Основываясь на полученных данных можно рассчитать функциональные свойства транзистора, например, предельную тактовую частоту, используя традиционное приближение кремниевой технологии для МОП-транзисторов [4]. Тогда для напряжения питания 10 В имеем предельную тактовую частоту:

,

где cн - ёмкость нагрузки (Ф). И для ёмкости нагрузки 0,5 пФ получаем предельную тактовую частоту транзистора на нанотрубке 0,2 ГГц.

Реализация элементарного логического вентиля - инвертора на основе полевого ОСНТ-транзистора с линейной нагрузкой демонстрирует перспективы применения нанотрубок в качестве основных компонентов элементов наноэлектроники (рис. 18). Тем не менее, на данный момент высоки потери на контактном сопротивлении между нанотрубкой и электродом. В случае логического уровня единицы U1вх =2В ни в одном из логических уровней не происходит полного переключения, тем не менее, коэффициент передачи в этом случае максимален для предложенной схемы реализации и равен 0,75. Однако в обоих логических состояниях через элементы текут токи, что увеличивает их потребляемую мощность. При переходе к динамическим исследованиям, несмотря на малую емкость, вносимую непосредственно нанотрубкой, ограничения на частотные характеристики оказывают элементы традиционной разводки.

Рис. 18. Передаточная характеристика ключа на основе пучка ОСНТ с линейной нагрузкой

Основной механизм функционирования приборов в данном конструктивном исполнении основан на формировании барьеров Шоттки между нанотрубкой и материалом электрода. При уменьшении потенциала на затворе Uзи (считаем, что потенциал истока заземлен) барьер Шоттки становится тоньше в области контактов стока и истока. Одновременно происходит поднятие зон в теле нанотрубки. Рассеяние в проводнике выражается в падении напряжения по всей длине трубки. Соответственно при приложении положительного потенциала, смещение энергии Ферми происходит в противоположную сторону, что приводит к запиранию тока через контакты.

Интегральные схемы на основе углеродных нанотрубок могут обладать существенными достоинствами в ряду специальных приложений. Результаты проведённых в диссертационной работе исследований продемонстрировали стабильность характеристик при воздействии облучения электронами с дозой 106 рад и нейтронами 5·1012 нейтрон/см2, что связано с малыми размерами углеродных нанотрубок и стабильностью из кристаллической структуры. Тем не менее, заряды могут накапливаться в приповерхностных слоях диэлектрика, что влияет на полевой эффект и изменяет основные электрические параметры элементов на основе углеродных нанотрубок.

В шестой главе рассмотрены вопросы применения углеродных нанотрубок в составе чувствительных слоёв сенсорных элементов.

Одно из непосредственных преимуществ углеродных нанотрубок как квазиодномерных проводников - возможность организации интерфейса между отдельными молекулярными структурами и схемами обработки информации. Данное свойство позволяет рассматривать нанотрубки в качестве перспективного материала сенсорных систем. В работе реализованы элементы на основе одиночных нанотрубок, их пучков и сеток и исследованы их электрофизические свойства в зависимости от температуры окружающей среды, влажности, а также концентрации различного рода примесей в атмосфере (аммиака, хлора и спиртов).

Проведены комплексные исследования температурных свойств структур на основе одиночных полупроводниковых однослойных нанотрубок, их сеток и многослойных нанотрубок. Сопротивление структур на основе многослойных УНТ и сеток УНТ, лежащих на тонких углеродных электродах, уменьшается на ~25% при увеличении температуры от 25 до 210 єС, имеет активационный характер и определяется контактным сопротивлением между нанотрубками и электродами. Сопротивление структур на основе однослойных УНТ полупроводникового типа, лежащих на тонких углеродных электродах, уменьшается на 80 % при увеличении температуры от 25 до 210 єС при потенциале затвора 10 В. На рис. 19 приведена зависимость нормированного сопротивления структуры (где R(T) - значение сопротивления при температуре T, R(Tкомн) - при комнатной температуре) от обратной температуры.

