Моделювання Х-променевих топографічних зображень дефектів у реальних кристалах Si

Рис. 5. Секційні топограми 60? дислокацій, які паралельні вихідній поверхні. MoK, (220), t=1. Глибина залягання: а) z=240, б) 360, в) 600 мкм.

Для визначення ширини зображення дислокації достатньо застосування простого критерію нахилу кристалічних площин поблизу дислокації. Згідно цього критерію, області гратки розорієнтовані відносно досконалої матриці на кут, що відповідає локальним розорієнтаціям атомних площин на ?2, дають великий надлишок дифрагованої інтенсивності [1*].

Основні закономірності зміни контрасту та формування дифракційних зображень у випадку проекційної та секційної топографії для тонкого (t=1) та товстого (t=10) кристалів є однаковими. Проте тонка структура зображення істотно відрізняється: осциляції інтенсивності стають менш контрастними.

Досліджено особливості формування на секційних топограмах зображень крайових дислокацій, які розташовані перпендикулярно до поверхні кристалу. Така орієнтація дислокації (сторчкова дислокація) цікава тим, що функція не залежить від товщини кристалу, а формування її Х-хвильового дифракційного зображення відбувається за рахунок специфічних ефектів каналювання.

Рис. 6. Секційні зображення крайової дислокації. Sі, МоК?1- випромінювання: а), в) (); б), г) (004). а), б) - експериментальні зображення [6*], в), г) - розрахункові.

Аналіз розрахункових і експериментальних топограм (рис.6) виявляє деякі особливості формування товщинних осциляцій (рис.7) та топографічних зображень пружних полів деформації в сильно спотворених областях кристалу. По-перше, збільшення значень (x,y) призводить до трансформації зображення чотирипелюсткової дифракційної розетки таким чином, що нові пелюстки пониженої інтенсивності появляються в напрямах максимальних змін значень деформації. В цілому, розподіл інтенсивності Rh(x,y) в області значних деформацій повторює вже вигляд функції (рис.6а,в). По-друге, із аналізу топограм на рис.6, випливає, що значні за інтенсивністю області розсіяння спостерігаються в тих місцях, в яких їх зміна незначна вздовж вектора дифракції (центральна область топограм). Водночас, в областях кристалу, де деформації незначні, але швидко змінюються, специфічні ефекти каналювання Х-хвиль вздовж відбиваючих площин повністю пригнічується.

На розподілах Rh(x,z) (рис.7а, і рис.8а,б) по мірі віддалення від площини ковзання відбувається асиметричне пригнічення екстинкційних осциляцій інтенсивності в основі палатки Бормана і концентрація інтенсивності по центру. Фактично виникає квазіперіодична стояча хвиля з макроперіодом порядка 7-10 , яка поширюється як по хвилеводу в області значних значень функції (x,y).

Рис. 7. Розподіли при відступі від лінії дислокації паралельно площині ковзання на y0=-1 мкм для МоК?1-випромінювання відбивання: (20) (а), (40) (б), (004) (в).

Рис. 8. Товщинні розподіли (а,б) і залежності (в) в площині дифракції (xОz) при: а) y0=-3, б) -10 мкм.

Амплітуда модових осциляцій інтенсивності на товщинних розподілах в площині розсіяння в областях деформацій розтягу під екстраплощиною дислокації різко зростає при наближенні до лінії дислокації (рис.8в). Період модових осциляцій інтенсивності значно перевищує період екстинкції (в 5-10 раз) і нелінійно збільшується зі зменшенням величини

= .

Це зумовлено збільшення ефективної товщини кристалу, на якій набігання фази новоутворених інтерферуючих полів в сильно деформованій області кристалу дорівнює 2. Така ж картина спостерігається і в області деформацій стиску (над площиною ковзання). Водночас амплітуда і період модових коливань значно менші. На топограмах в області розтягу під екстраплощиною формується темний (позитивний до фону) контраст.

Такі ж закономірності поширення інтенсивності вздовж лінії дислокації притаманні і для інших відбивань (рис.7).

Досліджено вплив комбінованих спотворень (поля деформацій від дислокацій та макроскопічних пружних деформацій від ультразвукового поля, еквідистантного згину та ін.) на товщинні розподіли інтенсивності в палатці Бормана і на вихідній поверхні кристалу на секційних топограмах.

