статья  Численное исследование генерации второй гармоники в нелинейном резонаторе на основе электромагнитного кристалла

Исследование эффекта генерации второй гармоники в нелинейном резонаторе, сформированном внутри электромагнитного кристалла. Выполнение кристалла в виде периодической решетки металлических цилиндров с нелинейными емкостями, расположенными в волноводе.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  ___   _____  ___   __  ____  
 / _ \ | ____||__ \ /_ ||___ \ 
| (_) || |__     ) | | |  __) |
 \__, ||___ \   / /  | | |__ < 
   / /  ___) | / /_  | | ___) |
  /_/  |____/ |____| |_||____/ 
                               
                               

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 05.11.2018
Размер файла 673,6 K

Подобные документы

  • Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.

    курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012

  • Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.

    курсовая работа [392,1 K], добавлен 14.12.2013

  • Расчет характеристик амплитудного базового модулятора на нелинейном элементе. Статическая вольтамперная характеристика прямой передачи транзистора и ее аппроксимация. Прием импульсных сигналов, условные вероятности пропуска и ложного обнаружения сигнала.

    курсовая работа [3,6 M], добавлен 12.01.2012

  • Разработка и выбор функциональной схемы датчика электромагнитного расходомера. Формирование и исследование аналоговой, цифровой схемы. Расчет блока питания устройства. Порядок разработки алгоритма работы и программного обеспечения микроконтроллера.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 19.08.2012

  • Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.

    контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012

  • Цифровые оптические вычислительные машины. Некогерентные излучатели, принцип действия светодиодов. Явление спонтанной инжекционной электролюминисценции. Снижение доли поглощаемого внутри кристалла излучения – три метода борьбы. Когерентные излучатели.

    контрольная работа [139,7 K], добавлен 21.02.2009

  • Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.

    контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015

  • Расчет автогенератора, спектра сигнала на выходе нелинейного преобразователя, электрических фильтров для второй и третьей гармоники. Расчет масштабного, развязывающего и выходных усилителей. Спецификация резистора, усилителя, конденсатора, транзистора.

    курсовая работа [496,6 K], добавлен 28.05.2015

  • Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.

    курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015

  • Исследование влияния электромагнитного поля на подземную антенну, расположенную на определенной глубине. Расчеты напряжения нагрузки проволочной антенны. Разработка программного продукта, позволяющего выполнять основные операции разработанного алгоритма.

    дипломная работа [1,7 M], добавлен 07.06.2012

  • Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

    курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013

  • Расчет компонентов и разработка вычислительного блока системы электромагнитного позиционирования. Обоснование выбора катушек индуктивности и изучение их влияния на стабильность системы. Измерение индукции электромагнитного поля при парной работе катушек.

    дипломная работа [2,4 M], добавлен 16.07.2013

  • Основные понятия и классификация приборов для измерения напряженности электромагнитного поля и помех. Измерение напряженности электромагнитного поля. Метод эталонной антенны. Метод сравнения. Измерительные приемники и измерители напряженности поля.

    реферат [31,8 K], добавлен 23.01.2009

  • Основные характеристики радиоканала. Модель распространения радиоволн в свободном пространстве и в реальных условиях. Модели радиоканалов внутри зданий. Расчет электромагнитного поля. Исследование изменения уровня затухания сигнала. Оценка результатов.

    дипломная работа [4,5 M], добавлен 21.06.2012

  • Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 02.04.2014

  • Рассмотрение структурной и функциональной схем для часов. Построение графа управляющего автомата. Кодирование входных и выходных сигналов. Разработка 12-часового режима работы и блока отключения индикаторов. Определение площади кристалла микросхемы.

    курсовая работа [314,3 K], добавлен 27.04.2011

  • Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.

    курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016

  • Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.

    курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008

  • Расчет потерь в инверторе. Максимальное значение среднего выпрямленного тока. Расчет потерь в выпрямителе для установившегося режима электропривода. Максимальное допустимое переходное сопротивление охладитель – окружающая среда, температура кристалла.

    курсовая работа [74,2 K], добавлен 17.02.2015

  • Монтаж с использованием эвтектических сплавов, клеев. Контактные площадки кристаллов и корпусов. Присоединение тонких алюминиевых или золотых проволочек. Методы присоединения электродных выводов. Монтаж перевернутого кристалла и его разновидности.

    реферат [1,0 M], добавлен 14.01.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.