Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния

В случае же длительного термического отжига в результате процесса перераспределения P между ЛАОП и кремнием концентрация атомов фосфора на внутренней границе остаётся практически постоянной в течение достаточно длительного времени и распределение P в диффузионных слоях более удовлетворительно согласуется с математической моделью диффузии из равномерно легированной оксидной плёнки.

Технологические аспекты применения ЛАОП для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных схем представлены в пятой главе.

Приведены результаты использования фосфорсодержащих ЛАОП (ФАОП) для изготовления кремниевых МОП-транзисторов со встроенным каналом n-типа.

Формирование сильнолегированной ФАОП на кремниевых подложках марки КДБ-1 диаметром 35 мм проводили на установке с вакуумной присоской в этиленгликолевом электролите с массовой долей Н₃РО₄ (плотность 1,68 г/смі), равной 11, 58 % при Тэл = 295 К, jг = 50 А/мІ , Uф =190 В, jк = 10 А/мІ.

После фотолитографии, в результате которой сильнолегированная ФАОП оставалась только над областями истока и стока размерами 200х400 мкмІ, выращивали маскирующую АОП в электролите с массовой долей НNO₃ (плотность 1,41 г/cмі) 0,19 % при тех же значениях jг, jк, но до Uф = 230 В. Затем вскрывали области над каналом шириной 15 мкм и формировали в них слаболегированную ФАОП в ЭГ + 0,19 % НNO3 + 0,0015 % Н3РО4.

В результате диффузии фосфора при температуре 1423 К в течение 2400 с в потоке азота были получены легированные слои областей стока, истока и канала с поверхностными сопротивлениями и глубинами залегания р-n-переходов, соответственно равными 8,7; 620 Ом/кв и 2,3; 0,9 мкм.

Подзатворный диэлектрик стравливали и выращивали новый толщиной 70 нм.

Перед вакуумным напылением пленки алюминия толщиной 1,2 мкм осуществляли термообработку при 773 К в течение 3600 с в потоке азота. Электрическая прочность подзатворного диэлектрика составляла (5…6) • 10⁶ В/см.

Результаты измерений параметров приведены в табл. 1.

Таблица 1

Электрические параметры МОП-транзисторов (Uси - напряжение сток - исток; Uзи - напряжение затвор - исток; Ic - ток стока)

Параметр	Значение параметра	Режим измерения
Начальный ток стока, мА	0, 9….3,4	Uси = 10 В Uзи = 0 В
Крутизна ВАХ, мА/В	0, 1….0,6	Uси = 10 В Uзи = 0 В
Ток утечки затвора, мкА	0,1	Uси = 0 В Uзи = 10 В
Напряжение отсечки, В	8….10	Iс = 10 мкА Uси = 10 В

Исследована возможность использования ФАОП для создания подлегированного n⁺-слоя на подложках кремния КЭФ - 4,5 диаметром 40 мм, утоненных травлением со светоприемной стороны мишени кремникона до толщины 10 мкм и защищенных с обратной стороны пленкой термического диоксида кремния толщиной 0,7 мкм.

Групповое анодирование партии из пяти подложек осуществлялось на установке с многопозиционным электродом при вращении подложек с числом оборотов 1 об/c в комбинированном режиме: сначала в гальваностатическом режиме при анодном токе силой 0,3 А (это соответствует плотности тока j_г = 50 А/мІ ), затем после достижения напряжения формирования 240 В в потенциостатическом режиме - до уменьшения плотности тока j_г в 5 раз. Общее время анодного окисления в 1,5 М растворе ортофосфорной кислоты в этиленгликоле с добавкой 1,5 М воды при температуре Т_эл = 295 К составляло около 1 200 с.

В результате эллипсометрических измерений на ЛЭМ - 2 было установлено, что воспроизводимость по толщине оксидных пленок вдоль поверхности пластин и от подложки к подложке была не хуже 1,5 и 2,6 % соответственно относительно среднего значения, равного 120 нм ( по данным 20 измерений на каждой подложке).

Диффузия фосфора из анодных пленок в кремний проводилась в потоке азота при температуре 1323 К в течении 600с.

В результате были получены диффузионные слои глубиной Х_jp = 0, 18 мкм ± 12 % с разбросом поверхностного сопротивления R_sp вдоль поверхности пластин и от подложки не более ± 6 % от среднего значения R_sp = 31 Ом/кв.