Найменше ультразвукове поле впливає на розподіли там де , тут дія ультразвукового поля на формування екстинкційних контурів проявляється у виникненні характерних осциляцій інтенсивності з періодом, який дорівнює , по обидва боки уявного циліндра, радіусом у5 мкм, в якому змінюється від до і вже починаючи з ефекти каналювання інтенсивності пригнічуються, оскільки на макроперіодні коливання інтенсивності, які викликані деформаційним полем дислокації, накладаються осциляції інтенсивності, викликані ультразвуком. Збільшення амплітуди ультразвуку приводить до зміни ефективної екстинкційної довжини і, відповідно, до швидкого пригнічення ефекту каналювання, що відображується у звуженні області кінематичного розсіяння (темної області зображення) поблизу лінії дислокації.

У випадку еквідистантного згину атомних площин кристалу, що містить сторчкову крайову дислокацію основні зміни виявляються в змінах тонкої структурі пелюсткових зображень дислокації на секційних топограмах при збільшенні згину атомних площин. Спочатку виявляється асиметрія в розподілі чорно-білих пелюсток - асиметрично збільшуються їх розміри і пригнічуються характерні ефекти каналювання Х-хвиль на деформаційному полі дислокації, пригнічуються відповідні ефекти перекачки інтенсивності між дифрагованою та заломленою хвилями.

У п'ятому розділі досліджено механізми і закономірності впливу деформаційних полів ковзаючих і призматичних дислокаційних петель на процеси динамічного розсіяння Х-хвиль у кремнію.

Вибрана модель для дислокаційної петлі у вигляді гексагона, сегменти якого зорієнтовані вздовж напрямів <110> (60 дислокації), а вектори Бюргерса кожного дислокаційного відрізка лежать у площині петлі та мають напрям 1/2<110>, на наш погляд, є найбільш імовірною конфігурацією ковзаючої дислокаційної петлі (рис.9). Модельні представлення дислокаційних петель на рис.9 є найбільш імовірними моделями призматичних дислокаційних петель.

Рис. 9. Моделі ковзаючої петлі у вигляді гексагона, утвореного дотичними 60 дислокаціями: (а), (б), (в), (г). - напрям дислокаційної лінії, - вектор Бюргерса.

Моделювання дифракційних Х-променевих зображень на секційних топограмах дислокаційних петель різних розмірів проводився в геометрії дифракції Лауе для товщини кристала t=2000 мкм та відбивання (440) MoK?-випромінювання, ?t3. Розмір петель змінювався від 1 мкм до 90 мкм. Площини розміщення петель - (111), (), () та ().

Рис. 10. Дифракційні зображення ДП, D=1 мкм (а,д), (б,е), (в,ж), (г,з). z=1500 мкм (а-г) та z=1800 мкм (д-з). ?t=3.

На рис. 10 наведені дифракційні зображення на секційних топограмах відповідної дислокаційної петлі (D=1 мкм). Тонка осциляційна структура інтенсивності на зображенні вздовж вектора дифракції на топограмах рис.10 пов'язана з інтерференцією хвильових полів поза дефектом, що проходять подалі від нього, і тих, що можуть утворюватися внаслідок розсіяння на сильно спотворених атомних площинах, внаслідок ефекту міжвіткового розсіяння Х-хвиль.

У випадку зміни напряму вектора на протилежний, в цілому, спостерігаються зміна зображення на рис.10а, 10в, 10д і 10ж на обернене на відповідних рисунках - 10б, 10г, 10е, 10з. Водночас, окремі деталі зображення поблизу дефекта (в області значних локальних розорієнтацій) не є повністю симетричними і різняться за розподілом інтенсивності. На зображення петлі впливає і глибина її залягання; значно трансформуються окремі пелюстки (ослаблюються), зменшуються розміри (ширина), зникає тонка осциляційна структура зображення вздовж вектора дифракції (топограми на рис.10а-г і відповідно на рис.10д-з). Причиною таких змін є, напевно, різний внесок ротаційних та дилатаційних складових деформаційних полів від різних сегментів дислокаційної петлі в загальну функцію локальних розорієнтацій.

На топограмах (рис. 11), розрахованих для товстого кристалу (?t=12), відсутні маятникові биття, але присутні осциляції інтенсивності, як і у випадку для кристалу проміжної товщини (рис.10). Ще однією особливістю є співвідношення між інтенсивністю по обидві боки зображення вздовж вектора дифракції. Зображення у напрямку дифрагованої хвилі є більш контрастним, ніж у випадку кристалів середньої товщини. Також збільшується розмір зображення у напряму перпендикулярному до вектора дифракції.

Рис. 11. Борманівські дифракційні зображення ((440), MoK?, t=12) ковзаючої ДП D=10 мкм, розміщеної на різних відстанях від вихідної поверхні z0=5000 мкм (а), 3000 мкм (б). На (б) зміщення положення ДП вздовж вектора дифракції на x =-500 мкм.

