Використання лазерних методів в задачах діагностики та метрології при виробництві оптоелектронних компонентів радіоелектронних засобів озброєнь

Аналіз вимог до сучасних лазерних засобів метрології в напівпровідниковому виробництві. Порівняльний аналіз різноманітних типів лазерів. Характеристиками напівпровідникових монокристалів. Лазерні методи діагностики радіоелектронних засобів озброєння.

Рубрика Военное дело и гражданская оборона
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 26.02.2015
Размер файла 101,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА ВІЙСЬКОВИЙ ІНСТИТУТ

ВИКОРИСТАННЯ ЛАЗЕРНИХ МЕТОДІВ В ЗАДАЧАХ ДІАГНОСТИКИ ТА МЕТРОЛОГІЇ ПРИ ВИРОБНИЦТВІ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ КОМПОНЕНТІВ РАДІОЕЛЕКТРОННИХ ЗАСОБІВ ОЗБРОЄННЯ

20.02.14 - озброєння і військова техніка

Автореферат дисертації

на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук

ВИДОЛОБ Віктор Васильович

УДК 621.375

Київ - 2007

Дисертацією є рукопис

Робота виконана в ВАТ “Науково-виробниче підприємство “САТУРН”, Міністерство промислової політики України.

Науковий керівник - доктор технічних наук, професор Лєнков Сергій Васильович, Військовий інститут Київського національного університету імені Тараса Шевченка, начальник науково-дослідного центру.

Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор Жердєв Микола Костянтинович, Військовий інститут Київського національного університету імені Тараса Шевченка, професор кафедри бойового застосування і експлуатації (радіоелектронного озброєння);

доктор фізико-математичних наук, професор Дроздов Валентин Олексійович, Одеський інститут сухопутних військ, завідувач кафедри фізики.

Провідна установа: Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут”

Захист відбудеться 05.06.2007 р. о 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої раді Д 26.001.40 Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: 03680, м. Київ, просп. Глушкова, 2, корп. 8.

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: 01033, м. Київ, вул. Володимирська, 58, зал 12.

Автореферат розісланий 26.04.2007 р.

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради ПАШКОВ С.О.

Захист 05.06.2007 р. о 16.00

Автореферат розісланий 26.04.2007 р.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

озброєння лазер напівпровідниковий монокристал

Актуальність теми. Військово-технічна політика у Збройних Силах України спрямована переважно на їх оснащення сучасними озброєннями та військовою технікою, підтримання у боєздатному стані відповідно до завдань та реальних економічних і технологічних можливостей держави.

Розвиток озброєнь і військової техніки (ОВТ) відбуватиметься за наступними пріоритетними напрямами:

- створення нових і модернізація існуючих радіоелектронних засобів озброєння (РЕЗО): автоматизованих інформаційних систем управління та зв'язку; засобів розвідки, радіоелектронної боротьби, захисту об'єктів від високоточної зброї; комплексів високоточної зброї та артилерійських систем; озброєнь, що діють на нетрадиційних фізичних принципах; авіаційного озброєння та техніки; кораблів класів “фрегат” і “корвет”;

- модернізація інших озброєнь і військової техніки з метою підвищення їх бойових можливостей та відновлення встановленого ресурсу;

- виробництво нових високоточних авіаційних засобів ураження, радіолокаційної техніки та засобів автоматизованого управління, підвищення бойових можливостей зенітних ракетних комплексів, їх живучості, мобільності та захищеності від засобів розвідки тощо.

Розвиток майже усіх наведених напрямків неможливий без використання сучасних оптико-електронних приладів, які дозволяють виявляти та супроводжувати об'єкти, вимірювати дальність, азимут та швидкість; забезпечувати точність наведення зброї, передавати та приховувати інформацію, тощо. Окремим напрямком розвитку оптоелектронних приладів для систем озброєння є напівпровідникова оптоелектроніка, перш за все інфрачервоного (ІЧ) діапазону. Світове лідерство у даному напрямку завжди належало вітчизняним вченим, насамперед наступним: Н.Г.Басову, О.М.Прохорову, Ж.І.Алфьорову, В.В.Калєндіну, Н.П.Лисиці, Б.А.Сегаллу, В.О.Дягаю, В.І.Королькову, В.М.Андрєєву, В.І.Стафєєву, С.В.Свєшнікову та іншим. Вимоги до інтелектуальних складових озброєння постійно зростають, вітчизняні науково-технічні розробки, нажаль, через економічні труднощі скорочуються, а деякі навіть припинили свій розвиток. Разом з тим, створений у минулому значний потенціал в даній предметній галузі доцільно використовувати при створенні інфрачервоної лазерної техніки. Однак це потребує певних зусиль по удосконаленню технологій отримання напівпровідникових матеріалів, формування відповідних структур та виготовлення конкретних приладів. При вирішенні технологічних задач особливого значення набувають метрологічні аспекти, тобто задачі виміру та контролю параметрів та властивостей матеріалів.

Розвиток напівпровідникової оптоелектроніки та лазерної техніки висуває високі вимоги до технології одержання і якості напівпровідників. Крім звичайних для напівпровідникових матеріалів вимог чистоти та монокристалічності, для лазерної техніки необхідно забезпечення пов'язаних з ними вимог високого внутрішнього квантового виходу випромінювання та оптичної однорідності. Як показала практика, для основних параметрів напівпровідникових лазерів, що виготовлені однаковим способом і за однакової технологією, існує значний розкид їх значень. У теперішній час достовірної кореляції цих властивостей з характеристиками вихідних монокристалів чітко не встановлено.

Особливо це відноситься до напівпровідникових з'єднань, для яких характерно кілька механізмів генерації когерентного випромінювання, що залежать як від стехіометричного складу, рівня легування та робочої температури, так і від геометрії резонатора та рівня втрат лазера.

Це обумовлює необхідність систематичного контролю якості як напівпровідникових кристалів, так і вихідних параметрів активних і пасивних елементів лазерів на всіх етапах технологічного процесу їх виготовлення. Це, свого часу, вимагає розробки та удосконалення методів і засобів виміру оптичних параметрів, які пов'язані як з недосконалістю напівпровідникових кристалів, так і з впливом оптичного й електронного накачування, оптичної неоднорідності вихідних матеріалів та часу життя нерівноважних носіїв, і забезпечують високу чутливість, точність і розрізнювальну здатність у широкому діапазоні вимірів.

