу шару, який вкриває кристал; р щільність матеріалу шару, який вкриває кристал.

За формулою Лагранжа, запишемо:

З рівнянь (9) та (11) для AQ отримуємо:

Виконуючи скорочення (SAtx) та внаслідок переходу до межі при Dt^0 Dt^0, маємо рівняння Фур'є параболічного типу:



Рис. 4 Однорідний елементарний об'єм

цифровий радіоелектронний форсований випромінювання

Запис (13) є рівнянням теплопровідності - розповсюдження тепла в шарі, який вкриває кристал НП [17], а рівняння (11) є моделлю розповсюдження тепла, яка задовольняє вхідні умови ( u(x, 0) = ф(x), 0 < x < h ) та граничні умови ( ^{u(0, t)} = ^j^(t), u(h,t) = w₂(t), 0 < t < t + At ).

У статті наведено обґрунтування фізичної можливості застосування теплового моніторингу для визначення фактичного технічного стану об'єктів РЕО, у основу покладено напівпровідникові структури. При цьому діагностична ознака передається від джерела (напівпровідникового кристалу) на поверхню вкриваючого шару. Отримана математична залежність, що пов'язує внутрішню температуру з теплофізичними параметрами вкриваючого шару та часом розповсюдження тепла.



Список використаних джерел

1. Городецкий А. Тестирование или техническая диагностика цифровых устройств. Компоненты и технологии. 2011. № 3. C. 8-10.

2. Степанов Ю.И. Современная концепция обеспечения надежности и стойкости радиоэлектронных средств вооружения. Технологическое оборудование и материалы: информ. бюллетень для руководителей, организаторов пр-ва и технологов. 1998. № 4. С. 50-53.

3. Кузавков В.В., Романенко М.М. Тепловий неруйнівний контроль складних напівпровідникових структур радіоелектронного обладнання. Збірник наукових праць ВІТІ. Випуск № 2. Київ: ВІТІ, 2019. С. 38-44

4. International standard IEC 60747-1 Second edition 2006-2 Semiconductor devices. Part 1: General IEC 2006 Copyright.

5. Bowles J.B. A survey reliability prediction procedures for microelectronics devices. IEEE Trans. Reliab. 1992. Vol. 41, № 1. P. 2-12.

6. Стрельников В.П. Новая технология исследования надежности машин и аппаратуры. Математичні машини і системи. 2007. № 3, 4. С. 227-238.

7. Кузавков В.В., Янковський О.Г. Застосування методу власного випромінювання для технічної діагностики радіоелектронних блоків. Збірник наукових праць ОДАТРЯ. 2014. № 2 (5). С. 5862.

8. Кузавков В.В. Редзюк Є.В., Коваль Л.Т. Математична модель задачі про поширення теплоти в радіоелектронних компонентах. Зв'язок. 2014. № 2. С. 51-54.

9. Ushakov I. Is the theory of reliability living yet? Proc. of the 6th Int. conf., “Mathematical methods in safety”. USA, Sante Fe. 2006. P. 188.

10. Кузавков В. Редзюк Є. Застосування методів форсованих випробувань для отримання залежності діагностичного параметру від часу напрацювання цифрових радіоелектронних компонентів. Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні: науково-технічний збірник. 2014. Вип. 2(28). С. 84-88.

11. Lall Р. Tutorial: Temperature as ап input to microelectronics-reliability models. IEEE Trans. Rehab. 1996. Vol. 45, № 1. P. 3-9.

12. Горлов М.И., Емельянов В.А., Строгонов А.В. Геронтология кремниевых интегральных схем. Москва: Наука, 2004.

13. Seshan K., Timothy J., Kenneth J. The quality and reliability of Inters Quarter Micron Process. Intel Technology Journal. 2002. Vol. 6, issue 1, feb. 14.

14. Stojadinovic N.D. Failure physics of integrated circuits-а review. Microelectron. Reliab. 1983. Vol. 23, № 4. P. 609-707.

15. Вавилов В.П. Тепловые методы контроля композиционных структур и изделий радиоэлектроники. Москва: Радио и связь. 1984. 162 с.

16. Кузавков В.В., Янковський О.Г. Застосування методу власного випромінювання для технічної діагностики радіоелектронних блоків. Збірник наукових праць Одеської державної академії технічного регулювання та якості. 2014. Вип. № 2(5).

17. Будадин О.Н., Лебедев О.В., Абрамова Е.В. и др. Практическая реализация теплового неразрушающего контроля зданий и строительных сооружений. Сб. докл. 4-го Всероссийского с Международным участием научно-практического семинара. Санкт-Петербург, 2004. С. 106-107.



References

1. Gorodetskyi, A. (2011) Testirovaniye ili tekhnicheskaya diagnostika tsifrovykh ustroystv. Komponenty i tekhnologii. “Testing or Technical Diagnostics of Digital Devices”. Components and Technologies 3, 8-10 [in Ukrainian].