Якщо товщина кристалу, на якій знаходиться ДП, достатньо велика, то до неї доходить тільки одна слабопоглинаюча блохівська хвиля. В сильно спотвореній області дефекту, де ця хвиля терпить міжзонне розсіяння [3*]. У результаті збуджується нове хвильове поле, яке складається із двох типів блохівських хвиль. В тому місці, де існують обидві блохівські хвилі, відбувається їх інтерференція і, як наслідок спостерігаються екстинкційні модуляції інтенсивності (рис.11).

Із збільшенням товщини кристалу та відстані ДП від вихідної поверхні зразка сильно поглинаюча хвиля слабне і, відповідно, затухають екстинкційні осциляції інтенсивності. Осциляційний чорно-білий розподіл інтенсивності на рис.11 можна пояснити інтерференцією новоутвореного хвильового поля на ближньому деформаційному полі ковзаючої ДП і існуючого слабопоглиненого поля.

У шостому розділі проведено аналіз топографічних зображень та просторових розподілів інтенсивності складних дефектів: бар'єрів Ломера-Котрела, дислокаційних петель певної концентрації N у комбінації з мікродефектами різних потужностей Cv та концентрацій n, а також груп сторчкових дислокацій.

Беручи до уваги той факт, що для двох схем бар'єрів якісний вигляд в площині дифракції однаковий, а одна з дислокацій Шоклі на рис.12а не впливає на формування зображення для даного вектора дифракції (оскільки ), можна припустити, що основний внесок у функцію вносить вершинна дислокація Томпсона. Топографічне зображення бар'єрів типу втілення та випадання має обернений контраст, що зумовлено зміною знака .

Із рис. 12 випливає, що механізми формування дифракційних зображень дислокаційних бар'єрів і окремих дислокацій є дещо відмінними, проте самі зображення можуть бути схожими за розподілом і кількістю чорно-білих пелюсток.

Рис. 12. Дифракційні зображення дислокаційного бар'єру Ломера-Котрела типу втілення (а) та випадання (б). (440), CuK?, 12.

Аналіз залежності інтегральної відбиваючої здатності кристалу від амплітуди ультразвуку (рис.13.) дав змогу розділити внески дифузної і когерентної складових розсіяння і, отже, визначити інтегральні характеристики структурної досконалості кристалу - фактор Дебая-Валлера L і коефіцієнт дифузного поглинання d для різних значень концентрації мікродефектів, дислокацій і їх комплексів. Найкраще узгодження з результатами, отриманими за даними двокристальної дифрактометрії [8*], встановлено для мікродефектів з концентрацією n=5105 см-3.

Рис. 13. Амплітудні залежності Іh(U0) при =S: ідеальний кристал Si (а), кристал з мікродефектами n=106 см-3, С=10-15 (б), з дислокаціями N=103 см-2 (в), МД+Д (г). t=3, (440), MoK-випромінювання.

Рис. 14. Дислокаційне скупчення з трьох однознакових (а, в, д) і різнознакових (- + -) (б, г, е) паралельних дислокацій, лінія яких перпендикулярна до вектора дифракції, і які розташовані на відстані 50 мкм по вісі Оx. а) і б) центральні фрагменти ; в) і г) ; д) і е) .

У випадку наявності в кристалі дислокацій з концентрацією N=103 см-2: d=3,28 см-1 та L=2,2410-2. При наявності у кристалі цих же дислокацій та мікродефектів n=106 см-3: d=3,45 см-1 та L=2,5810-2.

У випадку мікроскупчення з трьох однаково орієнтованих крайових дислокацій (рис.14а,в,д) у площині розсіяння, як і для випадку скупчення із двох дислокацій спостерігається ціла низка дифракційних ефектів (заломлення та дифракції) хвильових полів, утворених на деформаційних полях в області значних спотворень відбиваючих площин центральної та на зміщених по обидві сторони від неї дислокацій, а також низка інтерференційних взаємодій в різних частинах трикутника Бормана існуючих та новоутворених хвильових полів. При цьому, значно трансформується і центральна частина зображення на секційній топограмі (рис.14в), виникають додаткові чорно-білі пелюстки, які асиметрично розміщені по обидва боки від площини ковзання.

