автореферат  Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ

Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                             
   ##       ##     ######      ###   ######  
  ###      ###     ##        #####       ##  
 ####     ####     ######   ##  ##      ##   
   ##       ##         ##   #######    ##    
   ##       ##     ##  ##       ##     ##    
 ######   ######   ######       ##     ##    
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 20.04.2014
Размер файла 43,8 K

Подобные документы

  • Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.

    курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011

  • Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.

    курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007

  • Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.

    контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013

  • Принцип дії інвертора. Перетворювачі на основі автогенератора Ройєра. Застосування дроселів насичення для забезпечення перемикання транзисторів при зменшенні струму бази. Самозахист від короткого замикання внаслідок розмикання декількох транзисторів.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013

  • Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014

  • Розрахунок технічних параметрів імпульсної оглядової радіолокаційної станції. Потужність шуму, коефіцієнт спрямованої дії антени передавача. Ефективна площина антени приймача. Енергія зондуючого сигналу: вибір та опис. Схема захисту від пасивних завад.

    курсовая работа [994,2 K], добавлен 19.10.2010

  • Призначення та види вимірювань. Діючі стандарти та технічні умови оформлення параметрів та характеристик волоконно-оптичного зв'язку. Методи знаходження пошкоджень у ВОЛЗ. Вимірювання потужності оптичного випромінювання та геометричних параметрів ОВ.

    контрольная работа [115,2 K], добавлен 26.12.2010

  • Розрахунок радіомовного приймача діапазону КВ–1 за заданими даними. Визначення таких його параметрів: смуга пропускання, припустимий коефіцієнт шуму, вхідний ланцюг, підсилювач радіочастоти, перетворювач радіочастоти, УПЧ, фільтр зосередженої селекції.

    курсовая работа [765,3 K], добавлен 29.04.2011

  • Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014

  • Розрахунок потужності вхідного сигналу. Вибір схеми, типу підсилюючих приладів, орієнтовної величини коефіцієнту підсилення за потужністю вихідного каскаду. Максимальне значення колекторного струму кінцевих транзисторів. Розрахунок третього каскаду ПНЧ.

    курсовая работа [261,3 K], добавлен 23.05.2012

  • Розробка вимірювального перетворювача опір - тривалість імпульсу і його принципової схеми з використанням транзисторів КП305Д, КП304 для підвищення потужності вхідних електричних сигналів. Основні параметри операційних підсилювачів, аналіз схем.

    курсовая работа [444,7 K], добавлен 10.02.2010

  • Методи та засоби вимірювання характеристик фоточутливих елементів приймачів випромінювання, значення рівномірності яскравісного поля. Розробка дифузного випромінювача змінної яскравості; розрахунок системи параметрів виробу, визначення показників якості.

    дипломная работа [2,4 M], добавлен 15.03.2013

  • Проведення аналізу особливостей функціонування багатоконтурних систем з ЗВЗ. Розробка методики вибору параметрів завадостійких кодів в кожному контурі. Обґрунтування кількості контурів в системах передачі даних. Аналіз числових параметрів ефективності.

    дипломная работа [3,2 M], добавлен 19.09.2011

  • Загальні відомості, параметри та розрахунок підсилювача, призначення елементів і принцип роботи підсилювального каскаду. Розрахунок режиму роботи транзисторів, вибір пасивних елементів та номінальних значень пасивних і частотозадаючих елементів схеми.

    курсовая работа [990,6 K], добавлен 16.11.2010

  • Вибір конструктивної схеми. Розробка циліндричного перетворювача, що має форму кільця. Розрахунки еквівалентних електричних і механічних параметрів. Частота перетворювача у робочому середовищі. Активна складова механічного опору. Електрична добротність.

    контрольная работа [125,0 K], добавлен 07.05.2011

  • Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012

  • Визначення та класифікація датчиків. Особливості датчиків механічних величин, принцип дії оптоелектронних датчиків положення. Порівнянні характеристики датчиків різних типів для перетворення параметрів зовнішнього середовища у електричний сигнал.

    курсовая работа [6,3 M], добавлен 29.06.2010

  • Вимоги до характеристик вимірювача шуму. Аналіз характеристик типових вимірювачів шуму. Вимоги до сучасних вимірювачів шуму. Вибір та обґрунтування технічних рішень. Проектні рішення вимірювача шуму. Розрахунок джерела напруги. Розрахунок підсилювача.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 05.07.2007

  • Визначення основних параметрів телефонної мережі житлового району міста. Розробка схеми магістральної розподільчої мережі телефонної кабельної каналізації. Розрахунок основних техніко-економічних показників лінійних споруд. Вимоги до параметрів лінії.

    курсовая работа [474,9 K], добавлен 05.02.2015

  • Розрахунок основних параметрів випрямляча в керованому режимі. Вибір захисту тиристорів від перевантажень за струмом та напругою. Вибір схеми та розрахунок параметрів джерела живлення, вхідного кола генератора пилкоподібної напруги та пускових імпульсів.

    курсовая работа [817,0 K], добавлен 30.03.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.