Предложена модель транспорта в системе нанотрубка / электроды на основе термоэлектронной эмиссии (эмиссии Шоттки): когда два объекта расположены очень близко друг к другу, высоту барьера можно значительно снизить перекрытием потенциалов сил изображения, благодаря чему сопротивление уменьшается экспоненциально в зависимости от высоты потенциального барьера между проводящими объектами. Если расстояние между нанотрубкой и электродом достаточно мало (доли нм), то энергия активации Ea, может оказаться достаточно малой. При наложении внешнего поля E между нанотрубкой и электродами (эмиссия Шоттки) энергия активации станет еще меньше. Таким образом, эмиссия Шоттки между нанотрубкой и электродом приводит к экспоненциальной зависимости сопротивления от величины, обратной температуре. Это означает омическое поведение в области слабых полей и зависимость вида exp() при больших напряженностях поля.

Из рис. 19 можно найти, что энергии активации сеток нанотрубок и многослойных нанотрубок близки и составляют соответственно 17 и 21 мэВ, что обусловлено доминированием металлического типа проводимости в данных структурах. Таким образом, как и следовало ожидать, при комнатной температуре наблюдается омическое поведение проводимости в области слабых токов. В случае нанотрубок с преобладающим полупроводниковым типом проводимости (рис. 20, кривые 3, 4) барьер Шоттки оказывается выше и составляет 34 мэВ. В случае полевого эффекта при приложении внешнего электрического поля, возможно увеличение барьера Шоттки почти в 3 раза. Было обнаружено, что сопротивление структур при температуре выше 100 °С слабо зависит от потенциала затвора, что связано с понижением барьера Шоттки в области контакта полупроводниковой УНТ и электрода.

Рис. 19. Изменение сопротивления структур на основе нанотрубок в зависимости от температуры (для каждой кривой указана расчётная величина энергии активации). Напряжение сток-исток UСИ =30 мВ

Проведено исследование влияния изменения относительной влажности на электрические свойства структур на основе одиночных однослойных УНТ и их сеток, сформированных различными методами. Показано увеличение сопротивления структур на основе одиночных УНТ полупроводникового типа на 55% при изменении влажности на 20%, что объясняется компенсацией дырочных носителей электронами, внесенными адсорбированными молекулами воды. Чувствительность сопротивления структур на основе сеток однослойных УНТ к изменению влажности меньше, определяется плотностью сеток и может иметь величину до 0,15% для сеток плотностью 1-5 УНТ на мкм2 (рис. 20) и до 0,01% для сеток плотностью 10-50 УНТ на мкм2 при изменении относительной влажности воздуха на 1%.

Рис. 20. а - АСМ изображение участка перехода никелевого электрода (1) в ситалл (2) с высаженными из раствора ПАВ сетками УНТ; б - зависимость изменения сопротивления структуры при ступенчатом изменении относительной влажности

Таким образом, увеличение плотности плёнки нанотрубок приводит к уменьшению чувствительности структуры к изменению относительной влажности. Тем не менее, при относительной влажности более 40% происходит перекомпенсация неосновными носителями заряда структур на основе плотных сеток нанотрубок, связанная с формированием дополнительных каналов проводимости, что приводит к резкому уменьшению сопротивления.

Для проведения комплексных исследований влияния примесных газов в атмосфере воздуха были использованы типы газов, обладающих донорными и акцепторными свойствами по отношению к основным носителям заряда в нанотрубках на воздухе (дыркам). Исследование влияния изменения концентрации аммиака было проведено для структур на основе сеток, сформированных диэлектрофорезом и высаживанием из раствора поверхностно активного вещества (ПАВ) (рис. 20а). Продемонстрировано, что чувствительность структур на основе углеродных нанотрубок определяется методикой высаживания нанотрубок и составляет 0.33% на 1 ppm аммиака при комнатной температуре для структур, высаженных из раствора ПАВ (рис. 21а). Для структур, полученных электрофорезом, обнаружена минимальная чувствительность сопротивления, даже для концентрации 275 ppm.

Рис. 21. Зависимость изменения электрических свойств структур на основе нанотрубок: а - при введении NH3 концентрацией 1- 100 ppm; 2- 150 ppm и 3- 275 ppm (стрелка указывает начало введения NH3); б - при введении хлора концентрацией 0,5 ppm

Теоретические оценки Чжао [5] для однослойных нанотрубок показывают, что наиболее энергетически выгодным является расположение адсорбированных атомов Cl и O над атомами С в нанотрубке с энергиями сорбции 6,9 и 4,9 эВ соответственно. Так как хлор обладает большей электроотрицательностью, чем кислород, то он может замещать кислород в местах его присутствия на нанотрубках. Таким образом наблюдается повышение проводимости структур на основе углеродных нанотрубок при введении хлора в атмосферу.