Інша ситуація спостерігається для різнознакових дислокацій при різних зміщеннях від центру (рис.14б,г,е). Тут також, як і для двох дислокацій, в напряму дифрагованої хвилі виникає "кінематичний прожектор" - кінематичне зображення лівої дислокації (дислокації, що перетинає заломлену хвилю). По центру палатки Бормана спостерігаються характерні хвилеводні ефекти типу повного зовнішнього відбивання на відповідним чином деформованих атомних площинах поблизу дислокаційних ліній. При цьому, суттєво трансформується зображення і на секційних топограмах - значно розширюється область кінематичного розсіяння (в рази), а також з'являються додаткові елементи (чорно-білі пелюстки) в структурі зображення, яке більшою мірою відтворює вигляд результуючої функції (рис. 14е).

Для дислокаційної стінки з трьох однакових дислокацій на рис.15 дифракційне зображення симетричне відносно площини ковзання і задається видом функції .

Рис. 15. (а) та Rh(x,y) (б) для дислокаційної стінки з трьох різнознакових дислокацій, розташованих на відстані 25 мкм по вісі Оу одна від одної.

Зі зміною відстані між дислокаціями, коли зменшення відстані між дислокаціями формує наддислокацію, на секційних топограмах кожна із них на периферії зберігає свої риси. При великих відстанях між дислокаціями проявляються характерні риси кожної із дислокацій і в центральній частині топограми.

Для різнознакових дислокацій в області кристалу, яка знаходиться між основною дислокацією, і зміщеними на певну відстань, виникає інтерференційна взаємодія, яка перебудовує в цій області існуючі екстинкційні осциляції інтенсивності таким чином, що вони набувають вид гіпербол, вершини яких направлені до лінії дислокації вздовж вектора дифракції. Інакше формується центральна частина - область кінематичного розсіяння збільшується, водночас, дислокації з боків зберігають свої індивідуальні риси у верхній і нижній частинах кристалу.

Основні результати та висновки

В дисертації на основі розроблених і адаптованих алгоритмів числового розв'язку рівнянь Такагі в частинних похідних зі змінними коефіцієнтами досліджено механізми і закономірності формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію (мікродефектів, дислокацій, дислокаційних петель та бар'єрів Ломера-Котрела) та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників (ультразвукових деформацій, еквідистантного і експоненційного згину атомних площин та дії зосереджених сил).

1. Комбіноване ультразвукове поле, що створюється двома незалежними джерелами, пригнічує Х-променево акустичну взаємодію як в довго-, так і короткохвильовій області акустичних деформацій. Вигляд залежності Іh(U0) в цілому якісно такий же, як і в кристалах з хаотично розподіленими в об'ємі статичними дефектами.

2. При спотворенні вхідної і вихідної поверхонь по експоненційному закону на секційних топограмах відбувається трансформація дифракційного зображення, яка проявляється в області слабких деформацій підсиленням прямого зображення і розмиттям проміжного, а також підсиленням або пригніченням динамічної складової, в залежності від місцезнаходження мікродефекту. При цьому деформація вхідної поверхні більш сильно пригнічує дифракційний контраст мікродефектів.

У випадку еквідистантного згину атомних площин трансформація зображення мікродефектів проявляється пригніченням прямого зображення і перекидом інтенсивності в центр проміжної області зображення. Від мікродефектів, що розміщені на значних відстанях від вихідної поверхні в проміжній області спостерігається характерний осцилюючий чорно-білий характер розподілу інтенсивності. Така ситуація, як правило, виникає при накладанні зображень двох мікродефектів, розміщених на різній висоті в одній площині розсіяння.

3. Ультразвукове деформаційне поле значно підсилює механізми формування дифракційного контрасту тим, що пригнічує когерентну складову розсіяння і підсилює некогерентну. При збудженні в кристалі резонансного ультразвукового поля, в локальній області в околі мікродефекта виникають нові хвильові поля, які взаємодіючи із попередніми хвильовими полями обумовлюють підвищення контрастності і уширення області зображення мікродефектів.

4. При виконанні умови Х-променево акустичного резонансу на секційних і проекційних топограмах кристалів, що містять різні концентрації мікродефектів і дислокацій, спостерігаються області, в яких значно збільшені дифракційні зображення мікродефектів і дислокацій. Це пояснюється багатохвильовим характером взаємодії полів, що розповсюджуються в кристалі поза локальними спотвореннями кристалу і хвильовими полями, народженими на них. Внаслідок цього відбуваються різноманітні трансформації динамічної складової зображення. При цьому ефект підсилення дифракційного контрасту суттєво різний для мікродефектів і дислокацій.

5. Встановлені особливості формування дифракційних зображень на секційних і проекційних топограмах гвинтової, крайової, 60 та 72 дислокацій від їх розташування в палатці Бормана в тонкому та товстому кристалах.

