Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами

Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Вид автореферат
Язык украинский
Прислал(а) Шуригін Федір Михайлович
Дата добавления 26.07.2014
Размер файла 53,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014

  • Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014

  • Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014

  • Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.

    презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016

  • Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.

    реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011

  • Характеристика структур систем мікропроцесорної централізації, їх порівняний аналіз. Розробка структурної схеми та оцінка її функціональних можливостей, сфери використання. Розробка схем включення обладнання. Розрахунок модулів введення-виведення.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 17.03.2015

  • Принцип функціонування пристрою охоронної сигналізації з дистанційним радіозв'язком. Розробка оптимальної конструкції. Площа та габарити друкованої плати, технологія її виготовлення. Вибір матеріалу та класу точності. Тепловий розрахунок пристрою.

    курсовая работа [897,8 K], добавлен 28.12.2014

  • Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012

  • Вибір, обґрунтування методів автоматичного контролю технологічних параметрів. Розробка структурних схем ІВК, вибір комплексу технічних засобів. Призначення, мета і функції автоматичної системи контролю технологічних параметрів, опис функціональної схеми.

    курсовая работа [32,7 K], добавлен 08.10.2012

  • Термін "кераміка", її види, значення та особливості Індію. Види кераміки за хімічними ознаками: оксидна та безкиснева; за функціональним призначенням: декоративна і технічна. Одержання оксидної кераміки; методика дослідження оксидно-індієвої кераміки.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.12.2009

  • Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.

    курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010

  • Коротка характеристика кінцевих пунктів, вибір траси. Розрахунок параметрів оптичного волокна відповідно до матеріалу для його виготовлення. Розміщення регенераційних пунктів. Розрахунок заземлення, надійності проектованої лінії. Засади охорони праці.

    курсовая работа [979,9 K], добавлен 14.09.2012

  • Аналіз функціонування ЗЕМ на базі інформаційних технологій схемотехнічного проектування. Проектування конструкторської реалізації ЗЕМ у формі ГІС. Проектування плівкових пасивних елементів і конструкції. Визначення параметрів паразитних елементів.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 19.10.2010

  • Техніка конструювання і застосування датчиків. Структурна побудова автоматизованого пристрою. Розрахунок та визначення основних технічних параметрів схеми перетворювача індуктивність-напруга. Можливі області застосування індуктивних перетворювачів.

    курсовая работа [674,5 K], добавлен 07.02.2010

  • Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.

    реферат [104,3 K], добавлен 03.05.2009

  • Проведення аналізу особливостей функціонування багатоконтурних систем з ЗВЗ. Розробка методики вибору параметрів завадостійких кодів в кожному контурі. Обґрунтування кількості контурів в системах передачі даних. Аналіз числових параметрів ефективності.

    дипломная работа [3,2 M], добавлен 19.09.2011

  • Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.

    методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010

  • Особливості конструювання і виготовлення екранів з волокнистих матеріалів, висока технологічність таких виробів. Отримання комплексної нитки введенням мікродроту. Залежність амплітудно-частотної характеристики ефективності екранів від будови полотна.

    реферат [1,2 M], добавлен 10.12.2014

  • Ефективність електронної апаратури, процеси перетворення енергії в приладах електроніки та застосування інтегральних мікросхем. Розрахунок та визначення технічних параметрів схеми генератора трикутних напруг, сфера його застосування та принцип роботи.

    курсовая работа [414,4 K], добавлен 03.12.2009

  • Технологія виготовлення порошкових, плівкових та органічних електролюмінісцентних індикаторів. Дослідження конструкції і оптичних параметрів ЕЛ-дисплеїв, аналіз результатів випробувань і потенційних застосувань. Полімерні електролюмінісцентні панелі.

    курсовая работа [679,1 K], добавлен 09.05.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.