Основи квантової електроніки та лазерної техніки

Енергетичні стани квантових систем. Оптичні елементи квантових приладів. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання. Основи нелінійної оптики.

Рубрика Физика и энергетика
Вид методичка
Язык украинский
Дата добавления 18.04.2014
Размер файла 655,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Зміст

квантовий оптика прилад лазерний

Передмова

1. Енергетичні стани квантових систем

2. Оптичні елементи квантових приладів

3. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів

4. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання

5. Нелінійна оптика

Перелік посилань

Передмова

До методичних вказівок включені питання та задачі різних рівнів складності, які відповідають курсу "Основи квантової електроніки та лазерної техніки" (ОКЕ ЛТ). Їх розвязання не потребує знань, що виходять за межі навчальної програми. Тому, перед розвязанням задач, слід ознайомитись та вивчити матеріали відповідних підручників, навчальних посібників або конспекту лекцій. Розділи методичного посібника охоплюють глави курсу ОКЕ ЛТ та переслідують мету поглибленого вивчання та засвоєння основних принципів дії квантових пристроїв.

Ознайомившись з умовами задачі, поперед всім, уясніть, які фізичні закономірності лежать в основі. Потім,використовуючи відомі математичні співвідношення, необхідно розвязати задачу вцілому, причому невідома величина повинна бути виражена через умови задачі. Математична підготовка, яка необхідна для розвязання задач, не виходить за межі звичайного курсу з вищої математики. Після отримання розвязання вцілому, можна здійснити перехід до чисельних значень. За результатими обчислень необхідно перевірити розмірність, що виходить з обчислення, і отримане числове значення повинно мати одиницю виміру (розмірність). Точність обчислень визначається фізичною необхідністю і, як правило, обмежується другим або третім знаком після коми. Значення різних параметрів (ефективна маса, час життя, концентрація частинок та інш.), як правило, відповідають фізичним моделям. Чисельні значення та розмірність повинні відповідати системі одиниць СІ. При розвязанні задач та у відповідях рекомендується звертатись до ескізних та графічних уявлень.Необхідні дані звичайно представлені в умовах задач, а у тих випадках, коли вони відсутні, ними можна скористатися у довідковій літературі. Відомо, що величини окремих параметрів змінюються, тому одержана відповідь буде відрізнятися від стандартної. Слід зазначити, що ряд задач може бути розвязаний кількома методами, і в цьому випадку шляхом порівняння та аналізу треба обгрунтувати пропоноване розвязання.

Приведені задачі допускають розвязання за допомогою калькуляторів та сучасної обчислювальної техніки. Крім того, для деяких задач приведені розвязання.

Є ряд задач підвищеної складності, для їх розвязання потрібні поглиблені знання. Такі задачі можуть бути рекомендовані студентам, що бажають їх удосконалити.

Автори методичних вказівок сподіваються, що даний посібник буде корисним та дозволить придбати навички в розвязанні задач по квантовій електроніці.

1. Енергетичні стани квантових систем

Строга квантово-механічна теорія оптичного випромінювання та поглинання розвинена П. Дираком. Вона базується на положеннях М. Планка, А. Ейнштейна, Н. Бора та ін. В квантовій електроніці часто використовується більш простий опис процесів випромінювання: властивостічастки описуються законами квантової механіки, а випромінювання представляється у вигляді хвиль з позиції класичної фізики. Згідно такого напівкласичного стану, елементарними випромінювачами є атоми, іони, молекули, які розглядаються з позиції квантової механіки як квантові системи, енергія яких може прииймати тільки визначені дискретні значення En, котрі утворюють енергетичний спектр.

Найбільш просту структуру енергетичного спектру має атом водню, який є основою для опису властивостей більш складних атомів, іонів, молекул.

В першому наближенні (одноелектронному) енергія електронів у багатоелектронних атомах визначається їх рухом у деякому ефективному полі, утвореному ядром разом з рештою електронів. У цьому випадку кожен стан електрону можна характеризувати квантовими числами n, l, ml, ms, s за аналогією з атомом водню.При цьому енергія електрону виявляється залежною не тільки від n,але і від l; від ml та ms вона, як і раніше, не залежить.

Заповнення електронних оболонок та шарів у складних атомах відбувається у відповідності з принципом Паулі. Розподілення електронів по оболонках характеризує електронну конфігурацію атому,яка може бути нормальною та збудженою. Для атомів перехідних елементів з частково заповненими внутрішніми оболонками електронна конфігурація виявляється значно складнішою.

Енергетичний стан складного атому як цілого можна характеризувати також за допомогою квантових чисел, набір яких визначається характером взаємодії. Для більшості атомів між електронами враховується зв`язок Рассела-Саундерса -- (LS)-зв`язок. В деяких атомах енергія спинорбітальної взаємодії перевищує енергію електростатичного відштовхування електронів в електронній оболонці-(j,j)-зв`язок. У деяких випадках з трьома і більше електронами відбувається проміжний (j,l)- зв`язок.

Енергетичні спектри молекул значно складніші, ніж атомів. Крім руху електронів навколо атомних ядер, відбувається коливання ядер біля положення рівноваги, а також обертовий рух молекули як цілого. У відповідності із законами квантовоі механіки енергія усіх видів внутрішнього руху в молекулі квантується. Повна енергія молекули E може бути подана у вигляді суми квантованих значеннь електронної Eел, коливальної Eкол, обертової Eоб енергій.

Електронні рівні молекули характеризуються квантовим числом S, яке визначає абсолютну величину повного спинового моменту усіх електронів (S=0 -- синглетні рівні; S=1 -- триплетні). Класифікація електронних термів молекул грунтується на тих же принципах, що і для багатоелектронного атому. Аналогом квантових чисел j та J для атомів є внутрішнє квантове число молекули

+S.

Молекулярний терм має вигляд

2S+1.

Важливе значення має характер розташування коливальних рівнів, котрі можна розглядати як лінійний гармонічний осцилятор, частота коливань якого співпадає з класичною частотою малих пружніх коливань

0 = .

Присутність коливального руху молекули як цілого призводить до розщеплення кожного коливального рівня на обертові підрівні з квантованими значеннями енергії:

Eоб =, , ,

де =0,1,2 - коливальне квантове число;

В - коливальна стала;

I - момент інерції молекули.

Енергетичний спектр кристалу як багатоядерної та багатоелектронної системи можливо описати лише приблизно. Найбільш часто використовують адіабатичне та одноелектронне наближення. В одноелектронному наближенні розглядається незалежний рух кожного з електронів в усередненому полі не тільки ядер, але і решти електронів. Такий рух описується одноелектронною хвильовою функцією

,

де V(r) - самоузгоджений потенціал.

Розв`язок рівняння згідно визначення , , і дозволяє передбачити електрофізичні та оптичні властивості.

Вигляд оптичних спектрів випромінювання (поглинання) атомів, іонів, молекул визначається їх енергетичними спектрами, а також зовнішніми факторами (температурою, тиском і т.д.) [1].

Задача 1. Виписати можливі терми атомів, які містять крім заповнених оболонок два електрона p и d.

Задача 2. Записати електронну конфігурацію атома фтора (z=9) та вичислити L та S в основному стані.

Задача 3. Вичислити довжину хвилі електрону, який рухаеться зі швидкістю .

Задача 4. Яка довжина хвилі де Бройля протона і електрона, енергії яких дорівнюють середній кінетичній енергії теплового руху молекул при кімнатній температурі (T=200C).

