Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням
Специфіка моделювання та експериментальна апробація дії імпульсного лазерного опромінювання на контактах метал-халькогенідного напівпровідника. Створення ефективних детекторів електромагнітного випромінювання з покращеними експлуатаційними параметрами.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 26.02.2015 |
| Размер файла | 66,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Лазерное облучение контактов интенсивностью излучения 2030 кВт/см2 с длиной волны =1,06 мкм в режиме модулированной добротности позволяет сформировать на высокоомных кристаллах p-CdTe:Cl качественные барьерные структуры Pt-p-CdTe:Cl со значением высоты потенциального барьера b=0,84еВ и коэффициентом идеальности n1,06, в которых основным является механизм термоэмиссионного переноса заряда.
В структурах Al(Au)-In4Se3, Al(Au)-Pb0,88Sn0,12Te модификация электрофизических характеристик обусловлена изменением состава химического соединения приконтактного слоя (In4Se3>In2Se>InSe) или стехиометрии твердого раствора (Pb1-xSnxTe>PbTe). В обоих случаях это приводит к изменению электронных свойств переходного слоя в контактах металл-халькогенидный полупроводник, в том числе к изменению его ширины запрещенной зоны: в частности, в структурах Al(Au)-In4Se3 от Eg=0,65эВ (In4Se3) до Eg=0,9еВ (In2Se) и Eg=1,25еВ (InSe). Отмечается также, что в контактах Al(Au)-Pb0,88Sn0,12Te как и в структурах на основе CdTe, атомы Те обладают большей диффузионной активностью в поле термостимулированных механических напряжений.
Неоднородности переходного слоя в исследованных структурах установлены по изменениям параметров I-V и C-V характеристик. Показано, что основными в данных структурах являются генерационно-рекомбинационный и надбарьерный токи, а контакты соответствуют модели параллельно включенных диодных структур с различными значениями высоты потенциального барьера.
Ключевые слова: импульсное лазерное облучение, халькогенидные полупроводники, контакт металл-полупроводник, поверхностно-барьерная структура, дефектно-примесная подсистема, механизм токопереноса, теллурид кадмия, селенид индия, теллурид свинца.
Vorobets O.I. Modification of the properties of the metal - semiconductor barrier structures by pulse laser irradiation. - Manuscript.
Thesis on competition of a scientific degree of the candidate of physical and mathematical sciences on speciality 01.04.10 - Physics of semiconductors and dielectrics. - Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2007.
The thesis presents the results of investigations of the effect of low-power pulse laser irradiation on physical and chemical processes kinetics in solid phase, as well as on electrical and physical properties of surface barrier structures of the metal - halcogenide II-VI, III-VI, IV-VI semiconductor, in particular Au-n-CdTe, Pt-p-CdTe:Cl, In-p-CdTe:As, Au(Al)-n-In4Se3, Au(Al)-p-PbTe, Au-n-CdZnTe, Au(Al)-p-PbSnTe.
It is shown, that stabilization of electrophysical characteristics of the metal - CdTe structures at optimal modes of laser irradiation is caused by modifications in impurity-defect system in space charge region of the semiconductor and explains restructurization of dislocations, antistructural ТеСd and VCd, Cdi and VТе point defects. At radiation doses of D11,8 kJ/cm2 in transition layer of contacts the clusters, enriched with tellurium are formed. These clusters can hetter dot defects, leading to reduction in generation-recombination current and increase in field mechanisms of current transport.
Laser irradiation with intensities falling within the 20ч30 kW/cm2 range and wave length =1,06 m in the mode of modulated quality factor allow one to form good-quality barrier structures of Pt-p-CdTe:Cl on highly resistive crystals of p-CdTe:Cl, yelding potential energy barrier with height of b=0,84 eV and ideality coefficient n1,06. Thermal emission is a governing current transport for these contacts.
The Al(Au)-In4Se3, Al(Au)-Pb0,88Sn0,12Te structures exhibit modification of the electrophysical characteristics, caused by composition changes in chemical compound of the contact layer (In4Se3 In2Se InSe) or stoichiometry of the solid solution (Pb1-xSnxTePbTe).
Key words: pulse laser irradiation, halcogenide semiconductors, metal-semiconductor contact, surface-barrier structure, defect-impurity subsystem, current transport mechanism, cadmium telluride, indium selenide, lead telluride.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Метод математичного моделювання фізичних властивостей діелектричних періодичних структур та їх електродинамічні характеристики за наявності електромагнітної хвилі великої амплітуди. Фізичні обмеження на управління електромагнітним випромінюванням.
автореферат [797,6 K], добавлен 11.04.2009Вплив умов одержання, хімічного складу і зовнішніх чинників на формування мікроструктури, фазовий склад, фізико-хімічні параметри та електрофізичні властивості склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник.