Разработанные технологические процессы диффузии фосфора и бора в кремний из ЛАОП, выращенных в электролитах на основе ЭГ, были опробованы при изготовлении n-p-n транзисторов.

Глубина залегания эмиттерного и коллекторного p-n-переходов составляла 2,00,2 и 3,00,2 мкм соответственно.

Для создания эмиттерных и базовых областей n-p-n транзисторных структур применялось 2 способа проведения процессов диффузии примеси:

с использованием внешнего источника диффузанта:

а) диффузия фосфора проводилась сначала в потоке кислорода с парами трехлористого фосфора (температура диффузии Tд=1323 K, время t = 6мин), затем в течении 40 мин в потоке сухого кислорода без паров PCl₃ (поверхностная концентрация фосфора N_SP10²¹ см^-3);

б) диффузия бора осуществлялась в 2 этапа: первый этап проводился в потоке азота из параллельно расположенной на расстоянии 1 см относительно подложек кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом (Tд=1163 K, t=60мин); второй этап диффузии бора в кремний КЭФ-1,0 производился при Tд=1423 K в потоке сухого кислорода (t=30мин), увлажненного кислорода (t=50мин), затем в течении 40 мин снова в потоке сухого кислорода (поверхностная концентрация бора N_SВ3,110¹⁸ см^-3);

источником диффузанта служили фосфор- или борсодержащие ЛАОП толщиной около 120 нм:

а) диффузия фосфора велась из ЛАОП, сформированных в электролите без добавки HNO₃ с массовой долей H₃PO₄ 12,1% (Tд=1423 K, t=30мин, N_SP1,510²⁰ см^-3);

б) термодиффузионное легирование бором проводилось из ЛАОП, полученных в электролите с массовой долей H₃BO₃ 10% и HNO₃ 0,21% (Tд=1473 K, t=90мин, N_SВ3,510¹⁸ см^-3).

Базовые области n-p-n транзисторов создавались диффузией бора первым способом, а эмиттерные p-n-переходы формировали обоими способами диффузии фосфора.

Эмиттерные области фототранзисторов получали диффузией фосфора первым способом, а коллекторные p-n-переходы создавали двумя способами диффузии бора.

Установлено, что пробивное напряжение Uэб=5,60,4В эмиттерных p-n-переходов (n-p-n транзисторов), созданных диффузией фосфора первым способом ниже, чем у эмиттерных областей, сформированных диффузией P из ЛАОП (Uэб=9,4 0,6В).

Это, по-видимому, обусловлено соответствующим различием градиентов концентрации фосфора.

Фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП, имеют более высокие значения коэффициента усиления в схеме с общим эмиттером =440160 по сравнению с изготовленными при помощи диффузии бора первым способом =170100.

Таким образом, использование диффузии примесей в кремний из ЛАОП позволяет улучшить некоторые электрические характеристики n-p-n-транзисторов по сравнению с традиционными способами диффузии фосфора из жидкого, а бора из твердого внешнего источника.

Было опробовано также два способа изготовления кремниевых интегральных микросхем (ИС) с диодами и резисторами, имеющими различное значение поверхностного сопротивления диффузионных слоев:

1. По типовому технологическому процессу изготовления ИС с изоляцией элементов р-п-переходами.

После создания изолированных областей двухэтапной диффузией из борного ангидрида в пленке термического оксида толщиной 0,7 мкм вытравливались контрольные, диодные и резисторные области размерами, соответственно равными 1,0 х 1,0; 0,1 х 0,1; 0,05 х 0,5 мм². В открытые области проводилась диффузия бора (1-й этап) в потоке азота из борного ангидрида, нанесенного на кварцевую пластину, расположенную параллельно поверхности подложек, при Т_d =1163К в течении 3600 с. Удалялось боросиликатное стекло и проводился второй этап диффузии бора в потоке сухого кислорода при 1473К в течении 300 с. Затем вытравливалась оксидная пленка над резисторными областями и осуществляли третий этап диффузии в парах кипящей деионизированной воды при 1473 К в течении 1800 с.

Поверхностные сопротивления диодных R_sd и резисторных R_sr областей измерялись в соответствующих контрольных окнах при помощи 4-зондового пробника с расстоянием между зондами 200 мкм. Глубина р-п-переходов Х_j определялась окрашиванием сферических шлифов на отрезанных от целого диска сегментах.

Напряжение пробоя диодов U_обр и сопротивление резисторов R_r измерялись после вжигания вакуумнонапыленных алюминиевых контактов при токах, равных 1 и 100 мкА.

