Флуктуационные, термо- и электромеханические эффекты в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
Изучение свойств квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности в области пайерлсовского перехода и физических механизмов, их определяющих. Оценка влияния воздействия температуры или электрического поля на размеры и форму тонких образцов.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 15.02.2018 |
| Размер файла | 760,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Далее отмечается, что наиболее вероятной причиной кручения можно считать поверхностный пиннинг [5,15,25]. Величина сдвига на поверхности может превышать 10-4. Такой деформации можно условно приписать пьезомодуль (недиагональные компоненты тензора пьезомодуля) >10-6 м/В, что на 4-6 порядков превышает значения, известные для пьезоэлектриков.
Рис. 10. Температурные зависимости для двух образцов TaS3, полученные из осциллограмм переходных процессов, д(t). Наклон сплошной линии соответствует энергии активации 880 К. Пример д(t) показан на вставке
Затем приводится температурная зависимость кручения. Наблюдается спад величины угла с ростом температуры от 80 К до 200 К. Выше 200 К угол кручения не превышает 0.1. Приводятся также частотные зависимости амплитуды кручения, которые свидетельствуют о наличии двух вкладов: медленного (гистерезисного, порогового) и быстрого (практически линейного по току). Температурная зависимость времени релаксации медленного вклада, (T), описывается активационным законом (Рис. 10). Энергия активации, характеризующая зависимость, 900 К, близка к полуширине пайерлсовской щели в TaS3, что с очевидностью свидетельствует о связи кручения с ВЗП [26,27].
Частотной зависимости быстрого вклада не наблюдалось до максимальных частот приложенного электрического поля (~1 кГц), на которых можно было проводить корректные измерения. Наблюдение резонансных пиков кручения до 200 кГц указывает на то, что кручение может возбуждаться на существенно более высоких частотах. В отличие от медленного, быстрый вклад слабо зависел от температуры ниже TP, однако резкий спад его в области TP свидетельствует о том, что он также связан с пайерлсовским состоянием TaS3 [А 39].
Общая картина зависимости кручения от амплитуды и частоты видна из Рис. 11, где показан набор зависимостей амплитуды кручения от напряжения на разных частотах. Видна общая тенденция: для низких частот линейный рост д(V) переходит к резкому возрастанию в области Vt. С ростом частоты пороговый вклад становится не таким значительным, его появление сдвигается в сторону более высоких напряжений. Начиная с f=9 кГц и выше, на зависимостях остаётся только линейный вклад, который не зависит заметным образом от f (видимый спад амплитуд кручения для f > 12 кГц связан с частотной характеристикой крутильного осциллятора).
Рис. 11. Амплитуда кручения TaS3 в зависимости от амплитуды прямоугольного знакопеременного напряжения при различных f, указанных на рисунке. Т=80 К
В заключении раздела отмечается, что результаты исследования кручения, полученные для соединений квазиодномерных проводников (TaSe4)2I и K0.3MoO3, качественно схожи с результатами для TaS3. В частности, наблюдаются два вклада в кручение: быстрый и медленный.
В разделе 7.3 обосновывается и описывается постановка эксперимента, в котором неоднородная деформация вискеров исследуется с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ) [А 39]. Отмечается, что электрическое поле может создавать различные виды неоднородной деформации. Высокое пространственное разрешение ПЭМ можно использовать для наблюдения малых перемещений, соответствующих изгибной, неоднородной продольной деформации, неоднородному кручению образцов.
Описывается монтаж образцов TaS3 в микрокриостате (T=155 K), помещённом в ПЭМ. Для защиты образца от высокоэнергетических электронов, над ним был закреплён более широкий вискер Ba2Sr2CuCa2Ox, играющий роль экрана. Два индиевых прижимных контакта фиксировали концы образца, оставляя его середину свободной, приподнятой над подложкой. Чтобы наблюдать деформацию, к образцу были приклеены поперечные перекладины - тоже вискеры Ba2Sr2CuCa2Ox, концы которых выступали из-под экрана. На этих вискерах выбирались реперные точки, по перемещению которых можно было изучать деформацию образца. К образцу прикладывалось переменное напряжение. Изображение выводилось на фотоплёнку; при этом направление и амплитуда колебаний вискеров определялась по размытию изображений реперных точек.
