Структурные и физические характеристики многокомпонентных неупорядоченных систем на основе халькогенидов цинка
Процесс токопереноса в теории неупорядоченных конденсированных систем на примере пленочных структур In2O3-ZnSe-In, In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In. Процессы вакуумной конденсации пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe), (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3).
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 15.02.2018 |
| Размер файла | 59,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
ВАХ в этой области напряжений имеет вид, типичный для ТОПЗ: I~Ve*(e*>1). Причем связь становится более сильной с понижением температуры. Особо характерную форму имеет отрицательная ветвь ВАХ, где за областью сильной полевой зависимости тока следует почти линейная связь между током и напряжением.
Эти результаты коррелируют с результатами, полученными в работе при помощи других методов. Кроме того, они позволяют оценить плотность состояний в запрещенной зоне на уровне 1018эВ-1см-3.
Обобщая вышеизложенное, можно констатировать, что:
1.При комнатной температуре токоперенос в гетероструктуре
In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In определяется носителями, термоактивированными в слое ПТР на границе с селенидом цинка.
2.Исследованная гетероструктура содержит большую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону.
3.При низких температурах процесс токопереноса в гетероструктуре In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In осуществляется по примесной зоне путем туннелирования сквозь граничные барьеры.
4.Гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In состоит из слоев поликристаллической структуры.
5.Состав слоя ТР гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y -In изменяется по толщине.
6. Гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In обладает высоким удельным сопротивлением (1013 Ом·см) и электрической емкостью (С = 3000-4000 пф/см2), не зависящей от частоты прилагаемого напряжения и величины внешнего смещения.
7. Проводимость гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In в сравнении с проводимостью гетероструктуры In2O3-ZnSe-In выше при положительной полярности внешнего напряжения на слое оксида индия и ниже при отрицательной полярности.
8. Темновой ток гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y -In характеризуется слабой полевой зависимостью при малых внешних смещениях (до 1 В) и сильной - при больших.
9. Гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In является фоточувствительной гетероструктурой к белому свету при любой полярности внешнего напряжения и к длинноволному свету при положительной полярности внешнего напряжения на слое оксида индия.
10. Температурная зависимость проводимости гетероструктуры In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y -In характеризируется изменяющейся вместе с температурой энергией активации проводимости, которая при гелиевых температурах стремится к нулю.
11. Термолюминесценция гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In характеризируется сильно размытым максимумом, которому соответствует концентрация ловушек 3·1017 см-3.
12. Гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In является неупорядоченной системой со сложным характером изменения зон по толщине, содержащих случайный потенциал.
13.Основной вклад в формирование случайного потенциала гетероструктуры вносят флуктуации состава слоя ПТР.
14.Темновой ток гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y -In при малых внешних смещениях определяется объединенными областями ПТР, соответственно вблизи слоя селенида цинка для положительной полярности и вблизи индиевого электрода для отрицательной.
15. Гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In, содержит высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, токоперенос по которой определяет темновую проводимость гетероструктуры при низких температурах.
16. В области высоких внешних смещений проводимость гетероструктуры In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In определяется инжекцией дырок в слой ПТР.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
1. Внесен фактический вклад в физику конденсированного состояния путем развития феноменологических представлений об электронных процессах в конденсированных неупорядоченных, многокомпонентных и многофазных системах на основе пленок халькогенидов цинка.
2. Впервые проведены комплексные структурные и технологические исследования процессов вакуумной конденсации пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe), (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y и ZnSe в широком интервале температур испарения и конденсации (от 6000 С вплоть до температуры жидкого азота) на подложках различной природы (стекло, стекло со слоем оксида индия, слюда-мусковит).
3. Предложен способ получения тройных твердых растворов (Zn1-xCdxTe) методом теплового экрана, позволяющий синтезировать пленки твердых растворов практически любого состава и любой кристаллической структуры (от эпитаксиальной до аморфной).