6. Виявлено специфічні ефекти каналювання та повного зовнішнього відбивання Х-хвиль у випадку особливого сторчкового положення крайових дислокацій у палатці Бормана. В сильно спотворених областях кристалу поблизу лінії дислокації виникає просторове квазіперіодичне хвильове поле з макроперіодом в декілька екстинкційних відстаней , яке поширюється як по хвилеводу в області значних значень функції локальних розорієнтацій (x,y). Амплітуда модових осциляцій інтенсивності на товщинних розподілах в площині розсіяння в областях деформацій розтягу (під екстраплощиною) різко зростає при наближенні до лінії дислокації. Така ж картина спостерігається і в області деформацій стиску (над площиною ковзання). Водночас амплітуда і період модових коливань значно менші. На топограмах в області деформацій розтягу формується темний (позитивний до фону) контраст.

7. Найменше ультразвукове поле впливає на розподіли там, де , тут дія ультразвукого поля на формування екстинкційних контурів проявляється у виникненні характерних осциляцій інтенсивності з періодом, який дорівнює , по обидва боки уявного циліндра, радіусом у5 мкм, в якому змінюється від до і вже починаючи з ефекти каналювання інтенсивності пригнічуються, оскільки на макроперіодні коливання інтенсивності, які викликані деформаційним полем дислокації, накладаються осциляції інтенсивності, викликані ультразвуком. Збільшення амплітуди ультразвуку приводить до зміни ефективної екстинкційної довжини і, відповідно, до швидкого пригнічення ефекту каналювання, що відображується у звуженні області кінематичного розсіяння (темного зображення) поблизу лінії дислокації.

У випадку еквідистантного згину атомних площин кристалу, що містить сторчкову крайову дислокацію спостерігається асиметрія в розподілі чорно-білих пелюсток - асиметрично збільшуються їх розміри і пригнічуються характерні ефекти каналювання Х-хвиль на деформаційному полі дислокації - пригнічуються відповідні ефекти перекачки інтенсивності між дифрагованою та заломленою хвилями.

8. Побудовані дифракційні зображення різних за типом дислокаційних петель. Визначено механізми формування зображень дислокаційних петель, що можуть виникати у кристалах. Зокрема, вибрано різні модельні представлення дислокаційних петель у кремнію з урахуванням його анізотропії. Модель у вигляді гексагона з дислокаційних сегментів, що напрямлені вздовж можливих кристалографічних напрямів, дозволяє відтворювати дифракційні зображення усіх типів дислокаційних петель (ковзаючих і призматичних) у відповідності з відомими експериментальним даними.

Різноманітність Х-хвильових зображень петель у залежності від кристалографічного та просторового розташування пояснюється сумарним впливом добутків для кожної частини петлі на загальну функцію локальних розорієнтацій .

9. Побудовано Х-променеві топографічні зображення для бар'єрів Ломера-Котрела, різної концентрації дислокаційних петель та мікродефектів. Осциляції інтенсивності, що виникають на секційних топограмах вздовж вектора дифракції стають менш контрастними або зникають зовсім, що зумовлено впливом деформаційного поля, яке створюється мікродефектами, на інтерференційну взаємодію між хвильовими полями, які сильно та слабо поглинаються.

10. При виконанні умови Х-променево акустичного резонансу відбуваються різноманітні трансформації динамічної частини зображення дислокаційних петель. Ефект підсилення дифракційного контрасту суттєво відрізняється для всіх моделей дислокаційних петель. Із аналізу залежності інтегральної відбивної здатності кристала від амплітуди ультразвуку виділено внески дифузної та когерентної складових розсіяння. Визначено інтегральні характеристики структурної досконалості кристалу. Коефіцієнт ?d слабко чутливий до місця розташування окремої петлі, його значення ~1,3-1,4 см-1. Значення L зменшується з наближенням петлі до вихідної поверхні та при збільшенні її розмірів. При наявності в кристалі одночасно мікродефектів та ДП значення ?d збільшуються зі збільшенням потужності мікродефектів.

11. У випадку мікроскупчень дислокацій з однаково орієнтованими векторами Бюргерса при збільшені відстані між ними в площині дифракції спостерігається цілий спектр інтерференційних взаємодій новоутворених і вже існуючих хвильових полів, а також багаторазові відбивання породжених хвильових полів зміщеною дислокацією на деформаційному полі основної дислокації.