Рис. 12. Микрофотографии движущихся фрагментов поперечных вискеров (перекладин), полученные в ТЭМ. (a) ?y = 20 нм, VAC = 70 мВ, f = 3 Гц; (b) ?y = 0.8 мкм, VAC = 10 мВ, f = 12 кГц; (c) ?x = 1 мкм, VAC = 10 мВ, f = 45 кГц
В разделе 7.4 приводятся результаты исследований в ПЭМ. Наблюдалось как продольное, ?x, (вдоль оси c образца TaS3), так и поперечное, ?y, смещение перекладин. На Рис. 12 показаны фотографии фрагментов перекладин. По размытию фотографий на Рис. 12 a,b делается вывод о поперечном смещении в квазистатическом и резонансном режимах, соответственно, что свидетельствует об изгибной деформации TaS3. Смещение ?x наблюдалось только в резонансных модах и связано с изгибным резонансом самой перекладины. Дополнительный эксперимент показал, что наблюдаемое смещение ?x также связано с изгибными колебаниями TaS3.
Изгиб связывается с неоднородной в сечении продольной деформацией образца. Относительная величина продольной деформации (разность деформации на краях образца) оценивается как ~10-7. Продольного смещение середины образца (глава 6) не наблюдалось, что связывается с недостаточной чувствительностью методики, а также недостаточно низкой температурой образца (155 К).
В разделе 7.5 делается вывод о связи наблюдаемого кручения и изгиба с деформацией ВЗП, рассматриваются виды деформации ВЗП, обуславливающие деформацию образцов. Отмечается, что центральным результатом данной главы является деформация кручения в электрическом поле, причём её величина согласуется с оценками (6,6'), полученными для неоднородной продольной деформации (глава 6). Связь кручения с деформацией ВЗП очевидна из гистерезисной пороговой зависимости угла кручения от напряжения, д(V) (Рис. 9) и из температурной зависимости времени его релаксации (Рис. 10).
Наиболее вероятная причина кручения - деформация ВЗП, связанная с поверхностным пиннингом. Сдвиг ВЗП можно оценить по аналогии с расчётом, проведённом в главе 6. Предполагается, что сдвиг ВЗП передаётся решётке кристалла. В формуле (6) при этом следует заменить модуль Юнга на модуль сдвига образца, а длину - на ширину.
Сложнее объяснить пространственное распределение сдвига, соответствующее кручению. Такое распределение может возникнуть, если на каких-то двух противолежащих рёбрах кристалла пиннинг сильнее, чем на двух других. С другой стороны, кручение может отражать лишь часть (неоднородную по сечению) сдвиговой деформации. В любом случае ясно, что большая деформация связана с поперечной когерентностью ВЗП, длина которой многократно превосходит длину, на которой действует поверхностный пиннинг (~(L2р)).
В конце главы делается обобщающий вывод о многообразии возможных видов деформации квазиодномерных образцов в электрическом поле. Эти виды деформации ждут дальнейших исследований, как для TaS3, так и для других соединений.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В Заключении (Глава 8) содержатся краткие выводы.
Кратко анализируется модель пайерлсовского перехода как следствия спонтанного ПФ и вытекающая из неё природа состояния выше TP, вопрос о корректном определении самой TP. Обсуждаются нерешённые вопросы.
Кратко рассматриваются неясные вопросы, связанные с деформацией образцов в электрическом поле, в частности - о природе полярной оси. Обсуждаются перспективы исследований. В частности, предлагается провести одновременные дифракционные исследования ВЗП и кристаллической решётки.
Отмечается прикладное значение эффекта кручения квазиодномерных проводников в электрическом поле, в частности, при комнатной температуре [А 39]: вискеры квазиодномерных проводников являются готовыми крутильными актюаторами, элементами микро- и наноэлектромеханических систем, существенно превосходящими существующие приводы аналогичных размеров по отношению угол поворота/напряжение.