4. Внесен вклад в физику конденсированного состояния, в части понимания процессов токопереноса в многокомпонентных и многофазных системах. Развита феноменология инжекционно - контактных явлений в полупроводниковых системах подобного рода. На примере сложной гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In выявлены условия инверсии проводимости отдельных слоев гетероструктуры под влиянием друг друга, установлен механизм токопрохождения; составлена энергетическая диаграмма и модель электронных процессов.
5. Установлено, что гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In, является неупорядоченной системой со сложным характером изменения энергетических зон по толщине, содержащей случайный потенциал, в формирование которого вносят вклад флуктуации состава слоя твердого раствора.
6. Впервые экспериментально показано и теоретически обосновано, что гетероструктуры In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In содержат высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, токоперенос по которой определяет темновую проводимость гетероструктур при низких температурах.
7. Установлено, что процессы токопереноса в гетероструктурах In2O3-ZnSe -In с субмикронным слоем селенида цинка могут быть с успехом интерпретированы на основе барьерной модели, дополненной современными представлениями о процессах токопереноса в неупорядоченных системах.
8. Впервые доказано, что субмикронный слой селенида цинка является неупорядоченной системой, изменяющей при отжиге характер потенциального рельефа основных зон.
ЛИТЕРАТУРА
1. Беляев, А.П. Зародышеобразование и рост гетерограницы в поле упругости при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Неорганические материалы. - 2009.-Т. 45.- №4.- С.404-407
2. Беляев, А.П. Сравнительный анализ механизмов формирования межфазной границы пленочной структуры в равновесных и резко неравновесных условиях [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев// Физика и техника полупроводников. // - 2008.- Т.42.- В.5.- С.519-521
3. Беляев, А.П. Структура пленок твердых растворов селенотеллуридов кадмия, выращенных методом теплового экрана при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. // - 2009.- Т.43.- №6.- С.735-738
4. Тошходжаев, Х.А. Сравнительный анализ особенности ориентационной корреляции при конденсации твердых растворов на ориентирующую подложку [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2007.-Т.50.-№ 11-12.-С.836-839.
5. Тошходжаев, Х.А. Исследование процессов формирования неупорядоченных систем пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y в зависимости от условий конденсации методом теплового экрана [Текст] / Х.А. Тошходжаев // Материалы Международной конференции посвященной 100-летию академика С.У. Умарова «Современные проблемы физики ». - Душанбе. 2008.- С.96-100.
6. Тошходжаев, Х.А. Анализ процессов токопереноса в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 7.-С.507-513.
7. Тошходжаев, Х.А. Оптический край поглощения и его модификация в неупорядоченных пленках селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 1.-С.34-38.
8. Тошходжаев ,Х.А. Электрофизические и оптические методы исследования полупроводниковых структур на основе неупорядоченных пленок [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 07.11.2007. -№1041-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН
9. Беляев, А.П. Фотоэлектрические свойства сэндвич - структуры из пленок, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. - 2009.- Т.43. -№8.- С.1029 - 1031.
10. Тошходжаев, Х.А. Кристаллическая структура и энергетические диаграммы полупроводниковых систем In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 19.10.2007.- №981-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН.
11. Тошходжаев, Х.А. Температурные и термолюминесцентные свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев //«Учёные записки ХГУ имени акад.Б.Гафурова». - Худжанд.-2007.-№13.-С.51.
12. Тошходжаев, Х.А. Энергетическая диаграмма и проводящие свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Ред. Ж. Прикл. химии РАН - СПб. - 2с.25: ил. - Библиогр. Назв. 12 - Рус. - деп. в ВИНИТИ, 28.09.2007, №929-В2007, Библиограф. Указатель. «Депонированные научные работы» №11 за 2007, в РЖ «Физика» 29.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПЕЧАТНЫХ РАБОТАХ
1. Беляев, А.П. Фотоэлектрические свойства сэндвич - структуры из пленок, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. - 2009.- Т.43. -№8.- С.1029 - 1031.