У випадку дислокаційної мікрограниці з різнознакових дислокацій такі ефекти менш виражені, але разом з тим, виникають більш інтенсивні "розбіжні" інтерференційні смуги в кутовому інтервалі з центром зародження у точці перетину зміщеною лінією дислокації напрямів або - сторін трикутника Бормана. На секційних топограмах такі інтерференційні ефекти проявляються лише в зміні тонкої структури зображення основної дислокації поблизу площини ковзання.

12. Для дислокаційної стінки з трьох однакових дислокацій дифракційне зображення симетричне відносно площини ковзання і задається видом функції . Зменшення відстані між дислокаціями формує наддислокацію, а при великих відстанях між дислокаціями на секційних топограмах проявляються характерні риси кожної із них.

Для різнознакових дислокацій в області кристалу, яка знаходиться між основною дислокацією і зміщеними на певну відстань, виникає інтерференційна взаємодія, яка перебудовує в цій області існуючі екстинкційні осциляції інтенсивності так, що вони набувають вид гіпербол, вершини яких напрямлені до лінії дислокації вздовж вектора дифракції.

13. Виявлено особливості формування Х-хвильвого зображення на секційних топограмах у випадку дії локальної зосередженої сили, яка направлена перпендикулярно до вихідної поверхні кристалу і вектору дифракції. Встановлено, що в області сильних деформацій спостерігається чотири різних за розподілами інтенсивності області, в яких має місце не лише згин екстинкційних осциляцій, але і їх розрив, а також виникнення нових центрів перерозсіяння інтенсивності. Запропоновано модельні представлення подряпин індентором поверхні кремнію у вигляді певним чином (рівномірно і нерівномірно) розподілених зосереджених сил у вигляді рядів. Показано, що на отриманих Х-хвильових секційних і проекційних зображеннях в залежності від величини локальних зосереджених сил формуються "деформаційні" різноперіодні смуги інтенсивності.

Список праць, опублікованих за темою дисертації

1. Раранский Н.Д. Влияние ультразвуковых деформаций на формирование изображения дислокации, параллельной поверхностям кристалла / Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук, С.Н. Новиков // Металлофизика и новейшие технологии. - 1994 - Т. 16. - №4. - C. 27-32.

2. Раранский Н.Д. Особенности рассеяния рентгеновских лучей в акустически возбужденном кристалле, содержащем микродефекты / Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, О.Ж. Коровянко, А.Г. Гимчинский // Металлофизика и новейшие технологии. - 1994 - Т. 16. - №4. - C. 33-37.

3. Raransky M.D. Enhanced diffraction images of microdefects with an acoustically excited crystal / M.D. Raransky, І.M. Fodchuk, S.M. Novіkov, O.J. Korovianko, A.G. Gimchinsky // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1996. - №3-4. -С. l53-159.

4. Раранский Н.Д. Рентгенодифракционный контраст дислокаций в акустически возбужденном кристалле / Н.Д. Раранский, И.М Фодчук, С.Н. Новиков А.Г. Гимчинский, П.Е. Мармус // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 1996. - №5. - С. 63-73.

5. Раранский Н.Д. Исследования влияния коротко- и длинноволнового акустического поля на рентгеноакустическое взаимодействие / Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, В.И. Хрупа // Металлофизика и новейшие технологии. - 1997 - Т. 19. - №7. - С. 79-81.

6. Раранский Н.Д. Исследования влияния экспоненциального и эквидистантного изгибов атомных плоскостей на рентгеноакустическое взаимодействие в кристалле Sі / Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, К.В. Слипченко // Металлофизика и новейшие технологии. - 1997 - Т. 19. - №9. - С. 47-51.

7. Raransky M.D. Enhanced diffraction images of microdefects with an acoustically excited crystal / M.D. Raransky, I.M. Fodchuk, S.M. Novikov, О.J. Korovianko A.G. Gimchinsky // Surface Investigation. - 1997. - Vol. 12. - P. 387-395.

8. Raransky M.D. X-ray diffraction contrast of dislocations in crystals under acoustic excitation / M.D. Raransky, I.M. Fodchuk, S.M. Novikov, A.G. Gimchinsky, P.E. Marmus // Surface Investigation. - 1997. - Vol. 12. - P. 611-623.

9. Fodchuk I.M. Investigation of formation features of microdefect Х-ray topography images in silicon crystals / I.M. Fodchuk, N.D. Raransky, S.M. Novikov, P.E. Marmus S.V. Bobrovnik // Proc. SPIE. Bellingham. - 1999. - Vol. 3904. - P. 461-467.