В конце данного раздела выражаются благодарности.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ СТАТЬЯХ
А 1. Иткис М.Е., Надь Ф.Я., Покровский. В.Я. ЭДС, возникающая в квазиодномерном проводнике TaS3 под действием лазерного излучения. // ЖЭТФ - 1986. - Т.90. - С. 307-316.
А 2. Зайцев-Зотов С. В., Покровский В.Я. Релаксация метастабильных состояний и зарождение металлической фазы в результате образования центров проскальзывания фазы в TaS3. // Сб. трудов XXV Всесоюзной конференции по физике низких температур, Ленинград 1988. - Ч.3. - С. 112-113.
А 3. Зайцев-Зотов С. В., Покровский В.Я. Самолегирование в квазиодномерных пайерлсовских полупроводниках. // Сб. трудов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Кишинёв 1988. - Т.1. - С. 60-61.
А 4. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Inhomogeneous Spatial Structure of the CDW Metastable States: Step-Like and Continuous Temperature Evolution. // Synthetic Metals - 1989. - V. F439-444. - P. 39.
А 5. Зайцев-Зотов С. В., Покровский В.Я. Уединенные двухуровневые флуктуаторы в сверхмалых образцах квазиодномерного проводника TaS3. // Письма в ЖЭТФ - 1989. - Т.49. - С. 449-452.
А 6. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Critical-State Model for Pinned Charge-Density Waves: Conditions and Consequences of Phase Slip. // Synthetic Metals - 1989. - V. 32. - P. 321-328
А 7. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Spontaneous Resistance Fluctuations and Transition of the Charge- Density Waves into Disordered State in o-TaS3 Nanosamples. // Europhys. Lett. - 1990. - V.13. - P. 361-366.
А 8. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Phase-Slip, Critical Fluctuations and Order-Disorder Transition of the CDW in o-TaS3. // Synthetic Metals. - 1991. - V.41-43. - P. 3899-3904.
А 9. Zaitsev-Zotov S.V., Pokrovskii V. Ya., Gill J.C. Mesoscopic Behavior of the Threshold Voltage in Ultra-Small Specimens of o-TaS3. // Journ. Phys. I (France). - 1992. - V. 2 - P. 111-120.
А 10. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V., Monceau P., and Nad' F. Ya. The anomalous growth of resistance fluctuations in o-TaS3 below the liquid-nitrogen temperature. // J. Phys.: Cond. Matter. - 1993. - V. 5. - P. 9317-9326.
А 11. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V., Monceau P., and Nad' F. Ya. Spontaneous Resistance Fluctuations and Their Evolution Near the Threshold in o-TaS3 Below the Liquid-Nitrogen Temperature. // J. Phys IV (France) - 1993. V. 3. - P. 189-192.
А 12. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Comment on 'Metastable Length States of a Random System: TaS3'. // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 15442-15444.
А 13. Артеменко С. Н., Покровский В.Я., Зайцев-Зотов С.В. Электронно-дырочный баланс и полупроводниковые свойства квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности. // ЖЭТФ. - 1996. - Т. 110, №. 3. - С. 1069-1080.
А 14. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V., Monceau P. Threshold nonlinear conduction of thin samples of o-TaS3 above the Peierls transition temperature. // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 55 - P. R13377-13380.
А 15. Heinz G., Pokrovskii V. Ya, Goldbach M., Kittel A., Parisi J. Imaging the Spatial Structure of Metastable States in a Charge Density Wave System with the Scanning Electron Microscope. // Phys. Lett. A. - 1997. - V. 236. - P. 583-588.
А 16. Heinz G., Pokrovskii V. Ya, Goldbach M., Kittel A., Parisi J. Deformation of Charge Density Waves in Quasi-One-Dimensional Semiconductors Visualized by Scanning Electron Microscopy. // In: "A Perspective Look at Nonlinear Media in Natural and Social Science", eds. J. Parisi, S.C. Mueller, and W. Zimmermann (Springer, Berlin). - 1997. - P. 339-347.
