Явления, связанные с движением зарядов в фоточувствительных кристаллах
Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Аля |
| Дата добавления | 30.03.2017 |
| Размер файла | 682,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
курсовая работа [271,8 K], добавлен 26.11.2009Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Генерация случайного сигнала с равномерным законом распределения, заданным математическим ожиданием и среднеквадратическим отклонением. Длина участка реализации. Статическое распределение выборки из определенных значений. Теоретическое распределение.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.08.2010Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
курсовая работа [839,1 K], добавлен 30.10.2011Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013Уравнения Максвелла для анизотропной среды. Магнитная и электрическая проницаемость вещества. Представление решения системы уравнений в виде плоских волн. Анализ составляющих частей волновода. Уравнения непрерывности электрического и магнитного полей.
курсовая работа [218,7 K], добавлен 17.11.2010Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа [2,9 M], добавлен 02.06.2011Закон распределения. Распределение Вейбулла. Экспоненциальное распределение вероятности. Определение закона распределения и выбор числа показателей надежности. Выбор числа показателей надежности. Выдвижение гипотез о математических моделях распределения.
реферат [34,7 K], добавлен 28.01.2009Типы структур фотоприемных ячеек фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Накопление заряда в пикселях ФПЗС и его перенос. Метод краевой функции рассеяния. Зависимость модуляции от параметров. Моделирование ФПЗС с обратной засветкой.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 03.07.2014Законы распределения случайной величины. Потоки вызовов. Телефонная нагрузка и ее параметры. Распределение нагрузки по направлениям. Расчет однозвенных полнодоступных коммутационных схем при обслуживании простейшего потока вызовов в системе с потерями.
контрольная работа [435,6 K], добавлен 21.03.2009Сигналы в системах (зондирующий, сигнал подсвета, запросный, собственное радиоизлучение объекта наблюдения, отраженный сигнал и т.п.). Электромагнитные поля. Поляризационная структура электромагнитного поля. Амплитудное равномерное распределение поля.
реферат [2,0 M], добавлен 14.12.2008Расчёт оконечного каскада приёмника, амплитудно-частотных искажений, цепей питания для сглаживания пульсаций. Определение общего коэффициента усиления, распределение его по каскадам приёмника, распределение по каскадам линейных и нелинейных искажений.
курсовая работа [938,3 K], добавлен 09.01.2014Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа [392,1 K], добавлен 14.12.2013Выбор типа микросхем памяти и расчет их количества в модулях. Выбор дешифратора адреса. Распределение адресного пространства. Распределение модулей программ. Расчет нагрузочной способности модуля памяти. Генератор тактовых импульсов микропроцессора.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 08.01.2017Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 22.05.2015Определение поля излучения параболической антенны апертурным методом. Определение шумовой температуры фидерного тракта и КПД. Расчет геометрических и электродинамических характеристик облучателей. Распределение поля в апертуре зеркала, расчёт его профиля.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 24.08.2014Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.12.2009