10. Фодчук И.М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах / И.М. Фодчук, Н.Д. Раранский, С.Н. Новиков, С.В. Бобровник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - Т. 22. - №1. - С. 69-76.

11. Раранский Н.Д. Изображение микродефектов на рентгеновских секционных топограммах в акустически возбужденном кристалле / Н.Д. Раранский, В.Б. Молодкин, И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, С.В. Бобровник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - Т. 22. - №3. - С. 26-32.

12. Фодчук И.М. Рентгенотопографические особенности формирования изображений микродефектов в одномерно деформированном кристалле Sі / И.М. Фодчук, Н.Д. Раранский, С.Н. Новиков, С.В. Бобровник // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2001. - №4. - С. 12-17.

13. Новиков С.Н. Влияние акустического поля на кристаллы, содержащие дислокации и микродефекты / С.Н. Новиков, Н.Д. Раранский, Д.Г. Федорцов, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. - 2002. - Т. 24. - №2. - С. 197-202.

14. Fodchuk I. X-ray acoustic topography of defects in Si crystals / I. Fodchuk, S. Novikov, D. Fedortsov // Рhys. Stat. Sol. (a). - 2004. - Vol. 201. - №4. - P. 711-717.

15. Novikov S.N. Use of acoustic waves in X-ray topography of silicon crystals / S.N. Novikov, D.G. Fedortsov, V.V. Dovganyuk // Proc. of SPIE. - 2004. - Vol. 5477. - P. 222-228.

16. Гевик В.Б. Моделирование рентгеновских дифракционных изображений дислокационных петель в кристаллах / В.Б. Гевик, С.Н. Новиков, Д.Г. Федорцов, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - Т. 27. - №9. - С. 1237-1250.

17. Fedortsov D. X-ray images of dislocation loops and barriers in silicon crystals in the case of transmission geometry / D. Fedortsov, І. Fodchuk, S. Novіkov, A. Struk // Proc. of SPІE. - 2008. - Vol. 7008. - P.70081A-1-5.

18. Novіkov S. X-ray sectіon іmages of dіslocatіons and dіslocatіon barrіers іn Sі / S. Novіkov, І. Fodchuk, D. Fedortsov, A. Struk // Phys.stat.sol. (a). - 2009. - Vol. A206. - №8. - P. 1820-1824.

19. Новиков С.Н. Формирование дифракционных изображений деформационных полей на рентгеновских топограммах при действии сосредоточенной силы / С.Н. Новиков, А.Я. Струк, И.В. Фесив, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - Т. 32. - №8. - С. 1021-1031.

20. Фодчук И.М. Особенности формирования дифракционного изображения краевой дислокации на секционных рентгеновских топограммах / И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, А.Я. Струк, Д.Г. Федорцов // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - Т. 32. - №8. - С. 1033-1047.

21. Новіков С.М. Особливості формування дифракційних зображень скупчень із крайових дислокацій на секційних топограмах / С.М. Новіков, А.Я. Струк, І.М Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - Т. 32. - №9. - С.1198-1209.

22. Фодчук І.М. Вплив макродеформацій на Х-променеве топографічне зображення дислокацій / І.М. Фодчук, С.Н. Новіков, А.Я. Струк, Д.Г. Федорцов // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010 - Т. 32. - №9. - С. 1227-1239.

23. Novikov S.M. Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novikov, I.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. - 2010. - Vol. 13. - №.3. - Р.268-272.

24. Новиков С.Н. Рентгенотопографические изображения дислокационных петель в кристаллах / С.Н. Новиков, А.Я. Струк, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - Т. 32. - №10. - С.1422-1431.

25. Фодчук И.М. Рентгенодифракционные изображения микроцарапин, представленных в виде многорядных распределений сосредоточенных сил / И.М. Фодчук С.Н. Новиков, Я.М. Струк, И.В. Фесив // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - Т. 32. - №10. - С.1455-1467.

26. Фодчук И.М. Моделирование рентгеновских дифракционных изображений дислокационных петель / И.М. Фодчук, С.Н. Новиков, Д.Г. Федорцов // Материалы. ІІІ Международный научный семинар "Современные методы анализа дифракционных данных". Великий Новгород (Россия), 2006. - С. 274-277.

27. Раранський М.Д. Особливості формування зображення мікродефектів на рентгенівських секційних топограмах / М.Д. Раранський, І.M. Фодчук, С.М. Новіков, О.Ж. Коровянко, С.В. Бобровник, П.Є. Мармус // Науковий вісник ЧДУ. Фізика. - 1998. - Т. 29. - С. 112-116.