Задача 5. Визначити коефіцієнт прозорості високого потенціального бар`єру (E<U0) прямокутної форми шириною а.

Задача 6. Знайти умови при яких електрон проходить яму без россіювання. Визначити фізичний сенс цієї умови.

Задача 7. Визначити індукцію зовнішнього магнітнього поля, необхідного для експерементального спостереження нормального ефекту Зєємана на спектроскопі, який має дозволену здатність в області довжин хвиль .

Задача 8. Визначити атомний номер z елемента, у якого довжина хвилі лінії K =0,19399 нм. Що це за елемент

Задача 9. Атом знаходиться у стані зі спиновим квантовим числом S=1, маючи повний механічний момент . У відповідній векторній моделі кут між спиновим і повним механічним моментами = 73,20. Записати спектральний символ терма цього стану.

Задача 10. Використовуючи принцип Паулі вказати, яке максимальне число zmax електронів в атомі мають однакові квантові числа:

1) n,l,ms,me. 2) n,l,me . 3) n,l. 4) n.

Задача 11. Знайти відношення сталих Рідберга для водню та гелію, якщо маси водню, ядра гелія та електрона дорівнюють відповідно:

Задача 12. Повний механічний момент атома . Атом знаходиться у стані з орбітальним квантовим числом L=3. У векторній моделі кут між спиновим і повним механічним моментами =900. Визначити значення квантових чисел S та J.

Задача 13. Найти три члена серії Лаймана для іонів He+ та Li++.

Задача 14. Визначити електронні конфігураціі і за допомогою правила Хунда знайти основний терм атомів: a) C та N, б) S та Cl. Електронні конфігураціі цих атомів відповідають забудові електронних оболонок в нормальному порядку.

Задача 15. Визначити величину зсуву (в нм) для першої лінії серії Лаймана у спектрі дейтерія та трітія (по відношенню до водню).

Задача 16. Визначити значення r, яке відповідає максимуму величини для хвильової функціі стану 1S водню. Для 1S, .

Задача 17. Вузький пучок атомів в стані пропускається за методом Штерна та Герлаха крізь поперечне, різко неоднорідне, магнітне поле, в якому . Визначити силу, яка діє на крайні компоненти розщепленого пучка (магнитон Бора ).

Задача 18. Визначити довжину хвиль перших трьох ліній серії Бальмера для He+.

Задача 19. Визначити величину повної енергії електрона в атомі водню на першому, другому та третьому рівнях.

Задача 20. Визначити довжину хвиль для перших трьох ліній серії Бальмера у водні.

Задача 21. Атом знаходиться у стані, мультиплетність якого дорівнює 3, а повний механічний момент . Яким може бути відповідне квантове число L.

Задача 22. Магнітний момент атома дорівнює . Атом знаходиться у стані з n=3 та спіновим числом S=1/2. Визначити фактор Ланде, якщо величина механічного моменту MJ максимальна.

Задача 23. Визначити магнітний момент для атома у стані .

Задача 24. Валентний електрон атома натрія знаходиться у стані з n=4. Значення інших квантових чисел такі, що атом має найбільшу можливу величину механічного моменту MJ. Визначити магнітний момент атома у цьому стані.

Задача 25. Магнітний момент атома, величина якого дорівнює двум магнетонам Бора, зпрямований під кутом 300 до магнітного поля з індукцією В=0,3 Тл. Знайти енергію взаємодії магнітного момента з магнітним полем.

Задача 26. Повне орбітальне число атома дорівнює L=3. Вичислити величину максималної додаткової енергії, яку придбає орбітальний магнітний момент атома у полі з індукцією В=1,5 Тл.

Задача 27. Визначити максимальний і мінімальний кути між орбітальними моментами електронів, в яких l1=2, a l2=3.

Задача 28. Вичислити повні значення момента кількості руху електрону, орбітальний момент якого має квантове число l=3.

Задача 29. Вичислити множники Ланде для атомів з одним валентним електроном, в якого l=0;1;2.

2. Оптичні елементи квантових приладів

Основні характеристики ОКГ залежать від типу резонатора, від утворюючих його оптичних елементів: дзеркал, призм, резонансних відбивачів, та інш.

Резонатор є одним з найважливіших елементів будь-якого квантового пристрою - мазера або лазера. Основне призначення резонатора - утворення найкращих умов для взаємодії збудженої системи з електромагнітним полем, тобто таких умов, при яких індуковане випромінювання багатократно проходить через квантову систему.

Резонатор забезпечує додатний зворотний звязок за рахунок повернення частки індукованого випромінювання назад в робочу речовину, визначає його спектральний склад, когерентність, спрямованість, потужність.

В квантових приладах НВЧ-діапазону у більшості випадків використовуються порожньотілі обємні резонатори. Малі втрати потужності на стінках при значних коефіцієнтах відбиття призводить до великих значень добротності таких резонаторів. Конфігурація та розподіл полів в них дуже відрізняються від розподілу у вільному просторі. Лінійні розміри обємних резонаторів НВЧ порівнюються з довжиною хвилі. Тому спектр їх власних коливань дуже розріджений. Він складає декілька типів коливань. Найбільш розповсюджені в мазерах прямокутні, круглі та смужкові резонатори.

Використання в оптичному діапазоні обємних резонаторів, розміри яких багато більше довжини хвилі випромінювання, неможливо, тому що вони практично втрачають свої резонансні властивості.

В квантових приладах використовуються відкриті резонатори, розміри яких набагато більші довжини хвилі. Найпростіший із них резонатор Фабрі-Перо складається з двох плоских дзеркал, які знаходяться на відстані один від одного і перпендикулярно осі, що зєднує їх.

Власні коливання відкритого резонатора можна розглядати як результат інтерференції хвиль, що розповсюджуються від одного дзеркала до іншого. В результаті утворюються продольні стійкі типи коливань (моди). Окрім чисто продольних мод у відкритому резонаторі існують поперечні, що розповсюджуються під кутом до осі резонатора.

Добротність резонатора визначається витратами, що обумовлені розсіянням випромінювання на краях дзеркал (дифракційні витрати), поглинанням та розсіянням на різних дефектах в активному середовищі (дисипативні витрати), витратами, що викликані неудосканаленим виготовленням дзеркал.

Із великої кількості конструкцій, найбільш поширені відкриті резонатори з сферичними та плоскими дзеркалами 2.

Задача 1. Резонатор утворено випуклим сферичним дзеркалом з радіусом кривизни R1=1 м та увігнутим сферичним дзеркалом з радіусом R2=1,5 м. Якою повинна бути максимальна відстань поміж дзеркал, щоб резонатор залишився стійким?

Задача 2. Лінія лазерного переходу R1 рубіну добре описується лоренцевою кривою, причому її ширина на рівні 0,5 від максимального значення дорівнює 330 ГГц. Виміряне значення перетину переходу в максимумі лінії дорівнює =2,5х10-20 см2. Обчислити випромінювальний час життя (показник заломлення n=1,76). Чому дорівнює квантовий вихід люминесценції, якщо при кімнатній температурі спостережений час життя дорівнює 3 мс?

Задача 3. Для тіла обємом V=1 см3 визначте кількість мод, що мають довжини хвиль у межах смуги шириною =600 нм.