2. Беляев, А.П. Структура пленок твердых растворов селенотеллуридов кадмия, выращенных методом теплового экрана при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. // - 2009.- Т.43.- №6.- С.735-738
3. Беляев, А.П. Зародышеобразование и рост гетерограницы в поле упругости при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Неорганические материалы. - 2009.-Т. 45.- №4.- С.404-407
4. Тошходжаев, Х.А. Кристаллическая структура и энергетические диаграммы полупроводниковых систем In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 19.10.2007.- №981-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН.
5. Тошходжаев ,Х.А. Электрофизические и оптические методы исследования полупроводниковых структур на основе неупорядоченных пленок [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 07.11.2007. -№1041-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН
6. Беляев, А.П. Сравнительный анализ механизмов формирования межфазной границы пленочной структуры в равновесных и резко неравновесных условиях [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев// Физика и техника полупроводников. // - 2008.- Т.42.- В.5.- С.519-521
7. Тошходжаев, Х.А. Энергетическая диаграмма и проводящие свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Ред. Ж. Прикл. химии РАН - СПб. - 2с.25: ил. - Библиогр. Назв. 12 - Рус. - деп. в ВИНИТИ, 28.09.2007, №929-В2007, Библиограф. Указатель. «Депонированные научные работы» №11 за 2007, в РЖ «Физика» 29.
8. Беляев, А.П. Процессы токопереноса в пленках на основе теллурида кадмия синтезированы при низких температурах эпитаксии [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин // Тезисы докл. Республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов.-Душанбе.-1989.-С.76-78.
9. Беляев, А.П. Особенности представления процессов токопереноса в неоднородных полупроводниках на основе теллурида кадмия [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин// Тезисы докл. Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках.-Ташкент.-1989.-С.377
10. Беляев, А.П. Неравновесные процессы в неоднородных полупроводниках на основе теллурида кадмия [Текст]/ А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин// Тезисы докл. Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. -Ташкент.- 1989.-С.400-401.
11. Беляев А.П. Инжекционные токи в твердых растворах на основе теллурида кадмия и цинка [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Деп. в ВИНИТИ 25.07.1990г.- №4196-В90. Москва.
12. Беляев, А.П. Вакуумный синтез ориентированных пленок А2В6 на подложках, охлажденных до отрицательных температур [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Тезисы докл. III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. - Ивано-Франковск.- 1990.-Ч.1.-С.89.
13. Беляев, А.П. Анизотропия проводимости и другие электрофизические свойства пленок твердых растворов на основе теллурида кадмия, синтезированных на подложке, охлажденной до отрицательных температур [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. -Ивано-Франковск, 1990.-Ч.2.-С.249
14. Беляев, А.П. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры, используемой для высокочувствительной мишени типа "ньюкосвикона" [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, Г.А. Ефимов, И.П. Калинкин //Деп. в ВИНИТИ 05.07.1991.-№2878-В91.-Москва.
15. Беляев, А.П. Электрофизические свойства реальных гетероструктур на основе теллуридов кадмия и цинка [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин //Деп. в ВИНИТИ 09.10.91.-№3907-В91.- Москва.
16. Беляев, А.П. Электрические свойства неоднородных полупроводников Zn1-xCdxTe [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Материалы республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов Таджикистана.-Ленинабад.-1990.-С.49.
17. Беляев, А.П. Способ получения пленок твердых растворов на основе теллуридов кадмия и цинка [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин // А.С. СССР №1752121.- 1990г.
18. Беляев, А.П. Электрофизические свойства гетероструктуры In2О3-ZnSe-In и влияние на них отжига [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Деп. в ВИНИТИ 26.03.92.-№1043-В92.-Москва.
19. Беляев, А.П. Влияние условий получения на фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnSe/CdTe/(ZnTe)1-x(In2Te3)x [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Изв. АН. СССР Серия "Неорганические материалы".-1992.-Т.28.-№7.-С.1575-1576.