А 17. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Contributions of the spontaneous phase slippage to the linear and non-linear conduction near the Peierls transition in the thin samples of o-TaS3. // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 61. - P. 13261-13265.
А 18. Зайцев-Зотов С. В., Покровский В.Я., Монсо П. Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS3 и NbSe3. // Письма в ЖЭТФ. - 2001. Т. 73. - С. 29-32.
А 19. Синченко А.А., Покровский В.Я., Зыбцев С.Г. Управление электронным спектром квазиодномерного проводника К0.3MoO3 с помощью микроконтакта. // Письма ЖЭТФ. - 2001. - Т. 74, № 3. - С. 191-194.
А 20. Heinz G., Parisi J., Pokrovskii V. Ya., Kittel A. Visualizing the spatial structure of charge density waves via scanning electron microscopy. //Physica B: Condensed Matter. - 2002. - V. 315, № 4. - P. 273-280.
А 21. Golovnya A.V., Pokrovskii V. Ya., Shadrin P.M. Coupling of the lattice and superlattice deformations and hysteresis in thermal expansion for the quasi-one-dimensional conductor TaS3. // Phys. Rev. Lett. - 2002. - V. 88. - P. 246401(1-4).
А 22. Sinchenko A.A., Zybtsev S.G., Gorlova I.G., Latyshev Yu. I., Pokrovskii V. Ya., Monceau P. On The Critical Current For The Charge-Density Wave Transport. // J. Phys. IV France. - 2002. - V. 12. - P. Pr9-127-128.
А 23. Sinchenko A A, Latyshev Yu I, Pokrovskii V Ya, Zybtsev S G., Monceau P. Micro-contact spectroscopy features of quasi-one-dimensional materials with a charge-density wave. // J. Phys. A: Math. Gen. - 2003. - V. 36 - P. 9311-9322.
А 24. Golovnya A.V., Pokrovskii V. Ya. Interferometric setup for measurements of expansion of whisker-like samples. // Rev. Sci. Instrum. - 2003. - V. 74, №3. - P. 4418-4422.
А 25. Pokrovskii V. Ya., Golovnya A.V., Zaitsev-Zotov S.V. Peierls transition as spatially inhomogeneous gap suppression. // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70, № 11. - P. 113106 (1-4).
А 26. Головня А.В., Покровский В.Я. Методика исследования удлинения нитевидных квазиодномерных проводников и перспективы использования их в микроэлектромеханике. // Сб. трудов Молодёжной школы "Микросиситемная техника МСТ-2004". Санкт-Петербург - Таганрог. - 2004. - С. 37-42.
А 27. Pokrovskii V. Ya., Gorlova I.G., Zybtsev S.G., Zaitsev-Zotov S.V. Variable-range-hopping-like transverse conductivity of the quasi one-dimensional conductor TaS3. // J. Phys. IV France. - 2005. - V. 131. - P. 185-187.
А 28. Pokrovskii V. Ya. Distributed latent heat of the phase transitions in low-dimensional conductors. // J. Phys. IV France. - 2005. - V. 131. - P. 315-318.
А 29. Синченко А.А., Покровский В.Я. Деформация волны зарядовой плотности вблизи микроконтакта с нормальным металлом. // ЖЭТФ. - 2005. - Т. 128. - С. 1288-1298.
А 30. Sinchenko A.A., Pokrovskii V. Ya. Effect of commensurability on the CDW deformation near a point contact. // J. Phys.IV. - 2005. - V.131 - P. 227-229.
А 31. Pokrovskii V. Ya., Meshkov G.B., Gorlova I.G., Zybtsev S.G., Odobesko A.B., Yaminsky I.V. Atomic-Force Microscope as an Instrument for Measurements of Thermal Expansion of Whisker-Like Samples. // In Proceedings of the Workshop "Recent developments in low dimensional charge density wave conductors", Skradin, Croatia June 29. -July 3. - 2006. - P. 28-29.
