Теория и практика создания системы автоматизированного проектирования вторично-электронных канальных умножителей

2) Сечение в виде эллипса с a=6 мкм и b=4 мкм. Отклонение d_э такого канала относительно среднего d_к равно минус 2%, что соответствует рассмотренному ранее случаю с d_к =9.31 мкм.

3) Сечение в виде эллипса неправильной формы, составленного из полуокружности с диаметром 8 мкм и полуэллипса с a = 6 мкм и b = 4 мкм. Все остальные конструктивные особенности и условия эксплуатации соответствуют рассмотренным ранее: длина каналов 400 мкм, lМе/вх. = 2 мкм, lМе/вых = 15 мкм, Uэк= 5 кВ, lэк= 0,5 мм.

Средние значения коэффициентов усиления М и их распределения представлены в таблице 2 (для в=0,22; в=0,23; в=0,24). Здесь же приведены отношения коэффициентов усилений каналов различных сечений, которые могут присутствовать в десятимикронной МКП, к усилению канала среднего диаметра d_к=9,5мкм и к коэффициентам усилений соответствующих эквивалентных каналов. Из данной таблицы можно сделать следующие выводы:

1) Практически все каналы эллиптического сечения уступают по своей усилительной способности каналам правильной формы.

2) Различия в величине значений М эллиптических каналов в сравнении с круглыми возрастают с увеличением эксцентриситета эллипса-сечения.

3) Различия в усилении рассматриваемых дефектов каналов имеют место не только в сравнении с круглыми каналами среднего сечения, но и в несколько меньшей степени с каналами эквивалентного диаметра. Теория приведения в соответствие значений

Таблица 2 - Характеристики усиления сигнала у каналов эллиптической формы сечения

М эллиптических и эквивалентных им круглых каналов весьма приближённа. Она учитывает только фактор калибра, но не берет во внимание значительные изменения траекторий электронов, характерные для их движения в дефектных каналах.

4) Как видно из второго раздела таблицы 2, при в = 0,23, в = 0,24 и U_МКП = 800, 900 В, усилительная способность каналов с d_э в большей степени контрастирует с М эллиптических каналов. Это можно объяснить следующим образом: фактор калибра канала эквивалентного диаметра при определенных U_МКП приводит к превышению его усилительных способностей относительно канала среднего - более крупного диаметра. Как видно из таблицы 2, при в=0,24 данное явление наступает уже при U_МКП= 700 В. Исходя из этого, следует отметить, что идентификация усилительной способности канала эллиптического сечения с каналом эквивалентного круглого диаметра не всегда верна даже приближённо. Предлагаемая в данной работе модель даёт более адекватные результаты расчёта М.

5) В соответствии с п.4 можно сделать вывод, что каналы эллиптического сечения в отличие от круглых каналов с диаметром меньше среднего при росте U_МКП (в заданном диапазоне) не изменят знак контраста и не перейдут из тёмного дефекта ЧПЗ (например, элементов тёмной сетки) в светлый.

6) Как следует из таблицы 2, разница в усилении между круглыми и эллиптическими каналами возрастает с увеличением U_МКП и степени отклонения сечения от круглого. Значения дисперсии величин М относительно близки к соответствующим величинам каналов правильной формы.

Разработанная модель позволяет оценить степень воздействия на дефекты "разнояркость" и "сотовая структура" не только геометрических факторов, например фактора калибра, фактора эллиптичности сечения канала, но и влияние вторично-эмиссионных характеристик стенок каналов, в частности значений в, объяснить способность «сотовой структуры» видоизменяться, варьируя знаком контраста.