Задача 4. Інтерферометр Фабрі-Перо, що складається з двох ідентичних дзеркал, розєднаних повітрянним проміжком довжиною L,освітлюється безперервним монохроматичним світлом з частотою, яка може змінюватись. З вимірів залежності інтенсивності вихідного пучка від частоти падаючої хвилі було знайдено, що область дисперсії інтерферометра дорівнює 3х109 Гц, а його розрізненість складає 3МГц. Обчислити відстань поміж дзеркал L інтерферометра, його різкість та коефіцієнт відбиття дзеркал. Обчислити також добротність Q резонатора Фабрі-Перо на довжині хвилі 0,6 мкм (оранжевий колір), та час життя фотону в резонаторі.

Задача 5. В He-Ne лазері, що випромінює на довжині хвилі =0,6328 мкм використовується конфокальний резонатор довжиною L=1 м. Обчислити розмір плями у центрі резонатора та на дзеркалі.

Задача 6. Намалюйте шкалу довжин хвиль, що перекривають видимий діапазон електромагнітних хвиль. До якої області цього спектра потрапляють рубіновий, He-Ne, Ar , лазери на родаміні 6 G2 Якому кольору відповідають випромінювання цих лазерів?

Задача 7. Назовіть хоча б чотири лазера, довжини хвиль яких лежать в ІЧ-області спектру.

Задача 8. Назовіть хоча б три лазери, довжини хвиль яких знаходяться в УФ-області спектру. Які проблеми виникають при здійсненні генерації в УФ та ретгенівському областях спектру?

Задача 9. В He-Ne лазері, що випромінює на довжині хвилі =0,63 мкм, використовується конфокальний резонатор довжиною L=1 м. Обчислити різницю частот поміж двома сусідніми повздовжніми модами.

Задача 10. Обчислити розмір плями на обох дзеркалах напівконфокального резонатора довжиною L=2 м, що використовується в CO2-лазері, який випромінює на довжині хвилі =10,6 мкм.

Задача 11. Розмір плями в перетяжці гаусового пучка, що випромінюється He-Ne лазером видимого діапазону, дорівнює =0,5 мм. Обчислити розмір плями пучка та радіус кривизни поверхні фаз на відстані 10 м від перетяжки.

Задача 12. Гаусів пучок з попередньої задачі необхідно сфокусувати таким чином, щоб перетяжка пучка з розміром плями 50 мкм, утворилась на відстані 1 м від перетяжки вихідного пучка. Яку фокусну відстань повинна мати лінза , та де вона буде розташована?

Задача 13. Для резонатора, що описується в задачі 9, знайдіть скільки різних за частотою мод лежить у межах ширини лінії Ne (визначити за рівнем 0,5 від максимального значення).

Задача 14. В CO2-лазері, який випромінює на довжині хвилі =10,6 мкм, використовується конфокальний нестійкий резонатор. Резонатор має довжину L=1 м. Яким чином треба обрати резонатор, щоб обєм мод був максимальним? Обчислити апертури дзеркал 2а1 и 2а2, щоб було можливо отримати: 1) Nek=7,5; 2) вихід випромінювання з єдиноторцового резонатору; 3) 20% вихідного випромінювання за повний прохід резонатору. Визначте радіуси дзеркал R1 и R2.

Задача 15. Використовуючи наближення геометричної оптики та припускаючи, що мода, яка генерується - нижчого порядку, обчислити втрати за один повний прохід в резонаторі, що розрахований в попередній задачі.

Задача 16. Нехай ширина лінії випромінювання Hе-Nе-лазера у режимі синхронізації мод дорівнює 0,6 ГГц, а його спектр можна приблизно описати функцією Гауса. Обчислити відповідну тривалість вихідного імпульсу у випадку, коли виконується умова синхронізації мод.

Задача 17. Квантовий вихід переходу S1S0 у барвнику родамін 6G дорівнює 0,87, а відповідний час життя ~ 5 нс. Обчислити спонтаний спонт та безвипромінювальний безвипр часи життя рівня S1.

Задача 18. Доведіть, що ABCD- матриця для проміня, що падає із середовища з показником заломлення n1 на сферичну поверхню діелектричного середовища з показником заломлення n2, записується у вигляді , де R- радіус кривизни сферичної поверхні (R>0, якщо центр знаходиться ліворуч від поверхні).

Задача 19. Розглянемо тонку лінзу з показником заломлення n2, утворену з 2-х близько розташованих сферичних діелектричних поверхнь з радіусами R1 та R2. Користуючись розвязанням задачі 19 покажіть, що фокусна відстань цієї лінзи дається виразом

,

де n1 - показник заломлення середовища, що оточує лінзу.

Задача 20. Інтерферометр Фабрі-Перо складається з 2-х дзеркал з однаковим коефіцієнтом відбиття за потужністю R та однаковими відносними внутрішніми втратами за потужністю . Покажіть, що максимальне перепускання интерферометра дається виразом (1-R-)2/(1-R)2. Обчислити максимальне перепускання у випадку R=0,9 і =0,01 та порівняйте його з відповідною величиною для дзеркал без втрат.

Задача 21. Обчисліть логарифмічні втрати , відповідні коефіцієнту перепускання дзеркала Т=80%.

Задача 22. Який вираз слід обрати для розрахунку модового обєму Va в активному середовищі у випадку, коли генерується велика кількість повздовжніх мод з однаковим поперечним розподілом (ТЕМ00)?

Задача 23. У Nd:YAG лазера, що випромінює на довжині хвилі =1,06 мкм, лінія випромінювання має однорідну ширину ГГц. Обчисліти очікувану тривалість імпульсу лазера, якщо довжина його резонатора L=1,5 м, а сінхронізація мод у ньому здійснюється за допомогою акустичного модулятора. Якою була б тривалість імпульсу, якщо лінія була неоднорідно уширена? Обчисліть частоту напруги, яку необхідно прикласти до акустооптичного модулятора, коли він був би розташований на одному з кінців резонатора.

Задача 24. Лінзою фокусується пучок з плоским хвильовим фронтом електромагнітного випромінювання круговим поперечним перетином та однорідним розподілом інтенсивності. В скільки раз збільшиться інтенсивність у фокусі лінзи порівняно з інтенсивністю падаючої хвилі?

Задача 25. Обчислити доплерівську ширину лінії переходу з =10,6 мкм (Т=400К) молекули СО2. Оскільки в СО2 - лазері ширина лінії лазерного переходу складає близько 5 МГц/(мм. рт. ст.) знайдіть, при якому тиску вуглекислого газа обидва механізма зроблять одинакові внески в ширину лінії.

Задача 26.

Лампа з внутрішнім діаметром 4 мм розташована вздовж фокальної лінії еліптичного освітлювача з великою оссю довжиною 34 мм та малою оссю 31,9 мм. Обчислити розмір зображення лампи на другій фокальній лінії. Що трапиться, якщо повздовж цієї фокальної лінії розмістити стержень з полірованою боковою поверхнею?

3. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів

У оптичних квантових генераторах, працюючих на твердих кристалічних тілах, перехід системи до збудженого стану можна здійснити за допомогою зовнішнього електромагнітного поля. При такому засобі досягнення інверсної населеності використання тільки двох рівнів неможливо, оскільки імовірності переходів однакові. Тому при опроміненні можна тільки зменшити різницю () в порівнянні з рівноважною, але не зробити її від`ємною і, отже, не можна отримати від`ємний коефіцієнт поглинання.

Малюнок 3.1 - Переходи до трирівневої системи

Розглянемо систему з трьома енергетичними рівнями і () з населеністю і відповідністю (мал. 3.1). У рівноважному стані в кристалі майже всі атоми знаходяться на нижньому основному енергетичному рівні, тобто і.

