реферат Понятие о сверхпроводимости
Физическая сущность сверхпроводимости в полупроводниках. История открытия данного явления. Свойства сверхпроводников I и II рода. Влияние магнитного поля на сверхпроводящее состояние вещества. Перспективы применения сверхпроводниковых технологий.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 10.01.2014 |
Размер файла | 27,1 K |
Подобные документы
Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015Уравнения Максвелла для анизотропной среды. Магнитная и электрическая проницаемость вещества. Представление решения системы уравнений в виде плоских волн. Анализ составляющих частей волновода. Уравнения непрерывности электрического и магнитного полей.
курсовая работа [218,7 K], добавлен 17.11.2010Физическая сущность эффекта Доплера как изменения воспринимаемой частоты колебаний. Методы измерения физических величин с использованием данного физического эффекта. Источники погрешностей, ограничивающих точность измерений на основе этого явления.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 01.05.2016Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа [266,1 K], добавлен 22.12.2014В основу классификации выпускаемых магнитотерапевтических приборов и аппаратов положена степень локализации поля воздействия на пациента. Анализ принципов построения промышленных магнитотерапевтических аппаратов. Биотропные параметры магнитного поля.
реферат [84,4 K], добавлен 09.01.2009Физические принципы функционирования электронных приборов. Дефекты реальных кристаллов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Принцип работы биполярных транзисторов. Поверхностные явления в полупроводниках.
контрольная работа [3,1 M], добавлен 04.10.2010Преобразование релейно-контактной схемы управления механизмом подъема крана с использованием силового магнитного контроллера. Группировка и обозначение сигналов. Механические характеристики магнитного контроллера. Функциональные схемы узлов механизма.
курсовая работа [471,5 K], добавлен 09.04.2012Преимущества цифрового поколения мобильной связи: защита от прослушивания, совершение голосовых звонков, обмен текстовыми и мультимедийными сообщениям, доступ к сети Интернет. Стандарты операторов CDMA, GSM и UMTS. Перспективы развития 4G технологий.
реферат [23,3 K], добавлен 14.01.2011История развития телекоммуникаций и его основные направления. Волоконно-оптические системы связи. Перспективы развития цифрового телевидения. Текущее состояние и перспективы развития кабельных систем. Спутниковая и сотовая связь в Российской Федерации.
дипломная работа [475,2 K], добавлен 16.06.2012Изготовление печатной платы устройства. Припаивание микросхем и радиоэлементов к печатному монтажу. Поиск и устранение неисправностей в готовом устройстве. Микросхемы МДП транзисторной логики. Схема операционного усилителя. Расчет потребляемой мощности.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 11.01.2011Технические и технологические тенденции развития электросвязи. Функциональные требования к архитектуре и концептуальная модель интеллектуальных сетей (IN), характеристика ее уровней. Состояние и перспективы развития сотовой связи, обзор ее стандартов.
реферат [52,5 K], добавлен 11.08.2011Коммуникации: понятие и сущность. Развитие и применение информационных технологий, стандарты и средства их взаимодействия. Создание аппаратных и программных комплексов автоматизации бизнес-процессов компаний. Роль и проблема культурной коммуникации.
курсовая работа [42,6 K], добавлен 27.01.2014Моделирование вихретокового контроля с помощью системы намагничивающих и измерительной катушек. Исследование зависимости информативного сигнала при разных частотах для различных форм дефектов. Расчет информативных признаков. Построение нейронных сетей.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 27.10.2010Лампы бегущей и обратной волны СВЧ диапазона. Расчет геометрии замедляющей системы, дисперсионной характеристики и сопротивления связи, геометрии и рабочих параметров вывода и ввода энергии, величины индуктивности фокусирующего магнитного поля.
контрольная работа [972,3 K], добавлен 20.06.2012Разработка схемы без включения элементной базы с нужными функциональными узлами. Цоколевка корпуса МК51 и наименования выводов. Принцип работы датчиков под воздействием внешнего магнитного поля. Эффект Холла. Граф состояния системы микроконтроллера.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 08.03.2013Общие сведения о графене - двумерной аллотропной модификации углерода, история его открытия, структура, псевдомагнитные свойства. Получение нового полупроводникового материала на основе графена. Один из способов создания графенового двоичного триггера.
доклад [3,8 M], добавлен 20.05.2013Разработка структурной и принципиальной схем электронного тахометра. Изучение принципа работы датчика магнитного поля. Выбор микроконтроллера. Проектирование управляющей программы для микроконтроллера. Адаптация устройства к промышленному применению.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 22.01.2015Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 19.03.2011История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлен 15.11.2009Исследование влияния электромагнитного поля на подземную антенну, расположенную на определенной глубине. Расчеты напряжения нагрузки проволочной антенны. Разработка программного продукта, позволяющего выполнять основные операции разработанного алгоритма.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 07.06.2012