На цій підставі слід вважати актуальним вирішення наукової задачі, сутність якої полягає в удосконаленні методів діагностики напівпровідникових активних середовищ оптоелектронних виробів радіоелектронних засобів озброєння.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота та її результати пов'язані з міжгалузевою науково-технічною “Програмою розвитку найбільш конкурентноспроможних напрямків мікроелектроніки в Україні” (№1-14/473 від 24.06.98 р.), планами науково-дослідних робіт ВАТ “Наукове-виробниче підприємство “Сатурн” та виконано в рамках НДР “Дослідження проблем створення та модифікації властивостей нових багатокомпонентних матеріалів оптоелектроніки та сенсорики“ та ДКР “Розробка конструкцій і технологій виготовлення ряду арсенід-галієвих НВЧ транзисторів середньої потужності робочого діапазону 18 ГГц для систем спеціального призначення“, шифр “2-1”, РК 0102U003896, ОК 0202U005473. Особисто автором у цей ДКР розроблена методика лазерної діагностики якості поверхні арсенід-галієвих сполук транзисторів.

Мета і задачі дослідження. Метою роботи є підвищення ефективності функціонування оптоелектронних виробів радіоелектронних засобів озброєння.

Задачі, які необхідно вирішити для досягнення поставленої мети:

1. Проведено аналіз можливостей окремих типів лазерів для використання їх в діагностиці напівпровідникових матеріалів.

2. Розроблено одномодовий, одночастотний стабілізований по частоті та потужності СО2-лазер із зовнішньою імпульсною ВЧ-модуляцією. Розраховані вихідні характеристики та конструкція активного елемента і резонатора, визначені раціональні значення тиску і співвідношення об'ємів компонентів робочої суміші.

3. Розроблено цифровий імпульсний фазометр та методику його застосування для метрології оптичних властивостей напівпровідникових сполук типів і .

4. Створено засіб вимірювання часу життя носіїв заряду, оцінки оптичної неоднорідності та недосконалості структури таких напівпровідникових сполук, вимірювання температури твердих тіл.

5. Проведені експериментальні дослідження властивостей сполук і .

6. Розроблена модель взаємозв'язку структурних та оптичних властивостей напівпровідникових сполук типів А2В6 та А3В5.

7. Розроблено конструкції та технології створення приладів оптоелектроніки з використанням отриманих результатів досліджень.

Об'єкт дослідження - напівпровідникові активні середовища (напівпровідникових сполук) оптоелектронних компонентів радіоелектронних засобів озброєння.

Предмет дослідження - фазові методи діагностування і метрології напівпровідникових сполук.

Методи дослідження: фізико-хімічні та кристалографічні методи для виявлення потенційних дефектів у активних середовищах лазерів; теорії ймовірності і математичної статистики - для розробки математичних моделей взаємозв'язку оптичних і структурних властивостей сполук; імпульсної модуляції лазерного випромінювання, лазерної фазометрії та інтерферометрії, математичного та фізичного моделювання.

Наукова новизна одержаних результатів.

1. Удосконалено фазометричний метод дослідження властивостей напівпровідників із використанням СО2-лазера.

Наукова новизна методу полягає в тому, що на відміну від існуючих відзнакою даного методу є імпульсний режим роботи. Вперше розроблено структурну схему та реалізовано цифровий оптичний імпульсний фазометр з дискретною обробкою сигналу. Він має швидкодію 0,3 - 0,5 мкс, що майже на два порядки більше швидкодії, ніж у методі вимірювання стаціонарних фазових зсувів.

2. Розроблено модель взаємозв'язку структурних та оптичних властивостей напівпровідникових сполук А2В6 та А3В5.

Наукова новизна полягає в тому, що вперше, на основі експериментальних досліджень та вивчення фізичних явищ у напівпровідникових активних середовищах лазера, розроблено модель, що описує взаємні впливи структурних та оптичних дефектів та властивостей цих сполук. Модель заснована на повному визначені ступеня легування, дефектів, домішкового складу кристалів з величиною комплексної діелектричної проникності . На її основі показана можливість визначення зміни показника переломлення з точністю ~ 10-7-10-8 і коефіцієнта поглинання середовищ 10-2-10-3. Цим доведена висока чутливість фазових методів вимірювань для кількісного визначення концентрації носіїв заряду в напівпровідниках.

3. Знайшли подальший розвиток методи дослідження оптичної неоднорідності і її зв'язку з електрофізичними характеристиками напівпровідників, виміру часу життя носіїв заряду. Розроблено новий метод виміру температури твердого тіла на основі фазового зсуву випромінювання лазера.

Наукова новизна методу виміру неоднорідності полягає в тому, що його принцип дії заснований на скануванні лазерного пучка, що дозволяє одержувати інформацію про просторовий розподіл по зразку змін показників поглинання та переломлення з дозвільнючою спроможністю 10 мкм. Вимірювання часу життя носіїв заряду в напівпровідниках забезпечується при інтенсивності люмінесценції до 10-10 Вт з абсолютною похибкою 0,25 нс. Розроблено нові методи виміру температури твердого тіла на основі виміру фазового зсуву випромінювання лазера та на принципах фазометричного контролю зміни довжини оптичного шляху випромінювання, що викликана нагріванням (охолодженням) об'єкту.

Практичне значення одержаних результатів.

В ході дослідження розроблено структурну схему, конструкцію активного елемента та резонатора одномодового, одночастотного стабілізованого по частоті і потужності СО2-лазера. Розроблено і експериментально перевірено метод амплітудної модуляції з глибиною 80% на основі кристалів CdS. Вперше розроблені методи та засоби вимірювання температури твердих тіл на основі контролю фазового зсуву та зміни довжини оптичного шляху, викликаної нагріванням досліджуваного об'єкту. Точність методів становить 0,001 0С. Запропоновано використання метода фазометрії та розроблені відповідні засоби для вимірювання: оптичної неоднорідності кристалів сполук; часу життя неосновних носіїв заряду; впливу дефектів структури на оптичні властивості кристалів. Розроблено технологію створення на основі кристалів сполук А2В6 і А3В5 деяких приладів: багатоелементних лазерів; монолітних світлодіодних матричних екранів; ІЧ-світлодіодів підвищеної потужності.

