Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN

Розробка методики вимірювання параметрів потужних НЕМТ та вивчення їх фізичних процесів на основі гетеропереходів AlGaN/GaN, що виникають при опроміненні г-квантами. Причини зміни параметрів ВАХ НЕМТ та шумових характеристик і можливості управління ними.

Рубрика Производство и технологии
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 23.08.2014
Размер файла 47,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

[3] O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, M. Stutzmann. Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures // Journal of Applied Physics - January 1, 2000 - Volume 87, Issue 1, pp. 334-344

[4] Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Свешников Ю.Н., Беляев А.Е., Авксентьев А.Ю., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Куракин А.М., Миленин В.В. Омические и барьерные контакты к микроволновым диодам на основе SiC и GaN // Труды 14ой Международной конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии". - Севастополь: Вебер. - 2004, с.526-527.

[5] Morkoc H. Nitride Semiconductors and Devices. // Springer, 1999. - 488p.

[6] S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan. Low-frequency noise in Al0.4Ga0.6N-based Schottky barrier photodetectors // Applied Physics Letters - August 6, 2001 - Volume 79, Issue 6, pp. 866-868

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.