2. По маршрутной технологи, приведенной на рис.14.

Формирование БАОП в контрольных, резисторных и диодных окнах на подложках кремния марки 40 КЭФ-1,0 /250 ЭКДБ-10-1б осуществлялось на установке с вакуумной присоской в боратном электролите с нитратной электропроводящей добавкой с массовой долей Н₃ВО₃ 10% при температуре электролита Т_эл = 293К и постоянной плотности тока j_r =100 А/м², а затем до десятикратного уменьшения j_r. Диффузия бора из БАОП в кремний проводилась при Т_d=1473 К в течении 5400 c в потоке азота 1,2 • 10^-2 л/с.

а б

в

Рис.14. Основные этапы технологического процесса создания элементов ИС диффузией бора из БАОП с различной толщиной и уровнем легирования: а - формирование БАОП в резисторных и диодных окнах; б - формирование БАОП в активных резисторных областях и термическая обработка; в - вскрытие контактных окон и нанесение алюминиевой металлизации

Результаты измерения параметров диффузионных слоев и характеристик диодов и резисторов на 2-х опытных партиях по 6 дисков в каждой приведены в табл. 2 и на рис. 15. Поверхностные сопротивления R_sd и R_sr измерялись в десяти различных контрольных областях подложки, глубина залегания р-п-переходов Х_j - в трех, пробивное напряжении U_обр диодов и сопротивление резисторов R_r - на 100 элементах. Как следует из табл. 2 и рис. 15, а, б разбросы значений параметров диффузионных слоёв и электрических характеристик диодов и резисторов с приблизительно равными R_s и Х_j практически одинаковы, однако р-п-переходы, созданные диффузией бора из БАОП, имеют более «мягкие» характеристики пробоя (1, рис. 15, б), что, возможно, обусловлено особенностями распределения бора при данном способе легирования.

Таблица 2

Характеристики диодов и резисторов интегральных микросхем

Способ диффузии бора	Rsd,Ом/кв	Хj,мкм	Rsr,Ом/кв	Хj,мкм	Uобр,В	Rr,кОм
1-этапная диффузия изБАОП	260±6,7%	3,0	485±12,2%	2,16	55±11%	4,7±14%
3-этапная диффузия (из B2O3)	270± 7,1%	2,60	500±12,6%	2,0	57± 0%	4,9±13%

Рис. 15 Гистограммы разброса значений сопротивления резисторов(а) и обратные ветви вольт-амперных характеристик диодов (б), сформированных диффузией бора из БАОП (1) и из борного ангидрида (2)

Таким образом, диффузией бора из БАОП можно создавать элементы кремниевых интегральных микросхем с удовлетворительными электрическими характеристиками.

Следует отметить, что подобный технологический процесс может быть использован также для создания МОП-транзисторов со встроенным диффузионным каналом дырочной проводимости.

Выявленные технологические возможности процессов термодиффузионного легирования кремния с использованием ЛАОП в качестве твердого диффузанта открывают перспективы упрощения технологии изготовления ряда современных полупроводниковых приборов, в том числе ИС на взаимодополняющих МОП - транзисторах (КМОПИС) и многодиодных матриц.

Для реализации могут быть рекомендованы следующие схемы изготовления этих структур, основные этапы которых показаны на рис. 16-18.

Последовательность операций при изготовлении КМОПИС (рис. 16):

а) вскрытие окон под МОП - транзистор с n--каналом и формирование в них сильнолегированной ФАОП;

б) поочередное вскрытие окон над карманом для МОП - транзистора с р-- каналом и каналом n-- типа, выращивание в них слаболегированных ФАОП и получение р-n-переходов диффузией Р из ФАОП с различной концентрацией фосфора;

в) поочередное вскрытие окон над охранным кольцом, истоком, стоком р⁺ - типа и каналом р- - типа и формирование в них БАОП с различным уровнем легирования В;

Рис. 16 Основные этапы технологического процесса изготовления КМОПИС с использованием одновременной диффузии фосфора и бора из ЛАОП с различной концентрацией примесей

г) создание р-n-переходов диффузией бора из БАОП, удаление ЛАОП во всех областях, формирование нового подзатворного диэлектрика (ФАОП), вскрытие контактных окон и нанесение алюминиевой металлизации.