Під дією випромінювання від зовнішнього джерела системою поглинається енергія, відповідна до частоти широкої смуги рівня 3. Смугу поглинання рівня 3 прагнуть підібрати по можливості більш ширшою. Це збільшує К.К.Д. квантового генератору. Газорозрядні лампи або інші джерела енергії, як правило, мають широкий спектр випромінювання. Тому, чим ширше рівень 3, тим більша енергя накачування, що використовується на збудження квантової системи. Звичайне випромінювання, що викликає перехід атомів на збуджені рівні, називають випромінюванням накачування, а сам процес створення інверсної населеності за допомогою зовнішнього електромагнітного випромінювання називається накачуванням.

При виборі системи з трьома рівнями звичайно прагнуть дотриматись таких умов.

Імовірність невипромінюваного переходу повинна бути значно більшою, ніж, тобто

або (3.1)

За цієї умови протягом години велика частина збуджених атомів перейде на рівень 2.

Імовірність спонтанного переходу повинна бути значно меншою ніж імовірність, тобто

або (3.2)

Це означає, що рівень 2 повинен бути значно стійкішим (метастабільним) в порівнянні з рівнем 3, що забезпечує накопичення збуджених атомів на рівні 2. При досить високій потужності накачування може бути досягнута інверсія населеності між рівнем 2 і основним рівнем, але оскільки час життя рівня 3 малий, то збуджені атоми не затримуються на ньому і невипромінювано переходять на триваліший рівень 2, створюючи інверсну населеність цього рівня відносно до рівня 1. Час життя рівня 2 повинен бути досить великим, щоб нагромадити на ньому енергію, необхідну для генерації. Наприклад, для рубіна с., а с., тобто час життя рівня 2 в рубіні в разів більший часу життя рівня 3.

Враховуючи зміни населеності всіх трьох рівнів внаслідок різних переходів, кінетичні рівняння переходів в квантовій трирівневої системи можна записати в такому вигляді:

, (3.3)

, (3.4)

. (3.5)

Ці рівняння записані в спрощеній формі, оскільки в них не враховане виродження рівнів. Якщо енергетичні рівні характеризуються деякими мірами виродження , то необхідно замінити на і згідно з першим співвідношенням Ейнштейна ,а не .

Враховуючи особливості конкретної системи, ці рівняння можна спростити.

Одне з них можна виключити, замінивши простішим співвідношенням

, (3.6)

де - загальна кількість атомів активатора в 1 смі.

Якщо далі передбачити, що накопичення на рівні 3 не відбувається, як у випадку рубінового ОКГ, тобто

і, (3.7)

те рівняння (3.5) матиме вигляд

, (3.8)

а сама система перетвориться в дворівневу, оскільки

Враховуючи ці допущення, перетворюємо рівняння (3.3) і (3.5), що матимуть такий вигляд:

Оскільки в рубіні швидкість переходу з рівня 3 на метастабільний рівень 2 значно більше швидкості переходу з рівня 3 на рівень 1, тобто, то рівняння (3.9) приймає вигляд

. (3.10)

У стаціонарному режимі, тобто при, маємо

. (3.11)

З цього рівняння видно, що необхідна умова генерації може бути виконана тільки при таких потужностях накачування, коли, тобто

(3.12)

Величина ймовірностей переходів атомів з рівня 1 на рівень 3 внаслідок накачування визначається таким чином

, (3.13)

де n - кількість фотонів,що падають нормально поверхні кристала S в одиницю часу; - ефективний перетин поглинання для переходу атома з рівня 1 на рівень 3 при впливі квантів ; Р - потужність накачування в смузі частот поглинання активної речовини.

З урахуванням значення (3.13) і порогової умови накачування (3.12) можна отримати вираз для порогового значення потужності випромінювання накачування:

або. (3.14)

Для рубіна, наприклад, при значеннях с., , Дж порогова потужність накачування повинна складати. Насправді, порогова потужність накачування значно більше цієї величини внаслідок різних втрат в оптичному резонаторі.

Згідно з виразами (3.11), (3.12) і (3.14) ймовірність генерації та порогова потужність накачування істотно залежать від ймовірності спонтанного переходу з метастабільного рівня на основний рівень 1.

Цей перехід зумовлює флуоресценцію збудженого кристала рубіна, тобто втрати на некогерентне випромінювання. Частка флуоресценції у випромінюванні рубінового ОКГ досить велика. Це призводить до того, що енергія, необхідна для збудження половини всіх атомів з основного стану, не переходить в когерентне випромінювання.

Зручнішою з енергетичної точки зору є система з чотирма рівнями (мал. 3.2). В цій системі вимушене випромінювання відбувається при переході активних атомів між рівнями , з яких рівень 2 розташований вище основного рівня 1. Різниця повинна бути значно більшою кванта теплових коливань kT, щоб зробити неможливим перехід атомів за рахунок теплових коливань з основного рівня 1 на рівень 2, тобто повинне бути

. (3.15)

Якщо ця умова не виконана і

, (3.16)

то система стає трирівневою, оскільки рівень 2 фактично зливається з рівнем 1.

Практично систему можна вважати чотирирівневою, якщо , і трирівневою, якщо справедливий вираз (3.16).

Якщо умова (3.15) виконана, то при термодинамічній рівновазі населеність рівня 2 дуже мала. Оскільки рівень 2 завжди не заповнений, то для створення інверсної населеності досить перевести з основного стану в стан 3 хоч би декілька атомів. Тому, для збудження чотирирівневих генераторів потрібна значно менша витрата енергії, ніж для трирівневих.

Малюнок 3.2 - Переходи до чотирирівневої системи

Вперше чотирирівневий ОКГ був здійснений Сорокіним та Стівенсоном (США), які використали для цього кристали флюорита ( ) з або або (при концентрації активних атомів ).

Найтиповішою чотирирівневою активною речовиною є скло з домішками тривалентних іонів неодима. Умова (3.15) у скла з неодимом і у флюорита з ураном виконується при температурі. Тому квантові генератори на цих речовинах добре працюють при кімнатній температурі, не вимагаючи спеціального охолодження

Рівень 2 у них знаходиться приблизно на вище основного рівня 1. В кристалі рівень 2 знаходиться на відстані над основним рівнем 1. Тому при кімнатній температурі таке середовище нічим не відрізняється від трирівневої системи і працює як чотирирівнева лише при температурах нижче.

Крім цієї умови при виборі чотирирівневої системи прагнуть виконати всі умови, розглянуті в попередньому розділі для трирівневих систем.

Кінетичні рівняння населеності рівнів в чотирирівневій системі можна записати в такому вигляді:

(3.17)

(3.18)

(3.19)

(3.20)

Так само як у разі трирівневої системи, будемо вважати, що накопичення атомів на рівні 4 не відбувається, тобто

і (3.21)

що справедливо при

тобто або (3.22)

Ця умова звичайно завжди виконується так само, як і для рівня 2, де також не повинне відбуватися накопичення атомів, тобто

або (3.23)

Таким чином, чотирирівнева система також зводиться до дворівневої, і рівняння перетворюються у вираз

(3.24)

У стаціонарному режимі

(3.25)

тобто необхідна умова генерації в цьому випадку не має того обмеження, яке накладає флюоресценція в трирівневій системі. Тому у вираженні порогової потужності накачування, для чотирирівневої системи множник, що характеризує ймовірність спонтанного переходу буде відсутнім. Отже, чотирирівнева система може працювати в режимі генерації при значно менших потужностях накачування [3].

