Особенность использования полевых транзисторов

Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 29.08.2015
Размер файла 201,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Влияние параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания. Технология полупроводниковых приборов, оптимизация электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания.

    курсовая работа [694,7 K], добавлен 27.02.2011

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.

    лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007

  • Понятие и классификация полевых транзисторов, их разновидности и функциональные особенности. Входные и выходные характеристики данных устройств, принцип их действия, внутренняя структура и элементы. Физическое обоснование работы и сферы применения.

    презентация [2,4 M], добавлен 29.03.2015

  • Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.

    лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009

  • Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.

    дипломная работа [3,5 M], добавлен 29.12.2014

  • Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.

    презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014

  • Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.

    лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008

  • Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора.

    контрольная работа [234,3 K], добавлен 20.02.2011

  • Классификация полупроводников по различным признакам, их разновидности и характеристика, отличительные черты. Порядок и схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. Динамические свойства аналоговых интегральных микросхем, порядок составления.

    реферат [108,9 K], добавлен 03.04.2009

  • Применение трансформаторов в электросети для повышения напряжения генераторов и понижения напряжения линии передач. Принцип работы высокочастотных импульсных трансформаторов в блоках питания радиотехнических и электронных устройств (компьютеров).

    презентация [1,2 M], добавлен 31.03.2015

  • Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.

    контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014

  • Усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах). Выбор принципиальной схемы. Расчет выходного, предоконечного и входного каскадов. Параметры схемы и расчет обратной связи. Расчет элементов связи.

    курсовая работа [203,3 K], добавлен 27.11.2009

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

  • Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.

    лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • Схема преобразователя частоты и выбор элементов его защиты. Расчёт параметров выпрямителя, его силовой части и параметров силового трансформатора. Анализ функционирования систем управления управляемым выпрямителем и автономным инвертором напряжения.

    курсовая работа [1015,1 K], добавлен 29.06.2011

  • Источники вторичного электропитания как неотъемлемая часть любого электронного устройства. Рассмотрение полупроводниковых преобразователей, связывающих системы переменного и постоянного тока. Анализ принципов построения схем импульсных источников.

    дипломная работа [973,7 K], добавлен 17.02.2013

  • Понятие и главные свойства оптронов как особенных оптоэлектронных приборов, их классификация и разновидности, отличительные признаки. Преимущества и недостатки использования данных приборов, требования к среде и сферы их практического применения.

    презентация [237,8 K], добавлен 02.12.2014

  • Изучение принципа работы мостового усилителя мощности звуковой частоты, составление описания модели схемы. Проектирование мостового УМЗЧ с помощью пакета прикладных программ Pspice схемотехнического проектирования и анализ результатов машинных расчетов.

    курсовая работа [78,3 K], добавлен 23.07.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.