Изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов
Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 16.06.2017 |
| Размер файла | 652,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов
Содержание
1. Характеристики для датчиков
2. Статистическая характеристика
3. Обратное влияние на измеряемый объект
1. Характеристики для датчиков
Цель работы: изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов, а так же особенностей их статистических характеристик.
Важнейшие характеристики для датчиков:
1. Точность
2. Чувствительность
3. Динамический диапазон
4. Надежность и долговечность
5. Стабильность параметров и характеристик во времени, и при изменении условий эксплуатации
6. Обратное воздействие датчиков на объект
7. Быстродействие
8. КПД
К некоторым датчикам могут предъявляться особые требования:
ѕ Взрывоопасность
ѕ Стойкость к химическим, механическим воздействиям
ѕ Малые габариты, масса
Существует ряд требований, характеристик, эксплуатационные свойства:
· Ремонтопригодность
· Взаимозаменяемость
· Удобства монтажа и обслуживания
Датчики применяются для автоматизации на промышленных предприятиях, должны выдавать выходные унифицированные шкалы в соответствие с требованиями системы обеспечения качества.
2. Статистическая характеристика
Статистический режим работы средств измерения - такой режим, при котором изменение измеряемой величины за время, требуемое для одного измерения, можно пренебречь.
Функция преобразования это функция определяющая зависимость выходной величины от входной.
Функция преобразования означает зависимость между измеряемой величиной и ее отображением.
Чувствительность
Чувствительность измеряемого преобразователя характеризует степень его реагирования на входную величину, то есть показывает во сколько раз изменится приращение входной величины при определенном приращении входной измеряемой величины.
Для измерительных преобразований с линейной статистической характеристикой чувствительность равно коэффициенту преобразования S-k.
Для характеристик не линейных измерительных преобразователей используются так же следующие понятия.
Средняя чувствительность в диапазоне измерений - это отношение диапазона преобразований по выходной величине к диапазону преобразований по исходной величине.
Относительная чувствительность это отношение относительного изменения выходной величины к относительному изменению входной величины. полупроводниковый терморезистор датчик чувствительность
Чувствительность медных терморезисторов, во-первых, может быть определена как чувствительность линейного преобразователя, во-вторых, более общим методом дифференцирования
Для платиновых терморезисторов в диапазоне температур (-50 +700) 0С.
Уравнение преобразования
RT = R0(1+µ?+Я?2).
Поскольку исходной величиной термопреобразователя принято считать относительные изменения сопротивлений R?/RЯ - то чувствительность платиновых терморезисторов
: .
В аналого-цифровых измерительных преобразователях минимальному изменению выходной величины ДЖ соответствуют изменению выходного кода 1 единице разряда, поэтому чувствительность цифровых ИП равна: .
3. Обратное влияние на измеряемый объект
При самом факте измерения на объект оказывается иное воздействие. Это может вызвать гораздо больше, чем допустимое изменение измеряемой величины. Характеристики описывающие свойства средств измерения отдавать или опирать энергию через свои входные или выходные цепи.
Данные:
Проводниковые терморезисторы:
- медные R0 = 53 Ом
-40 ч 150
- платиновые R0 = 65 Ом
-50 ч 200
- полупроводниковые терморезисторы:
R293 =18,2 Ом
-10 ч 200
Коэффициент 34•102 0С
Сопротивление терморезисторов при заданных температурах
|
43,9688 |
52,54844 |
61,12808 |
69,70772 |
78,28736 |
86,867 |
Платиновые терморезисторы
RT = R0 (1 + µ? + Я?2)
|
52,0351 |
65 |
77,7751 |
90,3604 |
102,7559 |
114,9616 |
Чувствительность терморезистора
|
S01 |
S02 |
S03 |
S04 |
S05 |
S06 |
|
|
0,004018 |
0,00396 |
0,003902 |
0,003843 |
0,003785 |
0,003726 |
Относительная погрешность нелинейности
Сопротивление термисторов при заданных температурах
Чувствительность термистора
Вывод по работе: в ходе лабораторной работы изучил конструкцию проводниковых и полупроводниковых терморезисторов, их особенностей и статических характеристик, а также рассчитал необходимые характеристики, построив графики их зависимости.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Датчики температуры с терморезисторами (термометры сопротивления). Металлические и полупроводниковые терморезисторы, их чувствительные элементы. Номинальные функции преобразования (статические характеристики) медных и платиновых терморезисторов.
курсовая работа [334,6 K], добавлен 27.08.2010Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.
контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.
контрольная работа [836,3 K], добавлен 29.08.2013Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.
презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014Чувствительность датчиков, их классификация по тем величинам, которые они должны измерять (датчики давления, датчики уровня). Основные типы датчиков сопротивления и их характеристики. Устройство емкостных и струнных датчиков, свойства фотоэлементов.
реферат [23,4 K], добавлен 21.01.2010Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015Общие сведения о проводниковых материалах. Электрическое сопротивление проводников. Параметры и использование стабилитронов. Полупроводниковые приборы. Основные определения и классификация диэлектриков. Характеристики электроизоляционных материалов.
реферат [207,6 K], добавлен 27.02.2009Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.
реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014Краткий обзор основных направлений синтеза полупроводниковых нанопроводов и наностержней, общее описание основных подходов к синтезу такого рода наночастиц. Попытка анализа закономерностей протекания самоорганизации наночастиц и ее возможных причин.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 28.05.2013Характеристики полупроводниковых двумерных структур. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины. Параболическая и треугольная квантовые ямы. Квантовые проволоки и точки. Влияние напряжений на валентную зону. Экситонные эффекты в квантовых ямах.
контрольная работа [4,6 M], добавлен 24.08.2015Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.
дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014Физический смысл и практическое значение пробоя. Определение диэлектрика пластмасса. Классификация проводниковых материалов, показатели для бериллиевой бронзы. Вольтамперная характеристика тринистора. Свойства, преимущества и недостатки альсиферов.
контрольная работа [255,3 K], добавлен 05.11.2010Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.
курсовая работа [694,7 K], добавлен 27.02.2011Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013