В шестой главе создан и реализован алгоритм моделирования токового насыщения в каналах МКП. Он построен на основе алгоритма расчёта процессов умножения электронов в каналах, работающих в линейном режиме, и дополнен блоком определения продольной координаты выходной области канала, в которой начинается проявление данного эффекта, а также блоком пересчёта распределения электрического поля в соответствующей части канала. Обозначенная координата определяется из известного из работ С.К. Кулова условия перехода МКП в режим токового насыщения, установленного опытным путём, согласно которому умножитель начинает работу в нелинейном режиме, если выходной ток канала Iвых составляет более 5% от тока проводимости канала Iп. Таким образом, условие перехода канала в нелинейный режим работы можно записать в виде:

В = ( Iвых / Iп ) > 0 (18)

При этом значение Iп необходимо рассчитывать в соответствии с задаваемыми величинами UМКП и RМКП.

Iп = UМКП / Rк = UМКП /(RМКП .n), (19)

где Rк - продольное сопротивление единичного канала, Ом; n - количество каналов в МКП ( в МКП 18-10 n ? 3 . 106 штук).

Поскольку типичное электрическое сопротивление всей микроканаль-ной пластины RМКП ?1,5 . 108 Ом, то Rк = 4,5 . 1014 Ом, Iп = 1,78 . 10-12 А (при UМКП = 800В).

Значение выходного тока МКП, работающей в ЭОП, Iвых определяется, исходя из заданной величины входного тока Iвх и рассчитываемого в динамическом режиме коэффициента усиления канала М. При машинном анализе процессов умножения электронов в канале достигаемое значение усиления сигнала М, а значит и величину Iвых, можно контролировать на протяжении всего канала. Величина Iвых определялась из выражений:

Iвых = М . Iвх =М . ц . Е . S, (20)

где ц - интегральная чувствительность фотокатода ЭОП, мкА/лм; Е - рабочая освещённость, лк; S - полезная площадь фотокатода, м2.

МКП 18-10 содержит n ? 3 .106 каналов, а коэффициент прозрачности данной пластины щ ? 0,58. В рамках данной работы было установлено, что до 50% электронов сигнала, провзаимодействовавших с входной торцевой поверхностью МКП, под влиянием электрического поля всё равно проникает в каналы. С учётом перечисленных сведений можно рассчитать среднее значение входного тока одного канала из следующего выражения:

Iвх1 = ( щ + 0,5( 1 - щ )) Iвх / n. (21)

Если ц = 500 мкА/лм, Е = 5 .10-4 лк, S = 2,7 м2 , тогда Iвх =6,75 10-11 А, Iвх1 =1,78 . 10-17 А.

Далее следует определить значение М, при достижении которого с учётом известных величин Iвх1 и Iп канал перейдёт в нелинейный режим усиления. Для этого необходимо воспользоваться следующим выражением, вытекающим из (18 - 21):

М = 0.05 Iп / Iвх1. (22)

В данном случае, согласно ( 22), М = 5 . 103 .

После определения новой картины поля в выходной части канала, изменившейся вследствие увеличения темпа прироста потенциала на его стенках, осуществляется дальнейший расчёт поведения электронов с определением итогового значения М.

Разработанный алгоритм был реализован в виде программного продукта на языке Quic Basic 4.5, с помощью которого осуществлялись расчёты усиления каналов в условиях повышенных значений входных токов. Результаты расчётов представлены на рисунке 9. Для сравнения здесь же приведены и соответствующие экспериментальные кривые, построенные для МКП 18-10.

1 - Iвх = 10-10 A; 2 - Iвх = 10-9 A.

Рисунок 9 - Расчётные и эмпирические зависимости М= f(UМКП) для МКП 18-10

Как видно, расчётные и экспериментальные зависимости близки по характеру, поэтому данная модель может использоваться при качественном анализе процессов токового насыщения в канальном умножителе.

Разработанные средства САПР позволяют также моделировать распределение диаметра кружка рассеяния электронного изображения канала dр, определяющего значение одного из обозначенных ранее критериев оптимальности - разрешающей способности. Значения dр в различных условиях работы МКП определяются посредством автоматизированного расчёта и анализа энергетических и угловых распределений электронов, вылетающих из каналов в высоковольтный экранный промежуток изделия применения - ЭОП.