А 32. Pokrovskii V. Ya., Gorlova I.G., Zybtsev S.G., Zaitsev-Zotov S.V. Universal Variable-Range Hopping Along and Perpendicular to the Chains in the Quasi One-Dimensional Conductor o-TaS3. // In Proceedings of the Workshop "Recent developments in low dimensional charge density wave conductors", Skradin, Croatia June 29. -July 3. - 2006. - P. 44-45.
А 33. Sinchenko A.A., Pokrovskii V. Ya. Effects of strong deformation of a CDW in the vicinity of a point contact with a normal metal. // In Proceedings of the Workshop "Recent developments in low dimensional charge density wave conductors", Skradin, Croatia June 29. -July 3. - 2006. - P. 16-17.
А 34. Покровский В.Я., Зыбцев С. Г., Кузнецов А.П. Деформация квазиодномерных проводников в электрическом поле и методики её исследования. // Труды Научн. сессии МИФИ. М. - 2007. - Т. 4. - С. 37-38.
А 35. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S.G., Gorlova I.G. Torsional Strain of TaS3 Whiskers on the Charge-Density Wave Depinning. // Phys. Rev. Lett. - 2007. - V. 98. - P. 206404.
А 36 Покровский В.Я. Об огромном воздействии электрического поля на кристаллическую решетку квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности. // Письма ЖЭТФ. - 2007. - Т. 86, № 4 - С. 290-293.
А 37 Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S.G. Self-sensitive torsional microresonators based on a charge-density wave system. // arXiv:0708.2694v1 [cond-mat.str-el]., 1-10 - Режим доступа: http://arxiv.org/abs/0708.2694.
А 38. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S.G., Gorlova I.G. Enormous torsional strain of one dimensional conductors under electric field: an alternate for the piezoelectric actuators? // Сб. трудов Международной конференции "Functional Materials" ICFM - 2007. Украина, Крым, Партенит. - 2007. - С. 221-222.
А 39. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G, Loginov V.B., Timofeev V.N., Kolesov D.V., Yaminsky I.V., Gorlova I.G. Deformations of charge-density wave crystals under electric field. // Physica B. - 2009. - V. 404. - P. 437-443.
А 40. Zybtsev S.G., Pokrovskii V. Ya., Nasretdinova V.F., Zaitsev-Zotov S.V. Gigahertz-range synchronization at room temperature and other features of charge-density wave transport in the quasi-one-dimensional conductor NbS3. // Appl. Phys. Lett. - 2009. - V. 94. - P. 152112 (1-3).
Цитируемая литература:
1. D. Staresinic, A. Kis, K. Biljakovic, B. Emerling, J.W. Brill, J. Souletie, H. Berger, and F. Levy, Eur. Phys. J. B 29, 71-77 (2002).
2. S.N. Artemenko, J. Phys. IV 12, Pr9-77 (2002).
3. P. Monceau в "Electronic Properties of Quasi-One-Dimensional Materials", (Reidel, Dordrecht, 1985), Part II, p.139; G. Grьner, Rev. Mod. Phys. 60, 1129 (1988); современное состояние исследований достаточно полно представлено в Трудах Международного симпозиума по электронным кристаллам ECRYS 2008: Physica B Cond. Mat. 404, Issues 3-4, March 2009.
4. J.C. Gill, J. Phys. C 19, 6589 (1986).
5. Д.В. Бородин, С.В. Зайцев-Зотов, Ф.Я. Надь, ЖЭТФ 93, 1394 (1987).
6. S.V. Zaitsev-Zotov, Synth. Met. 41-43, 3923 (1991).
7. С.В. Зайцев-Зотов, "Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности", докторская диссертация, Москва, 1999. С.В. Зайцев-Зотов, УФН 174, 585 (2004).