Задача 1. Оцінити мінімальну потужність лампи-спалаху, необхідну для накачування твердотільного лазера. Кількістьактивних часток в кристалі част/смі, об'єм кристала V = 10 смі.

Час життя часток на верхньому робочому рівні с. Середина смуги, в якій відбувається основне поглинання випромінювання джерела накачування, Гц. Прийняти к.к.д. лампи накачування 100%.

Інверсія настає, якщо на верхньому робочому рівні знаходиться більше ніж половина активних часток.

Задача 2. Розглянути накачування лазерного кристала джерелом інтенсивністю в одиничному інтервалі довжин хвиль. Кристал (мал. 3.3), виконаний у вигляді прямокутного паралелепіпеда довжиною L з квадратним перетином (бік квадрата а). Дзеркала нанесені прямо на грані кристала (штриховка).

Малюнок 3.3 - Геометрія накачування лазерного кристала

Випромінювання джерела накачування падає перпендикулярно до грані кристала в напрямі осі x. Коефіцієнт поглинання випромінювання в кристалі , квантова ефективність.Джерело накачування вважати досить вузькосмужним, тобто в межах ширини спектру джерела величини, і можна вважати постійними:

;;.

1. Оцінити порогову потужність джерела накачування, вважаючи, що поглинання в кристалі невелике і не впливає на інтенсивність випромінювання, яке проходить крізь кристал .

2. Врахувавши зміну інтенсивності сигналу накачування за рахунок поглинання в кристалі, визначити граничну товщину кристала, для якої накачування ще ефективне.У цьому випадку вважати, що

Вт/см2.

Крім того, при оцінюванні використати наступні дані:, см-3, см-1, мкм,. Ширина лінії люмінісценції (при Т = 290К ) см-1, довжина паралелепіпеда L = 1,2 см, а бік квадрату а = 0,1 см, коефіцієнт відображення дзеркал, довжина хвилі випромінювання мкм.

Розв`язання.

Оцінимо потужність джерела накачування, що поглинається в одиниці об'єму кристала.

За рахунок поглинання в кристалі інтенсивність падаючого на грань кристала випромінювання джерела накачування зменшується згідно із законом

(3.26)

Зміну інтенсивності на елементі шляху в площині кристала рівно [використовуючи рівняння (3.25)].

Таким чином, потужність, що поглинається в одиниці об'єму та інтервалі довжин хвиль від до, дорівнює

З цієї кількості тільки -я частина йде на створення інверсної населеності, тобто корисна потужність

Енергія поглиненого фотона

Вважаючи, що один поглинений фотон призводить до появи однієї збудженої частки на верхньому робочому рівні, отримуємо, що число часток, які збуджуються в одиниці об'єму в одиницю часу за рахунок поглинання випромінювання у всій ширині джерела, дорівнює

Оскільки, , в межах спектру випромінювання джерела мало змінюються, виносимо їх з-під знаку інтеграла, отримуючи

,

Де

- інтегральна за спектром інтенсивність джерела накачування

.

Кількість часток в одиниці об'єму, що йдуть з рівня в одиницю часу за рахунок спонтанних переходів на поріг генерації, дорівнює (розглядається порогове значення накачування).

Очевидно, повинно виконуватися рівняння і, отже,

,

тобто порогова інтенсивність

. (3.27)

При відсутності виродження для лоренцевої форми лінії

. (3.28)

Підставляючи (3.27) в (3.26) і враховуючи, що, а довжина хвилі випромінювання в кристалі пов'язана з довжиною хвилі випромінювання у вакуумі () співвідношенням, маємо

(3.29)

Для початкових даних задачі це дає Вт/см2. Поверхня кристала, на яку падає потік см2, тобто потужність падаючого на кристал випромінювання Вт.

Гранична товщина кристала визначається з умови, що при проникненні в глибину кристала на відстань а інтенсивність падає остільки,

що інверсна населеність стає менше порогової.

Якщо - початкова інтенсивність, то а визначиться з умови, де знаходять по формулі (3.28). Таким чином,

.

Для Вт/см2, Вт/см2, використовуючи початкові дані, отримуємо см.

Задача 3. Приписати значення від`ємної температури системі двох енергетичних рівнів. Населеність верхнього та нижнього рівнів дорівнює відповідно см3 і см3. Кратністьь виродження верхнього рівня 2, нижній рівень не виражений.

Чи можливе в системі, що розглядається, посилення? Поглинання?

Задача 4. Отримати умову інверсної населеності для обертальних-коливальних рівнів (обертально-коливальна інверсія) між рівнями, і , лінійної молекули без центру інверсій.

Вважати, що розподіл по обертальних рівнях дуже швидко встановлюється і після цього може бути представлений у вигляді

. (3.30)

Обертально-коливальний рівень задається набором коливальних чисел та обертальним числом.

Енергія

, а,

де Т- кінетична температура газу, що визначається температурою обертальних і поступальних заходів свободи.

Визначити мінімальне значення числа j, для якого виконується умова інверсної населеності для обертальних рівнів молекули HF. Для оцінок прийняти частоту смуги см-1, см-1, см-1, . У вираженні для на відміну від попередньої задачі міститься з, оскільки задається в см-1.

Задача 5. На малюнку (3.4) показана чотирівнева система. Накачування йде з нижнього рівня 1 на самий верхній рівень 4. Інверсная населеність утворюється між середніми рівнями 3, 2.

Імовірність переходів з рівня 4 на рівень 3 і з рівня 2 на рівень 1 досить велика, так що рівні 4 і 2 можна завжди вважати порожніми.

Кінетичні рівняння для такої системи звичайно записуються у вигляді:

;

,

де W - число часток, що попадають на рівень 3 за рахунок накачування в одиницю часу; n3 - число часток на рівні 3 (нагадаємо, що число часток на рівні 2 дорівнює n2=0); Bc константа, що залежить від частоти; N - число фотонів в типі коливань резонатора лазера; - час спонтанного випромінювання; - час життя фотонів в резонаторі; - ймовірність того, що фотони, які утворюються внаслідок спонтанного розпаду, попадають в тип коливань, що розглядається.

Малюнок 3.4 - Чотирирівнева система. Накачування відбувається з рівня 1 на рівень 4. Робочий перехід Прямими стрілками показані випромінювані переходи, хвилястими невипромінювані

1) Визначити Bc і і показати, що, тобто показати, що кінетичне рівняння для числа фотонів можна записати у вигляді

.

2) Написати явний вигляд виразів Bc і для лоренцової форми лінії люмінесценції активної речовини.

Задача 6. Визначити порогову населеність для початку генерації на R1 лінії рубіна.

Діаграма енергетичних рівнів іона Cr3+ в рубіні показана на малюнку (3.5). Рівень двократно, рівень чотирикратно виражені. Щильність активних часток для стандартного рубінового кристала см-1, температура кристала Т = 300 К, дзеркала нанесені прямо на грані кристала і мають коефіцієнт відображення , довжина кристала L = 5 см, напівширина лінії люмінесценції на напіввисоті см-1, час спонтанного випромінювання переходу, с,показник заломлення кристала, довжина хвилі випромінювання у вакуумі см.

Малюнок 3.5 - Діаграма енергетичних рівнів іона в рубіні

На малюнку в сильно збільшеному масштабі показано, що рівень розщеплений на два з відстанню 0,38 см -1між ними.

Примітка. При розрахунку необхідно враховувати також рівень, який лежить вище рівня на 29 см-1. Між рівнями і теплова рівновага встановлюється досить швидко, так що населеність цих рівнів підкоряється розподілу Больцмана.