На рисунке 10 представлены некоторые результаты проведённых в главе 7 исследований. При неизменном Uэкр=5 кВ было рассмотрено множество вариантов с различными dк, б, Uмкп, lэк, lМе/вых и формой сечения каналов.

Сравнительный анализ данных характеристик позволяет сделать следующие выводы:

- Максимальные значения dр в случаях, представленных на рисунках 10 а-в, составляют порядка 60мкм. Полученный результат хорошо согласуется с данными, приведёнными в работах Н. Кошиды. Здесь отмечается, что разброс в точках взаимодействия электронов с экраном, находящимся на расстоянии 1мм от МКП и при Uэкр=3,5 кВ, составляет примерно 90 мкм (известно, что снижение Uэкр увеличивает dр).

- Область экрана, наиболее интенсивно возбуждаемая электронами одного канала МКП, составляет в диаметре порядка 25 ч 30 мкм. Самым важным фактором, влияющим на поведение электронов, является значение напряжённости электрического поля в промежутке Eмкп/экр (в рассмотренных вариантах она варьируется от 5 до 10 кВ/мм посредством снижения величины lэк от 1 до 0,5мм при неизменном Uэкр=5 кВ). Такое увеличение Eмкп/экр, как видно из рисунков 10 б и г, почти в 2 раза снижает среднее значение dр, заметно сдвигает распределение в более выгодное положение.

Интенсивно возбуждаемая электронами область экрана в данном случае уже не превышает 15-20мкм, что соответствует электронной разрешающей способности МКП N порядка 50 ч 66 штр./мм (N =1/dр).

а) dк=10 мкм, б=40, Uмкп=700 В, lэк=1мм, lМе/вых=15 мкм. dр.ср.=12 мкм

б) dк= 10 мкм, б=40, Uмкп=800 В, lэк=1мм, lМе/вых=15 мкм. dр.ср.=12,5 мкм

в) dк= 10 мкм, б=40, Uмкп=900 В, lэк=1 мм, lМе/вых=15 мкм. dр.ср.=12,4 мкм

г) dк= 10 мкм, б=40, Uмкп=800 В, lэк=0,5 мм, lМе/вых=15 мкм. dр.ср.=6,94 мкм

Рисунок 10 - Результаты моделирования величины dр

Изменение Uмкп в довольно широких пределах (от 700 до 900 В без учёта эффекта насыщения), как видно из рисунков 10 а-в, не приводит к значимому изменению dр.

Увеличение длины металлизации в выходной части канала lМе/вых сужает распределение, что положительно, однако подобная мера приводит к снижению усилительной способности каналов.

Расчет распределения dр с каналом диаметром, равным 5 мкм, показывает, что ожидаемое снижение dр с уменьшением dк наступает только при соответствующем оптимальном сочетании рассматриваемых и учитываемых факторов. В частности, для уменьшения кружка рассеяния необходимо дальнейшее уменьшение расстояния lэк, что в реальных условиях потребует оптимизации конструкции узла МКП-экран в изделиях применения для предотвращения электрических пробоев автоэлектронного происхождения.

Обобщённый анализ каналов с эллиптическим сечением заметно не выделяет значение их dр в сравнении с круглым (в отличие от значений М), что вероятно объясняется относительной схожестью, энергетических и угловых распределений электронов, эмитируемых каналами круглого и эллиптического сечений.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации на основании выполненных автором исследований решена задача, имеющая важное научное и хозяйственное значение, связанная с разработкой и производством эффективно функционирующих многоканальных вторично-электронных умножителей.

Основные научные выводы и результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования изделий вторично-эмиссионной электроники, определены проблемы и направления их развития.

2. Обоснованы целевые задачи средств автоматизации проектирования изделий канальной вторично-эмиссионной электроники и требования к ним. Построен алгоритм САПР канальных умножителей. Разработан метод оптимизации в задаче их автоматизированного проектирования.

3. Разработаны математические модели электрических полей в объёме канальных электронных умножителях круглой и с отклонениями в симметрии формы сечения, учитывающие влияние внешних электрических полей высокой напряжённости, формируемых изделием применения.