На рис. 17 содержание операций состоит в следующем:

а б

в г

Рис. 17 Основные этапы технологического процесса изготовления диодной структуры многодиодной матрицы с использованием диффузии фосфора или бора из электрохимически окисленной пленки Si₃N₄

а) вскрытие диодных окон;

б) осаждение пленки Si₃N₄;

в) конверсия Si₃N₄ в ЛАОП и формирование р-n-перехода диффузией примеси из неё в кремний;

г) стравливание ЛАОП в диодных окнах и нанесение алюминиевой металлизации.

Для рис. 18 последовательность операций заключается в следующем:

а) локальное утонение пленки термического SiO₂;

б) анодное электролитическое легирование термического диоксида кремния;

в) формирование р-n-перехода диффузией примеси из ЛАОП;

г) стравливание ЛАОП в диодных окнах и нанесение алюминиевой металлизации.



а б

в г

Рис. 18 Основные этапы технологического процесса изготовления диодной структуры многодиодной матрицы с использованием диффузии фосфора или бора из электролитически легированной термической оксидной пленки кремния

При использовании в качестве твердого диффузанта анодноокисленных пленок нитрида кремния и термического диоксида кремния можно вскрывать контактные окна после диффузии без фоторезистивной маски за счет более высокой скорости травления ЛАОП, чем маскирующего покрытия, что позволит исключить одну фотолитографическую операцию при создании диодных структур фотодиодных матриц.

Таким образом, предложены для реализации маршрутные технологии с использованием ЛАОП как диффузанта и подзатворного диэлектрика.

В заключении сформулированы основные результаты, которые были получены при выполнении диссертационной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Подводя общие итоги диссертационной работы, можно сделать следующие основные выводы и заключения:

1. Предложены механизмы процессов, протекающих при формировании легированных анодных оксидных пленок (ЛАОП) Si, SiC и Si₃N₄.

Термодинамический анализ анодных реакций показал возможность образования «гель-слоя» на поверхности анодного SiO₂. Это является косвенным подтверждением справедливости коллоидно-электрохимической теории А.Ф. Богоявленского для процессов анодирования кремния и его соединений в легирующих электролитах.

2. Теоретически установлено, что мера химического сродства кремния с анионами многокомпонентных электролитов увеличивается в следующем порядке:

HPO>HPO>PO>B(OH)>HAsO>HAsO>AsO>OH>NO>NO.

Показано, что образование анодного SiO₂ , легированного оксидами As, B и P, происходит через стадию возникновения SiO. Оксид кремния реагирует со всеми анионами, а суммарные реакции образования SiO₂ протекают в две элементарные стадии.

3. Теоретически установлено, что мера химического сродства карбида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в следующем ряду:

HPO >HPO > PO > B(OH) > HCО >CO>OH>NO >NO

Показано, что образование легированного оксидами фосфора или бора анодного SiO₂ на SiC включает стадию возникновения оксида кремния, который реагирует со всеми анионами, а все суммарные реакции образования SiO₂ протекают в три элементарные стадии.

4. Теоретически установлено, что мера химического сродства нитрида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в ряду:

HPO > HPO > PO > B(OH) > OH > NO > NO.

Взаимодействие Si₃N₄ с анионами в процессе его электролитической конверсии в ЛАОП протекает через стадию образования SiO, реагирующего со всеми анионами. Поэтому все суммарные реакции получения SiO₂ происходят в две элементарные стадии.

Таким образом, выявлена общность механизмов образования ЛАОП Si, SiC и Si₃N₄.

5. Экспериментально обнаружено, что в присутствии легирующих компонентов в электролитах повышается cкорость роста анодных оксидных пленок на кремнии, карбиде и нитриде кремния.

6. Экспериментально определено, что порядки суммарных анодных реакций формирования ЛАОП по Н₃ВО₃ , Н₃РО₄ и H₃AsO₄ в электролитах на основе этиленгликоля меньше 1. Это указывает на то, что они не являются элементарными (одностадийными). На линейных участках вольт-временных U(t) кривых зависимости скорости роста формирующего напряжения от постоянной плотности тока dU/dt(j_г) с высокой точностью аппроксимируются выражением dU/dt = j_г. Следовательно, имеет место активационный контроль.

7. Экспериментальные зависимости концентрации легирующих компонентов в ЛАОП кремния от содержания Н₃ВО₃ , Н₃РО₄ и H₃AsO₄ в анодирующих растворах на основе этиленгликоля и тетрагидрофурфурилового спирта с удовлетворительной точностью аппроксимируются адсорбционными уравнениями Фрейндлиха и Ленгмюра в областях низких и высоких концентраций легирующих добавок в электролитах соответственно.