Задача 7. Користуючись результатами попередньої задачі, приписати робочим рівням R1 - лінії рубіна значення абсолютної негативної температури на порозі генерації.

Задача 8. Знайти стаціонарне рішення кінетичних рівнянь для чотирирівневої системи, нехтуючи зміною числа фотонів в типі коливань за рахунок спонтанного випромінювання.

Показати, що в наближенні, яке описується в рамках найпростіших кінетичних рівнянь, в лазері не може виникнути пульсуючий режим.

Задача 9. У пошуках ефективних систем для генерації ультракоротких імпульсів в літературі обговорювалася можливість використання для цієї мети двофотонного лазера, який працює в режимі модуляції добротності.

Оцінити час наростання лазерного імпульсу для двофотонного лазера в режимі модуляції добротності. Схема робочих рівнів наведена на (мал. 3.6). Прямий перехід заборонений. Дзеркала резонатора підібрані так, що резонатор (при включенні добротності) має різкий мінімум втрат на частоті.

При оцінках вважати, що число часток на рівні 2 в момент включення добротності см-3 ( рівень 1 порожній ). Коефіцієнт Ейнштейна для двофотонного переходу с-1, час життя фотонів в резонаторі при включеній добротності с. Начальне число фотонів в момент включення добротності Nначсм-3.

Малюнок 3.6 - До розрахунку двофотонного лазера в режимі модуляції добротності

Задача 10. Активне середовище оптичного квантового генератора має коефіцієнт квантового посилення g і коефіцієнт втрат k. Дзеркала резонатора однакові з коефіцієнтом відображення ..

Обчислити відношення когерентної вихідної потужності P0 до потужності Pk, що поглинається в активній речовині, вважаючи P0( g - k) і Pk.

Показати, що при довжині стержня активної речовини критичнішої потужності, що поглинається в зразку, стає більше потужності когерентного вихідного випромінювання і в цьому значенні оптичний квантовий генератор стає неефективним.

Задача 11. Розрахувати цезієвий лазер з оптичним накачуванням. Робочий перехід,, мкм. Накачування здійснюється випромінюванням Не лампи ( мкм) і призводить до перекиду атомів з основного рівня на рівень.

Відповісти на наступні чотири питання:

1) Яка величина максимального коефіцієнта поглинання пар цезія (лінію поглинання вважати доплерівським уширенням )?

2) Чи достатній цей коефіцієнт для повного поглинання сигналу накачування, якщо діаметр трубки, заповненої парами цезія при тиску тор, рівний 1 см?

3) Показати, що зіткнення іншого роду не повинні грати велику роль в зміні населеності робочих рівнів. Для цього оцінити верхній кордон ймовірності передачі збудження за рахунок зіткнень іншого роду, якщо перетин такого зіткнення см -2 і показати, що ця імовірність менше ймовірностей виромінюваних переходів з робочих рівнів.

4) Яка різниця населеності робочих рівнів переходу?

Потужність випромінювання Не лампи, що поглинається в парах цезія, становить приблизно 0,5 мВт/см3. Вважати, що вся енергія сигналу накачування, що поглинається повністю йде на перекид атомів з рівня на рівень.

Робоча температура газу 540К, коефіцієнт Ейнштейна, відношення кратностей виродження

.

Розв`язання.

Коефіцієнт поглинання у вершині доплерівського уширення лінії рівний

(3.31)

де - число часток в одиниці об'єму активної речовини на верхньому робочому рівні ( ).

Для умов задачі верхній рівень порожній, тобто. Тоді модуль коефіцієнта поглинання

(3.32)

Оцінимо спочатку, де см/c, тобто Гц.

Тоді з (3.32) слідує

. (3.33)

При тиску пар цезія в трубці тор і Т = 540 К см-3. Підставляючи цю цифру в (3.33), отримуємо см-1. При діаметрі газової трубки d = 1 см інтенсивність випромінювання, котре проходить крізь трубку, Не лампи послаблюється в,тобто практично повністю поглинається.

Ймовірність Рс передачі збудження за рахунок зіткнень другого роду

, (3.34)

де для атомів газу

.

Беручи для оцінки максимальне значення, отримуємо с-1.

З результатів попередньої задачі маємо ймовірності переходів з рівнів і за рахунок випромінюваних переходів с -1 і с -1відповідно. Видно, що, тобто ймовірність передачі збудження за рахунок зіткнень другого роду менше ймовірності випромінюваних переходів з робочих рівнів.

Для оцінки різниці населеності будемо виходити з того, що потужність, котра затрачується на створення населеності, рівна

, (3.35)

де - час спонтанного переходу з рівня .

Підставляючи в (3.34) значення величин, які туди входять, в тому числі, де -довжина хвилі випромінювання Не - лампи, отримуємо см-3.

З іншого боку, з результатів попередньої задачі виходить, що частки розподіляються між рівнями і у відношенні , тобто приблизно см-3 часток переходить на рівень за рахунок спонтанних переходів. Таким чином, різниця населеності рівнів і дорівнює см-3 часток.

Задача 12. У багатьох випадках типовим активним середовищем лазера є , кристал (ітрій - алюмінієвий гранат, ), в якому частина іонів заміщена іонами. Звичайно концентрація іонів становить 1 ат. %, тобто 1% іонів заміщений іонами. Щильність кристала рівна 4,56 г/см3. Визначити концентрацію іонів, що знаходяться на основному рівні. Насправді цей рівень складається з п'яти (двічі вирождених) рівнів, з яких чотири верхніх знаходяться на відстані від нижнього на 134, 197, 311 і 848 см-1 відповідно. Вирахувати концентрацію іонів, що знаходяться на самому нижньому рівні стану.

Задача 13. Верхній рівень лазера на Nd:YAG насправді складається з двох дуже пов'язаних підрівней, віддалених один від одного на (див. мал. 3. 7). Генерація відбувається на переході з підрівня верхнього рівня на підрівень нижнього лазерного рівня. Перетин даного переходу рівний . Знайдіть ефективний перетин лазерного випромінювання.

Малюнок 3.7 - Спрощена схема енергетичних рівнів кристала Nd: YAG

Задача 14. Циліндричний стержень з Nd:YAG діаметром 6,3 мм і довжиною 7,5 см накачується могутньою імпульсною лампою. Значення перетину лазерного переходу в максимумі лінії з довжиною хвилі 1,06 мкм дорівнює, а показник заломлення рівний n = 1,82. Знайдіть критичну інверсію населеності, відповідну початку процесу посилення спонтанного випромінювання (УСИ) (передбачається, що на обидва торці лазерного стержня нанесені ідеальні просвітлюючі покриття, тобто вони не відображують світло). Крім того, обчисліть максимальну кількість енергії, яка може бути запасена в цьому стержні, якщо необхідно уникнути виникнення процесу УСИ.

Задача 15. Лазер на Nd:YAG ( ) діє по чотирирівневій схемі. Перетин переходу в максимумі лінії складає,а час життя мс. Обчисліть інтенсивність насичення посилення.

Задача 16. Кристалічний стержень з Nd:YAG діаметром 6,3 мм накачується лампою з внутрішнім діаметром 4мм в еліптичному освітлювачі, велика вісь якого рівна 40мм, а ексцентриситет рівний 0,3. Обчисліть ефективність передачі накачування, передбачивши, що середня відбивна здатність покриття освітлювача рівна 0,95 і що лампа непрозора для власного випромінювання.