Особистий внесок здобувача. Основні наукові результати дисертаційної роботи одержані здобувачем самостійно. Зі спільних публікацій здобувачу належить наступне: у [1] - аналіз сучасного стану використання лазерів в метрології напівпровідників, обрано метод модуляції СО2-лазера, зроблено порівняльний аналіз оптичних фазометрів, запропоновано області їх застосування щодо виміру властивостей напівпровідникових сполук; у [2] - проведено аналіз сучасного стану теорії та практики дослідження деградації активних середовищ напівпровідникових лазерів, досліджено вплив інтенсивних пучків електронів на параметри активних елементів лазерів, удосконалено технологію виготовлення оптоелектронних приладів; у [6] - проаналізовані дефекти кремнієвих фотоелектричних перетворювачів; у [7] - розроблена методика дослідження оптичної неоднорідності напівпровідникових матеріалів, що використовуються для створення ІЧ лазерів; у [8] - проведений порівняльний аналіз методів контролю оптичних властивостей напівпровідників, які використовуються в елементах оптоелектроніки ІЧ діапазону; у [9] - проведені дослідження модуляційних властивостей кристалів CdS в ІЧ діапазоні при оптичному накачуванні; у [10] - проведені дослідження термопружного механізму впливу високоенергетичного електронного пучка на досконалість напівпровідникових кристалів; у [11] - проведені дослідження випромінювання ІЧ-діодів підвищенної потужності; у [12] - розроблена модель аналогової ІМС для контролю її стану; у [13] - проведено обґрунтування алгоритму оптимізації технологічних структур складних технічних систем; у [14] - проведені дослідження механізмів нестабільності властивостей планарних транзисторів; у [15] - проведено дослідження технологічних процесів виготовлення фотоелектронних перетворювачів; у [16] - проведено дослідження впливу термічних градієнтів на процеси дефектоутворення при виготовленні електронних приладів; у [17] - проведено аналіз ефективності оптичних цифрових імпульсних фазометрів.

Апробація результатів дисертації. Основні наукові результати дисертаційної роботи оприлюднені на 7-й науково-практичній конференції “Современные информационные и электронные технології”, Одеса, 2006; 2-ї МНТК “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”, Одеса, 2006; Міжнародній науково-технічної конференції “Датчики, прилади та системи”, Ялта, 2006; Міжвузівській науково-практичній конференції “Сучасні напрямки розвитку Сухопутних військ ЗСУ”, Одеса, 2006; 2-й та 4-й міжнародних конференціях “Благородные и редкие металлы” Донецк, 1997, 2003; а також на наукових семінарах ВАТ “Наукове-виробниче підприємство “Сатурн” та ВІКНУ у 2003-2007 роках.

Публікації. Результати дисертації опубліковано у двох монографіях (у співавторстві), п'ятнадцяти наукових статтях (з них три без співавторів) у фахових виданнях та п`яти тезах доповідей.

Структура та обсяг дисертації. Дисертаційна робота складається із вступу, чотирьох розділів, висновків та списку використаних джерел. Загальний обсяг роботи 151 сторінок, у тому числі 36 рисунків, 8 таблиць та 93 найменувань використаних джерел на 10 сторінках.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ

У вступі обґрунтовано актуальність дисертаційної роботи за обраною темою, наукову задачу, розв'язанню якої присвячена дисертація, сформульовано мету і основні завдання дослідження, наукову новизну і практичне значення одержаних результатів. Наведені дані про впровадження результатів роботи, особистий внесок здобувача і відомості про апробації та публікації за темою дисертації.

У першому розділі проведено аналіз вимог до сучасних лазерних засобів метрології в напівпровідниковому виробництві. Зроблено порівняльний аналіз різноманітних типів лазерів. Показано, що лазери на вуглекислому газі найперспективніші для застосування в даній предметній області завдяки можливості одержання великих потужностей з одиниці довжини, малому поглинанню випромінювання, високою стабільністю параметрів та широкою можливістю створення різноманітних конструкцій. Для метрологічних задач лазер повинен бути одномодовим, одночастотним з можливістю перестроювання робочих переходів, на яких здійснюється генерація, мати високу стабільність по частоті та амплітудному значенню потужності випромінювання та задовольняти низці додаткових вимог по розходимості, коливанню діаграми спрямованості тощо. Велике значення для інтерферометрії має висока просторова когерентність випромінювання лазера. Збільшені за рахунок цього яскравість і чіткість інтерференційних смуг полегшують автоматизацію зчитування результатів і зменшують кількість збоїв системи. Таким чином, застосування одночастотних СО2 лазерів в інтерферометрії дозволяє збільшити діапазон вимірювань у порівнянні з іншим. Показано, що лазерні методи діагностики оптичних властивостей напівпровідникових кристалів засновані на дослідженні результатів взаємодії з ними електромагнітної хвилі. Її поводження в речовині описується двома оптичними постійними: показником переломлення (фазова константа) і показником поглинання (амплітудна константа), що характеризують речовину. Особливий інтерес для діагностики напівпровідникових кристалів і структур представляє розробка методів і засобів імпульсної лазерної фазометрії. Важливими характеристиками напівпровідникових монокристалів, що прямо пов'язані із вихідними параметрами лазерів, є просторовий розподіл концентрації нерівноважних носіїв заряду , які виникають при збуджені електронним пучком і, відповідно, абсолютне значення фактора посилення. Доведено, що амплітудно-фазові методи контролю оптичних параметрів напівпровідникових монокристалів і їхніх змін у результаті взаємодії зондуючого лазерного випромінювання з рівноважними (нерівноважними за рахунок накачування) носіями заряду дозволяють одержати досить повну кількісну інформацію про мікрохарактеристики напівпровідникових кристалів і досліджувати їх просторовий і часовий розподіл безпосередньо в процесі збудження. Це, у свою чергу, вимагає розробки методів і засобів фазових вимірювань (безперервних і імпульсних оптичних фазометрів, вимірників фазового фронту тощо), які необхідні для забезпечення високої чутливості, точності та розрізняльної здатності в широкому діапазоні змін оптичних параметрів напівпровідникових монокристалів і приладів на їх основі. Розглянуто особливості існуючих методів та засобів модуляції випромінювання і запропонована найбільш ефективні для створення одночастотного одномодового СО2 - лазера. Сформульовано загальне наукове завдання дисертації, та його основні складові, що пов'язані з удосконаленням методів розрахунку параметрів і конструюванням СО2 - лазера, застосуванням його у імпульсних фазових методах вимірювання основних параметрів напівпровідникових сполук.

