Изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов

Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.

Рубрика Физика и энергетика
Предмет Физика
Вид лабораторная работа
Язык русский
Прислал(а) Александр
Дата добавления 16.06.2017
Размер файла 652,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Датчики температуры с терморезисторами (термометры сопротивления). Металлические и полупроводниковые терморезисторы, их чувствительные элементы. Номинальные функции преобразования (статические характеристики) медных и платиновых терморезисторов.

    курсовая работа [334,6 K], добавлен 27.08.2010

  • Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.

    контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.

    контрольная работа [836,3 K], добавлен 29.08.2013

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012

  • Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.

    презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014

  • Чувствительность датчиков, их классификация по тем величинам, которые они должны измерять (датчики давления, датчики уровня). Основные типы датчиков сопротивления и их характеристики. Устройство емкостных и струнных датчиков, свойства фотоэлементов.

    реферат [23,4 K], добавлен 21.01.2010

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Общие сведения о проводниковых материалах. Электрическое сопротивление проводников. Параметры и использование стабилитронов. Полупроводниковые приборы. Основные определения и классификация диэлектриков. Характеристики электроизоляционных материалов.

    реферат [207,6 K], добавлен 27.02.2009

  • Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.

    реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014

  • Краткий обзор основных направлений синтеза полупроводниковых нанопроводов и наностержней, общее описание основных подходов к синтезу такого рода наночастиц. Попытка анализа закономерностей протекания самоорганизации наночастиц и ее возможных причин.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 28.05.2013

  • Характеристики полупроводниковых двумерных структур. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины. Параболическая и треугольная квантовые ямы. Квантовые проволоки и точки. Влияние напряжений на валентную зону. Экситонные эффекты в квантовых ямах.

    контрольная работа [4,6 M], добавлен 24.08.2015

  • Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.

    дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014

  • Физический смысл и практическое значение пробоя. Определение диэлектрика пластмасса. Классификация проводниковых материалов, показатели для бериллиевой бронзы. Вольтамперная характеристика тринистора. Свойства, преимущества и недостатки альсиферов.

    контрольная работа [255,3 K], добавлен 05.11.2010

  • Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.

    курсовая работа [694,7 K], добавлен 27.02.2011

  • Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.

    методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013

  • Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.

    контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.