Задача 17. Обчисліть час життя верхнього лазерного рівня рубінового лазера з довжиною хвилі 0,69 мкм, якщо при ефективному перетині генераційного переходу см2 інтенсивність насичення становила 2 кВт/см2.

Розв`язання.

Запишемо розподіл Больцмана для дворівневої системи в оптичному діапазоні

. (3.36)

Знаючи, що:

і ,

Запишемо вираження (3.36) у вигляді

,

де - коефіцієнт заломлення, і - індуційні переходи, і - кратности виродження, - ширина лінії переходу, - коефіцієнт поглинання.

Перетворюємо вираження (3.37), знаючи що:

і ,

отримуємо

,

де - природний час життя частки на верхньому рівні.

Враховуючи, що отримуємо:

, (3.37)

де - перетин поглинання.

Ефективна характеристика насичення записується

(3.38)

Підставивши у вираження (3.37) з (3.38), отримуємо

,

Звідки

.

Підставимо чисельні значення

мс.

Задача 18. Обчисліть пікову потужність імпульсу рубінового лазера, працюючого в режимі модуляції добротності, якщо інверсія населеності складає см-3, довжина резонатора 15 см, довжина хвилі 0,69 мкм і втрати на відображення і розсіяння за перехід 0,06.

Розв`язання.

Пікова потужність імпульсу обчислюється по формулі

,

де - час життя фотона в резонаторі, - початкова інверсія.

Час життя фотона в резонаторі рівний

,

де - еквівалентний коефіцієнт поглинання.

Еквівалентний коефіцієнт поглинання рівний

,

де А - коефіцієнт поглинання енергії випромінювання за один прохід резонатора довжиною .

Підставляючи дані формули у вирази для знаходження пікової потужності імпульсу, отримуємо

.

Підставимо чисельні значення:

Вт/см3.

Задача 19. Довжина хвилі, що випромінюється YAG: Nd3+ - лазером, рівна мкм, поперечний перетин цього переходу см2 час життя мкс. Обчислити інтенсивність насичення.

Розв`язання.

У разі насичення звичайно ми маємо справу не з об'ємною щильністю енергії , а з щильністю потоку випромінювання I, або, інакше кажучи, з інтенсивністю випромінювання енергії I. Є формула, яка дозволяє вивести деяку ефективну характеристику насичення.

,

де - ширина лінії переходу,

- коефіцієнт поглинання,

n - щильність загального числа часток,

- коефіцієнт Ейнштейна, для переходу з 1 рівня на 2.

Але поперечник поглинання визначається з

,

де .

Таким чином, отримуємо формулу

;

кВт/см2.

Задача 20. Лазерний резонатор складається з двох дзеркал з коефіцієнтом відображення . Довжина активного середовища см, а перетин переходу см2. Обчислити порогову інверсію населеності.

Розв`язання.

Зміна dF щильності потоку падаючого випромінювання, зумовлена процесами вимушеного випромінювання і процесами поглинання, в шарі dz визначається рівнянням

(3.39)

де - населеність рівнів, між якими відбуваються переходи при випромінюванні і поглинанні;

- перетин переходу;

F щильність потоку падаючого випромінювання.

Щоб знайти зміну щильності потоку при проходженні хвилі через все активне тіло, треба вирішити рівняння (3.39). Зробивши це, отримуємо, що посилення випромінювання за один прохід в активному середовищі дорівнює

, (3.40)

де L - довжина активного тіла.

Якщо втрати в резонаторі визначаються тільки пропущенням дзеркал, то поріг генерації буде досягнутий при виконанні умови

, (3.41)

де - коефіцієнти відображення дзеркал.

З вираження (3.40) отримуємо формулу, що описує порогову інверсію населеності

.

Підставляючи чисельні значення, отримуємо, що ця величина рівна см -3.

Задача 21. Квантовий вихід переходу алюмінієвого граната, а відповідний час життя нс. Обчислити спонтанний і невипромінюваний часи життя рівня .

Розв`язання. Між загальним часом життя , спонтанним і невипромінюваним часами життя існує співвідношення

(3.42)

Крім того між квантовим виходом люмінесценції ф і часами життя і також існує співвідношення

.

Звідки

. (3.43)

Підставляючи числові значення, отримуємо с.

Порівнюючи (3.42) і (3.43) отримуємо

.

Підставляючи числові значення, отримуємо с.

Задача 22. Обчислити перетин поглинання іонів Cr3+ в рубіні з концентрацією см -3, якщо на довжині хвилі 0,54 мкм інтенсивність світла, що пройшло крізь пластину товщиною 0,5 см, падає в разі.

Розв`язання. Закон Бугера:. Прологарифмувавши вираження для зміни інтенсивності (закон Бугера), визначимо коефіцієнт поглинання:

см-1.

Коефіцієнт поглинання пов'язаний поперечником (перетином поглинання ) співвідношенням. У стані термодинамичної рівноваги в квантовій системі N1>>N2, тому. Перетин поглинання для системи іонів, що розглядається:

см2.

Задача 23. Відношення населеності двох рівнів, що знаходиться в термодинамичній рівновазі при Т = 300К, дорівнює . Обчислити частоту випромінювання , яка відповідає переходу між цими рівнями. Визначити , на яку область спектра електромагнітних коливань потрапляє випромінювання такої частоти ( вважати ).

Розв`язання.

Закон Больцмана для системи, що розглядається

.

Використовуємо постулат Бору. Після логарифмування вираження

Гц.

Довжина хвилі, що випромінюється при переході

мкм.

Випромінювання падає в далекий інфрачервоний діапазон спектра.

4. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання

Фотоелектричні явища (фотоефект), які складають основу дії фотоелектричних приймачів, можна розділити на такі:

а) зовнішній фотоефект, або фотоелектронна емісія, яка є випущенням опроміненим тілом вільних електронів у вакуум; вільні електрони можуть бути перехоплені полем аноду, фокусуватися або прискорюватися електричним полем. Фотоелектронна емісія використовується у вакуумних і газонаповненних фотоелементах із зовнішнім фотоефектом і в більш складних вакуумних приладах, в яких фотоемітер виконає функції джерела вільних електронів.

б) внутрішній фотоефект, що полягає в переході електронів в об'ємі опроміненого напівпровідника до збудженого стану (тобто на більш високі енергетичні рівні).

Внутрішній фотоефект проявляється, наприклад, у вигляді зміни концентрації електронів провідності в напівпровіднику при його опроміненні, тобто в зміні пов'язаних з цим електричних властивостей напівпровідникового матеріалу. Внутрішній фотоефект використовується у великому класі напівпровідникових приймачів випромінювання - в фоторезисторах, фотодіодах, фототріодах та інших приладах [4].

Основними законами зовнішнього фотоефекту, справедливими для будь-якого матеріалу фотоемітера, є:

закон Столєтова - величина фотоструму в режимі насичення прямо пропорційна інтенсивності падаючого потоку,

;

для кожної речовини існує довгохвильова (червона) межа спектра випромінювання , за якої фотоемісія не виникає. Цю найбільшу довжину хвилі називають довгохвильовим порогом фотоефекту (відповідну їй частоту - пороговою частотою );

закон Ейнштейна - максимальна початкова кінетична енергія фотоелектронів лінійно зростає з частотою падаючого випромінювання і не залежить від його інтенсивності,

,

де - робота виходу.

В області дуже великої густини випромінювання і значно великих енергій фотонів закони зовнішнього фотоефекту потребують поправок.