У другому розділі надано наукове обґрунтування вибору лазерів для метрології напівпровідників. Запропоновано методику розрахунку конструктивних параметрів лазера у зв'язку з режимом роботи. Показано, що вихідна потужність лазера на вуглекислому газі залежить від багатьох факторів: тиску робочої суміші , парціального тиску компонентів суміші, коефіцієнтів відбиття дзеркал, коефіцієнта пропущення вихідного дзеркала, довжини активного середовища, величини струму розряду та геометрії резонатора. Створено модель, що зв'язує ці параметри із заданою вихідною потужністю для одномодового лазера на вуглекислому газі.

Для розрахунку СO2-лазера необхідно знати коефіцієнт підсилення активного середовища , який залежить від складу та є функцією тиску суміші, співвідношення її компонентів та діаметра розрядної трубки. Значення при інших визначених параметрах залежить тільки від діаметра розрядної трубки і визначається апріорно чи експериментальним шляхом. Оптимальний склад суміші залежить від багатьох факторів: режиму роботи (безперервний або імпульсний) та конструкції лазера (відпаяний або прокачний).

Використовуючи отримані в роботі конструктивні параметри активного елемента, розроблена конструкція газорозрядної трубки та резонатора лазера.

Основною причиною обмеженості терміну служби відпаяного СО2-лазера є дисоціація в розряді і наступне виведення і О з розрядного проміжку в процесі хімічної реакції з матеріалами електродів, розрядної трубки і брюстеровських вікон.

Методи, що запропоновані автором, при повному дотриманні відповідної технології виготовлення та тренування активного елемента дозволяють досягти збільшення терміну служби лазера приблизно до 1000 годин.

Автором проведено розрахунок параметрів активного елемента CO2-лазера. Експериментальні дослідження вихідних характеристик цього показали: максимальна вихідна потужність лазера становила 1,5 Вт при тиску робочого середовища 12 Тор, співвідношення компонентів суміші , струм розряду 20 мА, довжина резонатора 80 см, радіус кривизни сферичного дзеркала 200 см і коефіцієнт пропущення вихідного дзеркала 15%. Розходимість випромінювання склала рад.

В роботі удосконалені методика та засоби модуляції випромінювання СО2-лазера на основі напівпровідникових кристалів. Для дослідження модуляційних властивостей напівпровідникових кристалів необхідно вибрати матеріали, що забезпечують ефективну модуляцію випромінювання СО2-лазера ( мкм). До їх числа відносяться напівпровідникові кристали та , які повинні бути оптично однорідні й прозорі на довжині хвилі випромінювання СО2-лазера і мати малий час життя носіїв заряду для забезпечення високої швидкодії.

Розглянуто методи вимірювання часових фазових зсувів, які знаходять застосування для рішення ряду наукових і технічних задач. Масштабно-часове перетворення моноімпульсних сигналів пропонується здійснювати двома шляхами: за допомогою ортогональної фільтрації та за допомогою квадратурної дискретної обробки. У першому випадку інформація про зсув фаз між несучими коливаннями імпульсів лазерного випромінювання перетворюється в двох квадратурних каналах інтерферометра у відеоімпульси, амплітуда яких з виходу двох фотоприймачів пропорційна та .

Цифровий оптичний фазометр із дискретною обробкою володіє на два порядки більшою швидкодією. При використанні кращих по швидкодії компараторів сигналу швидкодія становить 0,3-0,5 мкс.

У третьому розділі розроблені два методи застосування створених в роботі фазометрів для діагностики напівпровідникових сполук: на основі виміру фазових зсувів та інтерференційний. На основі першого з них розроблено метод контролю температури прозорих в ІЧ діапазоні твердих тіл по зсуву фази лазерного випромінювання.

При відповідному підборі значень довжини хвилі лазерного випромінювання, товщини об'єкта й великого значення коефіцієнта лінійного розширення можна таким методом виміряти зміну температури з точністю до 0,001 0С.

В даному розділі розроблено модель взаємозв'язку структурних та оптичних властивостей, у тому числі - модель впливу дефектів структури на оптичні параметри сполук А2В6 і А3В5. Оптичні властивості напівпровідників повністю визначаються комплексною діелектричною проникністю.

Розглянуто випадок, коли напівпровідник має локальні коливання із частотою , близькою до частоти CO2-лазера , пов'язані з мікроскопічним точковим ізотопічним дефектом. На основі відомих формул для коефіцієнта поглинання та з урахуванням розширення локального піка , одержані зручні вирази, що описують зміни коефіцієнта поглинання.

Таким чином, задача обчислення внеску дефектів в оптичні характеристики напівпровідників вирішена. Аналіз внеску в різних процесів взаємодії випромінювання з напівпровідниковими кристалами, показав високу чутливість фазових методів вимірювань при кількісному визначенні концентрації вільних носіїв заряду, домішок і дефектів структури. Це дозволяє підвищити ефективність діагностики напівпровідникових кристалів, які застосовуються для створення як активних, так і пасивних елементів лазерної техніки РЕЗО.

В роботі розроблено методику та установку дослідження оптичної неоднорідності напівпровідників. При дослідженні оптичних неоднорідностей монокристалів і використовувся метод одночасного визначення фазових і амплітудних розподілів у пучку когерентного випромінювання, що пройшло через досліджуваний зразок. Блок-схема експериментальної установки для дослідження оптичної неоднорідності монокристалів наведена на рис. 3. Одночасно реєструвалися флуктуації інтенсивності, викликані нерівномірністю пропущення, і флуктуації кута відхилень променя , викликані градієнтом показника переломлення. Інтегруючи розподіл виду по шляху сканування, можна одержати розподіл флуктуацій показника переломлення.

