Поляриметрический эффект в GaAs поверхностно-барьерных структурах

Экспериментальные результаты выполненных исследований в фотоэлектрических процессах в поверхностно-барьерных структурах (барьерах Шоттки) Au-n-GaAs в линейно-поляризованном излучении. наклонное падение излучения на приемную плоскость структур.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электроника
Вид статья
Язык русский
Прислал(а) Мелебаев Д.
Дата добавления 20.02.2025
Размер файла 894,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.

    дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014

  • Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.

    курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015

  • Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.

    курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012

  • Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 22.08.2015

  • Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.

    отчет по практике [2,2 M], добавлен 07.01.2013

  • Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.

    реферат [237,4 K], добавлен 20.12.2013

  • Проверка в вычислительных экспериментах схемы модельного синтеза дифракционных антенн с заданными электродинамическими характеристиками. Исследование физических особенностей в процессах излучения импульсных и монохроматических волн такими антеннами.

    презентация [464,9 K], добавлен 09.10.2015

  • Изучение классификации фильтров на поверхностно-акустических волнах, их преимущества и сфера применения. Конструкция микросхем интеллектуального мониторинга на основе ПАВ-технологий. Расчет звукопровода узкополосного фильтра на акустических волнах.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 17.06.2014

  • Метод преобразования солнечной энергии в электрическую. Устройство и принцип действия фотоэлементов. Внутренний фотоэлектрический эффект в полупроводниках. Радиационные, световые и тепловые воздействия. Условия работы фотоэлектрических преобразователей.

    реферат [1,5 M], добавлен 01.05.2011

  • Обзор методов измерения физической величины и их сравнительный анализ. Принцип действия фотоэлектрических преобразователей. Избыточный коэффициент усиления. Источники погрешностей от приемников излучения. Погрешности от нестабильности условий измерений.

    курсовая работа [917,9 K], добавлен 06.12.2014

  • Физические принципы генерации гармонических СВЧ-сигналов широкополосных каналов связи. Базовая конструкция оптоэлектронных генераторов. Расчет мощности нелинейной генерации в планарных структурах с областями модулированной диэлектрической проницаемости.

    дипломная работа [1,7 M], добавлен 18.06.2014

  • Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015

  • Абстрактная концептуальная модель интеллектуальной сети. Глобальная функциональная плоскость. Распределенная функциональная плоскость. Определение набора и плоскость услуг. Базовый процесс обработки вызовов. Независимый от услуг конструктивный блок.

    презентация [228,6 K], добавлен 02.08.2013

  • Аналогово-цифровые преобразователи последовательного счета и последовательного приближения. Разработка модели аналогово-цифрового преобразователя с сигма-дельта модулятором. Проектирование основных блоков сигма-дельта модулятора на КМОП-структурах.

    дипломная работа [2,1 M], добавлен 18.11.2017

  • Переносной комплекс для проведения инженерных исследований и исследований на сверхнормативные побочные электромагнитные излучения "Навигатор-П3Г" и "Навигатор-П2". Оценка защищенности технических средств. Аппаратно-программный комплекс "Легенда-11".

    курсовая работа [70,9 K], добавлен 28.12.2014

  • Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.

    курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011

  • Распространение оптических сигналов. Когерентность светового луча. Анализ источников некогерентного излучения. Энергия лазерного излучения. Тепловые и фотоэлектрические приемники излучения. Волоконно-оптическая сеть. Развитие оптических коммуникаций.

    презентация [1,6 M], добавлен 20.10.2014

  • Основные характеристики импульса. Генераторы линейно изменяющегося (пилообразного) напряжения, их назначение и область применения. Методы линеаризации пилообразного напряжения. Требования к устройству. Основные характеристики и принцип построения ГПН.

    курсовая работа [2,5 M], добавлен 07.08.2013

  • Источники излучения и промежуточная среда. Физическая природа излучения источника, собственное и отраженное излучение. Функции оптической системы. Приемники излучения (определение и классификация). Усилитель и другие элементы электронного тракта.

    реферат [662,9 K], добавлен 10.12.2008

  • Распространение электромагнитной энергии в оптическом волокне. Изменение затухания в зависимости от длины волны. Атмосферно-климатические воздействия. Влияние ионизирующего излучения. Явление поляризации света. Двойное лучепреломление. Эффект Фарадея.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 22.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.