При опроміненні напівпровідника повна провідність складається з двох складових: темної провідності і фотопровідності ,

.

Фотопровідність визначається інтенсивністю світлового потоку , рухливістю носіїв (), часом релаксації () та величиною квантового виходу (),

.

Задача 1. Для зразка з Ом при і слабкому освітленні значення часу життя мкс. При більш інтенсивному освітленні Ом та мкс. Вважаючи, що рекомбінація проходить через прості центри з рівнем еВ, знайти час життя для монополярних і з тим же механізмом рекомбінації.

Задача 2. Обчислити для випадку однорідного збудження вентильну фотоЕ.Р.С., яка є в переході, в при 75 К. Освітлюється ділянка області, яка є прилеглою до -переходу; в ньому см, поза ним . У глибині області =10 см, см, =3 см, = 0,5.

Малюнок 4.1 - Збудження переходу

Задача 3. Обчислити фотоЕ.Р.С. в зразку при Т =300 К, якщо його середня частина освітлена так, що в ній = 0,2 Ом, а поза нею = 0. За відсутності освітлення питомий опір в перетині А дорівнює =15 Омсм і в перетині В - =5 Омсм.

Малюнок 4.2 - До визначення фотоЕ.Р.С.

Задача 4. Зразок е освітлюється світлом у вузькій смузі шириною мм, що генерує 2,5 смс пар носіїв заряду. У точці =0 (0)=1 Омсм. При пересуванні світлового зонда вздовж зразка фотоЕ.Р.С. змінюється як

,

де А=, В=2 см.

Знайти в точці х =2 см при кімнатній температурі.

...

Подобные документы

  • Передумови створення квантової електроніки. Основні поняття квантової електроніки. Методи створення інверсного заселення рівнів. Характеристика типів квантових генераторів. Параметричні підсилювачі. Основні області застосування квантових генераторів.

    курсовая работа [938,5 K], добавлен 24.06.2008

  • Нанорозмірні матеріали як проміжні між атомною та масивною матерією. Енергетичні рівні напівпровідникової квантової точки і їх різноманіття. Літографічний, епітаксіальний та колоїдний метод отримання квантових точок, оптичні властивості та застосування.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 09.04.2010

  • Роль фотоелектронних приладів у сучасній техніці і в наукових дослідженнях, їх інтенсивний розвиток. Характеристика фотоелектричних приладів, у яких здійснюється перетворення світлового випромінювання в електричний струм, вид робочого середовища.

    курсовая работа [366,4 K], добавлен 07.05.2009

  • Фундаментальні фізичні явища на атомарному рівні стосовно дії квантових та оптико-електронних приладів. Загальний метод Гіббса як логічна послідовна основа статистичної фізичної теорії. Основні принципи статистичної фізики. Елементи теорії флуктуацій.

    учебное пособие [1,1 M], добавлен 18.04.2014

  • Розробка теорії квантових релятивістських ферміонних систем з вихровим дефектом при скінченній температурі. Побудування теорії індукування кутового моменту в релятивістському фермі-газі з магнітним вихровим дефектом, індукування заряду основного стану.

    автореферат [18,1 K], добавлен 11.04.2009

  • Випромінювання Вавілова-Черенкова. Ефект Доплера, фотонна теорія світла. Маса та імпульс фотона. Досліди Боте та Вавилова. Тиск світла. Досліди Лебедєва. Ефект Комптока. Вивчення фундаментальних дослідів з квантової оптики в профільних класах.

    дипломная работа [661,8 K], добавлен 12.11.2010

  • Принцип дії основних електричних вимірювальних приладів. Будова приладів магнітоелектричної, електромагнітної, електродинамічної, теплової, вібраційної, термоелектричної, детекторної та індукційної систем. Історія створення електровимірювальних приладів.

    реферат [789,2 K], добавлен 12.12.2013

  • Вивчення законів відбивання, прямолінійного розповсюдження та заломлення. Характеристика приладів геометричної оптики: лінза, дзеркало, телескоп, тонка призма, мікроскоп, лупа. Розгляд явищ інтерференції та дифракції. Квантова природа випромінювання.

    курс лекций [320,4 K], добавлен 29.03.2010

  • Фотометрія як розділ фізичної оптики, предмет та методи її вивчення, ступінь розвитку на сьогодні та досягнення в даній сфері. Яскравість деяких джерел випромінювання. Порядок проходження потоку випромінювання через селективно проглинаючі середовища.

    контрольная работа [216,0 K], добавлен 07.12.2010

  • Елементи які служать для побудови хвилеводів. Звук і магнітне поле на службі інтегральної оптики. Терабітні системи зв’язку на основі спектрального ущільнення. Перспективи розвитку багатоканальних систем зв’язку. Елементи когерентної інтегральної оптики.

    магистерская работа [1,2 M], добавлен 12.09.2012

  • Методи дослідження наноматеріалів. Фізичні основи практичного використання квантово-розмірних систем. Особливості магнітних властивостей наносистем. Очищення і розкриття нанотрубок, їх практичне застосування. Кластерна структура невпорядкових систем.

    учебное пособие [5,4 M], добавлен 19.05.2012

  • Розповсюдження молібдену в природі. Фізичні властивості, отримання та застосування. Структурні методи дослідження речовини. Особливості розсіювання рентгенівського випромінювання електронів і нейтронів. Монохроматизація рентгенівського випромінювання.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.01.2010

  • Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.

    учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009

  • Оптика – вчення про природу світла, світлових явищах і взаємодії світла з речовиною. Роль оптики в розвитку сучасної фізики. Предмет і його віддзеркалення. Явища, пов'язані з віддзеркаленням та із заломленням світла: міраж, веселка, північне сяйво.

    курсовая работа [32,1 K], добавлен 05.04.2008

  • Поняття хімічного елементу. Утворення напівпровідників та їх властивості. Електронно-дірковий перехід. Випрямлення перемінного струму, аналіз роботи тиристора. Підсилення електричного сигналу, включення біполярного транзистора в режимі підсилення напруги.

    лекция [119,4 K], добавлен 25.02.2011

  • Властивості електронно-діркового переходу. Напівпровідникові діоди. Біполярні та польові транзистори. Структурна схема підсилювача, його технічні показники, коефіцієнт корисної дії та визначення зворотного зв'язку. Аналогові логічні елементи та фільтри.

    курс лекций [2,0 M], добавлен 08.04.2013

  • Вивчення основних закономірностей тліючого розряду. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів. Дослідження впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників.

    методичка [389,4 K], добавлен 20.03.2009

  • Опис основних фізичних величин електрики та магнетизму. Класифікація ватметра по призначенню та діапазону (низькочастотні, радіочастотні, оптичні). Характеристика аналогових приладів вимірювання активної потужності в однофазних колах змінного струму.

    реферат [1,0 M], добавлен 07.02.2010

  • Корпускулярно-хвильовий дуалізм речовини. Формула де Бройля. Стан частинки в квантовій механіці. Хвильова функція, її статистичний зміст. Рівняння Шредінгера для стаціонарних станів. Фізика атомів і молекул. Спін електрона. Оптичні квантові генератори.

    курс лекций [4,3 M], добавлен 24.09.2008

  • Поглинена й експозиційна дози. Одиниці вимірювання дози випромінювання. Особливості взаємодії випромінювання з біологічними об'єктами. Дія іонізуючого випромінювання на організм людини. Залежність небезпеки від швидкості виведення речовини з організму.

    реферат [38,2 K], добавлен 12.04.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.