Розроблено методику та установку виміру часу життя нерівноважних носіїв заряду. Його сутність полягає в тому, що час життя надлишкових носіїв заряду визначається з вимірювань фазового зсуву між модульованим з високою частотою збуджуючим світловим потоком газового лазера й виникаючим в результаті збудження потоком рекомбінаційного випромінювання (фотолюмінесценції). Рекомбінаційне випромінювання змінюється в цьому випадку за таким же законом, але зсунуто по фазі стосовно збуджуючого лазерного випромінювання.

Вимірювання фазового зсуву в цьому випадку еквівалентно виміру часу затримки. В оптичному діапазоні на частоті ГГц різниця фаз в 10 відповідає інтервалу часу ~10-16 с. Тому створення оптичного фазометра з використанням швидкодіючого ІЧ діода на основі структури метал-оксид-метал, дозволяє значно збільшити чутливість даного методу.

Для проведення вимірювання часу життя методом оптичного фазового зсуву була створена експериментальна установка. Абсолютна похибка вимірювання визначається, в основному, похибкою вимірювання фазових зсувів фазометром (~1,5-20) і становить 0,25 нс. Установка забезпечує вимірювання часу життя в напівпровідникових кристалах при інтенсивності люмінесценції до 10-10 Вт.

У четвертому розділі розглянуто застосування результатів попередніх досліджень, перш за все - діагностики напівпровідників в оптоелектроніці. Отримані результати дозволили підвищити якість напівпровідникових сполук та обґрунтувати можливість створення принципово нових оптоелектронних компонентів ОВТ.

З метою збільшення потужності запропонована конструкція багатоелементного лазера. На напівпровідниковій пластині виконуються поздовжні та поперечні канавки, заповнені речовиною, що поглинає посилену люмінесценцію, яка є спонтанним шумом лазера. Цей шум обмежує розміри збуджуваної області кристала, вихідну потужність і ККД. Поділ напівпровідникової пластини на окремі комірки, оптично незалежні одна від одної, збільшує загальну вихідну потужність випромінювання до ~ 105 - 2,3.106 Вт. Розроблені окремі технологічні процеси виготовлення багатоелементних лазерів та показана можливість створення неохолоджуваних лазерів ультрафіолетового діапазону.

В роботі удосконалено технологію виготовлення ІЧ-світлодіодів з підвищеною потужністю випромінювання. Досліджено вплив площі, товщини шару та підкладки, концентрації в них носіїв заряду на потужність випромінювання переходів на основі і твердих розчинів.

Запропоновано варіант конструкції та технологію виготовлення світлодіодних матричних екранів з використанням досліджуваних в роботі кристалів напівпровідникових сполук.

На основі запропонованих методів, методик, конструкцій і технологій виготовлені дослідні зразки матеріалів та приладів для РЕЗО.

ВИСНОВКИ

У дисертаційній роботі наведене теоретичне узагальнення і нове вирішення актуальної наукової задачі, сутність якої полягала в удосконаленні методів діагностики напівпровідникових активних середовищ оптоелектронних виробів радіоелектронних засобів озброєння.

Головні наукові та практичні результати:

1. Удосконалено фазометричний метод дослідження властивостей напівпровідників із використанням СО2-лазера.

Наукова новизна методу полягає в тому, що на відміну від існуючих відзнакою даного методу є імпульсний режим роботи. Вперше розроблено структурну схему та реалізовано цифровий оптичний імпульсний фазометр з дискретною обробкою сигналу. Він має швидкодію 0,3 - 0,5 мкс, що майже на два порядки більше швидкодії, ніж у методі вимірювання стаціонарних фазових зсувів.

2. Розроблено модель взаємозв'язку структурних та оптичних властивостей напівпровідникових сполук A2B6 та A3B5.

Наукова новизна полягає в тому, що вперше, на основі експериментальних досліджень та вивчення фізичних явищ у напівпровідникових активних середовищах лазера, розроблено модель, що описує взаємні впливи структурних та оптичних дефектів та властивостей цих сполук. Модель заснована на повному визначені ступеня легування, дефектів, домішкового складу кристалів з величиною комплексної діелектричної проникності . На її основі показана можливість визначення зміни показника переломлення з точністю ~ 10-7-10-8 і коефіцієнта поглинання середовищ 10-2-10-3. Цим доведена висока чутливість фазових методів вимірювань для кількісного визначення концентрації носіїв заряду в напівпровідниках.

3. Знайшли подальший розвиток методи дослідження оптичної неоднорідності і її зв'язку з електрофізичними характеристиками напівпровідників, виміру часу життя носіїв заряду. Розроблено новий метод виміру температури твердого тіла на основі фазового зсуву випромінювання лазера.

Наукова новизна методу виміру неоднорідності полягає в тому, що його принцип дії заснований на скануванні лазерного пучка, що дозволяє одержувати інформацію про просторовий розподіл по зразку змін показників поглинання та переломлення з дозвільнючою спроможністю 10 мкм. Вимірювання часу життя носіїв заряду в напівпровідниках забезпечується при інтенсивності люмінесценції до 10-10 Вт з абсолютною похибкою 0,25 нс. Розроблено нові методи виміру температури твердого тіла на основі виміру фазового зсуву випромінювання лазера та на принципах фазометричного контролю зміни довжини оптичного шляху випромінювання, що викликана нагріванням (охолодженням) об'єкту.

Розроблено структурну схему, конструкцію активного елемента та резонатора одномодового, одночастотного стабілізованого по частоті і потужності СО2-лазера. Розроблено і експериментально перевірено метод амплітудної модуляції з глибиною 80% на основі кристалів CdS. Вперше розроблені методи та засоби вимірювання температури твердих тіл на основі контролю фазового зсуву та зміни довжини оптичного шляху, викликаної нагріванням досліджуваного об'єкту. Точність методів становить 0,001 0С. Запропоновано використання метода фазометрії та розроблені відповідні засоби для вимірювання: оптичної неоднорідності кристалів сполук; часу життя неосновних носіїв заряду; впливу дефектів структури на оптичні властивості кристалів. Розроблено технологію створення на основі кристалів сполук А2В6 і А3В5 деяких приладів: багатоелементних лазерів; монолітних світлодіодних матричних екранів; ІЧ-світлодіодів підвищеної потужності.