8. Экспериментально установлено, что фосфор и бор неравномерно распределены по толщине ЛАОП кремния: вблизи поверхности и в объеме имеются слои с повышенной концентрацией примесей. При этом структура борсодержащих ЛАОП более неоднородна, чем фосфорсодержащих ЛАОП.

9. Экспериментально установлено, что ЛАОП, выращенные в электролитах на основе ТГФС и ЭГ, по качеству приблизительно одинаковы, а боратные добавки в электролиты в обоих случаях вызывают более сильное ухудшение качества ЛАОП по сравнению с фосфатными добавками.

10. Экспериментально обнаружено, что внутренние и внешние слои электролитически легированных термических оксидных пленок обогащены легирующими примесями. При этом концентрация бора почти на порядок выше концентрации фосфора.

11. Экспериментально выявлено, что при реанодировании анодных оксидных пленок кремния в фосфатных и боратных электролитах происходит внедрение фосфат- и борат-анионов со скоростью, превышающей в 22 и 7 раз соответственно скорость образования новых слоев SiO₂ .

При анодном электролитическом легировании термических пленок диоксида кремния скорость проникновения фосфат-анионов составляла 0,31 нм/с, то есть более, чем в 20 раз ниже по сравнению с пленками анодного SiO₂. Скорость проникновения борат-анионов в пленки термического SiO₂ равна 0,19 нм/с, то есть также приблизительно в 20 раз ниже, чем в случае анодных пленок SiO₂ .

12. Экспериментально определено влияние условий получения ЛАОП и диффузии фосфора или бора из них в кремний на глубину залегания p-n-переходов, поверхностное сопротивление и поверхностную концентрацию диффузионных слоев.

13. Получены экспериментальные зависимости глубины залегания p-n-переходов, поверхностного сопротивления и поверхностной концентрации от времени и температуры диффузии фосфора или бора из ЛАОП в кремний и аппроксимирующие выражения для них, позволяющие осуществлять выбор режимов диффузии для формирования легированных слоев кремния с заданными электрофизическими параметрами.

Рассчитаны значения энергии активации процессов диффузии фосфора (3,2 эВ) и бора (4,6 эВ) в кремнии.

14. Экспериментально установлено, что временные и температурные зависимости параметров диффузионных слоев и распределения примесей в них удовлетворительно согласуются с математической моделью диффузии примесей из равномерно легированной оксидной пленки.

15. Разработана технология изготовления кремниевых МОП-транзисторов с использованием фосфатных ЛАОП для создания областей истока, стока, встроенного канала n--типа и подзатворного диэлектрика.

16. Экспериментально установлено, что пробивное напряжение U_эб у n-p-n транзисторов с эмиттерными областями, сформированными диффузией фосфора из ЛАОП, в 1,7 раза выше, чем в случае диффузии из PCl₃. Фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП, имеют значения коэффициента усиления в в схеме с общим эмиттером в 2,6 раза выше, чем при диффузии B из кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом.

17. Экспериментально подтверждено, что применение диффузии примесей из ЛАОП позволит сократить число высокотемпературных операций при изготовлении КМОПИС до 2.

18. Экспериментально подтверждено, что при использовании в качестве твердого диффузанта анодноокисленных пленок нитрида и термического диоксида кремния можно вскрывать контактные окна после диффузии без фоторезистивной маски за счет более высокой скорости травления ЛАОП, чем маскирующего покрытия, что позволит исключить одну фотолитографическую операцию при создании диодных структур фотодиодных матриц.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

МОНОГРАФИИ

1. Милешко Л.П., Королев А.Н. Электроника анодных оксидных пленок, формируемых в легирующих электролитах. - Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ. 2009. - 186 с.

ПУБЛИКАЦИИ В ЖУРНАЛАХ ИЗ ПЕРЕЧНЯ ВАК

2. Милешко Л.П., Сорокин И.Н., Чистяков Ю.Д. Электролитическое формирование легированных оксидных плёнок на вращающихся кремниевых подложках // Электронная техника. Сер. 3 . Микроэлектроника. - 1979. - Вып. 5(83). - С. 99-102.

3. Сеченов Д.А., Варзарев .Н., Милешко Л.П. Особенности диффузии фосфора из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Изв. вузов. Электроника. - 1997. - №5. - С. 48-50.

4. Милешко Л.П., Варзарёв Ю.Н. Кинетические и термодина-мические особенности aнодного окисления карбида кремния в эле-ктролитах на основе этиленгликоля //ФХОМ. - 2000. - №2. - С. 45-48.

5. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н. Анодное окисление пленок Si₃N₄ на кремнии в боратных и фосфатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. - 2002. - №3. - С. 38-44.

6. Милешко Л.П. Анодное электролитическое легирование термических оксидных пленок // ФХОМ. - 2002. - №6. - С. 55-59.

7. Милешко Л.П., Авдеев С.П., Нестюрина Е.Е. Состав, строение и свойства легированных анодных окисных пленок кремния // ФХОМ. - 2003. - №3. - С. 47-52.

8. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Диффузия фосфора и бора в кремний из анодных оксидных пленок // ФХОМ. -2003. -№6. - С. 67-72.

9. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Реанодирование анодных оксидных пленок в легирующих электролитах // ФХОМ. - 2004. - №4. - С. 61-63.

10. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н. Анодное окисление кремния в арсенатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. - 2004. - №6. - С. 43-47.

11. Милешко Л.П. Анодное окисление кремния в легирующих электролитах // ФХОМ. - 2004. - №3. - С. 81-92.

12. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Влияние процесса анодного окисления кремния на параметры диффузии примесей бора и фосфора из легированных оксидных пленок // Известия вузов. Электроника. - 2004. - №5. - С. 25-32.

13. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Совместная диффузия мышьяка с фосфором или бором из анодных окидых пленок в кремний // ФХОМ. - 2004. - №2. - С. 84-86.

14. Милешко Л.П., Варзарев Ю.Н., Авдеев С.П. Особенности распределения электрически активного фосфора в кремнии при диффузии из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Известия вузов. Электроника. - 2004. - №6. - С. 90-91.

15. Милешко Л.П. Особенности процессов гальваностатического анодирования алюминия, кремния и пленок нитрида кремния // Известия вузов. Электроника. - 2007. - №5. - С. 88-90.

16. Милешко Л.П. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO₂ на карбиде кремния // Известия вузов. Электроника. - 2007. - №2. - С. 10-15.

17. Милешко Л.П. Механизмы электрохимического формирования SiO₂ из структур Si₃N₄-Si // Известия вузов. Электроника. - 2007. - №1. - С. 3-11.

18. Милешко Л.П. Особенности кинетики анодного окисления вращающихся кремниевых пластин в легирующих электролитах // Известия вузов. Электроника. - 2007. - №6. - С. 70-71.

19. Милешко Л.П. Диффузия As из анодных арсенатных оксидных пленок в Si // Неорганические материалы. - 2008. - Т.44. - № 2. - С. 135-136.

20. Милешко Л.П. Влияние режима формирования анодных оксидных пленк в гальваностатическом режиме на содержание в них фосфора // Известия вузов. Электроника. -2008. - № 4, - С. 68-69.

21. Милешко Л.П. Совместное легирование фосфором и мышьяком анодных оксидных пленок кремния // Неорганические материалы. - 2009. - Т.45. - №3. - С. 300-301.

22. Милешко Л.П. Слоистое строение анодных пленок SiO₂, легированных фосфором или бором // Известия вузов. Электроника. - 2009. - №1. - С. 12-15.

АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА СССР

23. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Селиванова В.А. Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором. Авт. свид. СССР. № 527989 от 19.05.1975. БИПМ. - 2001. - № 10. - С. 334.

24. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т.А., Нагучев Д.Ш. Электролит для легирования оксидных пленок кремния фосфором. Авт. свид. СССР № 615785 от 14.01. 1977. БИМП. - 2001. - № 10. - С. 335.

25. Милешко Л.П., Волкова Т.А., Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Нагучев Д.Ш. Электролит для легирования оксидных пленок кремния бором. Авт. свид. СССР № 616893 от 01.03.1977. БИМП. - 2001. - № 10. - С. 334.

26. Бредихин И.С., Ломакина Т.П, Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д. Электролит для легирования оксидных пленок кремния мышьяком. Авт. свид. СССР № 682055 от 10.02.1978. БИМП. 2001. - № 10. - С. 335.

27. Милешко Л.П., Бредихин И.С., Селиванова В.А. Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором. Авт. свид. СССР № 545210 от 10.07. 1975. БИПМ. - 2001. - № 10. - С. 334.

28. Бредихин И.С., Милешко Л.П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т.А., Палиенко А.Н. Электролит для анодного оксидирования кремния. Авт. свид. СССР № 602054 от 2.10.1976. БИМП. - 2001. - № 10. - С. 335.

