Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами
Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 26.07.2014 |
| Размер файла | 53,7 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.
презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.
реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011Характеристика структур систем мікропроцесорної централізації, їх порівняний аналіз. Розробка структурної схеми та оцінка її функціональних можливостей, сфери використання. Розробка схем включення обладнання. Розрахунок модулів введення-виведення.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 17.03.2015Принцип функціонування пристрою охоронної сигналізації з дистанційним радіозв'язком. Розробка оптимальної конструкції. Площа та габарити друкованої плати, технологія її виготовлення. Вибір матеріалу та класу точності. Тепловий розрахунок пристрою.
курсовая работа [897,8 K], добавлен 28.12.2014Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012Вибір, обґрунтування методів автоматичного контролю технологічних параметрів. Розробка структурних схем ІВК, вибір комплексу технічних засобів. Призначення, мета і функції автоматичної системи контролю технологічних параметрів, опис функціональної схеми.
курсовая работа [32,7 K], добавлен 08.10.2012Термін "кераміка", її види, значення та особливості Індію. Види кераміки за хімічними ознаками: оксидна та безкиснева; за функціональним призначенням: декоративна і технічна. Одержання оксидної кераміки; методика дослідження оксидно-індієвої кераміки.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.12.2009Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.
курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010Коротка характеристика кінцевих пунктів, вибір траси. Розрахунок параметрів оптичного волокна відповідно до матеріалу для його виготовлення. Розміщення регенераційних пунктів. Розрахунок заземлення, надійності проектованої лінії. Засади охорони праці.
курсовая работа [979,9 K], добавлен 14.09.2012Аналіз функціонування ЗЕМ на базі інформаційних технологій схемотехнічного проектування. Проектування конструкторської реалізації ЗЕМ у формі ГІС. Проектування плівкових пасивних елементів і конструкції. Визначення параметрів паразитних елементів.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 19.10.2010Техніка конструювання і застосування датчиків. Структурна побудова автоматизованого пристрою. Розрахунок та визначення основних технічних параметрів схеми перетворювача індуктивність-напруга. Можливі області застосування індуктивних перетворювачів.
курсовая работа [674,5 K], добавлен 07.02.2010Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.
реферат [104,3 K], добавлен 03.05.2009Проведення аналізу особливостей функціонування багатоконтурних систем з ЗВЗ. Розробка методики вибору параметрів завадостійких кодів в кожному контурі. Обґрунтування кількості контурів в системах передачі даних. Аналіз числових параметрів ефективності.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 19.09.2011Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Особливості конструювання і виготовлення екранів з волокнистих матеріалів, висока технологічність таких виробів. Отримання комплексної нитки введенням мікродроту. Залежність амплітудно-частотної характеристики ефективності екранів від будови полотна.
реферат [1,2 M], добавлен 10.12.2014Ефективність електронної апаратури, процеси перетворення енергії в приладах електроніки та застосування інтегральних мікросхем. Розрахунок та визначення технічних параметрів схеми генератора трикутних напруг, сфера його застосування та принцип роботи.
курсовая работа [414,4 K], добавлен 03.12.2009Технологія виготовлення порошкових, плівкових та органічних електролюмінісцентних індикаторів. Дослідження конструкції і оптичних параметрів ЕЛ-дисплеїв, аналіз результатів випробувань і потенційних застосувань. Полімерні електролюмінісцентні панелі.
курсовая работа [679,1 K], добавлен 09.05.2010