8. F.N. Hooge, Phys. Lett. A 20, 139 (1969).
9. G. Mozurkewich and R.L. Jacobsen, Synth. Met. 60, 137 (1993).
10. L.C. Bourne and A. Zettl, Solid State Commun. 60, 789 (1986).
11. J.W. Brill, M. Chung, Y. -K. Kuo, X. Zhan, and E. Figueroa, Phys. Rev. Lett. 74, 1182 (1995).
12. J.W. Brill, in Handbook of Elastic Properties of Solids, Liquids, and Gases, edited by M. Levy, H.E. Bass, and R.R. Stern (Academic Press, New York, 2001), Vol. II, pp. 143-162.
13. D. Stareљinic, A. Kiљ, K. Bilacovic, B. Emerling, J.W. Brill, J. Souletie, H. Berger, and F. Lйvy, Eur. Phys. J. B 29, 71 (2002).
14. J.C. Gill, Synth. Met. 43, 3917 (1991).
15. McCarten, D.A. DiCarlo, M. Maher, T.L. Adelman, and R.E. Thorne, Phys. Rev. B 46, 4456 (1992).
16. G. Mozurkewich, Phys. Rev. B 42, 11183 (1990).
17. J.W. Brill and W. Roark, Phys. Rev. Lett 53, 846 (1988); Phys. Rev. B 36, 2969 (1987).
18. R.L. Jacobsen and G. Mozurkewich, Phys. Rev. B 42, 2778 (1990).
19. Z.G. Xu and J.W. Brill, Phys. Rev. B 45, 3953 (1992).
20. S. Hoen, B. Burk, A. Zettl, and M. Inui, Phys. Rev. B 46, 1874 (1991).
21. Ю.И. Латышев, Я.С. Савицкая и В.В. Фролов, Письма ЖЭТФ 38, 541 (1983).
22. В.Б. Преображенский, А.Н. Талдёнков, И.Ю. Кальнова, Письма ЖЭТФ 40, 182 (1984); V.B. Preobrazhensky, A.N. Taldenkov, and S. Yu. Shabanov, Solid State Commun. 54, 1399 (1985).
23. A. Meerschaut, J. Physique 44, C3-1615 (1983).
24. А.К. Таганцев, УФН 152, 423 (1987).
25. J.C. Gill, Europhys. Lett. 11, 175 (1990).
26. D. Stareљiniж, K. Biljakoviж, W. Brьtting, K. Hosseini and P. Monceau, Phys. Rev. B 65, 165109 (2002).
27. L. Ladino, J.W. Brill, M. Freamat, M. Uddin, and D. Dominko, Phys. Rev. B 74, 115104 (2006).
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Контактный и пирометрический методы измерения теплового поля тонких полосковых проводников. Экспериментальное измерение температурного поля и коэффициента теплоотдачи полосковых проводников пирометрическим методом с помощью ИК-термографа SAT-S160.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.09.2014Анализ основных форм самостоятельного разряда в газе. Исследование влияния относительной плотности воздуха на электрическую прочность разрядного промежутка. Определение значения расстояния между электродами, радиуса их кривизны для электрического поля.
лабораторная работа [164,5 K], добавлен 07.02.2015Изучение методики обработки результатов измерений. Определение плотности металлической пластинки с заданной массой вещества. Расчет относительной и абсолютной погрешности определения плотности материала. Методика расчета погрешности вычислений плотности.
лабораторная работа [102,4 K], добавлен 24.10.2022Решение экспериментальных задач по определению плотности твердых веществ и растворов, с различной массовой долей растворенного вещества. Измерение плотности веществ, оценка границ погрешностей. Установление зависимости плотности растворов от концентрации.
курсовая работа [922,0 K], добавлен 17.01.2014Описание международной системы единиц, ее основных, производных, дополнительных и внесистемных единиц физических величин. Области применения бесшкальных инструментов: лекальных, линеек, шаблонов, щупов, эталонов шероховатости. Определение плотности тела.
контрольная работа [42,6 K], добавлен 16.03.2015Свойства монохроматического электромагнитного поля. Нахождение токов на верхней стенке волновода. Определение диапазона частот, в котором поле является волной, бегущей вдоль оси. Нахождение комплексных амплитуд векторов с помощью уравнения Максвелла.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 20.12.2012Исходные данные и расчетные формулы для определения плотности твердых тел правильной формы. Средства измерений, их характеристики. Оценка границы относительной, абсолютной погрешностей результата измерения плотности по причине неровности поверхности тела.