29. Милешко Л.П., Волкова Т.А., Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Палиенко А.Н., Шкиров В.С, Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии. Авт. свид. СССР № 599667 от 12.10.1976. БИМП. - 2001. - №10. - С. 334-335.

СТАТЬИ

30. Чистяков Ю.Д., Бредихин И.С., Милешко Л.П. Анодные окисные пленки кремния как твердый диффузант в планарной технологии // Зарубежная электронная техника. - М.:ЦНИИ «Электроника». - 1976. - №1(134). - С. 3-38.

31. Бредихин И.С., Волкова Т.А., Милешко Л. П., Палиенко А. Н., Чистяков Ю. Д. Применение анодных окисных пленок, леги-рованных фосфором, для изготовления МОП-транзисторов // В кн.: «Активируемые процессы технологии микроэлектроники». -Таганрог: Изд-во ТРТИ. 1976. - Вып. 2 - С. 206 - 209.

32. Милешко Л.П., Сорокин И.Н., Чистяков Ю.Д. Кинетика электролитического оксидирования карбида и нитрида кремния // В кн. «Активируемые процессы технологии микроэлектроники». - М: МИЭТ. 1980. - С. 29-40.

33. Милешко Л.П. Исследование электропроводности электролитов на основе органических растворителей для получения легированных оксидных пленок // В сб. материалов Всероссийской НПК «Лабораторное дело: организация иметоды исследования». - Пенза: ПГУ. - 2001. - C. 71-73.

34. Милешко Л.П. Физико-химические и экологические аспе-кты рационального выбора электролитов для анодного окисления металлов и полупроводников // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Экология 2002 - море и человек». Материалы второй Всероссийской научной конференции с международным участием. - Таганрог: Изд-во ТРТУ. - 2002. - №6(9). - С. 160-163.

35. Милешко Л.П. Электролиты для получения легированных анодных оксидных пленок кремния. В сб. статей по материалам Всероссийской конф. «Современные электрохимические технологии». - Саратов: СГТУ. 2002. - С. 163-167.

36. Милешко Л.П. Фундаментальные и прикладные аспекты процессов получения и применения легированных анодных и золь-гельных оксидных пленок // Известия Белорусской инженерной академии. Специальный выпуск. Материалы VII Международной НТК «Современные средства связи». - 2002. - №2(14)/2. - С. 40-41.

37. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Формирование эмиттерных и базовых областей n- p-n-транзисторов диффузией фосфора и бора из анодных оксидных пленок кремния // Электронная промышленность. - 2002. - №1. - С. 67-68.

38. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Физико-химические основы процессов получения легированных анодных пленок SiO₂ и диффузии примесей из них в кремний // Известия Белорусской инженерной академии. Специальный выпуск. Материалы VIII Международной НТК «Современные средства связи». - 2003. - №1(15)/4. - С.55-58.

39. Милешко Л.П., Авдеев С.П. Применение диффузии бора из анодных оксидных пленок в технологии кремниевых ИС // Электронная промышленность. - 2004. - №1. - С. 61-62.

40. Милешко Л.П. Применение легированных анодных оксидных пленок в технологии кремниевых приборов и интегральных микросхем // Электронная промышленность. - 2004. - №4. - С. 160-161.

41. Милешко Л.П. Формирование n⁺- слоя на светоприемной стороне кремникона диффузией фосфора из анодной оксидной пленки // Электронная промышленность. - 2006. - №4. - С. 85.

42. Милешко Л.П., Королев А.Н. Электроника анодных оксидных пленок кремния и его соединений, формируемых в легирующих электролитах - Труды десятой международной научной конференции и школы-семинара «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». - Таганрог. 2006. - Ч.1. - С. 28-30.

43. Mileshko L.P. Doped Anodic Oxide Films Obtained on Silicon and Silicon Compounds: Preparation, Properties, and Application // Inorganic Materials. - 2009. - Vol. 45. - No.13. - PP. 1494-1510.

ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ

44. Милешко Л.П. Особенности кинетики и механизма анодного окисления кремния в электролитах с легирующими компонентами // Тез. докл. 2 Всесоюзного симпозиума «Электрохимия и коррозия металлов в водно-органических и органических средах». - Ростов-на-Дону: ГКП ПГО «Южгеология». 1984. - С. 105-106.