20. Беляев, А.П. Стенд оперативного контроля мишеней видиконов [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин, М.Д. Воронцов, В.П. Рубец // Заводская лаборатория.-1992.-№4.-С.42-43.
21. Беляев, А.П. Процессы токопереноса в гетероструктуре In2O3-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец // Физика и техника полупроводников.-1992.-Т.26.-№5.-С.935-941.
22. Беляев, А.П. Инжекционно- контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец // Физика и техника полупроводников.-1992.-Т.26.-№10.-С.1755-1759.
23. Беляев, А.П. Особенности зарождения и роста пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, С.А. Кукушкин, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Поверхность. - 1992. - №10-11. - С.26-29
24. Тошходжаев Х.А. Особенности структуры А2В6 [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Н. Мухиддинов // Внутривузовский СБ. "Актуальные проблемы физики".-Худжанд.-1993.-С.41-44.
25. Беляев, А.П. Инверсия типа проводимости слоя селенида цинка в гетероструктуре In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин //Физика и техника полупроводников.-1993.-Т.27.-№3.-С.527-532.
26. Беляев, А.П. Туннельный эффект как причина тока, ограниченного контактной эмиссий в гетероструктуре In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y -In [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Физика и техника полупроводников.-1993.-Т.27.-№3.-С.532-534
27. Тошходжаев, Х.А. Процессы токопереноса в гетероструктуре In2О3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А. Сангинов //Тезисы докладов в научно-практической конференции ТВТУ.-Худжанд.-1994.-С.54-57.
28. Тошходжаев, Х.А. Электрические характеристики гетероструктуры In2О3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Н.Р. Рабеджанов // Международная конференция "Совр. проблемы физики полупроводников и диэлектриков".ТашГУ.-Ташкент.-1995.-С.30.
29. Тошходжаев, Х.А. Инжекционные токи в твердых растворах на основе теллуридов цинка и кадмия [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Р.Н. Назаров // Сборник трудов Международной конференции "Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов".-Ташкент.-1997.-С.37-41.
30. Тошходжаев, Х.А. Процессы конденсации и структуры пленок селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, М. Умаров // Сборник трудов II Международной конференции "Проблемы и прикладные вопросы физики".-Саранск.-1999.-С.67.
31. Тошходжаев, Х.А. Получение эпитаксиальных пленок теллурида кадмия на нагретых и охлажденных подложках [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец // Материалы международной конференции «По современным проблемам физико-механических свойств конденсированных сред».-Худжанд.-2002.-С.39-40.
32. Тошходжаев, Х.А. Оптические свойства пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец // М Материалы международной конференции «По современным проблемам физико-механических свойств конденсированных сред ».-Худжанд.-2002.-С.144.
33. Тошходжаев, Х.А. Температурные и термолюминесцентные свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев //«Учёные записки ХГУ имени акад.Б.Гафурова». - Худжанд.-2007.-№13.-С.51.
34. Тошходжаев, Х.А. Оптический край поглощения и его модификация в неупорядоченных пленках селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 1.-С.34-38.
35. Тошходжаев, Х.А. Исследование процессов формирования неупорядоченных систем пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y в зависимости от условий конденсации методом теплового экрана [Текст] / Х.А. Тошходжаев // Материалы Международной конференции посвященной 100-летию академика С.У. Умарова «Современные проблемы физики ». - Душанбе. 2008.- С.96-100.
36. Тошходжаев, Х.А. Сравнительный анализ особенности ориентационной корреляции при конденсации твердых растворов на ориентирующую подложку [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2007.-Т.50.-№ 11-12.-С.836-839.
37. Тошходжаев, Х.А. Анализ процессов токопереноса в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 7.-С.507-513.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Общая характеристика и диаграмма энергетических уровней кристалла Cr2+:ZnSe. Селективный резонатор с фильтром Лио и с эталоном Фабри-Перо. Схема прохождения лучей при прохождении через дисперсионную призму в резонаторе. Спектры генерации Cr2+:ZnSe лазера.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 29.06.2012Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012Анализ основных особенностей методов получения нового лазерного материала – керамики для разработки мощных твердотельных лазеров нового поколения на основе селенида и сульфида цинка. Исследование спектрально-кинетических свойств полученных образцов.