4. Разработан метод определения и задания граничных условий при моделировании электрического поля канала, позволяющий учитывать особенности конструкции торцевой поверхности МКП (матрицу каналов) и отличающийся меньшей потребностью в оперативной памяти ЭВМ при реализации.

5. Разработана модель поведения электронов в канале умножителя и прилегающих областях электронно-оптического преобразователя.

6. Построена схема работы системы расчёта поведения электронов в канальном умножителе и прилегающих областях, отражающая взаимосвязь операций и поток данных в системе.

7. Построен комплекс алгоритмов программ, реализующих элементы разрабатываемой САПР. Установлено, что расхождения между расчётными и соответствующими экспериментальными значениями и литературными данными не превышают 10-12%.

8. Промоделирована степень влияния дефектов геометрии каналов МКП, включающих разброс диаметров каналов круглого сечения не более чем на 2ч2,5%, а также эллиптичность на их усилительную способность и чистоту поля зрения электронного изображения. Уточнены результаты исследований усиления круглых каналов с отклонениями в диаметре, полученные согласно шаговой модели.

9. Проведено моделирование и исследованы процессы взаимодействия фотоэлектронов с входной поверхностью МКП. Установлено, что до 50% фотоэлектронов, провзаимодействовавших с входной торцевой поверхностью, под воздействием электрического поля возвращаются в каналы.

10. Разработанные алгоритмы позволяют определять влияние различных факторов, характерных для выходной области МКП, на угловое и энергетическое распределение покидающих каналы электронов. Показано, что максимальные значения кружков рассеяния электронного изображения каналов МКП на люминесцентном экране ЭОП составляют порядка 60 мкм.

11. Промоделирована взаимосвязь между углами вылета электронов из каналов МКП и их энергией. Подтверждено, что большинство электронов имеют меньший угол вылета (б?4) и характеризуются более низкими значениями энергий (е ?15-20 эВ).

12. Разработана динамическая модель влияния развития процессов токового насыщения, возникающих в выходной части канала, на распределение электрического поля в нём и его усилительную способность.

13. Разработана виртуальная библиотека анализируемых конструктивных элементов различных канальных умножителей, функционирующих в разных режимах в условиях специальных устройств.

14. Внедрение и использование разработанных средств на соответствующих предприятиях позволило существенно развить возможности автоматизации проектирования продукции; снизить затраты на разработку и внедрение новой продукции, вследствие замены дорогостоящего промышленного исследования и макетирования компьютерным моделированием. В актах внедрения, полученных по итогам работы, отмечено, что на основе предложенных решений на предприятиях НЗПП г. Нальчика и ООО "Энергосервис" г. Владикавказа значительно увеличилась эффективность работы. Ожидаемый годовой экономический эффект, рассчитанный финансовыми службами, составляет несколько миллионов рублей. Результаты работы также внедрены в учебный процесс кафедры "Электронные приборы" Северо-Кавказского горно-металлургического института (государственного технологического университета).

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ В ЖУРНАЛАХ, РЕКОМЕНДОВАННЫХ ВАК

1. Гончаров, И.Н. К вопросу о моделировании динамики поведения электронов в канале МКП [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, М.Г. Мустафаев // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2007. - № 3. - C. 23-24.

2. Гончаров, И.Н. Основные направления совершенствования электронно-оптических преобразователей [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, В.А. Маркина // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Физика. - 2007. - № 3. - С.36-38. Принято к печати в ноябре 2006 г.

3. Гончаров, И.Н. Анализ процессов зарядки стенок каналов в микроканальных пластинах при прохождении электронной лавины [Текст] / Е.Н. Козырев Е.Н., И.Н. Гончаров, В.А. Маркина // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Физика.-2007.- № 4. - С. 38-40. Принято к печати в ноябре 2006 г.