С использованием традиционного кинетического уравнения были вычислены константы адсорбции и десорбции аммиака на поверхности нанотрубок. Из рис. 22 можно видеть, что экспериментальные результаты хорошо согласуются с теорией кинетического процесса адсорбции. Константы адсорбции равны 0,31 и 0,33 мин-1 для температур 25 °C и 100 °C соответственно. Процесс десорбции имеет расхождение с кинетической теорией. Тем не менее, оценки зависимости изменения сопротивления структур после прекращения подачи NH3 дают следующие значения для констант десорбции: 0,03 мин-1 для 25 °C и 0,09 мин-1 для 100 °С. Таким образом, при повышении температуры скорость изменения сопротивления структур при введении газа практически остаётся постоянной, чувствительность незначительно уменьшается, однако происходит более быстрое восстановление исходных параметров сенсорной структуры.

Рис. 22. Зависимость изменения сопротивления структур при введении 275 ppm NH3 для различных температур (серый цвет): а - 25 °С и б - 100 °С. Решение кинетических уравнений отдельно для адсорбции и десорбции газа (чёрный цвет)

В работе продемонстрировано, что изменение проводимости структуры с плёнкой нанотрубок при изменении концентрации паров спиртов определяется двумя факторами: поверхностной площадью сенсора при низких концентрациях паров и скоростью диффузии паров вглубь плёнки при насыщении поверхности парами.

Исследование влияния изменения концентрации паров спирта было проведено для структур на основе толстых плёнок УНТ (рис. 23а) и одиночных нанотрубок полупроводникового типа. Проводимость структур на основе плёнок УНТ уменьшается на 30% при изменении концентрации паров спирта на 8 ‰. (рис. 23б). При этом скорость восстановления проводимости структур на основе плёнок углеродных нанотрубок после сорбции паров спирта может возрастать в 25 раз при нагреве структур до 500 єC.

В случае сорбции спиртов на поверхности плёнок углеродных нанотрубок можно оценить изменение проводимости структуры с использованием кинетического уравнения адсорбции молекул спиртов на поверхности. Тогда для линейного участка зависимости проводимости сенсорной структуры от времени в парах спиртов (рис. 23б) изменение проводимости будет определяться не только изменением концентрации, но и характерными параметрами массы молекулы спирта m и энтальпии испарения исследуемых молекул газа :

, (5)

где A - коэффициент, определяющий свойства сорбирующей плёнки (пропорционален диффузионному критерию Нуссельта, и обратно пропорционален поверхностной площади нанотрубок), G1,2 -проводимость структуры до и после изменения концентрации паров спирта в атмосфере на за время . На графике на рис. 23б приведены расчётные зависимости изменения проводимости сенсорных структур от времени (сплошные линии).

Таким образом, если в начальный момент изменение проводимости структуры с плёнкой нанотрубок определяется преимущественно сорбцией спиртов на поверхности плёнки и зависит от поверхностной площади сенсора, то, при насыщении поверхности парами, дальнейшее изменение проводимости связано с диффузией паров вглубь плёнки и определяется скоростью диффузии определенных молекул спирта в среде нанотрубок, что позволяет селективно определить тип адсорбированного газа.

Рис. 23. АСМ изображение поверхности плёнок углеродных нанотрубок (а). Изменение проводимости плёнок ОСНТ при введении этанола концентрацией 8 ‰ (график 1) и 2-пропанола концентрацией 15 ‰ (б). Сплошные линии - расчётные зависимости. Напряжение питания - 0,7 В. Потребляемая мощность 0,25 мВт

Качественно одинаковые зависимости отклика сенсоров на основе плёнок многослойных и однослойных нанотрубок свидетельствуют о преобладании диффузионно-сорбционного механизма изменения проводимости под действием паров спиртов. При этом преобладают физические механизмы изменения проводимости за счет внедрения молекул спирта в области контактов нанотрубка - нанотрубка и нанотрубка - электрод и, как следствие, увеличения расстояния между ними. В данном приближении большее время отклика плёнки ОСНТ при введении этанола, нежели плёнки МСНТ, может быть объяснено более высоким коэффициентом диффузии молекул спирта в плёнке состоящей преимущественно из многослойных нанотрубок.