автореферат [108,5 K], добавлен 11.04.2009Математична модель, яка включає замкнуту систему рівнянь і співвідношень, що описують зумовлений зовнішнім тепловим опроміненням термонапружений стан частково прозорого тіла. Визначення параметрів електромагнітного випромінювання і термонапруженого стану.
автореферат [66,8 K], добавлен 10.04.2009Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Закони постійного струму. Наявність руху електронів у металевих проводах. Класифікація твердих тіл. Механізм проходження струму в металах. Теплові коливання грати при підвищенні температури кристала. Процес провідності в чистих напівпровідниках.
реферат [33,6 K], добавлен 19.11.2016Спостереження броунівського руху. Визначення відносної вологості повітря, руйнівної напруги металу. Вивчення властивостей рідин. Розширення меж вимірювання вольтметра і амперметра. Зняття вольт амперної характеристики напівпровідникового діода.
практическая работа [95,3 K], добавлен 14.05.2009Загальна інформація про вуглецеві нанотрубки, їх основні властивості та класифікація. Розрахунок енергетичних характеристик поверхні металу. Модель нестабільного "желе". Визначення роботи виходу електронів за допомогою методу функціоналу густини.
курсовая работа [693,8 K], добавлен 14.12.2012Визначення поняття спектру електромагнітного випромінювання; його види: радіо- та мікрохвилі, інфрачервоні промені. Лінійчаті, смугасті та безперервні спектри. Структура молекулярних спектрів. Особливості атомно-емісійного та абсорбційного аналізу.
курсовая работа [46,6 K], добавлен 31.10.2014Характеристика електромагнітного випромінювання. Огляд фотометрів на світлодіодах для оцінки рівня падаючого світла. Використання фотодіодів на основі бар'єрів Шотткі і гетеропереходів. Призначення контактів використовуваних в пристрої мікросхем.
курсовая работа [1010,0 K], добавлен 27.11.2014Дослідження теоретичних методів когерентності і когерентності другого порядку. Вживання даних методів і алгоритмів для дослідження поширення частково когерентного випромінювання. Залежність енергетичних і когерентних властивостей вихідного випромінювання.
курсовая работа [900,7 K], добавлен 09.09.2010Природні джерела випромінювання, теплове випромінювання нагрітих тіл. Газорозрядні лампи високого тиску. Переваги і недоліки різних джерел випромінювання. Стандартні джерела випромінювання та контролю кольору. Джерела для калібрування та спектроскопії.
курсовая работа [2,7 M], добавлен 13.12.2010Аналіз програми в випускному класі при вивченні ядерної фізики. Основні поняття дозиметрії. Доза випромінювання, види поглинутої дози випромінювання. Біологічна дія іонізуючого випромінювання. Методика вивчення біологічної дії іонізуючого випромінювання.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 24.06.2008Вивчення основних закономірностей тліючого розряду. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів. Дослідження впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників.
методичка [389,4 K], добавлен 20.03.2009Природа та одержання рентгенівського випромінювання. Гальмівне та характеристичне рентгенівське випромінювання, його спектри. Рентгенівські спектри атомів. Поглинання та розсіяння рентгенівського випромінювання, застосування в медицині, хімії, біології.
реферат [623,6 K], добавлен 15.11.2010Поглинена й експозиційна дози. Одиниці вимірювання дози випромінювання. Особливості взаємодії випромінювання з біологічними об'єктами. Дія іонізуючого випромінювання на організм людини. Залежність небезпеки від швидкості виведення речовини з організму.
реферат [38,2 K], добавлен 12.04.2009Теплове випромінювання як одна з форм енергії. Теплові і газоразрядні джерела випромінювання. Принцип дії та призначення світлодіодів. Обґрунтування та параметри дії лазерів. Характеристика та головні властивості лазерів і можливість їх використання.
контрольная работа [51,0 K], добавлен 07.12.2010Поняття теплового випромінювання, його сутність і особливості, основні характеристики та спеціальні властивості. Різновиди випромінювання, їх відмінні риси, джерела виникнення. Абсолютно чорне тіло, його поглинаючі властивості, місце в квантовій теорії.
реферат [678,2 K], добавлен 06.04.2009Розрахунок статичної моделі і побудова статичної характеристики повітряного ресиверу для випадку ізотермічного розширення газу. Значення ресивера в номінальному статичному режимі. Моделювання динамічного режиму. Розрахункова схема об’єкту моделювання.
контрольная работа [200,0 K], добавлен 26.09.2010Визначення вхідної напруги та коефіцієнтів заповнення імпульсів. Визначення індуктивності дроселя і ємності фільтрувального конденсатора. Визначення струмів реактивних елементів. Розрахунок підсилювача неузгодженості, широтно-імпульсного модулятора.
курсовая работа [13,9 M], добавлен 10.01.2015У багатьох металів і сплавів при температурах, близьких до абсолютного нуля, спостерігається різке зменшення питомого опору - це явище зветься надпровідністю. Особливість надпровідників в тому, що силові лінії магнітного поля обгинають надпровідник.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 17.12.2008