На основі отриманих наукових результатів розроблено структурну схему, конструкцію активного елемента та резонатора одномодового, одночастотного стабілізованого по частоті і потужності СО2-лазера. Розроблено і експериментально перевірено метод амплітудної модуляції з глибиною 80% на основі кристалів CdS.

Таким чином, сукупність отриманих у дисертації нових наукових результатів, їх наукова та практична значимість дозволяють вважати, що сформульоване вище наукове завдання вирішено, а мета дослідження, яка полягала у підвищенні ефективності функціонування оптоелектронних виробів радіоелектронних засобів озброєння, досягнута.

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ АВТОРОМ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Лазери в метрології напівпровідників: Монографія / В.В. Видолоб, О.С. Гаркавенко, С.В. Лєнков, В.А. Мокрицький. - Одеса: Поліграф, 2006. - 270 с.

2. Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням. Том 2. Активні середовища. Розробка приладів. Монографія / О.С. Гаркавенко, С.В. Лєнков, В.А. Мокрицький, В.В. Видолоб. - Одеса, Поліграф, 2006. - 456 с.

3. Видолоб В.В. Удосконалення методики контролю температури твердих тіл лазерним інтерференційним методом // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2006. - №5. - С 32-35.

4. Видолоб В.В. Дослідження впливу умов оптичної та електронної накачки на коефіцієнт пропускання та зсуву фази інфрачервоного випромінювання для кристалів CdS й GaAs // Нові технології. - Кременчук, - 2006. - № 3 (13). - С.35-39.

5. V.V. Vydolob. Analysis and calculations of parameters of the active element and resonator of gas laser // Межведомственный научный сборник Фотоэлектроника, - 2007 - №1. - С 40-43.

6. Лєнков С.В, Зубарєв В.В., Лукомський Д.В., Видолоб В.В. Дефекти кремнієвих фотоелектричних перетворювачів // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К, 2006. - №12. - С.19-23.

7. Лєнков С.В, Зубарєв В.В., Лукомський Д.В., Видолоб В.В. Методика дослідження оптичної неоднорідності напівпровідникових матеріалів, що використовуються для створення інфрачервоних лазерів // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К., 2006. - №13. - С.63-65.

8. Лєнков С.В., Гаркавенко М.І., Видолоб В.В. Порівняльний аналіз методів контролю оптичних властивостей напівпровідників, які використовуються в елементах оптоелектроніки інфрачервоного діапазону прожектора // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2006. - №2. - С. 88-93.

9. Лєнков С.В., Пашков О.С., Видолоб В.В. Дослідження модуляційних властивостей кристалів CdS в інфрачервоному діапазоні при оптичному накачуванні // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2006. - №3. - С. 56-59.

10. Лєнков С.В., Мокрицький В.А., Лукомський Д.В., Видолоб В.В. Дослідження термопружного механізму впливу високоенергетичного електронного пучка на досконалість напівпровідникових кристалів // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2006. - №4. - С. 65-71.

11. Ленков С.В., Гаркавенко А.С., Браун В.О., Выдолоб В.В. Диоды ИК- излучения повышенной мощности // Вісник Черкаського державного технологічного університету. - Черкаси, 2006. - С. 175-177.

12. Лєнков С.В.,Вишнівський В.В., Шваб В.К., Видолоб В.В. Математична модель аналогової ІМС для контролю її технічного стану параімпульсним методом / Збірник наукових праць Одеського інституту Сухопутних військ. - 2006. - №12. - С.70-73 .

13. Лєнков С.В., Видолоб В.В., Лукомський Д.В., Сєлюков О.В. Обґрунтування побудови алгоритму оптимізації технологічних структур системи випробування складних технічних систем // Збірник наукових праць Одеського інституту Сухопутних військ. - 2006. - №12. - С. 66-69 .

14. Лєнков С.В., Лукомський Д.В., Видолоб В.В., Синіцин В.С. Дослідження механізмів нестабільності властивостей планарних транзисторів // Збірник Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2005. - №1. - С. 89-94.

15. Лєнков С.В., Лукомський Д.В., Видолоб В.В. Керування технологічними процесами виготовлення ФЕП для систем енергозабезпечення РЕЗО // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К., 2007. - №14. - С.15-17.

16. Лєнков С.В., Видолоб В.В., Пашков О.С. Дослідження впливу термічних градієнтів при виготовленні електронних приладів на процеси дефектоутворення // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К., 2007. - №15. - С.77-80.

17. Лєнков С.В., Лепіх Я.І., Видолоб В.В., Перегудов Д.О. Аналіз ефективності оптичних цифрових імпульсних фазометрів // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2007. - № 1 - С.67-70.

18. Тихонова Л.П., Выдолоб В.В., Бакай Э.А. Развитие исследований в области химии платиновых металлов в Украине // Сборник трудов Второй международной конференции “Благородные и редкие металлы” - ч.ІІ. - Донецк, 1997. - С.13 - 14.

19. Ленков С.В., Гаркавенко А.С., Выдолоб В.В. Расчет выходной мощности СО2 - лазера в одномодовом режиме // Труды седьмой научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”. - Одесса, 2006, ч2. - С .136.

20. Лєнков С.В., Видолоб В.В. Механізми деградації ІЧ-випромінювачів // Труди 2-ої МНТК “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. - Одеса, 2006. - С.227.

21. Ленков С.В., Гаркавенко А.С., Браун В.О., Выдолоб В.В. Диоды ИК-излучения повышенной мощности // Труди Міжнародної науково-технічної конференції “Датчики, прилади та системи”. - Ялта, 2006.

22. Мокрицкий В.А., Пашков О.С., Видолоб В.В. Щодо удосконалення напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням // Матеріали міжвузівської науково-практичної конференції “Сучасні напрямки розвитку сухопутних військ Збройних Сил України”. - Одеса , 2006. C.61-62.

АНОТАЦІЯ

Видолоб В.В. Використання лазерних методів в задачах діагностики та метрології при виробництві оптоелектронних компонентів радіоелектронних засобів озброєнь. - Рукопис.

Дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 20.02.14 - Озброєння і військова техніка. ВАТ “Науково-виробниче підприємство “Сатурн”, м. Київ, 2007.

Дисертацію присвячено використанню лазерних методів в задачах діагностики та метрології при виробництві оптоелектронних виробів радіоелектронних засобів озброєнь. Створено одночастотний стабілізований по потужності CO2-лазер із зовнішньою модуляцією імпульсами наносекундної тривалості, який має вихідну потужність випромінювання 1,5 Вт; розходимість випромінювання пучка 2,5•10-3 рад.; частоту повторення імпульсів 1ч100 Гц. Отримані експериментальні результати досліджень амплітудної й фазової модуляції випромінювання CO2-лазера ( мкм), що проходить через монокристал . Розроблено методику амплітудної модуляції випромінювання СО2-лазера з використанням кристалів CdS і GaAs. Отримано значення глибини амплітудної модуляції m випромінювання до 40% для монокристалічних плівок CdS товщиною 3-4 мкм. Удосконалено фазометричний метод дослідження оптичних та електрофізичних властивостей напівпровідникових сполук А2В6, А3В5 із використанням СО2-лазера. Розроблені модель взаємозв'яку оптичної неоднорідності та структурних дефектів кристалів, методики дослідження часу життя носіїв заряду. Створено новий метод та фазометрична установка виміру температури твердих тіл.

Запропоновано методику одержання ІЧ-світлодіодів з підвищеною потужністю випромінювання. Розроблено методику та технологію створення багатоелементних лазерів на основі досліджуваних в роботі кристалів сполук Запропоновано методику конструювання та технологію виготовлення монолітних світлодіодних матричних екранів із зниженою собівартостю виготовлення.

Ключові слова: СО2-лазер, фазометр, напівпровідникові сполуки, дефекти структури, оптична неоднорідність, ІЧ-випромінювання, оптоелектроніка, моделювання.

АННОТАЦИЯ

Выдолоб В.В. Использование лазерных методов в задачах диагностики и метрологии при производстве оптоэлектронных компонентов радиоэлектронных средств вооружений. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 20.02.14 - Вооружения и военная техника. ОАО “Научно-производственное предприятие “Сатурн”, г. Киев, 2007.

Диссертация посвящена использованию лазерных методов в задачах диагностики и метрологии при производстве оптоэлектронных изделий радиоэлектронных средств вооружений.

Создан одночастотный стабилизированный по мощности СО2-лазер с внешней модуляцией импульсами наносекундной длительности, который имеет выходную мощность излучения 1,5 Вт, расходимость пучка излучения 2,5.10-3 рад., частоту повторения импульсов 1…100 Гц. Получены экспериментальные результаты амплитудной и фазовой модуляции излучения такого лазера (мкм), которая проходит через монокристалл CdS. Глубина амплитудной модуляции такого лазера достигает 40 % .

Усовершенствован фазометрический метод исследования оптических и электрофизических свойств полупроводниковых соединений А2В6, А3В5 с применением СО2-лазера. Разработаны модель взаимосвязи оптической неоднородности и структурных дефектов кристаллов, методики исследования времени жизни носителей заряда.

Разработаны методика и установка измерения времени жизни неравновесных носите лей заряда. Оно определяется из измерений фазового сдвига между модулированным с высокой частотой возбуждающим излучением газового лазера и возникающим потоком рекомбинационного излучения. Экспериментальная установка обеспечивала измерение времени жизни носите лей заряда с ошибкой не более 0,25 нс при интенсивности люминесценции до 10-10 Вт.

Создан новый метод и фазометрическая установка измерения температуры твердых тел. При соответствующем подборе значений длины волны излучения лазера, толщину объекта и большом значении коэффициента линейного расширения можно таким методом измерять изменения температуры с точностью до 0,0010 С. Разработана модель интерференционного метода измерения температуры непрозрачных твердых тел.

Предложена методика получения ИК-светодиодов с повышенной мощностью излучения. Разработаны методика и технология создания многоэлементных лазеров на основе исследованных в работе кристаллов соединений. Предложена методика конструирования и технология изготовления светодиодных монолитных матричных экранов с пониженной себестоимостью изготовления.

Ключевые слова: СО2-лазер, фазометр, полупроводниковые соединения, дефекты структуры, оптическая неоднородность, ИК-излучение, оптоэлектроника, моделирование.

SUMMARY

Vidolob V.V. Usage of laser methods in problems of diagnostic and metrology by effecting optoelectronic components of radio electronic means of arms. - Manuscript.

Thesis on obtaining of a scientific degree of the candidate of technical sciences on the specialty 20.02.14 - armament and military technique. ОJC “Research-and-production firm “ Saturn ”,. Kiev, 2007. The thesis is dedicated to usage of laser methods in problems of diagnostic and metrology by effecting optoelectronic items of radio electronic means of arms. The single-wavelength СО2-laser, stabilized on power, with external modulation by momentums of millimicrosecond duration is built, which one has output power of radiation of 1,5 W, beam divergence of radiation of 2,5.10-3 rads., pulse repetition frequency 1 … 100 Hz. The experimental outcomes peak(amplitude) and phase modulation of radiation of such laser ( micron) are obtained, which one passes through a single crystal CdS. The technique of an amplitude modulation of radiation of the СО2-laser with usage of chips CdS and GaAs is designed. The depth of an amplitude modulation of such laser reaches 40 % for single-crystal Membranulas CdS 3-4 microns. Is advanced phase metera method of testing optical and physical characteristicss of semiconducting connections А2В6, А3В5 with application of the СО2-laser. The techniques of research of a life time of charge carriers are designed model of intercoupling of an optical non-uniformity and structural defects of chips. The technique of obtaining of IR-light emitting Diodes with a heightened radiated power is offered. Are designed a technique and technology of creation of multi-element lasers on the basis of chips, investigated in activity, of connections. The technique of designing and production process of LED monolithic template screens with the under cost price of manufacturing is offered. Keywords: the СО2-laser, phase meter, semiconducting connections, defects of frame, optical non-uniformity, IR-radiation, optoelectronics, simulation.

Размещено на Allbest.ur

...

