Електрон-деформаційні ефекти у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах

Розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах. Розкриття механізму виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромежі вздовж oсі.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 20.04.2014
Размер файла 83,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

7. Пелещак Р.М., Лукиянец Б.А. Электронное перераспределение в окрестности ядра линейной дислокации // Письма в журнал технической физики. - 1998. - Т.24, №2. - С. 37-41.

8. Пелещак Р.М. Вплив ступеня заповнення зони провідності на локаліза-цію електронних станів у кристалах з дислокаціями // УФЖ.- 1998.- Т.43, №10. - С.1316-1320.

9. Peleshchak R.M., Lukiyanets B.A. On the influence of the electron component of lattice deformation on localized states in crystals with dislocations // Journal of Physical Studies. - 1999. - V.3, №2.- P.173-176.

10. Peleschak R.M. Filling of electronic states and crystal lattice deformation aro-und dislocation wall // Condensed Matter Physics.-2000.-V.3,№1(21).-P.169-174.

11. Пелещак Р.М. Мікроскопічна теорія електронного стану кристалів з дислокаціями // УФЖ. - 2000. - Т.45, № 6. - С.738-743.

12. Пелещак Р.М., Баран М.М. Спектр електрона в електрон-деформаційній потенціальній ямі, створеній крайовою дислокацією // УФЖ. - 2000. - Т.45, № 2. - С. 251-254.

13. Бродин М.С., Пелещак Р.М., Тищенко В.В., Лукіянець Б.А. Електрон-деформаційна взаємодія і енергетичний спектр носіїв заряду в напружених надгратках // УФЖ. - 2000. - Т.45, №3. - С. 357-363.

14. Пелещак Р.М., Лукіянець Б.А., Кузик О. Значення електрон-деформаційних ефектів у формуванні стаціонарного профілю концентрації імплантованої домішки // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Електроніка. - 1998. - №357. - С. 67-70.

15. Пелещак Р.М. Електронно-деформаційний механізм зміни дифузії імплантованої домішки // УФЖ. - 1999. - Т.44, №11. - С. 1417-1420.

16. Пелещак Р.М., Лукіянець Б.А. Деякі ефекти, пов'язані з електрон-деформаційною взаємодією // УФЖ. - 2000. - Т.45, №7. - С. 817-822.

17. Пелещак Р.М. Модель деформаційного формування поверхневого бар'єра в напівпровіднику і вплив його на властивості контакту метал-напівпровідник // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Електроніка. -1998. - №357.- С. 61-66.

18. Ukrainets V.O., Peleshchak R.M., Ilchuk G.A., Ukrainets N.A., Lukiyanets B.A. Influence of surface deformation upon the properties of Cu-contacts on CdTe single crystals. // Materials Science & Engineering B. -2000. -V.71, №1-2. -P. 306-308.

19. Пелещак Р.М., Лукиянец Б.А. Зависимость энергетического спектра механически напряжённой сверхрешётки ZnSe/ZnS от концентрации носителей // ФТП. - 2000. - Т.34, №4. - С.488-491.

20. Пелещак Р.М., Лукіянець Б.А. Модуляция потенціалу квантової ями напруженої надгратки як результат електрон-деформаційної взаємодії // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Електроніка.- 1999.- №382. - С.70-73.

21. Пелещак Р.М., Лукиянец Б.А., Зегря Г.Г. Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры // ФТП. - 2000. -Т.34, № 10.- С. 1223-1227.

22. Peleshchak R.M. Electron-deformation model of X-ray scattering in a mechanically stressed superlattice // Functional Materials. -1999. - V.6,№4.- P.625-629.

23. Пелещак Р.М. Залежність електронного спектра та хвильових функцій від перехідної області в гетероструктурах // УФЖ. - 1999. -Т.44, №5. - С.642-646.

24. Пелещак Р.М., Лазурчак І.І., Галь Ю.М., Галь М.М. Власні значення оператора Гамільтона з потенціалом виду східчастої потенціальної ями // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Прикладна математика. - 1998. - Т.2.: Математична і теоретична фізика. Чисельні методи. - №337. - С.249-252.

25. Пелещак Р.М., Чапля С.Я. Хвильові функції та спектр власних значень рівняння Шредінгера з кусково-лінійним потенціалом. -Львів.: 1995.-18с. (Препр./ НАН України; Центр математ. моделювання ім. Я.С. Підстригача; № 17-95).

26. Пелещак Р.М., Лукіянець Б.А., Тупичак В.П. Залежність спектра електрона напруженої гетероструктури ZnSe/GaAs від відстані між дислокаціями невідповідності // ЖФД. - 2000. - Т.4, №2. - С. 165-168.

Размещено на Allbest.ru

...

Подобные документы

  • Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.

    контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009

  • Зонная теория твердого тела. Теорема Блоха. Методы приближения сильной и слабой связи. Образование зон. Собственная и примесная проводимость. Квазичастицы: електрон проводимости, дырка, экситон Френкеля и Ванье-Мотта, полярон. Экситонные уровни и зоны.