28. Новіков С.М. Механізми формування рентгенодифракційного контрасту дислокації довільної орієнтації / С.М. Новіков // Науковий вісник ЧДУ. Фізика. - 1998. - Т. 30. - С.85-90.

29. Раранський М.Д. Дифракційні зображення мікродефектів на секційних топограмах в акустично збудженому кристалі / М.Д. Раранський, І.M. Фодчук, С.М. Новіков, С.В. Бобровник, П.Є. Мармус // Науковий вісник ЧДУ. Фізика. - 1998. - Т. 40. - С.50-55.

30. Новіков С. Рентгенодифракційні зображення дефектів у випадку акустичної дії на кристал / С.М.Новіков // Науковий вісник ЧДУ. Фізика. - 1999. - Т. 57. - С.67-72

31. Новіков С.М. Зображення дислокацій і мікродефектів на секційних топограмах в акустично збудженому кристалі / С.М. Новіков, М.Д. Раранський, Д.Г. Федорцов, І.M. Фодчук // Науковий вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка. - 2000. - Т. 79. - С. 73-76.

32. Гевик В.Б. Х-променева топографія дислокаційних петель у кристалах кремнію / В.Б. Гевик, С.М. Новіков, Д.Г. Федорцов, И.М. Фодчук // Науковий вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка. - 2005. - Т. 237. - С. 25-35.

33. Новіков С.М. Моделювання Х-променевих дифракційних зображень залишкових деформаційних полів подряпин локальними зосередженими силами / С.М. Новіков // Науковий вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка. - 2009. - Т. 438. - С.55-61.

34. Raransky M.D. X-ray diffraction distinctions in the acoustically excited crystal with microdefects / M.D. Raransky, I.M. Fodchuk, S.M. Novikov, O.J. Korovianko // Abstracts. 2nd European symposium on X-ray topography and high resolution diffraction. Berlin, 1994. - P.168.

35. Raransky M.D. The ultrasound influens on diffraction contrast formation of dislocations in Si crystals / M.D. Raransky, I.M. Fodchuk, S.М. Novikov, O.G. Gimchinsky // Abstracts. International conference "Interference phenomena in X-ray scattering". Moscow. - 1995. - P.43.

36. Novikov S.M. The influense of One-dimentional strain filds on microdefect images on X-ray section topography / S.M. Novikov, I.M. Fodchuk, M.D. Raransky // Abstracts. 5th Biennial conference on high- resolution X-ray diffraction and topography. Ustron-Jaszowiec (Poland), 2000. - P.85.

37. Новиков С.Н. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах с комбинированными деформациями / С.Н. Новиков, Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук // Тезисы. ІІІ Национальная конференция РСНЭ-2001. Москва, 2001. - С.222.

38. Novikov S.M. X-ray and acoustic topography and diffractometry of strain fields around defects in real crystals / S.М. Novikov, M.D. Raransky, I.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov // Abstracts. 6th Biennial conference on high resolution X-ray diffraction and imaging. Grenoble (Franse), 2002. - P.179.

39. Novikov S. X-ray images of dislocation loops in acoustically excited silicon crystals / S. Novikov, D. Fedortsov, I. Fodchuk // Abstracts. 7th Biennial conference on high resolution X-ray diffraction and imaging. Prague. - 2004. - P.61.

40. Fodchuk І. Diffraction images of dislocation loops in silicon under conditions of anomalous X-ray transition / I. Fodchuk, S. Novikov, D. Fedortsov // Abstracts. 8th Biennial conference on high-resolution X-ray diffraction and imaging Х-ТОР2006. Baden-Baden (Germany), 2006. - P.93.

41. Novikov S. X-ray images of dislocations and dislocation barriers in Si and SiC / S. Novikov, D. Fedortsov, I. Fodchuk, A. Struk // Abstracts. 9th Biennial conference on high resolution X-ray diffraction and imaging. (XTOP 2008). Linz (Austria), 2008. - P.124.

42. Новиков С.Н. Рентгеновская дифракция в кристаллах, содержащих дислокационные петли / С.Н. Новиков, И.М. Фодчук, А.Я. Струк // Тезисы. VІ Национальная конференция РСНЭ-2007. Москва, 2007. - С.438.

43. Fodchuk І.M. Moіre patterns of distortions arising under the effect of local concentrated forces / І.M. Fodchuk, І.V. Fesіv, S.M. Novіkov, Ya.M. Struk // Abstracts. 10th Biennial conference on high resolution X-ray diffraction and imaging. (XTOP 2010). Warwick (UK), 2010. - P.41.

Размещено на Allbest.ru