45. Бобрицкий И.А., Милешко Л.П., Срывкин Ю.М. Состав и троение легированных анодных оксидных пленок кремния // Тез. докл. II Всесоюзной научной конф. «Физика окисных пленок». - Петрозаводск: ПГУ. 1987. - Ч. 1. - С. 18.

46. Милешко Л.П. Анодное окисление кремния, карбида и нитрида кремния // Тез. Докл. II Всесоюзной научной конференции «Физика окисных пленок».Т. II. - Петрозаводск: ПГУ. 1987. - С. 31.

47. Милешко Л.П. Применение модели коллоидного строения АОП на алюминии для описания механизма анодного окисления Si, SiC, Si₃N₄ // Тез. докл. Республ. НТС «Анод - 88». - Казань: КАИ. 1988. - С. 169 - 170.

48. Mileshko L.P., Sorokin I.N., Bondarenko V.P. Anodic oxidation of silicon in H₃PO₄ and H₃BO₃ containing solution // Abs. 40^th Int. Soc. Electrochem. Meeting, Kyoto. Japan. Sept. 17-22, 1989. - P. 748-749.

49. Милешко Л.П., Гапоненко Н.В. Коллоидно-химические закономерности формирования и строения легированных оксидных пленок на поверхности полупроводниов // Тез. докл. Второй всесоюзный конф. по физике стеклообразных твердых тел. - Рига- Лиелупе: Институт физики Латвийской Ан. 1991. - С.220.

50. Борисенко В.Е., Милешко Л.П., Гапоненко Н.В., Ковалевский Д.К. Комплекс программ для моделирования на ПЭВМ физико-химических процессов микроэлектронной технологии // Тез. докл. IX Всесоюзной конф. «Химическая информатика». - Черноголовка: ИФАВ РАН. 1992. - Ч.1. - С.141.

51. Mileshko L.P. Doped anodic silica layers on silicon as diffusant // Kurzfassungen Innomata' 96. Innovation by Materials. Dresden 7 - 9 Mai 1996.2 Ausstelungstagung fur Material - Technologie und Werkstoff - Anwendungen. Dresden. DRF PUNCT. 1996. - Р.338.

52. Варзарев Ю.Н., Милешко Л.П., Соловьев С.И. Быстрая термическая диффузия фосфора из анодного окисла // Тр. III Всероссийской науч. - техн. конф. с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». - Таганрог: Изд-во ТРТУ. 1996. - C. 44.

53. Милешко Л.П. Физико-химическое моделирование процессов формирования легированных оксидных пленок // Тез. докл. Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии». - Кисловодск. 2002. - С. 227-229.

54. Милешко Л.П., Авдеев C.П. Физико-химические особенности процессов получения пленок легированного анодного SiO₂ и диффузии примесей из них в кремний // Тез. докл. III Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». - Кисловодск. 2003. - С. 66-68.

55. Mileshko L.P. Anodic oxidation of silicon carbide in doping electrolytes on the basis of ethylene glycol // Abstracts V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials(ISSCRM-2004). Velikij Novgorod. 2004. - P. 85-86.

56. Милешко Л.П. Анодные пленки легированного диоксида кремния как диффузант в микроэлектронной технологии. Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. IY Международная конференция. Кисловодск-Ставрополь: СевКавГТУ. - 2004. - С. 99 - 102.

57. Королев А.Н., Милешко Л.П. Физико-химические основы процессов получения наноразмерных анодных оксидных пленок кремния, легированных фосфором. Труды международной научно-технической конференции «Нанотехнологии - 2010». Таганрог: ТТИ ЮФУ. 2010. - Ч.1. - С. 243-244.

Личный вклад соискателя в работах, выполненныхв соаторстве:

- в монографии [1] раздел 1 написан лично, остальные разделы написаны совместно с соавтором;

- в работах [2-5], [8-10], [12-14], [23-29], [31, 32], [37-39, 45, 48, 49, 52, 54] - экспериментальные исследования и анализ результатов выполнены совместно с соавторами, соискателю принадлежит постановка задач;

- в работе [14] - соискателю принадлежат аппроксимирующие выражения и планирование экспериментов, анализ результатов выполнен совместно с соавторами;

- в работе [30] - постановка проблемы и анализ публикаций выполнены совместно с соавторами;

- в работах [42, 57] - постановка задачи и разработка механизмов процессов сделаны совместно с соавтором, результаты экспериментального исследования и их анализ принадлежат соискателю;

- в работе [50] - разработка алгоритмов программы выполнена совместно с соавторами.

Размещено на Allbest.ru

...