Моделирование изменения параметров-критериев годности при воздействии ионизирующего излучения малой мощности

Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радиационная стойкость электронных систем
Вид статья
Язык русский
Прислал(а) Ю. Чевычелов
Дата добавления 28.04.2017
Размер файла 36,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат [420,4 K], добавлен 10.12.2009

  • Виды ионизирующих излучений. Нарушения процессов жизнедеятельности организма при биологическом воздействии радиации. Методы построения микропроцессорных систем. Центральный процессор на базе ВМ85А. Построение блоков питания. Расчёт надежности прибора.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 30.06.2012

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 18.04.2016

  • Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

    курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010

  • Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.

    реферат [28,1 K], добавлен 26.01.2013

  • Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация [372,7 K], добавлен 29.11.2013

  • Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009

  • Принцип работы и характеристика интегральных схем. Разработка модуля реверсивного счетчика с применением микросхем современных серий. Принципиальная схема модуля; расчет динамических параметров, потребляемой мощности, надежности; конструкция устройства.

    курсовая работа [171,3 K], добавлен 25.11.2013

  • Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.

    реферат [28,0 K], добавлен 22.01.2013

  • Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009

  • Сущность, основные показатели и понятия надежности. Коэффициенты надежности и методика их расчета. Расчёт количественных характеристик надёжности интегральных микросхем, среднего времени восстановления и коэффициента готовности системы автоматики.

    контрольная работа [66,6 K], добавлен 05.04.2011

  • Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.

    презентация [6,0 M], добавлен 24.04.2016

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Понятие и виды ионизирующего излучения. Приборы, измеряющие радиационное излучение, и принцип работы счётчика Гейгера. Основные узлы и структурная схема прибора. Выбор и обоснование элементной базы. Проектирование принципиальной схемы в САПР OrCAD.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 30.04.2014

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010

  • Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.

    реферат [1,2 M], добавлен 23.06.2010

  • Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.

    реферат [30,6 K], добавлен 14.02.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.