    презентация [538,5 K], добавлен 15.10.2013

  • Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.

    курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015

  • Загальна інформація про вуглецеві нанотрубки, їх основні властивості та класифікація. Розрахунок енергетичних характеристик поверхні металу. Модель нестабільного "желе". Визначення роботи виходу електронів за допомогою методу функціоналу густини.

    курсовая работа [693,8 K], добавлен 14.12.2012

  • Найпростіша модель кристалічного тіла. Теорема Блоха. Рух електрона в кристалі. Енергетичний спектр енергії для вільних електронів у періодичному полі. Механізм електропровідності власного напівпровідника. Електронна структура й властивості твердих тіл.

    курсовая работа [184,8 K], добавлен 05.09.2011

  • Знаходження заряду, який розміщується у центрі трикутника, щоб система знаходилася у рівновазі. Визначення кроку гвинтової лінії по якій буде рухатися електрон. Електромагнітна індукція Фарадея-Максвелла. Теорема косинусів. Розрахунок напруженості поля.

    контрольная работа [218,1 K], добавлен 18.06.2014

  • Корпускулярно-хвильовий дуалізм речовини. Формула де Бройля. Стан частинки в квантовій механіці. Хвильова функція, її статистичний зміст. Рівняння Шредінгера для стаціонарних станів. Фізика атомів і молекул. Спін електрона. Оптичні квантові генератори.

    курс лекций [4,3 M], добавлен 24.09.2008

  • Суть поняття екситону як квазічастинки. Рівняння Шредінгера для електрона й дірки, основи закону Кулона. Визначення енергії зв'язку екситону, перенос електричного заряду й маси, ефективність поглинання й заломлення світла на частоті екситонного переходу.

    реферат [507,2 K], добавлен 26.09.2009

  • Теорія Бора будови й властивостей енергетичних рівнів електронів у водневоподібних системах. Використання рівняння Шредінгера, хвильова функція та квантові числа. Енергія атома водню і його спектр. Виродження рівнів та магнітний момент водневого атома.

    реферат [329,9 K], добавлен 06.04.2009

  • Експериментальне дослідження й оцінка термо- і тензорезистивних властивостей двошарових плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та апробація теоретичних моделей. Феноменологічна модель проміжного шару твердого розчину біля інтерфейсу.

    научная работа [914,9 K], добавлен 19.04.2016

  • Обертання атомних електронів навколо ядра, що створює власне магнітне поле. Поняття магнітного моменту атома. Діамагнітні властивості речовини. Величини магнітних моментів атомів парамагнетиків. Квантово-механічна природа магнітоупорядкованих станів.

    курсовая работа [79,6 K], добавлен 03.05.2011

  • Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.

    реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013

  • Проходження частинки через потенціальний бар'єр. Холодна емісія електронів з металу. А-розпад важких ядер. Реакція злиття тяжкого та надважкого ізотопів водню. Скануючий тунельний мікроскоп. Вивчення квантової механіки в курсі фізики середньої школи.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 19.05.2015

  • Рух електрона в однорідному, неоднорідному аксіально-симетричному магнітному полі. Визначення індукції магнітного поля на основі закону Біо-Савара-Лапласа. Траєкторія електрона у полі соленоїда при зміні струму котушки, величини прискорюючого напруження.

    курсовая работа [922,3 K], добавлен 10.05.2013

  • Поведінка частки при проходженні через потенційний бар'єр, суть тунельного ефекту, його роль в електронних приладах. Механізм проходження електронів крізь тонкі діелектричні шари, перенос струму в тонких плівках. Суть тунельного пробою і процеси в діоді.

    реферат [278,0 K], добавлен 26.09.2009

  • Проходження важких ядерних заряджених частинок через речовину. Пробіг електронів в речовині. Проходження позитронів через речовину. Експозиційна, поглинена та еквівалентна дози. Проходження нейтронів через речовину. Методика розрахунку доз опромінення.

    курсовая работа [248,4 K], добавлен 23.12.2015

  • Способи одержання плазми. Загальна характеристика та основні вимоги до плазмових джерел. Фізико-технічні завдання, що виникають при конструюванні плазмових джерел. Відмінні особливості та застосування плазмових джерел із замкненим дрейфом електронів.

    дипломная работа [1,4 M], добавлен 20.03.2011

  • Розрахунок поля електростатичних лінз методом кінцевих різниць; оптичної сили імерсійних лінзи і об'єктива та лінзи-діафрагми. Дослідження розподілу потенціалів у полях цих лінз та траєкторії руху електронів в аксиально-симетричному електричному полі.

    курсовая работа [3,7 M], добавлен 03.01.2014

  • Метали – кристалічні тіла, які характеризуються певними комплексними властивостями. Дефекти в кристалах, класифікація. Коливання кристалічної решітки. Кристалізація — фазовий перехід речовини із стану переохолодженого середовища в кристалічне з'єднання.

    курсовая работа [341,2 K], добавлен 12.03.2009

  • Здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію. Спектри протонного магнітного резонансу.

    реферат [154,0 K], добавлен 31.03.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.