4. Гончаров, И.Н. Моделирование и сравнительный анализ усиления электронного сигнала в различных каналах МКП [Текст] / И.Н. Гончаров // Известия вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2008. - № 5. С.32-36.

5.Гончаров, И.Н. Разработка алгоритма автоматизированного проектирования элементов фотоэлектронных датчиков [Текст] / И.Н. Гончаров // Горный информационно-аналитический бюллетень.-2009.- № 4. С.125-131.

6. Гончаров, И.Н. Моделирование траекторий электронов в канальных вторично-эмиссионных умножителях [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, А.Г. Моураов // Известия вузов. Проблемы энергетики. - Казань: Казанский государственный энергетический университет. - 2009. - № 3-4. С.94-103.

7. Гончаров, И.Н. Моделирование и автоматизированный расчёт энергетических и угловых распределений электронов в промежутке микроканальная пластина - экран [Текст] / И.Н. Гончаров // Известия вузов Сев.-Кавк. регион. Тех. науки. - 2009. - № 2. С.12-17.

8. Гончаров, И.Н. Моделирование зарядовых явлений в САПР вторично-эмиссионных усилителей [Текст] / И.Н. Гончаров // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2009. - Том 5, № 5. С.148- -150.

9. Гончаров, И.Н. Автоматизированное проектирование канальных электронных умножителей [Текст] / И.Н. Гончаров // Приборы и системы. -2009. -№ 3. С. 38 - 44.

10. Гончаров, И.Н. Алгоритм САПР канальных электронных умножителей [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2009. - Том 5, № 6. С.114-116.

Получены патенты на изобретения

11. Инверсионный электронно-оптический преобразователь: патент 2139589 Рос. Федерация: МПК⁶ H 01 J 31/50/ Ю.А. Розэ, В.Н. Бурзянцев, Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, Г.В. Федотова, Н.Г. Максимова. Заявл. 15.12.1997; опубл. 10.10.1999, Бюл. № 28.

В других журналах и сборниках научных трудов

12. Гончаров, И.Н. Влияние обратного ионного потока на параметры микроканальных электронно-оптических преобразователей [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Сб. мат-лов НТК. - Владикавказ: СКГТУ, 1995.- С.38-41.

13. Гончаров, И.Н. Анализ основных факторов шума микроканальных ЭОП [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Депонирование в ВИНИТИ. - 2009. - N1576-В97.

14. Гончаров, И.Н. Анализ основных факторов шума МКП в ЭОП [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Сб. мат-лов НТК. - Владикавказ: СКГТУ, 1997. - С.59-62.

15. Гончаров, И.Н. Автоматизированное проектирование системы нейтрализации ионов в электронно-оптических преобразователях [Текст] / И.Н. Гончаров // Сб. мат-лов НТК.- Владикавказ: СКГТУ, 1998.- С.113-117.

16. Гончаров, И.Н. Анализ причин повышенной яркости темнового фона электронно-оптических преобразователей и методы борьбы с ней [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, Г.В. Федотова // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып.5. Владикавказ: СКГТУ, 1998. - С.3-8.

17. Гончаров, И.Н. Анализ траекторий обратных положительных ионов, эмитируемых микроканальной пластиной, в инверсионных электронно-оптических преобразователях различных конструкций [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Сб. мат-лов НТК. - Владикавказ: СКГТУ, 1998. - С. 117-122.

18. Гончаров, И.Н. Расчёт углов влёта фотоэлектронов в каналы микроканальных пластин электронно-оптических преобразователей 2-го поколения [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып.6. Владикавказ: СКГТУ, 1999. - С.211-215.

19. Гончаров, И.Н. Исследование траекторий обратных положительных ионов в инверсионных электронно-оптических преобразователях различных конструкций [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, Г.В. Федотова // Информационная математика, кибернетика, искусственный интеллект в информациологии: Сб. мат-лов междунар. конф. - Москва, 2001. - С.83-87.

