Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію й германію n-типу
Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 25.08.2014 |
| Размер файла | 53,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
It was represented the conductivity stress dependence in form predicted by the scaling theory of localization taking into account the cubical form of relation between critical concentration Nc and electron effective mass, as follows from the Mott criteria ().
where X is the uniaxial pressure; A = Nd /Nc; B and C are fitting parameters; is the critical exponent.
The best fit for n-Si(P) is achieved for critical exponent = 0.5 (1.4 NP/Nc 2.55). The value = 0.5 for n-Si(P) is very close to that determined for conductivity change in slightly insulating n-Si(P) samples under the stress-induced insulator-to-metal transition at millikelvin temperatures and differs essentially from 1 predicted by the scaling theory of localization.
Analysis of TR effect data in neutron transmutation doped (NTD) and г-irradiated silicon crystals allowed us to determine regularities of influence on the transport phenomena, additional strain-induced ionization of both radiation-induced energy levels (P, A-centres) and levels of high temperature thermodonors which are generated in NTD silicon with high oxygen concentration during the annealing. Enhanced contribution of additional strain-induced ionization of thermodonor levels to tensoeffects with decreasing phosphorus concentration is explained by approximately constant concentration of thermodonors in crystals with equal content of oxygen and identical conditions of annealing.
It was obtained by analysing both temperature and pressure dependencies of resistivity, Hall effect and the ratio of electron concentration in different valleys of the C-band shifted by deformation that the tensoeffects mechanism of intervalley redistribution is inherent only for pure n-Si crystals doped by hydrogenlike donors in a narrow temperature range (78 ч 100 K). The analysis of the obtained data testifies that the slope change of the linear part of dependencies lg(n2 / n1) = f(X) does not mean the change of magnitude of the deformation potential constant u in n-Si crystals doped by various methods.The peculiarities of impact ionization of shallow donors on the insulating side of MI transition for heavily doped silicon and germanium crystals were explained. Transformation of linear current-voltage characteristics into S-shape ones under influence of uniaxial pressure linear (for germanium) and quadratic (for silicon) dependencies Ebr = f(X) was explained in terms of different processes of energy gain by ionizing electron.
Keywords: Tensoresistivity, silicon, germanium, metal-insulator transition, critical concentration, electron effective mass, neutron transmutation doping, thermodonors.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015Характеристика основних даних про припої та їх використання. Особливості пайки напівпровідників, сполук припоїв і режимів пайки германія й кремнію. Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайці германія й кремнію. Паяння друкованих плат.
курсовая работа [42,0 K], добавлен 09.05.2010Здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію. Спектри протонного магнітного резонансу.
реферат [154,0 K], добавлен 31.03.2010Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 29.10.2010Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Область частот гіперзвуку, його природа і шкала дії. Поширення гіперзвуку в твердих тілах. Механізм поширення гіперзвуку в кристалах напівпровідників, в металах. Взаємодія гіперзвуку зі світлом. Сучасні методи випромінювання і прийому гіперзвуку.
реферат [14,5 K], добавлен 10.11.2010Дослідження кристалів ніобіту літію з різною концентрацією магнію. Використання при цьому методи спонтанного параметричного розсіяння і чотирьох хвильове зміщення. Розробка методики чотирьох хвильового зміщення на когерентне порушуваних поляритонах.
курсовая работа [456,8 K], добавлен 18.10.2009Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008Метали – кристалічні тіла, які характеризуються певними комплексними властивостями. Дефекти в кристалах, класифікація. Коливання кристалічної решітки. Кристалізація — фазовий перехід речовини із стану переохолодженого середовища в кристалічне з'єднання.
курсовая работа [341,2 K], добавлен 12.03.2009Види оптичних втрат фотоелектричних перетворювачів. Спектральні характеристики кремнієвих ФЕП. Відображення в інфрачервоній області спектру ФЕП на основі кремнію. Вимір коефіцієнта відбиття абсолютним методом. Характеристика фотометра відбиття ФО-1.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 17.11.2015Експериментальне дослідження й оцінка термо- і тензорезистивних властивостей двошарових плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та апробація теоретичних моделей. Феноменологічна модель проміжного шару твердого розчину біля інтерфейсу.
научная работа [914,9 K], добавлен 19.04.2016Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014Принципові особливості роботи галогенних ламп. Технологія виготовлення основних деталей лампи, її складання. Контроль та випробування готового виробу. Нормування витрат, що йдуть на виробництво лампи типу КГМ 24-60. Розробка технологічної документації.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 31.10.2012Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008Експериментальні й теоретичні дослідження, винаходи, найвидатніші досягнення українських фізиків в галузі квантової механіки та інших напрямів. Застосування понять цієї науки для з’ясування природи різних фізичних механізмів. Основні наукові праці вчених.
презентация [173,7 K], добавлен 20.03.2014Технічні дані кормодробарки ФГФ-120МА. Визначення потужності та вибір типу електродвигуна для приводу робочої машини. Вибір проводів і кабелів силової мережі. Розробка схеми керування електроприводом, визначення розрахункової потужності установки.
курсовая работа [417,8 K], добавлен 18.08.2014Розвиток асимптотичних методів в теорії диференціальних рівнянь. Асимптотичні методи розв’язання сингулярно збурених задач конвективної дифузії. Нелінійні моделі процесів типу "конвекція-дифузія-масообмін". Утворення речовини, що випадає в осад.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 23.04.2017Види магнітооптичних ефектів Керра. Особливості структурно-фазового стану одношарових плівок. Розмірні залежності магнітоопіру від товщини немагнітного прошарку. Дослідження кристалічної структури методом електронної мікроскопії та дифузійних процесів.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 19.04.2016Дослідження процесів самоорганізації, що відбуваються у реакційно-дифузійних системах, що знаходяться у стані, далекому від термодинамічної рівноваги. Просторово-часові структури реакційно-дифузійних систем типу активатор-інгібітор. Диференційні рівняння.
автореферат [159,0 K], добавлен 10.04.2009