дипломная работа [3,3 M], добавлен 28.01.2014Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа [175,9 K], добавлен 09.09.2012Способы нанесения оксидных пленок. Физические основы работы магнетронных распылительных систем. Особенности нанесения оксидов дуальной магнетронной распылительной системы. Процессы роста и параметры тонких пленок. Ионно-плазменная установка "Яшма".
дипломная работа [2,8 M], добавлен 15.06.2012Изучение электропроводности твердых растворов ферритов. Анализ результатов опыта, которые позволяют утверждать, что в исследованных твердых растворах системы CoXMn1-XS реализуются переходы типа металл-диэлектрик как по температуре, так и по концентрации.
реферат [1,8 M], добавлен 21.06.2010Решение экспериментальных задач по определению плотности твердых веществ и растворов, с различной массовой долей растворенного вещества. Измерение плотности веществ, оценка границ погрешностей. Установление зависимости плотности растворов от концентрации.
курсовая работа [922,0 K], добавлен 17.01.2014Расчет пределов существования твердых растворов со структурой перовскита в системе. Установление закономерностей температурно-частотных зависимостей характеристик диэлектрического отклика. Характер частотной зависимости составляющих электропроводности.
реферат [1,1 M], добавлен 26.06.2010Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013Анализ противоречий в механизмах протекания электрического тока в проводниках. Обзор изменения состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, механизма диффузии и адсорбции. Исследование поверхности электродов кислотных аккумуляторных батарей.
контрольная работа [25,0 K], добавлен 14.11.2011Оптические свойства аэрозолей. Релеевский закон рассеяния. Взаимодействие электромагнитного излучения с одиночной частицей. Оптические характеристики аэрозолей. Пределы применимости теории Ми. Процессы взаимодействия излучения с аэродисперсными частицами.
реферат [748,7 K], добавлен 06.01.2015Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014Термодинамические свойства растворов. Химический потенциал чистого компонента. Построение диаграмм плавкости квазирегулярных растворов. Параметры взаимодействия жидких и твердых растворов. Нахождение температурной зависимость энергии Гиббса реакции.
контрольная работа [212,6 K], добавлен 03.01.2016Анализ особенностей электромеханических переходных процессов и критериев устойчивости электрических систем. Расчет предела передаваемой мощности и сопротивлений всех элементов системы с точным приведением к одной ступени напряжения на шинах нагрузки.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 05.09.2011Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава (оксидов, нитридов, металлов). Проблема магнетронного осаждения. Исследование влияние нестабильности мощности и давления магнетронного разряда на процесс осаждения пленок, результаты экспериментов.
диссертация [1,1 M], добавлен 19.05.2013Результаты теории диссипативных структур. Представление диссипативной системы в фазовом пространстве. Характерные примеры временных структур: турбулентность, ячейки Бенара и сверхрешетка пор. Диссипативные структуры и самоорганизация неравновесных систем.
реферат [607,4 K], добавлен 07.09.2016Изучение микроструктуры гексаферритов стронция, морфологии зерен, характера распределения микродобавок, особенностей их химического и электронного состояния на поверхности кристаллитов спектральными и структурными методами анализа строения веществ.
контрольная работа [29,9 K], добавлен 13.06.2010Что изучает физика? Зарождение физических представлений. Физические концепции эпохи античности. Специфика первых систем теоретического физического знания. Физические концепции средневековья. Физические концепции эпохи. Возрождения физические концепций.
реферат [144,7 K], добавлен 08.04.2003Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.
реферат [512,3 K], добавлен 20.06.2010Прохождение тока через электролиты. Физическая природа электропроводности. Влияние примесей, дефектов кристаллической структуры на удельное сопротивление металлов. Cопротивление тонких металлических пленок. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
реферат [24,0 K], добавлен 29.08.2010