При введении 8‰ этанола уменьшение проводимости структур на основе одиночных пучков УНТ полупроводникового типа носит экспоненциальный характер с временной константой ф = 2,5 мин. Предположительным механизмом чувствительности ОСНТ-транзистора является физическая адсорбция паров спирта. Вариантами реализации данного механизма могут являться: легирование нанотрубок и пучков молекулами спирта, либо изменение потенциала подложки при заполнении зарядовых состояний оксида кремния.

Таким образом, на чувствительность сенсорных структур на основе углеродных нанотрубок к химически активным газам и парам могут оказывать влияние различные механизмы: сорбция, механическое взаимодействие, перенос электронной плотности и другие. Для одиночных углеродных нанотрубок полупроводникового типа превалирующую роль в чувствительности играет внесение дополнительных энергетических уровней в зонную структуру нанотрубок. Для плотных сеток нанотрубок существенны сорбционные свойства структуры в целом.

Был разработан макет сенсорного устройства (рис. 24) и проведены сравнения его параметров с традиционными сенсорами на основе оксида олова. Сравнительные данные приведены в таблице 2.

Рис. 24. Фотография сенсорного устройства на основе ОСНТ в корпусе

Таблица 2. Сравнение характеристик сенсоров

В заключении кратко формулируются основные результаты и выводы, полученные в соответствии с поставленными целью и задачами.

Основные результаты и выводы

1. Разработаны физико-технологические основы создания планарных квазиодномерных проводников в металлических и углеродных плёнках. С использованием методов, совмещающих локальное анодное окисление и окисление, индуцированное током, продемонстрировано формирование проводящего квазиодномерного канала, окруженного изолирующими областями. При этом, в случае использования углеродных плёнок различной природы продуктами реакции являются летучие компоненты углерода.

2. В квазиодномерных проводниках, созданных в металлических плёнках, наблюдается переход от сплошного к островковому типу проводимости. Предложенный островковый механизм проводимости на основе переброса электронов через отдельные участки наносужения подтверждается полученными данными микроскопического анализа и измерения электростатических характеристик.

3. Разработаны конструктивно-технологические процедуры интеграции углеродных нанотрубок в компоненты интегральных схем, позволяющие формировать структуры, содержащие заданное количество квазиодномерных проводников. Предложенные механизмы манипулирования нанотрубками на основе методов зондовой микроскопии и электрокинетического воздействия позволяют формировать структуры с заданными функциональными параметрами в составе интегральных схем с использованием групповых методов микроэлектронной технологии.

4. Развиты методы сканирующей зондовой микроскопии для визуализации углеродных нанотрубок в стандартных условиях и исследования их электрофизических свойств. Показана возможность неразрушающего контроля углеродных нанотрубок в составе интегральных схем методами зондовой микроскопии. Впервые обнаружены методами атомно-силовой микроскопии углеродные нанотрубки, полученные методом холодной деструкции графита, обладающие различной геометрией (волокна, ветвящиеся образования).

5. Разработана конструкция тестовой структуры на основе углеродных нанотрубок для калибровки зондов сканирующих зондовых микроскопов. В качестве апробации конструкции выполнено исследование широкого класса зондов с различным радиусом закругления острия: кремниевых кантилеверов промышленного типа, вискерных зондов и зондов, полученных электрохимической заточкой вольфрама.

6. Разработаны физико-технологические основы изготовления функциональных элементов электроники на основе углеродных нанотрубок. Проведены исследования основных статических и динамических характеристик данных структур. Экспериментально доказано, что в одном пучке могут находиться нанотрубки, обладающие различным типом проводимости. Предложен и реализован прототип транзистора на основе пучков однослойных нанотрубок с подвижностью основных носителей заряда 1800 см2/В·с. Предложен и реализован метод изменения числа каналов проводимости наноструктур за счет пропускания импульса тока высокой плотности. Предложен и реализован прототип инвертора на основе пучков углеродных нанотрубок с линейной нагрузкой в виде внешнего резистора, с коэффициентом передачи 0,75. Предложен и реализован макет интегрального инвертора с нелинейной нагрузкой на основе транзисторов из сеток пучков ОСНТ.