20. Гончаров И.Н. Влияние обратных положительных ионов, эмитируемых микроканальной пластиной, на характеристики электронно-оптических преобразователей второго поколения [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров И.Н., Г.В. Федотова // Информационная математика, кибернетика, искусственный интеллект в информациологии: Сб. мат-лов междунар. конф. - Москва, 2001. - С.87-93.

21. Гончаров, И.Н. Микроканальный инверсионный электронно-оптический преобразователь в цельной стеклянной оболочке [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, А.Н. Цаголов // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 8. Владикавказ: СКГТУ, 2001. - С.269-271.

22. Гончаров И.Н. Минимизация дефекта "цезирование экрана" в электронно-оптических преобразователях [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, Д.Е. Душкин //Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Вып. 8. Владикавказ: СКГТУ, 2001. - С.265-269.

23. Гончаров, И.Н. Разработка модели поведения обратных положительных ионов в электронно-оптических преобразователях, используемых в технике ночного видения [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев // Новые информационные технологии в науке, образовании, экономике: Сб. мат-лов междунар. конф. - Владикавказ, 2002. - С.64-65.

24. Гончаров, И.Н. Модель автоматизированного анализа различных браков в производстве электронно-оптических преобразователей [Текст] / И.Н. Гончаров, В.А. Маркина // Труды Северо-Кавказского горно-металлургического института. Вып. 10. Владикавказ: СКГМИ (ГТУ), 2003. - С.153-156.

25. Гончаров, И.Н. Задача оптимизации технологического процесса в производстве электронно-оптических преобразователей [Текст] / И.Н. Гончаров, В.А. Маркина // Сб. научных трудов Северо-Осетинского отделения Академии наук Высшей школы РФ. Вып. 1(I), Владикавказ, 2003. - С. 151- 155.

26. Гончаров, И.Н. Основные направления снижения фактора шума в ЭОП и пути их реализации [Текст] / И.Н. Гончаров, В.А. Маркина, З.А. Хубаев // Труды молодых учёных СКГМИ. Вып. 2, Владикавказ, 2005. - С.16-22.

27. Гончаров, И.Н. Рост отношения сигнал-шум, как приоритетная задача в совершенствовании электронно-оптических преобразователей [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров // Юбилейный сб. трудов Северо-Кавказского горно-металлургического института (ГТУ). Владикавказ: СКГМИ (ГТУ), 2006. - С.128-132.

28. Гончаров, И.Н. Повышение эффективности фотокатода, как условие совершенствования электронно-оптических преобразователей [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров // Сб. научных трудов Северо-Осетинского отделения Академии наук Высшей школы РФ. Вып. 3, Владикавказ, 2006. - С. 123-127.

29. Гончаров, И.Н. Вопросы моделирования траекторий в канале МКП [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров, Л.М. Дедегкаева // Сб. научных трудов Северо-Осетинского отделения Академии наук Высшей школы РФ. Вып. 4, Владикавказ, 2006. - С.127-131.

30. Гончаров, И.Н. Модель автоматизированного анализа браков в производстве микроканальных пластин [Текст] / В.А. Маркина, И.Н. Гончаров, К.Ю. Кцоев // Труды молодых учёных СКГМИ. Вып. 1, Владикавказ, 2006. - С.32-35.

31. Гончаров, И.Н. Разработка и реализация модели поведения электронов, эмитируемых МКП [Текст] / Е.Н. Козырев, И.Н. Гончаров // Инновационные технологии для устойчивого развития горных территорий: Сб. мат-лов VI междунар. конф. - Владикавказ, 2007. - С.150-154.

32. Гончаров, И.Н. Разработка математического описания поведения электронов в условиях канала МКП [Текст] / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, А.Г. Моураов // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Физика. - 2008. - № 5. - С.39 - 42.

33. Гончаров, И.Н. Решение оптимальной задачи в САПР канальных умножителей [Текст] / И.Н. Гончаров// Потенциал развития России XXI века: Сб. статей всеросс. научно-прак. конф. - Пенза, 2009. - С.22 - 23.

Размещено на Allbest.ru