Мемристоры: перспективы нового полупроводникового элемента и причины исследования
Мемристор как тип электронного компонента, который обладает уникальными свойствами памяти и может быть использован для создания более эффективных и энергосберегающих вычислительных систем. Потенциальные области применения полупроводникового элемента.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Электроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Васильева Д.С. |
| Дата добавления | 01.03.2025 |
| Размер файла | 1,3 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа [202,7 K], добавлен 02.12.2010Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.
лабораторная работа [65,6 K], добавлен 08.11.2011Обзор семейства PIC контроллеров. Разработка кабельного пробника, который может быть использован в учебном процессе при проведении практических занятий по специальным дисциплинам связанных с изучением сетевых технологий. Алгоритм работы пробника.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 26.01.2013Типовая структурная схема электронного аппарата и его работа. Свойства частотного фильтра, его характеристики. Расчет входного преобразователя напряжения. Устройство и принцип действия релейного элемента. Расчет аналогового элемента выдержки времени.
курсовая работа [921,8 K], добавлен 14.12.2014Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Стабилитрон - диод для стабилизации напряжения. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона. Использование программы Electronics Workbench. Схемы прямого и обратного включения стабилитрона, понятие его рабочих участков.
лабораторная работа [52,9 K], добавлен 12.01.2010Принцип работы и устройства варикапа. Характеристики р-n-перехода полупроводникового диода. Вольтамперные характеристики p-n перехода. Физическая природа емкости полупроводникового диода (варикапа). Зависимость барьерной емкости от постоянного напряжения.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 15.02.2016Общие сведения о графене - двумерной аллотропной модификации углерода, история его открытия, структура, псевдомагнитные свойства. Получение нового полупроводникового материала на основе графена. Один из способов создания графенового двоичного триггера.
доклад [3,8 M], добавлен 20.05.2013Методы создания эффективных антенн. Линейная антенная решётка. Оптимальная антенна бегущей волны. Коэффициент направленного действия. Плоские антенные решетки. Входное сопротивление излучающего элемента. Особенность и применение неэквидистантных решеток.
курсовая работа [327,4 K], добавлен 14.08.2015Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа [921,8 K], добавлен 24.03.2009Лабораторный стенд. Расчет параметров элемента фильтра по исходным данным. Схемы исследования фильтра с указанием параметров элемента. Таблица экспериментальных данных. Возможность изменения цвета проводников. Пассивные фильтры электрических сигналов.
лабораторная работа [1,2 M], добавлен 04.10.2008Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа [883,0 K], добавлен 15.07.2015Разработка переменного проволочного резистора с каркасом прямоугольного сечения для измерительной аппаратуры. Обзор аналогичных конструкций. Расчет резистивного элемента, температуры его перегрева элемента, частотных характеристик, контактной пружины.
курсовая работа [50,7 K], добавлен 29.08.2010Изучение видов и особенностей электрического оборудования летательных аппаратов. Общие сведения об авиационных генераторах. Описание структурной схемы электронного регулятора напряжения. Выбор датчика, усилителя мощности и регулирующего элемента.
курсовая работа [87,9 K], добавлен 10.01.2015Разработка полупроводникового усилителя для управления приводным двигателем следящей системы: проведение расчета оконечного, предоконечного и входного каскадов, выбор резисторов эмитерных цепей и транзисторов. Расчет емкостей реактивных элементов.
курсовая работа [687,5 K], добавлен 13.12.2011Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат [324,2 K], добавлен 29.10.2011Статические характеристики датчиков. Определение коэффициента передачи элемента и порога чувствительности. Гидравлические исполнительные механизмы, особенности их конструкций и области применения. Приборы автоматического контроля расхода и количества.
контрольная работа [228,5 K], добавлен 11.04.2009Оценка возможностей прямого измерения распределения ядерных частиц по энергиям, условия применения для этих целей полупроводникового гамма-спектрометра. Устройство и принцип действия спектрометра, его основные составные части. Аппаратурная форма линии.
курсовая работа [176,2 K], добавлен 12.05.2010Анализ схемы логического элемента, принципиальная схема логического элемента. Расчет комбинации входных сигналов "1101" и мощности, потребляемой микросхемой для каждой комбинации. Достоинства и недостатки гибридных микросхем по требованиям схемотехники.
реферат [378,1 K], добавлен 23.07.2011Общие сведения о переменных резисторах, их основные параметры, классификация и области применения. Технические характеристики проволочных резисторов. Правила выбора материала резистивного элемента, подвижного контакта, расчет переменного резистора.
курсовая работа [609,6 K], добавлен 26.04.2015