7. Продемонстрировано, что статические электрические характеристики функциональных элементов на основе углеродных нанотрубок стабильны при воздействии облучения электронами с дозой 106 рад и нейтронами 5·1012 нейтрон/см2, что связано с малыми сечениями рассеяния углеродных нанотрубок и отсутствием дефектов в их кристаллической решётке.

8. Продемонстрирована зависимость чувствительности функциональных структур на основе углеродных нанотрубок к факторам окружающей среды (температуре, влажности) от архитектуры сформированных элементов. Увеличение плотности плёнок из нанотрубок приводит к уменьшению их чувствительности к изменениям относительной влажности, что связано с увеличением доли металлической проводимости в сетке.

9. Процесс адсорбции и десорбции молекул на тонких сетках углеродных нанотрубок и изменение их сопротивления описывается кинетическими уравнениями, что позволяет управлять процессом сорбции молекул на наноструктурах посредством температурного регулирования.

10. Изменение проводимости структуры с плёнкой нанотрубок при сорбции паров спиртов происходит в два этапа и связано с сорбцией спиртов на поверхности плёнки и с диффузией паров вглубь плёнки и определяется скоростью диффузии молекул спирта в среде нанотрубок. При этом преобладают физические механизмы изменения проводимости за счет внедрения молекул спирта в области контактов нанотрубка - нанотрубка и нанотрубка - электрод.

Цитируемая литература

[1] Гаврилов С.А., Лемешко С.В., Рощин В.М., Соломатенко Р.Г., Шевяков В.И. Исследование особенностей процесса локального окисления плёнок титана на основе сканирующей зондовой микроскопии // Известия вузов. Электроника. - 2000. - №3. - C. 13-19.

[2] Гайдуков Ю.П. Электронные свойства вискеров // Успехи физических наук. -1984. - Том 142. - Вып. 4. - С. 571-597.

[3] Banerjee S., White B.E., Huang L., Rego B.J., O'Brien S., Hermana I.P. Precise positioning of single-walled carbon nanotubes by ac dielectrophoresis // J. Vac. Sci. Technol. B. - 2006. - V. 24. - N. 6. - P. 3173-3178.

[4] Янсен Й. Курс цифровой электроники: В 4-х томах. Том 1. Основы цифровой электроники иа ИС. - М: Мир. - 1987 г. - 334 с.

[5] Zhao J., Buldum A., Han J., Lu J.P. Gas molecule adsorption in carbon nanotubes and nanotube bundles // Nanotechnology. - 2002. - Vol. 13. - P. 195-200.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах

Статьи в периодических изданиях, включенных в перечень ВАК России:

Бобринецкий И.И. Электрофорез в задачах очистки, сепарирования и интеграции углеродных нанотрубок // Российские нанотехнологии. 2009. - Том 4. - № 1-2. - С. 62-66.

Бобринецкий И.И. Методы параллельной интеграции углеродных нанотрубок при формировании функциональных устройств микроэлектроники и сенсорной техники // Микроэлектроника. - 2009. - Том 38. - № 5. - С. 353_360.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Горшков К.В., Данькин Д.А. Использование метода диэлектрофореза при формировании интегральных структур на основе углеродных нанотрубок // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 2. - С. 10_13.

Бобринецкий И.И., Лосев В.В. Ёмкостная методика сканирующей зондовой микроскопии в атмосфере воздуха // Известия вузов. Электроника. - 2008. - №.6. - C. 85_87.

Бобринецкий И.И., Симунин, М.М. Неволин В.К., Строганов А.А., Горшков К.В. Учебно-исследовательский нанотехнологический комплекс // Российские нанотехнологии. - 2008. - Т. 3. - № 3-4. - С. 173-175.

Бобринецкий И.И., Кукин В.Н. Неволин В.К., Симунин М.М. Исследование углеродного наноматериала методами атомно-силовой и электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. - М.: МИЭТ, 2007. - №.4. - C. 3_6.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А., Иванова О.М., Крутоверцев С.А. Влияние изменения относительной влажности окружающей среды на транспортные свойства структур на основе углеродных нанотрубок // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - №10. - С.23_26.