2. Stepanov, Yu.I. (1998) Sovremennaya kontseptsiya obespecheniya nadezhnosti i stoykosti radioelektronnykh sredstv vooruzheniya. Tekhnologicheskoye oborudovaniye i materialy. “The Modern Concept of Ensuring the Reliability and Durability of Electronic Weapons”. Technological Equipment and Materials: informaion bulletin for managers, organizers of the production and technologists. No 4. P. 50-53 [in Russian].

3. Kuzavkov, V.V., Romanenko, M.M. (2019) Teplovyy neruynivnyy kontrol skladnykh napivprovidnykovykh struktur radioelektronnoho obladnannya. “Thermal Non-Destructive Testing of Complex Semiconductor Structures of Electronic Equipment”. Collection of scientific works of VITI. Issue No 2. Kyiv: VITI. P. 38-44 [in Ukrainian].

4. International standard IEC 60747-1 Second edition 2006-2 Semiconductor devices. Part 1: General IEC 2006 Copyright [in English].

5. Bowles J.B. A survey reliability prediction procedures for microelectronics devices. IEEE Trans. Reliab. 1992. Vol. 41. No 1. P. 2-12 [in English].

6. Strelnikov, V.P. (2007) Novaya tekhnologiya issledovaniya nadezhnosti mashin i apparatury. “A New Technology for Researching the Reliability of Machines and Equipment”. Mathematical Machines and Systems 3, 4. P. 227-238 [in Russian].

7. Kuzavkov, V.V., Yankovskyy, O.H. (2014) Zastosuvannya metodu vlasnoho vyprominyuvannya dlya tekhnichnoyi diahnostyky radioelektronnykh blokiv. “Application of Intrinsic Radiation Method for Technical Diagnostics of Electronic Units”. Collection of scientific works ODATRYA 2 (5), 5862 [in Ukrainian].

8. Kuzavkov, V.V. Redzyuk, Ye.V, Koval, L.T. (2014) Matematychna modelzadachi pro poshyrennya teploty v radioelektronnykh komponentakh. “Mathematical Model of the Problem of Heat Propagation in Ectronic Components”. Communication 2, 51-54 [in Ukrainian].

9. Ushakov I. Is the theory of reliability living yet? Proc. of the 6th Int. conf., “Mathematical methods in safety”. USA, Sante Fe. 2006. P. 188 [in English].

10. Kuzavkov, V., Redzyuk, Ye. (2014) Zastosuvannya metodiv forsovanykh vyprobuvan dlya otrymannya zalezhnosti diahnostychnoho parametru vid chasu napratsyuvannya tsyfrovykh radioelektronnykh komponentiv. “Application of Forced Test Methods to Obtain the Dependence of the Diagnostic Parameter on the Operating Time of Digital Electronic Components”. Legal, Normative and Metrological Support of the Information Protection System in Ukraine: scientific and technical collection. Issue 2 (28). P. 84-88 [in Ukrainian].

11. Lall P. Tutorial: Temperature as an input to microelectronics-reliability models. IEEE Trans. Rehab. 1996. Vol. 45, № 1. P. 3-9 [in English].

12. Gorlov, M.I., Yemelyanov, V.A., Strogonov, A.V. (2004) Gerontologiya kremniyevykh integralnykh skhem. “Gerontology of Silicon Integrated Circuits”. Moscow: Nauka [in Russian].

13. Seshan, K., Timothy J., Kenneth J. The quality and reliability of Inters Quarter Micron Process. Intel Technology Journal. 2002. Vol. 6, issue 1, Feb. 14 [in English].

14. Stojadinovic, N.D. (1983) Failure physics of integrated circuits-a review. Microelectron. Reliab. Vol. 23. No 4. P. 609-707 [in English].

15. Vavilov, V.P. (1984) Teplovyye metody kontrolya kompozitsionnykh struktur i izdeliy radioelektroniki. “Thermal Control Methods for Composite Structures and Electronic Products”. Moscow: Radio and communication. 162 p. [in Russian].

16. Kuzavkov, V.V., Yankovskyy, O.H. (2014) Zastosuvannya metodu vlasnoho vyprominyuvannya dlya tekhnichnoyi diahnostyky radioelektronnykh blokiv. “Application of Intrinsic Radiation Method for Technical Diagnostics of Electronic Units”. Collection of scientific works of the Odessa State Academy of Technical Regulation and Quality. Issue 2 (5) [in Ukrainian].

17. Budadin, O.N., Lebedev, O.V., Abramova, E.V. and others (2004). Prakticheskaya realizatsiya teplovogo nerazrushayushchego kontrolya zdaniy i stroitel'nykh sooruzheniy. “Practical Implementation of Thermal Non-Destructive Testing of Buildings and Construction Structures”. Sat. report of the 4th All-Russian scientific and practical seminar with international participation. St. Petersburg. P. 106107 [in Russian].

Размещено на Allbest.ru

...