Подобные документы

  • Характеристика розвитку технологій зброї несмертельної дії. Аналіз поглядів військово-політичного керівництва США на використання електромагнітного імпульсу у військових цілях. Вражаючі фактори ядерного вибуху. Захист від електромагнітного імпульсу.

    реферат [55,8 K], добавлен 19.05.2016

  • Причини та цілі заборони та обмеження окремих засобів і методів ведення війни: захист цивільного населення, мирних об’єктів і жертв. Типи даних засобів, їх характеристика та оцінка вбивчої сили. Відповідальність за використання на міжнародному рівні.

    презентация [14,1 M], добавлен 25.03.2019

  • Характеристика та властивості лазерного променя. Структура, принципи роботи та типи лазерів, аналіз шляхів їх застосування у військовій справі. Основні ознаки когерентного світла. Особливості використання наземних лазерних далекомірів в арміях світу.

    реферат [30,9 K], добавлен 13.11.2010

  • Характеристика радіаційної та хімічної обстановки. Особливості основних способів захисту населення від сучасних засобів ураження. Аналіз оцінки радіаційної та хімічної обстановки після ядерного вибуху. Знайомство з засобами колективного захисту населення.

    курсовая работа [494,5 K], добавлен 19.04.2012

  • Обґрунтування задуму на влаштування вузла загороджень, попередній розрахунок сил, засобів та часу на влаштування. Методика визначення сил, засобів і часу на підготовку моста до руйнування. Прийняття рішення на влаштування і утримання вузла загороджень.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 25.12.2013

  • Носії високоточної зброї для поразки стаціонарних та мобільних міжбалістичних ракет. Контрсиловий потенціал високоточної зброї. Проблема крилатих ракет морського базування на підводних човнах. Процес скорочення стратегічних наступальних озброєнь.

    реферат [34,6 K], добавлен 01.05.2009

  • Зброя масового ураження. Ядерна зброя та її уражаючі фактори. Хімічна зброя. Класифікація отруйних речовин за характером їх дії на живі організми. Основні властивості хімічних засобів ураження. Види і основні властивості біологічних засобів ураження.

    дипломная работа [40,6 K], добавлен 15.12.2008

  • Стрілецька зброя напередодні та у роки другої світової війни. Післявоєнна система стрілецької зброї. Розробка вітчизняного ручного кулемета. Кінцевий варіант снайперської гвинтівки. Переозброєння Збройних Сил новими зразками стрілецького озброєння.

    лекция [30,3 K], добавлен 15.08.2009

  • Характер дій незаконних озброєнь і формувань, тактика дій мотострілкових підрозділів при обороні населеного пункту. Використання гранатометів загонами незаконних формувань. Застосування гранатометів та протитанкових гранат у різних видах бойових дій.

    реферат [30,0 K], добавлен 01.11.2010

  • Аналіз основ організації та проведення РІНР на об`єкті, послідовність проведення та залучення сил та засобів. Характеристика найбільш поширених видів СДОР, витікання яких можливе при аварії на хімічно-небезпечних обкатах. Засоби захисту при аваріях.

    курсовая работа [45,0 K], добавлен 25.10.2010

  • Вивчення способу гальмування реакції горіння заснованого на зменшенні концентрації активних центрів у зоні реакції. Аналіз обладнання для установок автоматичного пожежогасіння. Огляд технічних засобів, що забезпечують подачу води для гасіння пожежі.

    реферат [23,3 K], добавлен 10.12.2011

  • Характеристика інформаційно-пропагандистського забезпечення особового складу Збройних Сил України. Форми, методи та засоби воєнно-ідеологічної підготовки та інформаційної роботи. Роль засобів масової інформації в системі пропагандистського забезпечення.

    реферат [27,0 K], добавлен 21.12.2015

  • Загальні відомості, призначення та сфери застосування командирських і командно-штабних машин. Можливості засобів зв’язку машин. Характеристика командно-штабної машини Р-142Н (Р-145БМ, БМП-2КШ), її структура та основні частини, переваги та використання.

    лекция [17,4 K], добавлен 14.08.2009

  • Успіхи українських військових та аналіз дій противника. Невдала спроба противника захопити Київ. Характеристика перебігу битв в Ірпені та Гостомелі. Дослідження структури та чисельності збройних сил супротивника, його озброєння та військову техніку.

    научная работа [2,2 M], добавлен 03.05.2023

  • Поняття та загальна характеристика озброєння й екіпірування солдата. Озброєння та екіпірування солдатів армій НАТО, російської армії та ЦАХАЛу. Склад систем захисту, ураження, енергозабезпечення, управління КБІЕ та життєзабезпечення КБІЕ "Борміца".

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 17.09.2013

  • Організація військ як структура військових формувань, її види та форми. Порядок організації озброєння механізованого (танкового) батальйону. Якісні характеристики будівництва Збройних сил сучасної України, можливі шляхи їх поліпшення в умовах кризи.

    лекция [23,8 K], добавлен 14.08.2009

  • Загальний стан та тенденції світового ринку озброєння та військової техніки. Характеристика оборонно-промислового комплексу України, його стан та можливі напрями співробітництва з країнами Заходу. Міжнародна кооперація військового співробітництва.

    дипломная работа [80,1 K], добавлен 15.01.2011

  • Організація матеріального забезпечення технічного обслуговування воєнних машин та механізмів, порядок підготовки та подачі заявок в умовах бою. Визначення методу проведення ТО по групах озброєння, організація підготовки особового складу до виконання.

    методичка [34,3 K], добавлен 14.08.2009

  • Методика прийому експлуатаційно-технічних документів з комплекту зразка озброєння. Порядок прийому експлуатаційних показників зразка озброєння. Перевірка систем і механізмів СПУ 9П129 на функціонування, основні етапи його підготовки до передачі.

    методичка [73,7 K], добавлен 14.08.2009

  • Вплив конструкції ходової частини на швидкість руху танків та іншої бронетанкової техніки. Вимоги та класифікація систем підресорювання, аналіз конструкцій підвісок, гусеничних рушіїв, котків, амортизаторів. Рідини, що застосовуються в амортизаторах.

    реферат [22,3 K], добавлен 01.11.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.