Бобринецкий И.И. Сенсорные свойства структур на основе углеродных нанотрубок // Российские нанотехнологии. - 2007. - Том 2. - № 5-6. - С. 90_94.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М. Влияние сорбции паров спирта на проводимость структур на основе углеродных нанотрубок // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - №5. - С. 29_33.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А., Иванова О.М., Крутоверцев С.А. Чувствительность структур на основе сеток из пучков углеродных нанотрубок к изменению концентрации аммиака в атмосфере // Датчики и системы. - 2007. - №9. - С. 22_27.

Аксенов А.И., Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М. Температурная зависимость электрического сопротивления структур на основе углеродных нанотрубок в атмосферных условиях // Датчики и системы. - 2006. - №9. - С. 60_64.

Аксенов А.И., Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М. Химические сенсоры на основе пучков углеродных нанотрубок для обнаружения низких концентраций молекул хлора в атмосфере // Нано- и микросистемная техника. - 2005. - №12. - С. 12_15.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Хартов С.В., Чаплыгин Ю.А. Модуляция проводимости квазиодномерных молекулярных микропроводников // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31. - В.10. - С.65_69.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Чаплыгин Ю.А. Логические ключи на основе пучков однослойных углеродных нанотрубок // Микросистемная техника. - 2004. - № 7. - С.12_14.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А., Чаплыгин Ю.А. Модуляция проводимости пучков однослойных углеродных нанотрубок // Микроэлектроника. - 2004. - Т. 33. - № 5. - С. 356-361.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А. «Засвечивание» углеродных нанотрубок в атомно-силовом микроскопе // Известия вузов. Электроника. - 2004. - №.3. - C. 83_85.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Петрик В.И., Строганов А.А., Чаплыгин Ю.А. Атомная структура углеродных нанотрубок из углеродной смеси высокой реакционной способности // Письма в ЖТФ. - 2003. - Т.29. - №8. - С.84_90.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Петрик В.И., Чаплыгин Ю.А. Вольтамперные характеристики двухэлектродных элементов с углеродными нанотрубками // Микроэлектроника. - 2003. - Том 32. - № 2. - C. 102_104.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К. Микромеханика углеродных нанотрубок на подложках // Микросистемная техника. - 2002. - № 4. - C 20_21.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Петрик В.И. Ветвящиеся нанотрубки из углеродной смеси высокой реакционной способности // Известия вузов. Электроника. - 2002. - №.2 - С. 105_106.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Рощин В.М., Снисаренко Э.А. Формирование наноконтактов при локальном оксидировании титановых плёнок // Микросистемная техника. - 2001. - № 11. - С. 42-45.

Бобринецкий И.И., Корнеев Н.В., Неволин В.К. Особенности проводимости планарных металлических наносужений // Известия вузов. Электроника. - 2001. - №.3. - C. 17_21.

Публикации в других научных изданиях:

Бобринецкий И.И., Корнеев Н.В., Неволин В.К. Дискретные двухэлектродные планарные элементы наноэлектроники // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. X международная крымская микроволновая конференция. Материалы конференции. Севастополь. - 2000. - C. 411-412.

Бобринецкий И.И., Корнеев Н.В., Неволин В.К. Создание квантовых проводов методом зондового окисления // Актуальные проблемы твердотельной микроэлектроники. VII международная научно-техническая конференция. Труды конференции. Таганрог. ТРТУ. - 2000. - Ч.2. - С. 3-5.

Бобринецкий И.И., Корнеев Н.В., Неволин В.К. Дифференциальная проводимость планарных нанодиодов // Электроника и информатика - XXI век. III международная научно-техническая конференция. Тезисы докладов. - Москва. 2000. - С. 34.

Bobrinetskii I.I., Korneev N.V., Nevolin V.K. Differential conductance of planar microcontacts formed by a conductive probe // Physics of Low-Dimensional Structures. 2001. - № 3/4. - P.183-188.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Рощин В.М. Формирование наноконтактов методом локального анодного окисления в тонких аморфных титановых плёнках // Микро- и наноэлектроника-2001. Всероссийская научно-техническая конференция. Тезисы докладов. Звенигород. - 2001. - Том 2. - Р2-17.