лабораторная работа [26,9 K], добавлен 30.12.2010Определение силы, направления и плотности электрического тока. Основные параметры детерминированных периодических сигналов. Резистивное сопротивление и проводимость. Индуктивность, ее свойства и единицы измерения. Законы Ома и Кирхгофа. Метод наложения.
курс лекций [1,1 M], добавлен 26.02.2014Расчет объемной плотности энергии электрического поля. Определение электродвижущей силы аккумуляторной батареи. Расчет напряженности и индукции магнитного поля в центре витка при заданном расположении проводника. Угловая скорость вращения проводника.
контрольная работа [250,1 K], добавлен 28.01.2014Эффект поля в Германии при высоких частотах, применение эффекта поля. Дрейфовый и диффузный токи в полупроводниках. Образование обедненных, инверсионных, обогащенных слоев в полупроводнике. Характеристики полевого транзистора, приборы с зарядовой связью.
курсовая работа [4,4 M], добавлен 24.07.2010Изучение электромагнитного взаимодействия, свойств электрического заряда, электростатического поля. Расчет напряженности для системы распределенного и точечных зарядов. Анализ потока напряженности электрического поля. Теорема Гаусса в интегральной форме.
курсовая работа [99,5 K], добавлен 25.04.2010Теория температурных полей: пространственно-временные распределения температуры и концентрации растворов. Модель физико-химического процесса взаимодействия соляной кислоты и карбонатной составляющей скелета. Методы расчётов полей температуры и плотности.
автореферат [1,3 M], добавлен 06.07.2008Законы распределения плотности тепловыделения. Расчет температурного поля и количества импульсов, излучаемых дуговым плазматроном, необходимого для достижения температуры плавления на поверхности неограниченного тела с учетом охлаждения материала.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 05.03.2015Работа сил электрического поля при перемещении заряда. Циркуляция вектора напряжённости электрического поля. Потенциал поля точечного заряда и системы зарядов. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля. Эквипотенциальные поверхности.
реферат [56,7 K], добавлен 15.02.2008Электрический заряд и закон его сохранения в физике, определение напряженности электрического поля. Поведение проводников и диэлектриков в электрическом поле. Свойства магнитного поля, движение заряда в нем. Ядерная модель атома и реакции с его участием.
контрольная работа [5,6 M], добавлен 14.12.2009Сущность электростатического поля, определение его напряженности и графическое представление. Расчет объемной и линейной плотности электрического заряда. Формулировка теоремы Гаусса. Особенности поляризации диэлектриков. Уравнения Пуассона и Лапласа.
презентация [890,4 K], добавлен 13.08.2013Закономерности влияния внешних электрических полей на макроскопические характеристики горения органических топлив. Схемы наложения внешнего электрического поля на пламя. Воздействие организованных внешних полей на процесс горения углеводородных топлив.
курсовая работа [42,6 K], добавлен 14.03.2008Свойства объектов и методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию. Экспериментальные методы исследования комптоновского рассеяния. Атомно-рассеивающий фактор, распределение радиальной электронной плотности в литии по комптоновским профилям.
дипломная работа [1,3 M], добавлен 06.06.2011Материалы активной зоны. Тяжелая авария в реакторе. Установка для моделирования тяжелой аварии. Методика гидростатического взвешивания для измерения плотности твёрдых материалов. Средства измерения температуры. Рентгеновский фазовый структурный анализ.
дипломная работа [4,7 M], добавлен 17.05.2015Выбор систем освещения помещений цеха и источников света. Расчет электрического освещения. Выбор напряжения и источника питания. Расчет нагрузки электрического освещения, сечения проводников по нагреву и потере напряжения, потерь напряжения в проводниках.
курсовая работа [589,0 K], добавлен 22.10.2015