Bobrinetskii I.I., Chaplygin Yu.A., Nevolin V.K., Petrick V.I. Current voltage characteristics of two-electrode devices with carbon nanotubes // Book of abstract “Nano and Giga Challenges in Microelectronics research and Opportunities in Russia” symposium and summer school. - Moscow, 2002. - Р. 187-188.

Бобринецкий И.И., Строганов А.А. Микромеханика углеродных нанотрубок как элементов наноэлектроники // Тезисы докладов IV международной научно-технической конференции «Электроника и информатика - 2002». - 2002. - С. - 21-22.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А. Сканирующая туннельная микроскопия углеродных нанотрубок с атомным разрешением // Тезисы докладов IV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. - 2002. - С. 70.

Бобринецкий И.И, Неволин. В.К. Разработка зондовой нанотехнологии формирования элементов электроники на основе квазиодномерных проводов // Тезисы докладов II всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника». - Москва. 2003. - C. 107.

Бобринецкий И.И., Строганов А.А. Атомная структура и электрические свойства пучков однослойных углеродных нанотрубок // Тезисы докладов V Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. - Санкт-Петербург. - 2003. C. 89.

Бобринецкий И.И., Строганов А.А. Инвертор с линейной нагрузкой на основе углеродных нанотрубок // Тезисы докладов XI всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2004». - Москва, 2004.- С. 7.

Bobrinetskii I.I., Aksenov A.I., Chaplygin Yu. A., Nevolin V.K. Fet on carbon nanotubes bundle networks // I France-Russian Seminar. New achievements in material science. Book of abstract. Nancy. France. 2004. - Part III.8. - P. 162.

Bobrinetskii I.I., Chaplygin Yu.A., Nevolin V.K., Stroganov A.A. Carbon nanotubes as a perspective material for microelectronics manufacturing // Proceedings of II Russian-Japanese seminar “Perspective Technologies, Materials and Equipments of Solid-State electronic Components”. - Moscow. 2004. - P.193_196.

Бобринецкий И.И., Булатов А.Н., Неволин В.К. Интегральная схема на основе пучков углеродных нанотрубок и квазиодномерного микросужения // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. IV международная конференция Кисловодск. -2004.- С. 233_236.

Аксенов А.И., Бобринецкий И.И., Неволин В.К. Элементы электроники на основе углеродных нанотрубок // Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология. III международная конференция. Материалы конференции. - Москва. - 2004. - С. 40.

Axenov A.I., Bobrinetskii I.I., Bulatov A.N., Nevolin V.K. Fabrication of carbon nanotube-based devices for different applications in electronics 7th biennial international workshop “Fullerenes and atomic clusters”. Book of abstract. - St.-Petersburg.- 2005.- P. 255.

Axenov A.I., Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Simunin M.M. Single-wall nanotube transistor sensitivity to chlorine molecule presence in air // International conference “Micro- and nanoelectronics -2005” ICMNE-2005. Book of abstracts. Moscow Zvenigorod, Russia - 2005. - P1-21.

Аксенов А.И., Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М. Температурные датчики на основе полупроводниковых углеродных нанотрубок // Электроника и информатика - 2005. V международная НТК. Тезисы докладов. - Москва. 2005. - С. 5.

Бобринецкий И.И., Булатов А.Н., Неволин В.К. Первые макеты функциональных элементов углеродной наноэлектроники // Нанотехника. - 2006. - №2 (6). - С. 9-13.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М., Строганов А.А. Хартов С.В. Разработка подходов к массовому производству структур на основе углеродных нанотрубок // Актуальные проблемы твёрдотельной микроэлектроники. Х международная НТК. Труды конференции. Таганрог. ТРТУ. - 2006. - Ч.2. - С. 6_8.

Бобринецкий И.И., Горшков К.В., Лосев В.В., Строганов А.А. Использование углеродных нанотрубок в тестовых структурах для калибровки зондов атомно-силовых микроскопов // Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология. V международная конференция. Материалы конференции. - Москва. - 2006. - С. 75.

Бобринецкий И.И., Симунин М.М., Неволин В.К. Влияние паров летучих органических соединений на проводимость структур на основе углеродных нанотрубок // Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология. V международная конференция. Материалы конференции.- Москва. - 2006. - С.165.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Симунин М.М. АСМ - исследование углеродного композита, полученного методом каталитического пиролиза из газовой фазы этанола // XV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Тезисы докладов. Черноголовка, 2007. - С. 50-51.

Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Simunin M.M., Khartov S.V. Carbon nanotube chemical ethanol vapour growth methods for application in electronics and nanomechanics // 8th biennial international workshop “Fullerenes and atomic clusters”. Book of abstract. St.Petersburg.- 2007.- P. 202.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К. Разработка методик диэлектрофореза углеродных нанотрубок при формировании элементов электронной техники // Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии. VII международная конференция Кисловодск. -2007.-С.156-158.

Бобринецкий И.И., Горшков К.В., Данькин Д.А. Влияние параметров переменного электрического поля на состав, плотность и ориентацию углеродных нанотрубок при высаживании из растворов методом диэлектрофореза // Научная сессия МИФИ-2008. Сборник научных трудов. Т.8. Автоматика и электроника в атомной технике. Микро- и наноэлектроника. М.: МИФИ, 2008. - С. 108-109.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А., Синякова В.А. Комплексное решение при реализации нанотехнологических проектов в учебно-исследовательском процессе // Наноиндустрия. - 2008. - №2

Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Simunin M.M., Gorshkov K.V. Carbon nanotube investigation and production for electronics and sensor application // Ninth Internetional Conference on the Science and Application of Nanotubes. Book of abstract. Le Corum, Montpellier, France. 2008. - P. 270.

Бобринецкий И.И., Данькин Д.А. Применение методов электрофореза для сепарирования и исследования углеродных нанотрубок // Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии. VIII международная конференция Кисловодск. - 2008. - С.10-11.

Бобринецкий И.И., Громов Д.В., Полевич С.А., Неволин В.К. Радиационные эффекты в приборах на основе углеродных нанотрубок // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. 18-я международная конференция. Материалы конференции. Севастополь. - 2008. - C. 662-663.

Бобринецкий И.И., Горшков К.В., Симунин М.М. Сенсорные элементы на основе углеродных нанотрубок: от дискретных элементов к интегральным структурам // Сборник тезисов докладов участников Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий. Международный форум по нанотехнологиям. Москва. -2008. - С.8-9.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Горшков К.В., Данькин Д.А. Формирование интегральных структур электроники на основе углеродных нанотрубок на пластинах диаметром 76 мм // Микроэлектроника и наноинженерия-2008. Международная научно-техническая конференция: Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2008. - С. 57-58.

Bobrinetskiy I.I., Nevolin V.K. Carbon nanotubes in electronics and sensor devices // 9th biennial international workshop “Fullerenes and atomic clusters”. Book of abstract. St.Petersburg. - 2009. - P. 233.

Bobrinetskiy I.I., Nevolin V.K. Probe nanotechnology in electronics and nanosystems // Proceedings of the International Conference on physics, chemistry and application of nanostructures. Nanomeeting-2009. Minsk. - 2009. - P. 464_466.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Петухов В.А., Комаров И.А. Разработка высокочувствительных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок для детектирования биологически опасных газов // Book of absracts. International conference nanobiophysics: fundamental and applied aspects. Kharkov, Ukraine. - 2009. - P. 88.

Патенты РФ:

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Строганов А.А., Чаплыгин Ю.А. Тестовая структура для определения геометрических размеров острия иглы сканирующего зондового микроскопа // Патент РФ на изобретение № 2317940 с приоритетом от 14 марта 2006 г. Патентообладатель МИЭТ.

Хартов С.В., Симунин М.М., Неволин В.К., Бобринецкий И.И. Селективный датчик газов на основе системы осциллирующих нановолокон // Патент РФ на изобретение № 2317940 с приоритетом от 4 августа 2006 г. Патентообладатель МИЭТ.

Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Хартов С.В., Чаплыгин Ю.А. Способ формирования планарных молекулярных проводников в полимерной матрице // Патент РФ на изобретение № 2307786 с приоритетом от 2 мая 2006 г. Патентообладатель МИЭТ.

Бобринецкий И.И., Горшков К.В., Неволин В.К. Сенсорная структура на основе квазиодномерных проводников // Патент РФ на изобретение № 2379671 от 23 октября 2008 г. Патентообладатели МИЭТ, ООО «Наносенсор».

Размещено на Allbest.ru